Hi,
ich brauche für eine LTC-Simulation ein Spice Model eines MOSFETs,
genauer des IRF9510 . Ich habe im Netz allerdings nur ein PSPice Model
gefunden:
http://www.vishay.com/mosfets/list/product-91072/
Ich hab nun die Datei ins Verzeichnis .../lib/sub kopiert und ein Symbol
erstellt (gespeichert in lib/sym) . Über Attributes hab ich als Spice
Model "sihf9510.lib" angegeben. Wenn ich nun eine Simulation für eine
Schaltung mit dem erstellten Symbol ausführen will, kommt die
Fehlermeldung :
"m1: Can't find definition of model "sihf9510.lib" "
Normalerweise müsste LTspiceIV PSpice Modelle doch laden können, hat
jemand ne Ahnung wo das Problem liegt? Vlt kann man ja auch einfach eine
Subdatei, bzw. Spice Model selber schreiben?
Geht doch :)
Kopie lib\sym\pmos.asy -> lib\sym\vishay\IRF9510.asy
Folgende Zeilen mit Texteditor geändert/eingefügt:
SYMATTR Value IRF9510
SYMATTR Prefix X
SYMATTR Description P-Channel MOSFET IRF9510
SYMATTR ModelFile sihf9510.lib
SYMATTR SpiceModel irf9510
Kürzer wärs mit einer .inc zeile auf die lib und ändern des Value-Feldes
des Standardsymbols.
hth
trafo
Ich hab jetz also /lib/sym/pmos.asy geöffnet, ein paar Attributes
geändert und dann unter /lib/sym/vishay/IRF9510.asy gespeichert. Kannst
du bitte mal die ganze bearbeitete sihf9510.lib -Datei posten `?
An der lib habe ich nix gedreht. Direkt von
http://www.vishay.com/docs/90310/sihf9510.lib in lib\sub\ gespeichert.
Wenn weiterhin Fehlermeldungen kommen ist es nützlich, wenn du deine
Schaltung (asc) und dein Symbol (asy), z.B als zip verpackt, anhängst.
Infos zur verwendeten LTSpice-Version bzw. zum Betriebssystem - deine
Pfadtrenner erinnern mich an unix - sind auch brauchbar.
btw: Hab gerade bemerkt, das wir eigentlich auch im falschn Forum sind -
in Analogtechnik wäre der thread besser aufgehoben.
Habe dein zip nach proj\IRF9510 extrahiert und die enthaltene lib nach
lib\sub\ kopiert (meine Versionen zuvor umbenannt und LTspice neu
gestartet).
Das wirft beim Öffnen von proj\IRF9510\draft1.asc den Fehler "Couldn't
find symbol(s):IRF9510" und löscht den Transistor aus dem Schaltplan.
Nach Korrektur - IRF9510.txt umbenennen in IRF9510.asy - funktioniert
die Simulation.
Da ich LTspice 4.13m unter XP/SP3 betreibe und kein Win7 habe, kann ich
dir leider nicht mehr weiterhelfen - die Dateien sind jedenfalls soweit
OK.
Japp. Eigentlich sollte bei mir alles klappen. Lib-Datei im lib/sub
Verzeichnis und IRF9510.asy in lib/sym/vishay gespeichert. Selbst bei
der einfachsten Schaltung (nur das Bauteil) wird immernoch die
Fehlermeldung "m1: Can't find definition of model "sihf9510.lib" " .
Danke trotzdem für deine Hilfe :)
PS:
Kann ein Mod das Thema mal verlegen, nach Analogtechnik ?
Es ist vergeudete Zeit sich dafür ein Symbol zu machen.
So macht man es am schnellsten und besten.
1.
Platziere ein Symbol "pmos" auf dem Schaltplan.
2.
Ersetze an dem platzierten Teil den Text PMOS durch IRF9510.
3.
Ctrl-rechte-Maustaste auf das platzierte Symbol. Dabei öffnet sich ein
Dialogfenster. Ersetze Prefix:MP durch Prefix:X weil es sich um ein
subcircuit (.subckt ...) handelt.
4.
Addiere das SPICE-Kommando zum einfügen des Modells.
.include sihf9510.lib
5.
Die Datei sihf9510.lib in das Verzeichnis des Schaltplans kopieren.
