Hallo, kann bei einem NPN Bipolartransistor ein Strom von der Basis Collector fließen?
>kann bei einem NPN Bipolartransistor ein Strom von der Basis Collector >fließen? Da fehlt ein zum kann bei einem NPN Bipolartransistor ein Strom von der Basis zum Collector fließen?
A. R. schrieb: > Hallo, > > kann bei einem NPN Bipolartransistor ein Strom von der Basis Collector > fließen? Es handelt sich hierbei um ein ganz normalen PN-Übergang. Im Normalbetrieb wird dieser in Sperrrichtung betrieben, dann fließen hier lediglich Leckströme. Betreibt man ihn in Flussrichtung können da, je nach Transistor&Beschaltung halt auch, einige Ampere fließen und den Transistor zerstören.
Ok Danke Das klingt für mich sehr gut. Das heißt nämlich, dass der Übergang nur bei Überlast zerstört wird nicht bei Überspannung. Was passiert, wenn ich eine Spannung von Emitter nach Collector von 5V anlegen? Also eigendlich verkehrt herum.
A. R. schrieb: > Ok Danke > > Das klingt für mich sehr gut. Aha. > Das heißt nämlich, dass der Übergang nur > > bei Überlast zerstört wird nicht bei Überspannung. Eben genau das heißt es NICHT. Natürlich kann der Übergang genauso bei Überspannung zerstört werden.
A. R. schrieb: > nicht bei Überspannung Überspannung schlägt die Diode durch. A. R. schrieb: > Was passiert, wenn ich eine Spannung von Emitter nach Collector von 5V > anlegen? Also eigendlich verkehrt herum. Sowohl von CE, wie auch EC wird kein (für dich messbarer) Strom fließen. Lediglich kleine Leckströme.
Michael schrieb folgendes. >Es handelt sich hierbei um ein ganz normalen PN-Übergang. Im >Normalbetrieb wird dieser in Sperrrichtung betrieben, dann fließen hier >lediglich Leckströme. Betreibt man ihn in Flussrichtung können da, je >nach Transistor&Beschaltung halt auch, einige Ampere fließen und den >Transistor zerstören. Ein PN-Übergang ist doch eine Diode. Wenn ich diese in Flussrichtung betreibe. Also wenn Strom von der Basis zum Collector fließt. Dann sollte doch kein defekt durch Überspannung auftreten können oder? Die Spannung Collector-Basis ist im Datenblatt spezifiziert. Mir geht es um den Betrieb in Durchlassrichtung. >Sowohl von CE, wie auch EC wird kein (für dich messbarer) Strom fließen. >Lediglich kleine Leckströme. Wie ist die Spannung die er aushält? CE ist im Datenblatt spezifiziert EC nicht.
A. R. schrieb: > Was passiert, wenn ich eine Spannung von Emitter nach Collector von 5V > anlegen? Also eigendlich verkehrt herum. 5V ist ok. 10V ist nicht ok. So wie normalerweise die CB-Sperrspannung begrenzt, ist nun die BE-Sperrspannung der begrenzende Faktor. Und da sind üblicherweise nicht mehr als 5V drin. Ein Bipolartransistor funktioniert auch verkehrt herum (Inversbetrieb), nur mit völlig anderen Daten wie z.B. sehr schlechter Verstärkung.
A. R. schrieb: > Ein PN-Übergang ist doch eine Diode. > Wenn ich diese in Flussrichtung betreibe. Also wenn Strom von der Basis > zum Collector fließt. Dann sollte doch kein defekt durch Überspannung > auftreten können oder? Überspannung nicht aber wenn der Strom groß genug wird wird der PN-Übergang den Hitztod sterben und da Strom und Spannung beim PN-Übergang schon eine Relation haben kann man hier auch von Überspannung reden. Das gilt auch für die Sperrichtung, ist die Spannung hoch genug gibts einen Druchschlagt->extrem hoher Strom kommt plötzlich zum fließen->PN-Übergang stirbt den Hitzetod A. R. schrieb: > CE ist im Datenblatt spezifiziert EC nicht. CE ist Normalbetrieb, EC ist das nicht, deshalb gibt mans wohl nicht an. Zumindest ich bin bisher noch nicht dazu gekommen eine Anwendung zu bauen wo man einen Transistor anders als im Normalbetrieb betreibt.
Michael schrieb: > CE ist Normalbetrieb, EC ist das nicht, deshalb gibt mans wohl nicht an. > Zumindest ich bin bisher noch nicht dazu gekommen eine Anwendung zu > bauen wo man einen Transistor anders als im Normalbetrieb betreibt. Beitrag "Re: 1 Transitor + 2 Widerstände = Verwirrung"
Ich werds heute Abend mal Testen. Mehr als 5V wird der Transistor von keiner Seite aus sehen. Der Strom über die Basis ist stark begrenzt. Das einzige Problem ist, dass er zwischendruch auf der CE-Strecke -5 anliegen.
Michael schrieb: >Zumindest ich bin bisher noch nicht dazu gekommen eine >Anwendung zu bauen wo man einen Transistor anders als im >Normalbetrieb betreibt. Es gab hier vor einigen Monaten eine Diskussion zum Transistor, den Titel weiß ich jedoch nicht mehr. Es ging da um niedrige Sättigungsspannungen. Von einem Forenteilnehmer (Helmut Lenzen) bekam ich damals den Tip, daß man bei Inversbetrieb eine um den Faktor 10 niedrigere Sättigungsspannung erreichen kann, auch wenn einige andere Parameter schlecht sind. Das fand ich überaus interessant. Helmut gab auch einen Link zur betreffenden Seite im Tietze-Schenk (über Google-Books), da steht es wohl drin. Das war mir bis dahin völlig unbekannt, simulieren auf den üblichen Simulatoren wie PSPICE kann man es auch nicht: Diese beherrschen nur den Normalbetrieb. Allerdings wäre ich vorsichtig, solche vom Hersteller nicht dokumentierten Eigenschaften in eine industrielle Steuerung einzubauen. Da ist ja nichts garantiert, aber für eine spezielle Hobbyanwendung ist es vielleicht ganz nett und brauchbar. Falls sich die Frage des Threads auf den Transistor in Emitterschaltung bezieht: Ja, natürlich fließt auch mal ein Strom von der Basis zum Kollektor. Und zwar genau dann, wenn der Transistor vom linearen Betrieb in die Sättigung geht. Dann wird das Kollektorpotential negativer als das Basispotential. Der Stromfluß findet auch nur innerhalb des Kristalls statt, es fließt da nicht wirklich was aus dem Kollektor heraus.
Der Inversbetrieb ist mir auch bekannt, bisher hatte ich allerdings keine Verwendung für diesen. Ich kenne ihn auch nur aus ICs eigentlich. In einem IC kann dies durchaus auch mal sinnvoll mit anderen Transistoren verbunden werden. In diskreten Aufbauten ist mir das bisher noch nie begegnet. Das soll natürlich nicht heißen, dass es das nicht gibt. ;)
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