Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik mosfet überhitzt, gatetreiber, low side


von mosfet (Gast)


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hallo,

bei meinem step up konverter (Dutycycle = 0,8; f = 300kHz)überhitzt der 
mosfet(IRF840) andauernd.
ich verwende den lowsidetreiber IR4426.
die rechteckspannung am gate des mosfet hat aber logischer weise 
(hässliche) überschwinger.
ich vermute das diese überschwinger der grund sind für die überhitzung 
des mosfet(z.b. bereits bei 15 V am eingang des converters) ? am ausgang 
des konverters hängt ein entsprechender widerstand damit nur ein 
bruchteil des ausgangsstromes fließt.
converterdaten: Vin=300V; Vout=1500V; Iout=2mA

ich hab das ganze mit und ohne gatewiderständen versucht, ändert aber 
nicht wirklich etwas an der sache.

hat jemand einen rat für mich ?

danke mfg

: Verschoben durch Admin
von Ben _. (burning_silicon)


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hmm da du keinen schaltplan mitgeliefert hast muß ich mal kurz meine 
glaskugel raussuchen... nanu wo hab ich die denn hingetan... ach da ist 
sie ja **RUMMS**KRACH**SCHEPPER**KLIRR** ooch mist nun ist sie mir 
runtergefallen.............

nee mal ehrlich, ohne schaltplan ist das ganze rätselraten. ein 
einfacher drosselwandler wie es die beschreibung "step up converter" 
deuten läßt kann es ja nicht sein weil der IRF840 deine 1500V nicht 
sperren könnte.

die hässlichen überschwinger entstehen bei 300kHz auch recht schnell 
durch die messleitungen bzw. damit einhergehende induktivitäten und 
kapazitäten.

von mosfet (Gast)


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hallo,

also wie gesagt ich bin noch lang nicht auf 1500 Vout(der wird schon bei 
30 Vin brennheiß!) den gate treiber hab ich genauso beschaltet wie im 
datenblatt nur da hängt halt nicht viel dran, ein abblockkondensator 
zwischen masse und versorgung. den input bekommt der treiber (vorerst) 
von einer kombination aus ne555 und monoflop(dieser teil funktioniert 
ganz wie gewünscht).
Vds max vom IRF840 liegt bei 500V, auf diesem spannungswert bin in ich 
aber noch lange nicht(voher stirbt der IRF an überhitzung;+)

danke mfg

von Simon K. (simon) Benutzerseite


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Das Bild hilft natürlich extrem weiter. Vermutlich ist dein Aufbau auf 
dem Steckbrett oder über 10m² verteilt mit Klingeldraht 
zusammengeschustert ;-)

von mosfet (Gast)


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hallo,

nicht ganz. kein steckbrett aber lochraster. ...hat auch alles auf 5x5cm 
gepasst. das lochraster oder steckbrett alles andere als optimal ist 
weiß ich auch, war auch nicht die frage ;+)

mfg

von Manfred S. (mandinice)


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Hallöchen

Bin kein Experte, aber :

66mH und 300kHz ?  Kann das passen ?

Ich baue gerade ein Ladegerät und da habe ich 10uH bei 64kHz.

mfg
Mandi

von Manfred S. (mandinice)


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Hallöchen nochmals.

Nur zur Sicherheit :
Je höher die Frequenz desto höher die Schaltverluste !

mfg
Mandi

von Simon K. (simon) Benutzerseite


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mosfet schrieb:
> hallo,
>
> nicht ganz. kein steckbrett aber lochraster. ...hat auch alles auf 5x5cm
> gepasst. das lochraster oder steckbrett alles andere als optimal ist
> weiß ich auch, war auch nicht die frage ;+)

Ich kann dir auch direkt auf die Frage antworten: Nein hab keinen Rat 
für dich.
Vielleicht, wenn du etwas mehr Bildmaterial vom Aufbau und den 
Schaltplan zur Verfügung stellen könntest.
(Nein, das da oben taugt nicht als Schaltplan).

von U. B. (Gast)


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D1 ist keine Netzdiode ?

von mosfet (Gast)


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hallo,

an manfred schön: ich weiß dass schaltverluste mit der frequenz steigen 
(zumind. theoretisch;+). und die 66mH hab ich mit hilfe des buches 
"Magnetic Core Selection for Transformers and Inductors: A User's Guide 
to Practice and Specifications" errechnet. dort wird die berechnung für 
eine step up converter - drossel schritt für schritt an einem beispiel 
erklärt (ich geh davon aus dass die berechnung aus dem buch stimmt)

an U. B.: was sind denn netzdioden ? ich hab eine uf4007 drinnen.