So ähnlich geht das übrigens mit allen subcircuit-Modellen. Egal ob
Diode oder Transistor.
Gruß
Helmut
Also zunächst hab jetzt noch den Pfad in die asy-Datei eingefügt.
Habe jetzt den Fehler gefunden, er lag nicht in den Datein. Ich habe ja
am Anfang das IRF9510-Symbol via LTSpice erstellt. Die Datei war aber
nur in LTSpice sichtbar (im Explorer nicht) und zwar mit einem kleinen
Schloss dargestellt. Die "richtige" Datei, die ich im Editor
entsprechend trafos Angaben bearbeitet habe, habe ich via Explorer dann
in den Zielordner kopiert. Erst als ich via LTSpice die "gesperrte
Datei" gelöscht habe, konnte ich die richtige erst öffnen. Jetzt kann
ich die Simulation ohne Probs starten :) Danke schonmal dafür.
Soo aber nun guckt euch mal das an, da läuft doch was schief. Kommt ihr
zum selben Ergebnis für die Schaltung?
Also ich komme zum selben Ergebnis. Auch der Spannungsabfall an der
Body-Diode stimmt so halbwegs mit dem Datenblatt überein.
Was schief läuft - man sollte das Gate weder in der Simulation noch in
der Praxis floaten lassen.
Die Erklärung, warum sich draft2.png von draft2b.png unterscheidet
überlass ich dir ;)
Definitiv nein.
Ich bin zwar kein echter Guru, aber dass mußt du mir jetzt einfach
glauben, wenn du schon der Simulation nicht vertraust. Als Alternative
kannst du dir auch das Schaltbild ganz oben im Datenblatt betrachten und
überlegen, wie sich das Teil in deiner Anordnung verhält (Fig.1, 3 und 7
sind auch nicht unwesentlich).
Was soll das ganze eigentlich werden, wenn es mal groß ist?
Bauteiler schrieb:> Das Ding sollte definitiv sperren, da muss was nicht stimmen.
Du hast einen PMOS-Transistor. Da ist im Normalbetrieb Drain negativer
als Source. In deiner Schaltung ist aber Drain positiver. Deshalb leitet
die interne Bulk-Diode die parallel zu Drain und Source liegt. Du
bekommst in der Simulation genau den Spannungsabfall dieser Diode
(0,7V). Wenn du in deiner letzten Schaltung -20V anlegst, dann ist der
Transistor im Normalbetrieb.
Hast du schon mein Beispiel gesehen?
Beitrag "IRF9510 Spice Model"
Ahhh ok, danke. Ist bei Mosfets der Drain-Pin eigentlich nicht immer
unten und Source oben? Naja ich hab dann im Symbol die Pins getauscht.
Nun man kann man es eher als sperrend bezeichnen. Allerdings, meint ihr
die Werte sind für folgende Schaltung (mit V = +5V auf GND)) wirklich in
Ordnung? Ich habs mal "in echt" nachgemessen, mit dem Ergebnis, dass am
Widerstand 0,00V anliegen, nach der Simulation wärens aber 0,5V!
Andererseits, der Strom durch R1 ist weitgehend unabhängig von der Größe
der Spannungsquelle, was ja eig. richtig wäre. Ist die abweichende
Spannung vlt innerhalb der "Toleranz"?
In diesem Punkt hast du Recht - der berechnete Idss liegt deutlich über
dem im Datenblatt angegeben Wert.
Könnte man evtl. in der lib anpassen - 633µA über D1:IS und 100µA über
RDS ergeben die 733µA (bin damit aber nicht wirklich vertraut):
[...]
D1 1 3 MD
.MODEL MD D IS=0.000633894 RS=0.126663 N=12.7812 BV=100
+IBV=0.0001 EG=1.2 XTI=1 TT=0.0001
+CJO=3.13356e-10 VJ=0.908437 M=0.419645 FC=0.5
RDS 3 1 1e+06
[...]
Eigentlich denke ich, ist mit den hypschen Beispielen von Helmut das
ursprüngliche Thema erschöpfend behandelt und verabschiede mich aus dem
thread.
p.s.
Bitte keine Pins austauschen. Man kann Bauteile während des Platzierens
auch drehen (Strg-R) und spiegeln (Strg-E) bis das Symbol zur Funktion
passt.
