Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Welches Transistorgehäuse ist am besten zu kühlen?


von Hans (Gast)


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Welches der gängigen Transitorgehäusen ist am besten zu kühlen?

Welche erfahrung habt ihr mit den Verschiedenen Gehäusen gemacht und was 
empfehlt ihr?

Btw. ich rede hier von Transistoren wie dem MJL 4281A und MJL 4302A, die 
schonmal an die Leistung von 200W (von max 230W) herangeführt werden.

Gibt die bei reichelt nur im TO-264 Gehäuse, aber ich hab sie schon als 
TO-3 gesehen.

NfG Hans

von Knut B. (Firma: TravelRec.) (travelrec) Benutzerseite


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Hans schrieb:
> Welches der gängigen Transitorgehäusen ist am besten zu kühlen?

Die mit der größten, planen Auflagefläche.

von Yalu X. (yalu) (Moderator)


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Hans schrieb:
> Gibt die bei reichelt nur im TO-264 Gehäuse, aber ich hab sie schon als
> TO-3 gesehen.

Laut Datenblatt von ON gibt es die nur im TO-264 (=TO-3PBL, Vorsicht mit
den Bezeichnungen). Möglicherweise gibt es einen anderen Hersteller, der
den Transistor auch im Blechbüchsen-TO-3 (=TO-204) anbietet, der müsste
aber erst noch gefunden werden.

TO-3 bietet wärmewiderstandsmäßig gegenüber TO-264 aber auch keine
Vorteile. Ich habe jedenfalls noch kein TO-3-Bauteil mit nur 0,54K/W
(wie beim MJL4281) gesehen. Bei etwa 0,6K/W scheint da die Grenze zu
liegen.

von Knut B. (Firma: TravelRec.) (travelrec) Benutzerseite


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Yalu X. schrieb:
> Bei etwa 0,6K/W scheint da die Grenze zu
> liegen.

In Öl laufen lassen ;-)

von Arno H. (arno_h)


Angehängte Dateien:

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BUX20 hat zum Beispiel 0,5K/W, bei einer zulässigen 
Sperrschichttemperatur von 200°C gegenüber 150°C der gängigen 
Plastikgehäuse ist ein so niedriger Wert oft auch nicht erforderlich.
Genau so wichtig ist aber die Wärmeleitung Richtung KK, und da ist der 
TO3 auf Grund der Fläche den TO3P/TO247-Gehäusen gegenüber im Vorteil. 
Hier kann nur das Sanken MT200 mithalten, dessen Metallfläche ebenfalls 
einen Quadratzoll umfasst.
Die Anhänge sind zwar nicht mehr taufrisch, zeigen jedoch deutlich die 
Abhängigkeiten und rücken die Phantasiewerte für TO220-Gehäuse zurecht.

Arno

von Yalu X. (yalu) (Moderator)


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Arno H. schrieb:
> BUX20 hat zum Beispiel 0,5K/W

Nicht schlecht. Das Ding scheint einen recht großen Die zu haben, um auf
diesen Wert zu kommen, was bei den spezifizierten 50A Kollektorstrom
auch naheliegend ist.

Vom gleichen Hersteller (Semelab) gibt es übrigens die speziell für
Audioanwendungen angepriesenen Pärchen MG6332/MG9412 und MG6333/MG9413
in TO-264 mit 0,32K/W und 400W maximaler Verlustleistung. Und das Beste:
Sie sind (mit Suffix 'K') auch in TO-3 erhältlich. Ich habe für diese
Variante leider keinen Wärmewiderstandswert gefunden. Da aber beide
Varianten für 400W spezifiziert sind, nehme ich an, dass auch der
Wärmewiderstand etwa gleich ist. Vielleicht sollte sich Hans diese
Transistoren mal etwas näher anschauen.

> Genau so wichtig ist aber die Wärmeleitung Richtung KK, und da ist der
> TO3 auf Grund der Fläche den TO3P/TO247-Gehäusen gegenüber im Vorteil.

Die Auflagefläche ist natürlich ein wichtiger Faktor, aber nicht der
alleinig bestimmende. Die Fläche des TO-3 ist auch nicht so arg viel
größer als die des TO-264. Da die Grundplatte des TO-3 dünner als die
des TO-264 ist und die "Ohren" weit von der Die-Position entfernt sind,
tragen sie relativ wenig zur Wärmeleitung bei. Bei Verwendung einer
Isolierfolie unter dem Transistor, macht sich die große Fläche (auch bei
ungünstiger Form) wieder positiver bemerkbar. Wenn man aber derart an
die Grenze gehen will wie Hans, wird man auf die Isolierung verzichten
und ggf. jedem Transistor einen eigenen Kühlkörper spendieren.