danke mfg

von U.R. Schmitt (Gast)


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Klasse Schaltung, keinerlei Regelung.
Wenn man davon ausgeht, daß der Transistor unendlich schnell schaltet 
wird die Spannung binnen ein paar Schaltzyklen so hoch ansteigen, bis 
entweder der Mosfet und/oder die Diode durchbricht, oder der Kondensator 
durchschlägt.
Sehr sinnvoll.
Auch die Angaben sind so schön eindeutig:

mosfet schrieb:
> converterdaten: Vin=300V; Vout=1500V; Iout=2mA
mosfet schrieb:
> Vds max vom IRF840 liegt bei 500V, auf diesem spannungswert bin in ich
> aber noch lange nicht(voher stirbt der IRF an überhitzung;+)

Was denn jetzt?

Und

mosfet schrieb:
> (ich geh davon aus dass die berechnung aus dem buch stimmt)
Die vom Buch vieleicht schon, aber hast du die Rechnung richtig 
übernommen?

Und

mosfet schrieb:
> den gate treiber hab ich genauso beschaltet wie im
> datenblatt nur da hängt halt nicht viel dran, ein abblockkondensator
> zwischen masse und versorgung. den input bekommt der treiber (vorerst)
> von einer kombination aus ne555 und monoflop(dieser teil funktioniert
> ganz wie gewünscht).
Ja und? Schaltplan, Bild der Ansteuerung? Wie lang ist das Kabel 
zwischen dem Teil und dem Mosfet Gate?
Ich bin weis Gott kein Schaltnetzteilexperte, aber die Überschwinger 
haben garantiert ihre Ursache, und zwar höchstwahrscheinlich im Aufbau.

Wo ist das Oszibild?
Vieleicht solltest du mal mit 50kHz, 20V und einer Last am Ausgang 
anfangen und dich dann langsam hocharbeiten.

Ansonsten bring die notwendigen Infos rüber (siehe Netiquette)
und lass dir nicht alles scheibchenweise aus der Nase ziehen.

von Martin O. (ossi-2)


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Wenn Deine Spule wirklich 66mH hat, hat sie vermutlich eine
Resonanzfrequenz unterhalb der von Dir gewählten Schaltfrequenz von 
300kHz.
(Nur ein Blick in die Glaskugel...)

von mosfet (Gast)


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hallo,

mosfet schrieb:
> des konverters hängt ein entsprechender widerstand damit nur ein
> bruchteil des ausgangsstromes fließt.

=>steigt also nicht unendlich da kein leerlauf

U.R. Schmitt schrieb:
> mosfet schrieb:
>> converterdaten: Vin=300V; Vout=1500V; Iout=2mA

hierbei handelt es sich um die "gewünschten" nenndaten und nicht die 
tatsächlichen werte die sich ergeben.


U.R. Schmitt schrieb:
> mosfet schrieb:
>> Vds max vom IRF840 liegt bei 500V, auf diesem spannungswert bin in ich
>> aber noch lange nicht(voher stirbt der IRF an überhitzung;+)
>
> Was denn jetzt?

da die schaltung die 1500V nicht erreicht sondern nur auf etwa 500V 
kommt und laut maschenregel selbst bei 1,5kV nur 300V am fet anliegen 
sollte das für den transistor kein problem sein.

U.R. Schmitt schrieb:
> Ja und? Schaltplan, Bild der Ansteuerung? Wie lang ist das Kabel
> zwischen dem Teil und dem Mosfet Gate?


schaltplan der ansteuerung wird nachgeliefert oszi bilder auch (tut 
leid)
zur ansteuerung:der eingang einer monostabile kippstufe (SN74LS123), ist 
mit einem frequenzgenerator verbunden, die pulsbreite wird mittels 
trimmpoti(am monoflop) eingestellt. der draht zwischen mosfet und 
treiber ist ca. 2cm lang.

aber wie gesagt bis zum gate treiber sieht das signal "lehrbuchhaft" aus

U.R. Schmitt schrieb:
> Ich bin weis Gott kein Schaltnetzteilexperte, aber die Überschwinger
> haben garantiert ihre Ursache, und zwar höchstwahrscheinlich im Aufbau.

ich leider auch nicht ;+)

von Philipp (Gast)


