SMD OP offsetdrift durch Mechanische belastung

> Ich bin der Meinung, das darf nicht sein!

Ist aber normal, manche OpAmps haben sogar eine Datenblattspezifikation 
dazu drin, spielt natürlich nur bei uV eine Rolle.

Ob bei dir jedoch nicht Kondensatoren das Problem sind, ist offen.

DANKE AN ALLE FÜR DIE SCHNELLEN ANTWORTEN, IHR HABT MIR GEHOLFEN!!

Hatte keine Daten der Hersteller auf die schnelle gefunden.
Ich helfe mir jetzt anders als mit einem Ausschnitt und verwende eine 
DIL-Fassung mit Adapterplatine (SMD auf DIL). Ist zwar nicht der Sinn 
von SMD, aber es kommen so langsam die TO-99 aus der Mode 
(Lieferprobleme) und Platzprobleme gibts nicht wirklich. :-)

LG Lars

Lars schrieb:

> Wenn ich die Platine leicht biege, ändert sich der Offset um +-20uV.

Das ist normal und (neben besserer Wärmeabfuhr) der Grund dafür, warum 
es diese altmodischen Blechdosengehäuse noch gibt.

Unter mechanischem Stress ändern sich die Eigenschaften der Transistoren 
auf dem Chip, das führt zu mismatch. Die Hersteller versuchen diese 
Effekte zu minimieren, indem einzelne Transistoren in Untergruppen 
aufgespalten und verschachtelt werden. Zu 100% gelingt das jedoch nicht.

http://ims.unipv.it/Microelettronica/Layout02.pdf

>Jetzt habe ich probiert mal einen Verstärker in
>SMD Bauweise aufzubauen,  dabei ist ein seltsamer Effekt aufgetreten.
>Wenn ich die Platine leicht biege, ändert sich der Offset um +-20uV.

Das ist ja garnichts. Bei einem in einer Fassung steckenden TL071A habe 
ich mal beim Heraushebeln und wieder Hineinstecken danach rund 1mV mehr 
Offsetspannung gehabt!

Lars schrieb:
> Ist das bei DIL Gehäusen auch so (hab ich noch nicht
> probiert)?

Bei Referenzen ist typischerweise die Hysterese im SO-8 Gehäuse größer 
als im DIP8 Gehäuse ich selbst habe Faktor 2-3 Unterschied bei 
Spannungsfreiem Einbau gemessen. In manchen Datenblättern kann man 
ebenfalls herauslesen daß die Hysterese umso geringer ist je stabiler 
das Gehäuse aufgebaut ist.

Ich schiebe die Hysterese auf Feuchtigkeitsaufnahme des 
Kunststoffgehäuses. Bei Temperaturzyklen ändert sich die mechanische 
Spannung die auf den Chip wirkt. Ist also ein ähnlicher Effekt wie bei 
mechanische Spannung auf die Leiterplatte.

Lukas K. schrieb:
> Von Fassungen ist bei nV abzuraten, außer man weiß ganz genau was man
> tut und aus welchen Metallen Pin und Sockel sind.
Das würde ich nicht unbedingt überbewerten. Schlechter als der Übergang 
von Kovar auf Kupfer (ca. 40uV/K) kann man es fast nicht hinbekommen. 
Die Drähte die aus dem Metallgehäuse kommen müssen denselben 
Ausdehnungskoeffizienten haben wie das Glas das zum Abdichten verwendet 
wird (= Kovar). Kunststoffgehäuse haben hier einen Vorteil falls ein 
Kupfer-Leadframe verwendet wird.

Ich würde die Leiterplatte auf Star-Flex umstellen und dann im flexiblen 
Teil eine DIP-Gehäuse verwenden.

Gruß Anja