Hallo, mal kurz eine Frage, macht es Sinn als Sourcewiderstand bei N-Kanal Powermosfet Kaltleiter sprich Halogenlampen zu verwenden wenn man mehrere Mosfet parallel schalten will? Kann man dadurch sich evtl. die OPV zur Stromregelung einsparen? Gruß
Gast
#2609540
was willst Du denn machen ?
Der Temperaturkoeffizient der Mosfet ist doch schon positiv. "Einfaches Parallelschalten im Schaltbetrieb, da Unterschiede im RDS,on durch den positiven Temperaturkoeffizienten ausgeglichen werden" Quelle: http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Vorteile_des_FET
Mal wieder eine Stromsenke, Akkutest bis ca. 600W. Habe nämlich einen 13kg schweren Alukühlkörper für 5€ gekauft. Der sollte nun gut 500-600W abführen können. Da ich ein seperaten Leistungsmesser habe und eine sep. Unterspannungsabschaltung. Dadurch brauch die Stromsenke nicht besonders genau zu sein. Daher die prinzipielle Frage, geht ein Kaltleiter dafür besser als ein einfacher Sourcwiderstand? Nur eben sollten die Mosfets nicht knallen.... Gruß
Gast
#2609754
Die Gatespannung der Mosfets weicht höchstwahrscheinlich viel zu sehr ab für die Glühlampenidee. Da kannst Du ja gleich 11 H4 Scheinwerfer nehmen ohne Mosfets... Wenn das zu aufregend mit dem OPV wird, benutze jeden Mosfet als Einzelmodul mit Widerständen und Transistor. http://www.mikrocontroller.net/wikifiles/2/28/Ksq.png Sowas geht auch mit einem Mosfet.
Glühlampen als Last ist nicht so gut regelbar, dachte eben nur das ein Kaltleiter als Sourcewiderstand da einen Regeleinfluß hätte bei parallelgeschaltete Mosfets. Werde es wohl dann doch mit einen vierach OP machen, dann ist die Geschichte doch sicherer. MfG
Gerald Schlüter schrieb: > macht es Sinn als Sourcewiderstand Kaltleiter zu verwenden wenn man > mehrere Mosfet parallel schalten will? Nein, denn mit dem Kaltleiter verschiebst du (sobald der mal warm wird) die Ugs evtl. in einen Bereich, in dem der Mosfet nur halb leitet und dann eine volle Breitseite Verlustleistung abbekommt. Nimm doch besser gleich 1 Mosfet, der den ganzen Strom aushält... > Glühlampen als Last ist nicht so gut regelbar Normalerweise stellt man sowieso nur die Helligkeit ein. So wird das weltweit in der Lichttechnik (Bühne, Theater, usw.) gemacht... > Werde es wohl dann doch mit einen vierach OP machen Was denn überhaupt? > Glühlampen als Last ist nicht so gut regelbar Willst du den Strom in einer Glühbirne konstant halten? Wozu?
@Lothar Miller (lkmiller) Benutzerseite >Gerald Schlüter schrieb: >> macht es Sinn als Sourcewiderstand Kaltleiter zu verwenden wenn man >> mehrere Mosfet parallel schalten will? >Nein, denn mit dem Kaltleiter verschiebst du (sobald der mal warm wird) >die Ugs evtl. in einen Bereich, in dem der Mosfet nur halb leitet und >dann eine volle Breitseite Verlustleistung abbekommt. Nimm doch besser >gleich 1 Mosfet, der den ganzen Strom aushält... So wie ich es verstanden habe, will er wohl die Mosis im linearen Bereich ansteuern (er wollte ja über ein halbes KW verheizen). D.h., die sind ohnehin immer nur halbleitend. Und ab einer bestimmten Durchsteuerung wird deren Temperaturkoeffizient negativ (leiten also stärker, je wärmer). Insofern is die Idee mit den Halogenern im Sourcekreis vielleicht gar nicht so verkehrt.
Jens G. schrieb: > So wie ich es verstanden habe, will er wohl die Mosis im linearen > Bereich ansteuern Richtig, habe übersehen, was Gerald schrieb: > Mal wieder eine Stromsenke, Akkutest bis ca. 600W. Da sind Glühlampen als Heiz- und Begrenzungswiderstände tatsächlich gar nicht ohne. Billig und hochtemperaturfest.