Was ich eigentlich nur damit sagen wollte: Die Unterschiede zwischen
TO-3 und TO-264 sind nicht so groß, dass man generell einem von beiden
den Vorzug geben, sondern die Wahl von den Randbedingungen der konkreten
Anwendung abhängig machen sollte.

von Arno H. (Gast)


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Da muß ich widersprechen: die Fläche geht direkt in den Wärmewiderstand 
ein, halbe Fläche = doppelter Wärmewiderstand.
Alle Werte, die du in Katalogen findest, beziehen sich auf die Größe 
TO3, auch wenns nur TO220 ist. Wird einfach "vergessen" zu erwähnen.
Bei Fischer z.B. steht immer dabei, dass sich die thermischen Angaben 
auf eine Fläche von 1 inch² beziehen.

Arno

von Andreas S. (Firma: Schweigstill IT) (schweigstill) Benutzerseite


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Arno H. schrieb:
> Da muß ich widersprechen: die Fläche geht direkt in den Wärmewiderstand
> ein, halbe Fläche = doppelter Wärmewiderstand.

Das gilt nur unter der Annahme, dass die Wärme gleichmäßig vom Die in 
das Gehäuse eingeleitet wird, was gerade beim TO-3 nicht der Fall ist. 
Es besitzt ferner den Nachteil, dass das Gasvolumen oberhalb des Dies 
ebenfalls nicht nennenswert zum Wärmetransport beitragen kann.

Bei manchen HF-Transistoren werden auch Hohlräume im Gehäuse mit 
Wärmeleitpaste gefüllt, um sowohl mechanische Spannungen zu vermeiden 
als auch die Wärmeleitung zu optimieren.

von Yalu X. (yalu) (Moderator)


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Andreas Schweigstill schrieb:
> Arno H. schrieb:
>> Da muß ich widersprechen: die Fläche geht direkt in den Wärmewiderstand
>> ein, halbe Fläche = doppelter Wärmewiderstand.
>
> Das gilt nur unter der Annahme, dass die Wärme gleichmäßig vom Die in
> das Gehäuse eingeleitet wird, was gerade beim TO-3 nicht der Fall ist.
> Es besitzt ferner den Nachteil, dass das Gasvolumen oberhalb des Dies
> ebenfalls nicht nennenswert zum Wärmetransport beitragen kann.

Und so arg viel größer ist ein TO-3 (1in²) im Vergleich zu einem TO-264
(0,8in²) ja auch nicht. So ist es unter Berücksichtigung aller genannter
Aspekte schon plausibel, dass beide Gehäuse ähnliche Wärmeeigenschaften
haben.

Arno H. schrieb:
> Alle Werte, die du in Katalogen findest, beziehen sich auf die Größe
> TO3, auch wenns nur TO220 ist.

Danke für den Hinweis, das wusste ich nicht. Ich war immer der Meinung,
dass sich die Angaben auf das größte der typischerweise auf den jeweili-
gen Kühlkörper montierten Gehäuse beziehen (wie auch immer das definiert
sein mag).

Aber gilt deine Aussage auch für Kühlkörper, auf die ein TO-3 mechanisch
gar nicht daraufpasst, bzw. die gar keine freie Fläche der Größe 1in²
aufweisen?

> Bei Fischer z.B. steht immer dabei, dass sich die thermischen Angaben
> auf eine Fläche von 1 inch² beziehen.

Ich war gerade bei Fischer auf der Webseite, konnte aber einen entspre-
chenden Hinweise nicht finden. Hast für mich vielleicht einen Link?

von Arno H. (arno_h)


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Zur Klarstellung: wir reden hier nur über den Wärmewiderstand zwischen 
Gehäuse und KK, der Wärmewiderstand des KK bleibt davon unberührt.Die 
Angaben beziehen sich immer auf das jeweilige Gehäuse und dessen 
Wärmeübergang zur nächsten kühleren Fläche.
Zielführender ist die Berechnung des Wärmewiderstands aus der 
Wärmeleitfähigkeit.
Verwirrend ist hier nur das m, weil dort eigentlich m/m² stehen müsste, 
diese Schreibweise ist aber nicht zulässig und deswegen wurde gekürzt.
Dann wird klar, dass eine Glimmerscheibe für TO220 nicht den gleichen 
Wärmewiderstand haben kann wie eine für TO3.

Auf der Seite direkt habe ich jetzt auch nichts gefunden aber im 
Fischer-Kühlkörperkatalog:
http://www.fischerelektronik.de/fischer/uploadfischerfcool/Fischer/E_D.pdf
Seite E2 unterhalb der Tabelle,
Seite E8 unterhalb der Tabelle und in der Tabelle Zeile 
"Wärmewiderstand",
Seite E9 in der Tabelle, 2. Zeile "Wärmewiderstand",
Seite E11 in der Tabelle als Bezug zur Ausführung AOS3 und
Seite E12 in der Tabelle.