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>da die schaltung die 1500V nicht erreicht sondern nur auf etwa 500V
>kommt und laut maschenregel selbst bei 1,5kV nur 300V am fet anliegen
>sollte das für den transistor kein problem sein.
Wow, das will ich sehen! Gegen Physik wirst du nicht ankommen. am Mosfet 
würden sogar 1500,7V anliegen. Aber der gibt sehr viel Früher nach! Wo 
ist deine Regelung? Die überhitzung kommt von der Gateansteuerung, von 
der dun uns bisher noch nichts preisgegeben hast.

von mosfet (Gast)


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hallo,

Philipp schrieb:
> Wow, das will ich sehen! Gegen Physik wirst du nicht ankommen. am Mosfet
> würden sogar 1500,7V anliegen. Aber der gibt sehr viel Früher nach!

du hast natürlich recht. die diode "öffnet" nur wenn die anode höher 
liegt als die katode und bei 1,5kV am ausgang wären das dann auch 1500 + 
Uf der diode (blöder denkfehler). aber wie gesagt aus dem converter sind 
bis jetzt nur ca. 520-540 V rausgekommen.

ist das schon des rätsels lösung?:....kann es sein dass der fet bei 
diesen 520-540V die ja höher als die erlaubte Udsmax sind, nicht sofort 
zerstört wird sondern eben "nur" überhitzt(durchbricht) und nicht mehr 
korrekt arbeitet(und langsam den hitzetod stirbt). wird deshalb Uout des 
konverters nicht größer als die besagten 520-540V ?

Philipp schrieb:
> Wo
> ist deine Regelung?

naja regelung gibts "noch" keine ist momentan ziemlich rudimentär 
gehalten, deshalb hängt da auch ein widerstand am ausgang um leerlauf zu 
verhindern.

Philipp schrieb:
> Die überhitzung kommt von der Gateansteuerung, von
> der dun uns bisher noch nichts preisgegeben hast.

....jemand der versteht was ich mein.
das vermute ich ja auch. die beschaltung des gatetreibers lehnt sich 
stark an das schaltbild aus dem datenblatt.(siehe anhang; bei mir ist 
nur ein kanal in verwendung) der C ist 0.1uF groß.
zu den gatewiderständen: ...wie gesagt da hab ich verschiedene 
werte(20-150ohm; auch einen zum IRF840 bzgl. gatestrom passend 
berechneten widerstandwert) versucht. die verschiedenen widerstandswerte 
änderten aber nichts an den besagten "überschwingern"(die sehen so aus 
wie die auf dem bild im anhang; "meine" oszibilder gibt morgen)

danke mfg

von Falk B. (falk)


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@  mosfet (Gast)

>ist das schon des rätsels lösung?:....kann es sein dass der fet bei
>diesen 520-540V die ja höher als die erlaubte Udsmax sind, nicht sofort
>zerstört wird sondern eben "nur" überhitzt(durchbricht)

Ja.

> und nicht mehr
>korrekt arbeitet(und langsam den hitzetod stirbt). wird deshalb Uout des
>konverters nicht größer als die besagten 520-540V ?

Wahrscheinlich.

>naja regelung gibts "noch" keine ist momentan ziemlich rudimentär
>gehalten, deshalb hängt da auch ein widerstand am ausgang um leerlauf zu
>verhindern.

Wenn der aber zu klein ist, läuft die Spannung trotzdem hoch.

>berechneten widerstandwert) versucht. die verschiedenen widerstandswerte
>änderten aber nichts an den besagten "überschwingern"(die sehen so aus
>wie die auf dem bild im anhang; "meine" oszibilder gibt morgen)

Kann auch ein Messproblem sein. Man muss da sehr aufpassen. Und eine 
KURZE Masseleitung am Tastkopf nutzen, 10mm max.!

Ausserdem ist ein Bild deines realen Aufbaus wünschenswert. Aber bitte 
die Bildformate beachten.

MFG
Falk

von Ben _. (burning_silicon)


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kompletten schaltplan her. wenn ich schon wieder NE555 plus monoflop in 
verbindung mit schaltreglern lese fliegt mir das blech weg. wieso könnt 
ihr keine dafür ausgelegten ICs verwenden? das ist eine ganz einfache 
gate-ansteuerung gegen masse, da kann man problemlos einen 3842/3844 
oder sowas für nehmen. da ist der gate driver auch gleich mit drin. 
sogar noch ein feedback-eingang, mit dem man ohne weiteres einen 
geregelten wandler hinbekommt der ohne irgendwelchen heiz-regel-murks am 
ausgang auskommt.