>Richtig, habe übersehen, was Gerald schrieb: >> Mal wieder eine Stromsenke, Akkutest bis ca. 600W. >Da sind Glühlampen als Heiz- und Begrenzungswiderstände tatsächlich gar >nicht ohne. Billig und hochtemperaturfest. Was Du vermutlich auch noch übersehen hast: er will die "Birnen" als Source-R's reinhaben (also Ausgleichswiderstand mit besonders gutem Ausgleichsverhalten), nicht als Verbraucher an sich. Verbrauchen/heizen sollen wohl die Mosfets.
Gast
#2609897
Glühlampen sind für sowas ziemlich gut geeignet. Vorausgesetzt manb findet die richtige. KFZ-Lampen könnten noch einen ausreichend kleinen Kalt-Widerstand haben und liegen von der Spannung schön im Bereich von UGS.
Gerald Schlüter schrieb: > Mal wieder eine Stromsenke, Akkutest bis ca. 600W... > Falls Du das hinbekommst unbedingt wieder hier melden. Ansonsten kann ich Dir das empfehlen. Geht aber " nur " bis 480W. FUNKAMATEUR 2011 "Einstellbare elektronische Last für maximal 20 A und 24 V" FA 3/11, S. 269 Teil 1 und FA 4/11, S.386 Teil 2. Bernd_Stein
Gast
#2610327
Gerald Schlüter schrieb: > Werde es wohl dann doch mit einen vierach OP machen, dann ist die > Geschichte doch sicherer. Mir schwant 4fach OPV und 4 Mosfets mit 150 Watt laut Datenblatt... Hoffentlich irre ich mich.
600W mit 4x150W laut Datenblatt natürlich nicht, wollte die einzeiln nicht mehr als 60% der zulässigen Verlustleistung belasten. Genau, das wollte ich hier nachfragen, ob durch das Kaltleiterverhalten der Glühlampen evtl. ein besseres Gesammtverhalten der parallelgeschalteten Mosfets möglich wäre. Erstmal theoretisch diskutieren und dann evtl. danach mal bauen. Deswegen hier mal vorab "mal wieder eine Stromsenke..." Gruß an alle Mitdiskutierer.
Gast
#2610544
Gerald Schlüter schrieb: > wollte die einzeiln > nicht mehr als 60% der zulässigen Verlustleistung belasten. Das ist immer noch zuviel. Oder wie willst Du Im Transistor die Temperatur unter ca. 50°C halten? Wenn Du bei 20-30% rauskommst ist Dein Kühlkörper schon sehr gut.
Meinen Akkutester baute ich mit Heiz-PTC vom Conrad. Die Regelung erfolgte per SPS mit einem Lüfter, der den PTC kühlte. Das läßt sich super regeln und ist eigensicher. Naja, es waren viele PTCs und viele Lüfter und Alu-Schienen usw. Alles a bisserl größer eben, anno 1996 ;-) Ach was wollte ich sagen? Ja, Glühlampen kann man genauso regeln.
Ich kenne den Wärmewiderstand nicht von mein "Kühlbrett", hat ziemlich genau 13kg bei 40x 34x 9 cm, Grunddicke 1,5cm. Dachte schon das der einiges wegkühlt. Passenden Kaltleiter zu finden wird wohl auch nicht leicht, denke da dann wohl doch an OPV. Wollt eigentlich auch eher fragen ob überhaupt gehen würde mit ein Kaltleiter als Sourcewiderstand. Gruß
Klar, im Prinzip geht das, solange Du welche findest, die für den Strom und die Spannung passen. Normalerweise verwendet man zum parallelschalten einfach sehr kleine Widerstände in Reihe, also zB 0.1 Ohm. Gleicher Effekt bei weniger Verlust.
j. c. schrieb: > Normalerweise verwendet man zum > parallelschalten einfach sehr kleine Widerstände in Reihe, also zB 0.1 > Ohm. Aber doch nicht bei Mosfets im Analogbetrieb bei den geforderten Bedingungen, da ist 0,1 Ohm viel zu wenig. j. c. schrieb: > Gleicher Effekt bei weniger Verlust. Verlust ist hier das Ziel.
Macht doch evtl. Sinn den Kaltleiter in den Rechnungen für Verluste, was ja gewünscht ist, direkt mit einzubeziehen.
