Hi Leute, dieses Bild zeigt den Aufbau einer DDR-Speichermatrix http://upload.wikimedia.org/wikipedia/de/4/47/DRAM_Zellenfeld.png Ich versteh einfach nicht, warum diese diagonale Versetzung zwischen den einzelnen Speicherzellen stattfinden muss. Würde es nicht genauso funktionieren, wenn alle Speicherzellen immer genau untereinander platziert werden und an der linken Bitleitung der Spalte angeschlossen sind? An der rechten blauen Leitung könnte dann einfach die 0,5 V_BL für den Differenzverstärker anliegen (aber es müssten keine Speicherzellen angeschlossen sein) Versteh ihr was ich meine? Bzw. hab ich einen Denkfehler?
@ Andi Ü. (and0riz0r) >Ich versteh einfach nicht, warum diese diagonale Versetzung zwischen den >einzelnen Speicherzellen stattfinden muss. Damit es übersichtlicher darstellbar ist. Ausserdem ist das einfach DRAM, nicht unbeding DDR-RAM. Beide sind im Inneren nahezu gleich, nur die Schnittstelle nach aussen ist anders. Siehe Speicher. MfG Falk
Falk Brunner schrieb: > @ Andi Ü. (and0riz0r) > >>Ich versteh einfach nicht, warum diese diagonale Versetzung zwischen den >>einzelnen Speicherzellen stattfinden muss. > > Damit es übersichtlicher darstellbar ist. Ausserdem ist das einfach > DRAM, nicht unbeding DDR-RAM. Beide sind im Inneren nahezu gleich, nur > die Schnittstelle nach aussen ist anders. Siehe Speicher. > > MfG > Falk ja ich wollte auch DRAM schreiben, sorry. Ok, es ist also nur eine Darstellungssache. Danke.
Gast
#2584777
Wahrscheinlich wollte der Zeichner die Submatrizen darstellen. Eine externe Adressleitung wird intern auf mehrere Speicherseiten, mehrere Bitleitungen verteilt.