Arno

von Yalu X. (yalu) (Moderator)


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Arno H. schrieb:
> Zur Klarstellung: wir reden hier nur über den Wärmewiderstand zwischen
> Gehäuse und KK, der Wärmewiderstand des KK bleibt davon unberührt.

Nicht um den Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Tansistorgehäuse?
Da Hans nach einem TO-3-Gehäuse für den MJL4218A fragte, fragte ich
mich, ob dieses Gehäuse für diesen Transistortyp überhaupt Vorteile
bringt. Das entscheidene Kriterium dafür ist erst einmal Rth_jc. Und da
halte ich es eben aus den genannten Gründen für fraglich, ob TO-3 trotz
der größeren Fläche besser abschneidet als TO-264.

Arno H. schrieb:
> Auf der Seite direkt habe ich jetzt auch nichts gefunden aber im
> Fischer-Kühlkörperkatalog:

Ah, deine Aussage bezog sich auf Isolierfolien und -scheiben. Ich
dachte, du meintest die Kühlkörper selber, deswegen war ich etwas
verwundert.

von Arno H. (arno_h)


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Ich wollte daruf hinaus, dass ein niedriger Rth zwischen Sperrschicht 
und Gehäuse nutzlos ist, wenn die Wärme von dort wegen der kleinen 
Übergangsfläche nicht weitertransportiert werden kann.
Leider werden die Masszeichnungen auch immer sparsamer und die 
Rückansicht fehlt, so daß man nicht sagen kann, wie groß der 
Kunststoffrand um die eingebettete Metallfläche ist. Ich habe jetzt 
keinen TO264 greifbar, geht das Metall wirklich bis zum Rand?

Arno

von Yalu X. (yalu) (Moderator)


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Arno H. schrieb:
> Ich wollte daruf hinaus, dass ein niedriger Rth zwischen Sperrschicht
> und Gehäuse nutzlos ist, wenn die Wärme von dort wegen der kleinen
> Übergangsfläche nicht weitertransportiert werden kann.


Die Übergangsfläche geht schon in Rth_jc mit ein, denn Rth_jc beschreibt
den Gesamtwärmewiderstand beim Anschluss an einen idealen Kühlkörper,
also einen, der die Kontaktfläche auf Umgebungstemperatur hält. Von zwei
Bauteilen mit unterschiedlicher Übergangsfläche, aber ansonsten dem
gleichen Aufbau (Die-Größe, Anbindung von Die ans Gehäuse usw.) hat das
kleinere einen größeren Rth_jc. Zwei Bauteile mit gleichem Rth_jc, aber
unterschiedlicher Übergangsfläche sind bgzl. der Wärmeableitung erst
einmal gleichwertig. Unterschiede ergeben sich dann, wenn der Wärmefluss
zwischen Gehäuse und Kühlkörper stark beeinträchtigt wird, bspw. durch
eine Isolierscheibe mit schlechter Wärmeleitung. Dann addiert sich zum
Gesamtwärmewiderstand noch der Wärmewiderstand der Isolierscheibe, der
in der Tat flächenabhängig ist. Je schlechter also die Anbindung an den
Kühlkörper ist, umso besser kann das größere Bauteil ausspielen.

von Not quite serios (Gast)


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Diese Bauform kühlt sich recht gut:
FZ750R65KE3

OK, sorry, kleiner Scherz.

von Bernd S. (Firma: Anscheinend Corner-Cases ;-)) (bernd_stein)


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Hans schrieb:
> Welches der gängigen Transitorgehäusen ist am besten zu kühlen?
>
Also, wenn ich den bisherigen Thread richtig vestanden habe, sollen die 
Gehäuseabmaße wenig damit zu tun haben.

Allerdings habe ich im Buch
" MOS-Bauelemente in der Leistungselektronik " auf der Seite 217 
Gehäuseformen gelesen, das es maximal erreichbare Daten gibt, die ein 
Gehäuse charakterisieren. So sollen z.B. die Gehäuseformen

TO218->125W, TO220->150W, TO247->300W Verlustleistung abgeben können.

Verstehen tu ich das Ganze zwar nicht, da die Abmaße der Gehäuse nicht 
sonderlich von einander abweichen und dies bezüglich sogar das T0218 das 
größte ist, aber die kleinste Leistungsangabe besitzt.

So betrachtet würde ich sagen TO247 eignet sich am besten zur 
Verlustleistungsabführung mittels Kühlkörper.


Bernd_Stein

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