Afaik NEIN! Die neueren MOSFETs sind alle auf Kante designet! Die darf man nicht mehr "analog" betreiben, denn dann gehen die in einen dem zweiten Durchbruch bei bipolaren Transen -ähnlichen Zustand und sind futsch! Und zweitens: Eine Glühlampe hat eine viel höhere Wärmekapazität als ein MOSFET! Ergo macht der MOSFET schnell Hops. Selbst bei einem PTC sieht es nicht viel besser aus. Dafür sind die Halbleiter einfach zu schwächlich. Das ist nur ein winziges Stück Silizium. Tmax MOSFET: 175°C Tmax Glühlampe: irgendwas 2000°C Merke: Leistungs-FETs besser immer digital betreiben. PS: Schwingneigung ist auch nicht zu verachten. So ein MOSFET ist sauschnell und Induktivitäten hat man immer irgendwo.
@Abdul K. (ehydra) Benutzerseite >Afaik NEIN! Die neueren MOSFETs sind alle auf Kante designet! Begründung? Beweis? > Die darf >man nicht mehr "analog" betreiben, denn dann gehen die in einen dem >zweiten Durchbruch bei bipolaren Transen -ähnlichen Zustand und sind >futsch! Nö. >Und zweitens: Eine Glühlampe hat eine viel höhere Wärmekapazität als ein >MOSFET! Und? Für eine Stromsenke für Batterien vollkommen egal. > Ergo macht der MOSFET schnell Hops. Selbst bei einem PTC sieht >es nicht viel besser aus. Dafür sind die Halbleiter einfach zu >schwächlich. Das ist nur ein winziges Stück Silizium. Deine Argumente waren auch schon besser. >Merke: Leistungs-FETs besser immer digital betreiben. Nö. Sich mal mit den Grundlagen beschäftigen und feststellen, dass MOSFET != MOSFET. Beitrag "Re: Mosfet parallel schalten mit Kaltleiter in der Sourceleitung?" MFG Falk
Ja wie bringt man denn am besten den Strom um die Ecke.... meine damit gut regelbar. Der gute 2055 ist sicher robust und gut geeignet, oder gibts bessere Verfahren/ Halbleiter, sprich Bauelemente für solche Zweck, sollte aber eben nicht die Glühlampe oder zB. ein KFZ-Heizgerät sein. Gibt es denn Halbleiter für den analogen Betrieb die mal so ab ca. 200W verbraten können?
Falk, du eckst mit jedem an und dann willst du was?? Warum sollte ich was behaupten, was nicht so ist? Schaust du in der LTspice Yahoo-Gruppe. Dort sind die länglichen Antworten. Natürlich kann man Bauelemente beliebig mißbrauchen, wenn man genau weiß was man tut. Die Frage wurde aber von einem offensichtlichen Anfänger gestellt und dementsprechend antworte ich. Auf dein Niveau schaffe ich es eh nicht mehr.
>Afaik NEIN! Die neueren MOSFETs sind alle auf Kante designet! Die darf >zweiten Durchbruch bei bipolaren Transen -ähnlichen Zustand und sind >futsch! Naja - übertreib' mal nicht. Normalerweise haben inzwischen die entsprechende SOA-Diagramme im DB, die den analogen/DC Bereich mit berücksichtigen (zumindest schon seit einigen Jahren). Die SOA-Kurven sehen dadurch eben ein bißchen krumm und bucklig aus. Aber ich gebe zu - der DC-Bereich kann manchmal ganz schön klein sein.
@ Abdul K. (ehydra) Benutzerseite >Falk, du eckst mit jedem an und dann willst du was?? Wie meinen? >Warum sollte ich was behaupten, was nicht so ist? ;-) >Schaust du in der LTspice Yahoo-Gruppe. Dort sind die länglichen >Antworten. Aha. Das Verhalten REALER Bauteile wird also in der LTSpice-Yahoo Gruppe definiert. Kann es sein, dass du mit deinem Simulationsvolieben ein wenig abgedrifet bist? >Natürlich kann man Bauelemente beliebig mißbrauchen, Davon redet kein Mensch. Sondern von der klaren Unterscheidung von MOSFET-Typen, welche explizt NICHT im Linearbetrieb genutzt werden können. Steht in diversen Datenblättern drin. In einigen leider nicht. http://powerelectronics.com/704PET23.pdf http://sound.westhost.com/articles/hexfet.htm http://www.eeherald.com/section/design-guide/mosfet_new_trench.html > wenn man genau >weiß was man tut. Die Frage wurde aber von einem offensichtlichen >Anfänger gestellt und dementsprechend antworte ich. Indem man alle MOSFETs als Billigprodukte deklariert. Und Panik zu allen möglichen Problemem macht, ohne den Hauch einer Lösung anzubieten. Soso.
