P-Kanal Mosfet in Drainschaltung

Hallo,

leider habe ich die falsche Datei angehängt. Deswegen kommt nun die 
korrekte Datei mit Schaltlan und Oszillogrammen.

@  Michael H. (siddd)

>Ich habe zur Zeit ein Problem mit einer Grundschaltung eines P-Kanal
>Mosfets in Drainschaltung.

In der Tat. Die erste Schaltung ist keine Drainschaltung, sondern eine 
Sourceschaltung, Source hänge am konstanten Potential. Allerdings kann 
man damit auch problemlos VCC, in dem Fall deine 500V schalten.

>leider habe ich die falsche Datei angehängt. Deswegen kommt nun die
>korrekte Datei mit Schaltlan und Oszillogrammen.

Die sind vollkommen unbrauchbar, denn dein P-Kanal MOSFET ist verpolt, 
die Bodydiode zeigt das sehr deutlich.

MFG
Falk

Dein Mosfet ist falsch herum in der Schaltung.
Die Source muss an Masse.

@  Helmut S. (helmuts)

>Dein Mosfet ist falsch herum in der Schaltung.
>Die Source muss an Masse.

Nö, VCC, ist ja ein P-Kanal und der Meister will VCC schalten.

MFG
Falk

Er hat -500V über 100 Ohm an der Source und steuert mit -5V gegen Masse. 
Das geht so nicht. Da muss die Source des P-Kanal an Masse. In der 
jetzigen Schaltung leitet doch bereits die Reversdiode im Mosfet 
permanent.

Danke für die schnelle Antwort.

Wie gesagt getan. Ich habe den Mosfet richtig gepolt angeschlossen. 
Leider schaltet nun der Mosfet gar nicht mehr durch.

Siehe beiliegenden Oszillogramme. Wo koennte der Fehler liegen.

Deine Ansteuerquelle (5V) muss natürlich negative Signale liefern.
Dreh die rum.

Die Schaltung von 20:25 war schon richtig und verhält sich auch, wie man
es von einer ordentlichen Drainschaltung erwartet: Im aktiven Betrieb
(also wenn der Mosfet leitet) ist die Spannung an der Source etwas mehr
als die Thresholdspannung höher als die Spannung am Gate. Die Spannung
am Gate springt zwischen 0V und 5V (gegen GND gemessen), die Spannung an
der Source entsprechend zwischen 5V und 10V (gegen GND gemessen). Um den
Mosfet zu sperren, musst die die Gate-Spannung (gegen GND gemessen) auf
mindestens 500V-Uthreshold erhöhen. Erst dann wird die Spannnung zwi-
schen Gate und Source kleiner als die Thresholdspannung.

PS: Die Schaltung hat etwas von einem Labyrinth. Kein Wunder, dass da
    keiner von den Vorpostern durchgeblickt hat ;-)

    Und oft zeichnet man Schaltpläne auch so, dass oben die positiveren
    und unten die negativeren Versorgungsspannungen liegen. Bei dir ist
    es genau anders herum.

@Yalu,
Den Korb geb ich zurück.
Du hast nicht erkannt, dass unten -500V liegen.

Helmut S. schrieb:
> Den Korb geb ich zurück. Du hast nicht erkannt, dass unten -500V
> liegen.

Der Korb ging ja eigentlich nicht an dich, sondern an Michael ;-)

Wenn du möchtest, bekommst du aber auch einen:

Der Pluspol des Batteriesymbols im Schaltplan liegt unten, und die
angegebene Spannung (500V) ist positiv. Dann müssten doch unten +500V
liegen?

Nur dann passen auch die angezeigten Oszisignale zur Schaltung.

@Yalu,
Da hast du mich erwischt. Ich hätte geschworen unten ist Minus, aber ich 
lag falsch. An Michaels Schaltung ist einfach zuviel falsch.

Helmut S. schrieb:
> An Michaels Schaltung ist einfach zuviel falsch.

Die Schaltung an sich ist schon richtig und entspricht auch dem Titel
"P-Kanal Mosfet in Drainschaltung". Michael hat IMHO nur nicht verstan-
den, wie Eingangs- und Ausgangsspannung miteinanander zusammenhängen.
Falls die Schaltung einen realen Hintergrund hat, wird er wahrscheinlich
feststellen, dass die Drain-Schaltung letztendlich doch nicht das ist,
was er braucht.

Ich moechte mich für die Kommentare bedanken. Ich habe die Kommentare 
versucht zu simulieren. Mir ist es allerdings noch nicht gelungen, die 
Kommentare in eine funktionierende Schaltung umzusetzen.

Ich suche eine Schaltung mit der man den oberen Halbleiter einer 
Halbbruecke ansteueren kann.

Die Versorgungspannung sollte 160V betragen. Die Last muesste dann an 
Drain liegen und an Masse liegen. Der Halbleiter (Mosfet) sollte mit 
einer kleinen Rechteckspannung (20 max Vpkpk) angesteuert werden 
koennen.

Ich denke, das geht nur mit einem p-Kanal Mosfet in Drain-Schaltung 
(d.h. Drain an der Last).

Leider finde ich zu dieser Schaltungstopologie keine Schaltplaene im 
Internet. Ist jemanden eine solche Homepage bekannt.

Michael H. schrieb:
> Ich suche eine Schaltung mit der man den oberen Halbleiter einer
> Halbbruecke ansteueren kann.

Das geht nur mit einem P-Mosfet in Source- oder einem N-Mosfet in
Drain-Schaltung. Oder mit einem Biploartransistor in der jeweils
entsprechenden Konfiguration.

> Ich denke, das geht nur mit einem p-Kanal Mosfet in Drain-Schaltung

Genau damit geht es nicht. Du willst ja, dass Strom aus dem Ausgang
herausfließt. Bei einem P-Mosfet in Drain-Schaltung fließt er hinein.

> (d.h. Drain an der Last).

Das ist dann aber eine Source-Schaltung.

@  Michael H. (siddd)

>Ich suche eine Schaltung mit der man den oberen Halbleiter einer
>Halbbruecke ansteueren kann.

Tja, und warum sagst du das nicht DIREKT? Siehe Netiquette

>Die Versorgungspannung sollte 160V betragen. Die Last muesste dann an
>Drain liegen und an Masse liegen. Der Halbleiter (Mosfet) sollte mit
>einer kleinen Rechteckspannung (20 max Vpkpk) angesteuert werden
>koennen.

Siehe Treiber.

>Ich denke, das geht nur mit einem p-Kanal Mosfet in Drain-Schaltung
>(d.h. Drain an der Last).

Das ist ein Irrtum. Millionen Halbbrücken nutzen N-Kanal MOSFETs only.

>Leider finde ich zu dieser Schaltungstopologie keine Schaltplaene im
>Internet. Ist jemanden eine solche Homepage bekannt.

http://www.irf.com

Beispiel.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/ir2104.pdf

MFG
Falk