auf jeden fall kannst du die drossel so nicht lassen, die spannung würde 
bis zur sperrfähigkeit des FETs steigen und diesen danach grillen.

gibt aber einen trick wenn es doch unbedingt eine drossel sein muß. du 
kannst die wicklung auf zwei teile mit mittelanzapfung aufsplitten, der 
erste teil besteht dabei aus deutlich weniger windungen als der zweite. 
beim "entladen" der drossel verteilt sich die spannung gleich auf beide 
teile, für den ausgang liegen sie in serie und da kommt die volle 
spannung an, für den transistor an der mittelanzapfung kommt je nach 
windungen weniger als die hälfte raus. das ist eine mischung aus 
transformatorischem und drosselwandler.

die einzelne diode UF4007 kann ich auch nur bemitleiden, die macht 
pünktlich beim (derzeit unwahrscheinlichen) erreichen von mehr als 1000V 
die augen zu. bei diesen spannungen würde ich mindestens drei davon in 
reihe packen, wahrscheinlich sogar vier. oder eine echte 
hochspannungsdiode nehmen. die diode an dieser stelle muß nicht nur die 
1500V gegen masse sperren können, sondern auch die negative spannung der 
trafo- bzw. drosselwicklung wenn diese magnetisch geladen wird 
(einschaltphase des transistors). daß es mit einer einfach bewickelten 
drossel schwer wird hab ich dir ja schon gesagt. außer du findest einen 
2000V transistor.

von Simon K. (simon) Benutzerseite


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Ben, reg dich doch nicht auf. Hier versucht doch bloß nur wieder ein 
Schüler eine tolle Tesla-Coil zu bauen, weil die so "cool" aussieht ;-)

Allein am Informationsgehalt des 1. Posts kann man das schon erkennen.
Ein gescheites Bild vom Schaltplan und/oder Aufbau fehlt außerdem immer 
noch.

von Andreas K. (derandi)


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Hat der Herr auch einen Widerstand in die Gate-Leitung mit eingebaut? 
Schätze nicht.

von Fralla (Gast)


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Was ist das für eine Drossel? Hat bestimmt viele überlappende Wicklungen 
und dammit riesen Kapazität. Sieh die den Strom in der Drossel ich wenn 
es schwingt wie irre beim Schalten. Das begüntigt Schwingungen um Drain, 
auch wenn der Aufbau noch so induktitätsarm ist (wenn es so wäre).
Das die Fet und Diode das nicht schaffen wurde schon gesagt.
Und nimm einen bewährten UCx843, billig und nur 8Pins und ist 
deppeneinfach zu beschalten. Und denk über einen Sperrwandler nach, dann 
kommst du mit einem 800V/900V Fet aus und als Diode zb eine BY203-20. 
Die ist billig kann 2kV. Aber mit einer Kaskade kommtst do noch einfach 
an 1,5kV/2mA.

MFG

von Timon (Gast)


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>...die verschiedenen widerstandswerte
>änderten aber nichts an den besagten "überschwingern"(die sehen so aus
>wie die auf dem bild im anhang; "meine" oszibilder gibt morgen)

Die Überschwinger nach den Anstieg der Spannung kommen von einer 
parasitären Induktivität zwischen Deiner Spule und dem Drain des FET.
Diese Induktivität kann sich nicht durch die Diode entladen sondern 
bildet mit der Drain-Source-Kapazität des FET einen Schwingkreis.
Du kannst die Amplitude der Schwingung etwas beeinflussen, indem du den 
FET langsamer schalten lässt (durch einen höheren Gate-Widerstand),
eliminieren kannst du die Schwingung so nicht.
Mach es lieber so: Gatewiderstand klein, damit der FET hart einschaltet. 
Der Schwingung begegnest Du mit einem R(D)C-Snubber über Drain-Source.

von Ben _. (burning_silicon)


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hätte ich vielleicht mit erwähnen sollen, ich würde es mit einer kaskade 
lösen. 3-4 stufen, dann reicht ein 800V mosfet aus und es ginge sogar 
mit einer einfachen drossel, z.b. aus einer aktiven PFC.

oder wenn ich es mir ganz einfach machen will nehm ich einen zeilentrafo 
bzw. diodensplittrafo aus einem röhren-monitor vom schrottplatz, der 
macht mir die 2mA auch bei 40kV wenns sein muß.
hoffe mal, daß ich für diesen tip nicht standrechtlich erschossen werde.
deswegen noch ein zweiter: finger weg wenn du davon keine ahnung hast. 
40kV aus einem DST am a*sch sind NICHT LUSTIG! der hat die HV 
kondensatoren schon drin, auch nach dem abschalten sind die noch 
geladen!