Welche Mosfets/ Transistoren sind denn nun gut (besser) zum braten geeignet wegen einstellen lassen. Oder einfach ein 2000W Heizgerät auf Keramikkörper wicken und mit Abgriffe/ Schleifer versehen... Ansonsten werde ich wohl Datenblätter sammeln und durchsuchen. (2000W Heizer geht nicht so gut weil wohl nur gut 10A möglich wären) MfG
Die älteren wie BUZxx . Falk, in der LTspice-Gruppe werden auch mal physikalische Dinge besprochen, solange Helmut nicht mal wieder eingreift. Sag doch einfach du bist zu faul oder hast keinen Zugriff, das wäre ehrlich. Ich habe mal danach gesucht, aber bislang nur das wieder ausgegraben: "I don't know if this can be done in the LTspice post-processor, but > in PSpice I used a macro to examine a "hot electron" situation in MOS > devices: > > SOAG(M,VDS,VGS)=(SGN(VD(M)-VS(M)-VDS)+1)*(SGN(VG(M)-VS(M)-VGS)+1)/4 > > Produces "0" when safe, "1" when SOA violated > > If LTspice can handle such macros, just write your own for your > particular situation. > > ...Jim Thompson " und " --- In LTspice@yahoogroups.com, "analogspiceman" <analogspiceman@...> wrote: > > > > --- In LTspice@yahoogroups.com, Rick Sawyer wrote: >> > > --- In LTspice@yahoogroups.com, analogspiceman wrote: > > >>> > >> If you are unfamiliar with modern power MOSFETs, please be advised >>> > >> that most of the newer ones will fail in linear applications that >>> > >> subject them to more than about 40 percent of their voltage rating >>> > >> to as low as only 10 percent of their voltage rating for some of >>> > >> the latest low Rds_on, low gate charge types. > > >> > > Is this just a thermal problem or is there some other mystery? It >> > > puzzles me that your comment is with regard to voltage, not power. > > > > Most modern MOSFETs are optimized for switching (low gate charge and > > low Rds_on). A side effect of this is that they have sacrificed dc > > thermal sharing between cells. The very latest ones suffer from > > secondary breakdown limitations that are as bad as the most fragile > > of power BJTs. Because of this many of the newer MOSFETs now have > > extensive safe operating area curves on their data sheets. > > > > Generation III & IV MOSFETs mostly did not have these curves because > > the curves were strictly power limited, even for all operating > > voltages at dc. For example, compare these data sheets: > > > > http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf640npbf.pdf > > http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb5620pbf.pdf > > > > They both are 200V TO220 devices from IR, but compare: > > > > Older: 200V 150mohm 67nC/33nC (total/Miller) 150V (max Vdc) > > Newer: 200V _60mohm 25nC/10nC (total/Miller) _30V (max Vdc) > > > > The "newer" example is not even as bad as the very latest devices > > that are extremely optimized for switching use only. > > > > Regards -- analogspiceman > > analogspiceman, OK, that's what I thought (second breakdown like BJTs). You can clearly see this in the SOA curves. It's interesting that the IRF640 data sheet doesn't show a value for the DC SOA. Thanks for the response. Rick " Ich denke damit kannst du dich dann dort weiterhangeln. Ich werde wohl einfach weniger schreiben und mehr basteln. Das ist für die Nerven aller gut.
Abdul K. schrieb: > Meinen Akkutester baute ich mit Heiz-PTC vom Conrad. Die Regelung > erfolgte per SPS mit einem Lüfter, der den PTC kühlte. Das läßt sich > super regeln und ist eigensicher. Naja, es waren viele PTCs und viele > Lüfter und Alu-Schienen usw. Alles a bisserl größer eben, anno 1996 ;-) > > Ach was wollte ich sagen? Ja, Glühlampen kann man genauso regeln. Conrad hat das Teil sogar noch. Damals kostete es 12DM. Man kann das innen dreigeteilte PTC einzeln stückeln, z.B. einen der drei rausnehmen. http://www.conrad.de/ce/de/product/532894/HEIZELEMENT-12-V-150-W Viel Spaß! Bekomme leider keine Prozente und gehe auch nicht Golfen. Obwohl, wenn Falk und MaWin mitkommen...
