Buz21 Ersatz

[Tim (Gast)]

Hallo Wissende ;)

Welcher Transistor von diesem Photo:
http://img810.imageshack.**/img810/1432/img20120114171036.jpg (**=us)
eignet sich am besten als BUZ21 Ersatz?

Ich brauch nich ansatzweise so viel Leistung. Ich denke mal ca. 1A 
maximal.

Liebe Grüße,
Tim

PS: Warum wird hier die imageshack url als spam erkannt? ö.Ö
PPS: Hab das Bild zusätzlich hier geuppt.

[hinz (Gast)]

Tim schrieb:
> eignet sich am besten als BUZ21 Ersatz?

Hint: das ist ein MOSFET.

[Sebastian M. (compressed)]

und ich wunder mich warum das Bild so lange braucht um groß zu werden...

Antwort auf deine Frage: nichts davon

[Tim (Gast)]

@Hinz: ist der IRF1010N etwa kein mosfet? Habe die Schaltung, um die es 
geht mal angehängt.

[Tim (Gast)]

und um dieses "projekt" geht es:

Beitrag "pimp my Looping Louie (mit Mikrocontroller & Zufall!)"

[Achim M. (minifloat)]

Das hier
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf1010npbf.pdf
mit dem
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/siemens/C67078-S1308-A2.pdf
vergleichen.

Und eine Freilaufdiode übern Motor 'rüber...
mfg mf

[hinz (Gast)]

Tim schrieb:
> und um dieses "projekt" geht es:
>
> Beitrag "pimp my Looping Louie (mit Mikrocontroller & Zufall!)"

Der BUZ21 ist da schon mal die falsche Wahl gewesen, ein LL-MOSFET ist 
angesagt.

[dolf (Gast)]

hinz schrieb:
> Der BUZ21 ist da schon mal die falsche Wahl gewesen, ein LL-MOSFET ist
> angesagt.

stimmt aber der funzt schon bei erstaunlich niedrigen gate spannungen 
...
hat wohl gereicht .
ich hätte wohl nen bd679a eingebaut .

mfg

[hinz (Gast)]

dolf schrieb:
> hinz schrieb:
>> Der BUZ21 ist da schon mal die falsche Wahl gewesen, ein LL-MOSFET ist
>> angesagt.
>
> stimmt aber der funzt schon bei erstaunlich niedrigen gate spannungen

Ja, funzen halt.

[Tim (Gast)]

Hab ich mir doch schon fast gedacht, dass da nen LL Mosfet besser passt. 
Naja ma schauen wie sich der 1010N da so macht. Ansonsten wird halt mal 
wieder bestellt.
lg
tim

[Tim (Gast)]

dolf schrieb:
> ich hätte wohl nen bd679a eingebaut .
>
> mfg

hm warum?

[hinz (Gast)]

Tim schrieb:
> dolf schrieb:
>> ich hätte wohl nen bd679a eingebaut .
>>
>> mfg
>
> hm warum?

Weil der in seiner Bastelkiste drin ist.

[Jens G. (jensig)]

Der IRF1010 sollte schon gehen bei nur 9V und 1A - auch wenn der nur mit 
5V angesteuert wird.

[Tim (Gast)]

danke. Kannst du mir vielleicht erläutern wieso?

Woraus erkenne ich das im Datenblatt? Ich habe gelesen, dass die 
Gatespannung mindestens doppelt so hoch wie die Source (oder wars 
Drain?) Spanung sein muss damit die Source - Drain Strecke nierdrohmig 
wird.

Inwiefern spielt der Strom im Lastkreis da eine Rolle? Habe bisher noch 
nix mit Mosfets gemacht. Transistor Technik is mir soweit klar.

[Achim M. (minifloat)]

Tim schrieb:
> Ich habe gelesen, dass die
> Gatespannung mindestens doppelt so hoch wie die Source (oder wars
> Drain?) Spanung sein muss damit die Source - Drain Strecke nierdrohmig
> wird.

Vereinfacht rede ich hier mal nur von NMOS.
Ein NMOS-Transistor ist eine Spannungsgesteuerte Stromquelle. Die 
Gate-Source-Spannung bestimmt im wesentlichen, wieviel Strom in Drain 
hineinfließt und bei Source wieder herauskommt.

Da muss man noch zwischen drei Betriebsarten unterscheiden:
a)Sperrbetrieb:

$$U_{GS} < U_{p}$$

$$U_{p}$$

 ist die Spannung, die im

$$U_{GS}-I_{D}-Diagramm$$

 den Scheitel eines "Parabel-Asts nach rechts oben" beschreibt.

$$I_{D} = 0$$

b)Widerstands-/Linearbetrieb:

$$U_{GS} > U_{p}$$

$$U_{DS} > (U_{GS} - U_{p})$$

$$I_{D} = ca. \beta * ((U_{GS} - U_{p})*U_{DS} + \frac{U_{DS}^2}{2})$$

c)Abschnür-/Normal-/Stromquellbetrieb:

$$U_{GS} > U_{p}$$

$$U_{DS} < (U_{GS} - U_{p})$$

$$I_{D} = ca. \frac{\beta}{2}*(U_{GS}-U_{p})$$

zu b) und c):
ß ist Transistorabhängig, das ist die sogenannte Stromergiebigkeit in 
Ampere pro Voltquadrat.

$$\beta=\frac{K_p * W}{L}$$

Wo ich oben ca. schrieb, kommt immer noch die Kanallängenmodualtion 
hinzu. Um den Thread nicht zu sprengen und wenn du dazu noch mehr Wissen 
willst, kauf dir 'n Buch über analoge Schaltungstechnik oder google ein 
wenig.

Tim schrieb:
> Woraus erkenne ich das im Datenblatt?

$$U_{GS}-I_{D}-Diagramm$$

ansehen und mit einem PDF-Annotator oder im ausgedruckten Dingens per 
Hand und Lineal die Arbeitspunkte einzeichnen. Dann noch ein bisschen 
Verlustleistung berechnen über tatsächlichen R_DS_on und den fließenden 
Strom.

mfg mf

[Michael_ (Gast)]

Für einen Einzelfall kannst du einen Transistor oder einen IRFXXX 
nehmen.
Die IRF haben in der Regel ca. 3-3,5V Gatespannung zum durchschalten.
Einfach probieren.

[Jens G. (jensig)]

> danke. Kannst du mir vielleicht erläutern wieso?

Der IRF1010 verträgt 60V und einige 10A. Da kommt er also schonmal mit 
Deinen 9V/1A lässig klar.

Es ist zwar kein LL-Typ, und somit wird er bei 5V Gatespannung nicht 
voll durchgeschaltet sein, aber trotzdem ist er dabei (typischerweise) 
schon fähig, über 10A mit rel. geringem Spannungsabfall durchzulassen. 
Selbst bei 4,5V macht er noch 0,1V Abfall bei rund 5A. D.h., da er für 
größere Ströme gemacht ist, hat er generell deutlich höhere Reserven bei 
5V als einer mit Idmax 5 oder 10A z.B.

>Woraus erkenne ich das im Datenblatt? Ich habe gelesen, dass die
>Gatespannung mindestens doppelt so hoch wie die Source (oder wars
>Drain?) Spanung sein muss damit die Source - Drain Strecke nierdrohmig
>wird.

Fig 1. Typical Output Characteristics + Fig 2. Typical Output 
Characteristics

>Inwiefern spielt der Strom im Lastkreis da eine Rolle? Habe bisher noch

Sieht man auch an den Bildern im DB

>nix mit Mosfets gemacht. Transistor Technik is mir soweit klar.

Mosfets sind auch Transistoren ...