@fralla
ein sperrwandler für 1500V in einer stufe (ohne nachgeschaltete kaskade) 
würde eine mindestens 3kV diode benötigen, weil sich die polung der 
spannung an der sekundärspule in der einschaltphase des transistors 
ändert. du hättest plötzlich so -1000..-1500V gegen masse, die diode muß 
das gegen die ausgangsspannung am kondensator sperren. 1000V+1500V und 
in deiner 2kV diode geht das stubenlicht an und das lebenslicht aus. 
wenn der kondensator groß genug ist bleiben mit etwas glück noch die 
beinchen stehen.

die besagten überschwinger entstehen zu einem großen teil auch durch die 
angeschlossenen messkabel und die eingangskapazität des messgerätes. 
ohne die messung sind sie meistens weniger stark und in einer höheren 
frequenz. idR sind diese überschwinger im drosselwandler auch 
ungefährlich für die bauteile weil sie durch die diode am ausgang auf 
die höhe der ausgangsspannung begrenzt werden. die parasitäre diode 
eines FETs würde sie sogar gegen masse begrenzen. problematisch ist eher 
die störabstrahlung die das verursacht. exemplarisch kann sich jeder 
vorstellen was das radio macht wenn die frequenz dieser schwingung genau 
den lieblingssender trifft. oder den behörden- bzw. flugfunk, das kann 
dann richtig ärger geben.

von Fralla (Gast)


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Schon klar das eine Diode nicht ausreicht wenn als Sperrwandler 
ausgeführt. Bei einem Wicklungsverhältnis von 1:5 (also Dutycycle 50%) 
müsste sie genau 3kV Sperren. Also eine 4kV Diode. Nur kenne ich keine 
4kV Diode, die so günstig wie zwei BY203-20 ist.
>wenn der kondensator groß genug ist bleiben mit etwas glück noch die
>beinchen stehen. Bei nur 2mA Ausgangsstrom wird man wohl kaum einen Großen 
Kondensator verwenden. Eher so 10nF, das dampft auch bei 1,5kV die Diode weg.


Abgesehen davon wäre eine Kaskade das einfachste, ohne irgendeine 
Drossel. 3 oder 2 mal eine Villardkaskade.

von Ben _. (burning_silicon)


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naaaa sowas will ich aber nicht sehen. sichere galvanische trennung vom 
netz sollte schon sein. also wenn er über eine 50Hz kaskade gehen will, 
dann sollte wenigstens ein kleiner 230V/230V trenntrafo dazwischen sein. 
da gäbe es auch noch eine alternative, den primärtrafo aus alten 
röhrenradios. der hat eine sekundärwicklung für die anodenspannung, 
welche meist eine höhere spannung als das netz bringt, ist aber meistens 
ein recht schwerer klumpen.

von Fralla (Gast)


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>naaaa sowas will ich aber nicht sehen.
Er hat nichts gesagt getrennt oder nicht. Und wenn man weis was man tut 
ist daran auch nichts gefährlich. Nur wozu er das braucht weis niemand.

Aber ein Trafo mus sowieso dazwischen, denn mit einer Villard Kaskaden 
kommt man auf 1k2V oder 1k8V.
Ich würd Zeitgemäs einen Übertrager nehmnen, den mit 2x 900V Mosfets im 
Push-Pull @ 100kHz Steuern, Sekundär auf eine 2Stufige Villard Laskade, 
fertig. Es geht schließlich nur um 3Watt...

von Ben _. (burning_silicon)


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push-pull ist dafür schon overkill. ein einfacher sperrwandler der auf 
eine ausreichend lange kaskade arbeitet reicht völlig und dann brauch 
ich nichtmal 900V FETs. es ginge auch mit 300V und entsprechend mehr 
stufen in der kaskade.

von Fralla (Gast)


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>eine ausreichend lange kaskade arbeitet reicht völlig und dann brauch
>ich nichtmal 900V FETs.
>es ginge auch mit 300V
bei 300V am Eingang? Wohl kaum. Wird auf minimal 600V rauslaufen, was 
preislich egal ist, da Rdson völlig egal ist.
Klar man kann man das Übersetzungsverhältnis niedrig wählen damit der 
Fet wenig Sperren mus und dann mehr Kaskaden nehmen. Find ich unsinngig 
aber wie jeder meint...

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