Die hier gerade gefunden, MJ 11014, 30A/ 90V/ 200W hfe >1000 npn TO3 Davon 5-6 Stück sollte gehen. Gruß
>Welche Mosfets/ Transistoren sind denn nun gut (besser) zum braten Mal als Beispiel: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb4110qpbf.pdf Das ist ein typ. Schalttransistor, der nicht gern im linearen Bereich braten will. Sichtbar am SOA Figure 8. Obwohl das ein 370W-Transistor sein soll, kann er nur hohe Ströme bei niedrigster Spannung verkraften (also Schaltbetrieb, wo er theoretisch die 370W verbraten nkönnte). Dagegen darf im linearen Betrieb bei 1A noch nichtmal 20V über D-S liegen (also gerade mal <20W). Das ist das, was Abdul meinte. Statt solcher hochgezüchteter Hochstrommosis sollte man daher wohl eher paar Mittelstromteile nehmen, wie http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb260n.pdf Das ist ein 380W-Mosi, der immerhin lt. SOA noch 200W bei 200V verbraten kann (zwar bei 10ms, aber DC ist meistens nicht weit davon entfernt).
Gast
#2611000
Gerald Schlüter schrieb: > Die hier gerade gefunden, MJ 11014, 30A/ 90V/ 200W hfe >1000 npn TO3 > > Davon 5-6 Stück sollte gehen. Wenn der sich auf Deinem Alu-KK gut montieren läßt, ist Deine Wahl zu begrüßen. Nimm aber wenigstens 12 Stück wenn es länger als ein paar Minuten funktionieren soll.
@Jens G. Was dazu gelernt, vielen Dank für die Erklärung. MfG
Hallo, auf der Suche nach " das Bauteil" mit sichernen bzw. passenden SOA Bereich bin ich auf den hier gestoßen: BSM 300GA 100 D , Datenblatt hierfür sieht doch gut aus denk ich. 40-50V bei gute 50A sollten damit drin sein. Liege ich da richtig für eine Powerstromsenke? MfG
Gast
#2626313
Gerald Schlüter schrieb: > 40-50V bei gute 50A sollten damit > drin sein. Absolut kein Problem - nur wie gelingt es Dir, das innere des IGBT (also das Silizium) auf 25°C zu halten?
Und kann man denn aus dem Datenblatt im SOA Diagramm interpolieren wie es bei sagen wir 90° wär? Mfg
Gast
#2626367
Du wirst nicht das perfekte Teil finden (oder doch - Heizlüfter umfummeln). Vier der IGBTs werden sicher paar Cent mehr kosten als zehn der MJ11014. Die Wärme muß nun mal in die Natur raus. Das erfordert auch eine gewisse mechanische Größe. D.h. das Gehäuse und die "Kleinheit" der Chips limitieren den Wärmeabtransport. Dem IGBT würde ich so 150-200 Watt auferlegen mit der Bauform. Das ist jetzt aber nicht berechnet.
Hier mal ein Auszug aus dem Datenblatt vom BSM300... . Liege ich da richtig wenn ich bei 120°C mit 600A rechne könnte, brauch aber nur gute 50A. Im SOA Diagramm liege ich mit der DC Kurve einiges darunter dann. Was bedeutet dort Tj < 150°C, ist das die maximale Sperschichttemp. die ich einhalten muß? Mein Kühlkörper hat gute 13kg, welchen Wärmewiderstand der hat wieß ich nicht. Wenn ich den BSM300.. auf 120°C halten kann, würde dieser IGBT dann gehen? MfG
Gast
#2627683
Solange Du nicht Richtung Süd- oder Nordpol ziehst, ist einer für 600 Watt zu wenig - auch wenn Du noch wochenlang suchst. In der Zeit bis jetzt hättest Du die elektronische Last schon lange fertig haben können...
Ich habe einen großen Kühlschrank...., ich habe es aber nicht eilig mit den Bau. Ist sowas wie, ich will lernen was geht bzw. was und wieso nicht. Evtl. überleg ich auch 4-5 KFZ PTC-Heizlüfter (Kaltleiter) mit je 150W als Sourcewiderstand zu benutzen. Sozusagen den Mosfet zur Regelung und den Kaltleiter zur thermischen Stabilisierung, als auch gleich als zusätzliches Element zur Wärmeabgabe. MfG
Wenn der PTC mangels Kühlung heiß ist, fließt kaum noch Strom. Vielleicht habe ich das unklar dargestellt. Vielleicht reicht dir das ja schon so? Eleganter geht es wohl nicht. Ein Abdul-Design eben.
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