Hi an alle interessierten, zur Verstärkung von Kleinstsignalen (nV) benutze ich bisher einen OPA627 im TO-99 Gehäuse. Jetzt habe ich probiert mal einen Verstärker in SMD Bauweise aufzubauen, dabei ist ein seltsamer Effekt aufgetreten. Wenn ich die Platine leicht biege, ändert sich der Offset um +-20uV. Ich habe erst gedacht es kommt von einer Lötstelle oder so und habe den OP mit Kabel von der Platine entkoppelt. Nun konnte ich sehen, dass wenn ich leicht an den Beinchen zog, sicher der Offset ändert. Auch wenn ich leichten Druck auf das Gehäuse gebe ändert sich der Offset. Sichtbar ist dies bei einer Verstärkung von 100 bzw. noch besser bei 1000. Ich habe das Ganze mit weiteren OP’s in SMD Bauweise ausprobiert, doch das Ergebnis ist dasselbe. Ich bin der Meinung, das darf nicht sein! Hat das schon jemand außer mir beobachtet? Ist das bei DIL Gehäusen auch so (hab ich noch nicht probiert)?
Das ist sicher moeglich. Dagegen kann man diesen Verstaerker mit einer Ausfraesung umgeben, sodass keine mechanischen Spannungen uebertragen werden. Du wuerdest staunen was sonst noch alles moeglich ist. Kondensatoren speziell Y5V und dergleichen sind mikrophonisch...
Lars schrieb: > Ich bin der Meinung, das darf nicht sein! Hat das schon jemand außer mir > beobachtet? Ja, Jim Williams z.B. Seh' mal in einen Seiner Appnotes nach http://www.linear.com/doclist/?tt=&ci=&dt=2&au=Jim+Williams&pn=&fd=&td=
> Ich bin der Meinung, das darf nicht sein!
Ist aber normal, manche OpAmps haben sogar eine Datenblattspezifikation
dazu drin, spielt natürlich nur bei uV eine Rolle.
Ob bei dir jedoch nicht Kondensatoren das Problem sind, ist offen.
Lars schrieb: > Hat das schon jemand außer mir > beobachtet? Ja. Es ist bei Spannungsreferenzen allgemein üblich, wie hacky schon schrieb, um die Referenz die Platine auszufräsen um mechanischen Stress - auch durch Vibrationen - weiteste gehend zu eliminieren. In der AN-82 ab Seite 6 findest du dazu Informationen: http://cds.linear.com/docs/Application%20Note/an82f.pdf Einen kleinen Praxisbericht findest du z.B. auch auf amplifier.cd: http://www.amplifier.cd/Technische_Berichte/Spannungsreferenzen/Spannungsreferenz.html LG Christian
DANKE AN ALLE FÜR DIE SCHNELLEN ANTWORTEN, IHR HABT MIR GEHOLFEN!! Hatte keine Daten der Hersteller auf die schnelle gefunden. Ich helfe mir jetzt anders als mit einem Ausschnitt und verwende eine DIL-Fassung mit Adapterplatine (SMD auf DIL). Ist zwar nicht der Sinn von SMD, aber es kommen so langsam die TO-99 aus der Mode (Lieferprobleme) und Platzprobleme gibts nicht wirklich. :-) LG Lars
Lars schrieb: > DIL-Fassung Von Fassungen ist bei nV abzuraten, außer man weiß ganz genau was man tut und aus welchen Metallen Pin und Sockel sind.
Lars schrieb: > Wenn ich die Platine leicht biege, ändert sich der Offset um +-20uV. Das ist normal und (neben besserer Wärmeabfuhr) der Grund dafür, warum es diese altmodischen Blechdosengehäuse noch gibt. Unter mechanischem Stress ändern sich die Eigenschaften der Transistoren auf dem Chip, das führt zu mismatch. Die Hersteller versuchen diese Effekte zu minimieren, indem einzelne Transistoren in Untergruppen aufgespalten und verschachtelt werden. Zu 100% gelingt das jedoch nicht. http://ims.unipv.it/Microelettronica/Layout02.pdf
>Jetzt habe ich probiert mal einen Verstärker in >SMD Bauweise aufzubauen, dabei ist ein seltsamer Effekt aufgetreten. >Wenn ich die Platine leicht biege, ändert sich der Offset um +-20uV. Das ist ja garnichts. Bei einem in einer Fassung steckenden TL071A habe ich mal beim Heraushebeln und wieder Hineinstecken danach rund 1mV mehr Offsetspannung gehabt!
Lars schrieb: > Ist das bei DIL Gehäusen auch so (hab ich noch nicht > probiert)? Bei Referenzen ist typischerweise die Hysterese im SO-8 Gehäuse größer als im DIP8 Gehäuse ich selbst habe Faktor 2-3 Unterschied bei Spannungsfreiem Einbau gemessen. In manchen Datenblättern kann man ebenfalls herauslesen daß die Hysterese umso geringer ist je stabiler das Gehäuse aufgebaut ist. Ich schiebe die Hysterese auf Feuchtigkeitsaufnahme des Kunststoffgehäuses. Bei Temperaturzyklen ändert sich die mechanische Spannung die auf den Chip wirkt. Ist also ein ähnlicher Effekt wie bei mechanische Spannung auf die Leiterplatte. Lukas K. schrieb: > Von Fassungen ist bei nV abzuraten, außer man weiß ganz genau was man > tut und aus welchen Metallen Pin und Sockel sind. Das würde ich nicht unbedingt überbewerten. Schlechter als der Übergang von Kovar auf Kupfer (ca. 40uV/K) kann man es fast nicht hinbekommen. Die Drähte die aus dem Metallgehäuse kommen müssen denselben Ausdehnungskoeffizienten haben wie das Glas das zum Abdichten verwendet wird (= Kovar). Kunststoffgehäuse haben hier einen Vorteil falls ein Kupfer-Leadframe verwendet wird. Ich würde die Leiterplatte auf Star-Flex umstellen und dann im flexiblen Teil eine DIP-Gehäuse verwenden. Gruß Anja
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