Hallo,
möchte einen IR2127 als Low Side Schalter betreiben. Ist die Beschaltung
im Anhang hierfür richtig?
Welche Kondenstoren Werte sind eingangs- und ausgangseitig hierfür zu
verwenden? Sind das hier auch Abblockkondensatoren mit 100 nF.
VCC beträgt 12V und die Spannung über der Last ist auch 12V. Benötigt
werden in etwa 200 bis 500 mA.
Kann mir hierfür noch jemand einen Kondenstor empfehlen? Möglichst im
TO-220 Gehäuse.
Habe noch irfz24n herumliegen die dürften aber ein wenig
überdimensioniert sein.Oder?
Gruß
@xaos
das ganze läuft mit einer PWM, von daher wäre es selbst mit einem logic
level nicht möglich aufgrund der miller kapazität und das der AVR vorher
nur 20 mA liefern kann
@volker
Hallo Volker,
den Artikel kenn ich bereits und mit Bauelement kenn ich mich auch aus.
:)
Es ging lediglich darum welche Werte die Kondensatoren in der Schaltung
haben müssen bzw. ob diese hier auch nur als Abblockkondensatoren
dienen. Mir ist nicht ganz klar wozu der eingangsseitig Elko dient der
im Artikel eingezeichnet ist?!
Die PWM Frequenz soll so hoch wie möglich gewählt werden. Daher auch die
Frage nach dem TO-220 Gehäuse da sich dieses besser kühlen lässt.
Die Frage war eher so zu verstehen ob jemand direkt einen MOSFET kennt.
Es hat ja jeder so seinen Fundus....
Das Problem ist halt das die meisten Mosfets im TO-220 (zumindest bei
IR) schon ziemlich große Teile sind und daher auch hohe Totally Gate
Charge haben und entsprechende ansteuer leistung brauchen.
Ich such eher was in Richtung 20-30V bei 1-2A im TO-22
Gruß
Hallo Meier,
sorry, aber da Du oben nach einem "Kondenstor" im TO220 gefragt hast war
ich mir da nicht mehr sicher.
Die Kerkos sind für die paar zehn ns, die normalerweise die Aufladung
über die Diode brauche, erforderlich. Du hast hier keine Diode, trotzdem
solltest Du nahe am Treiber-IC puffern, und zwar mit einem größeren
Kerko auf der Treiber (rechten) Seite. Links genügt bei Dir vermutlich
ein 100nF Puffer.
Der Elko - der für die Umladepulse natürlich VIEL zu langsam ist - soll
verhindern, daß Du Dir eine hohe dI/dt quer über die PCB ziehst.
Auf der HS könntest Du den Elko theoretisch auch weglassen, sofern Dein
Kerko groß genug ist, auf der Versorgungsseite empfehle ich Dir
zumindest 10..100µF.
Zu Deinem "so hoch wie möglich":
von was sprechen wir
bis zu 1kHz, 100kHz 100MHz oder wohin willst Du... sprich... was ist
sinnvoll, und ist es den Aufwand wirklich wert?
Gib uns doch bitte wenigstens eine Hausnummer, "hoch" ist relativ.
Gruß
Volker
Sorry ich hatte mich vertippt im Eifer des Gefechtes....ich meinte
natürlich einen Tip für einen Mosfet im TO-220 ;)
Sorry, nochmals ;)
Eingangseitig also einen Elko und einen Kerko --> 100nF Kerko und
10..100uF
Kann man den Elko irgendwie genauer ausrechnen? Oder besser messen?
Was meinst du mit der Abkürzung "HS"??
Als Hausnummer würd ich mal 10 kHz vorgeben... hab eine rein ohmsche
Last.
Gruß
Hallo,
ja, es ist wirklich nur eine LS-Side Anwendung... daher ja auch die
Frage! Im IR2127 Daten ist nur die Beschaltung in High Side Anwendung
angegeben.
Du meintest oben das ich den Elko weglassen könnte, wenn ich das ganze
als High Side Switch betreibe?! Irgendwie hab ich dich dann zuvor nicht
richtig verstanden, da sich ja die Fragstellung auf eine LS Anwendung
bezogen hat
Bzgl. dem Mosfet:
Dann könnt ich ja auch den IRLZ24N oder IRFZ24N (mit Gate Driver)
nutzen. Wie kann ich die Total Gate Charge abschätzen, wenn ich bei
einem niedrigen ID und UDS bin? Im Datenblatt ist diese im Diagramm bei
ID=10A und UDS=44V und 28V angegeben.
Gruß
Hallo,
ja, die kannst Du nehmen, der IRLZ24N hat die kleinere Qg und damit
würde ich den bevorzugen.
Ich empfehle Dir bei einer LS-Anwendung einen Elko/Tako mit z.B. 22-47µF
und einen 100nF Kerko auf der "Digitalseite" , und von dort die
Verbindung zur "Ausgangsseite", dort aber einen Kerko mit z.B. 4,7..
10µF möglichst DIREKT an den Beinchen des Treibers.
Einen Elko auf der "Ausgangsseite" brauchst Du nur in einem
HS-Anwendungsfall UND wenn Du den HS sehr lange eingeschaltet halten
möchtest, denn die HS-Kondensatoren werden über die Diode nur dann
aufgeladen, wenn der LS eingeschaltet ist.
Beantwortet dies Deine Frage dazu?
Gruß
Volker
Hallo Volker,
ja, vielen Dank für deine Antwort das hilft mir weiter!
Kannst du vielleicht noch einen Satz bzgl. der Abhängigkeit der Total
Gate Charge schreiben? Ich beziehe mich dabei auf Seite 4 des
Datenblattes, Fig.4.
Würde gerne wissen in welche Richtung sich diese verändert wenn ich nur
ein UDS von 12 V habe und ein ID von 0,5A
Hallo,
wenn Du wirklich die "Total Gate Charge" meinst...schau Dir mal im
Datenblatt die Fig. 6 an.
Dort sieht man schon sehr schön den Unterschied zwischen einer UDS von
48V auf 28V.
Wenn ich da eine weitere Parallelverschiebung "reinschätze", dann wirst
Du vermutlich im Bereich von tyypisch 8..8,5nC liegen (UGS von 5V
vorausgesetzt)
Bezüglich R_ds_on funktioniert das in Fig. 4 sehr ähnlich... aber es
wäre nett von Dir, wenn Du Deine Frage nochmals formulierst, den die Fig
4 (aus dem Datenblatt das DU gerade angehängt hast) hat nix mit der
Gateladung zu tun...
Gruß
Volker
Hi Volker,
ja ich meinte eigentlich Figure 6...sorry!
Besteht hierbei keine Abhängigkeit von Id? Weil die Grafik ja eigentlich
bei einem ID von 11A angegeben ist.
Gruß
Hallo,
nach dem, was ich bisher gelesen habe hängt die Gateladung kaum vom
Drainstrom ab.
Nach dem der FET "auf" ist, beginnt der Drainstrom zu fließen. Der Strom
steigt so lange an, bis er sein Maximum erreicht hat. Diese Zeit
verlängert sich natürlich durch die absolute Höhe des Stromes, das hat
aber nichts mit der Gateladung zu tun.
Auch im Tieze-Schenk habe ich keinen Hinweis auf einen Zusammenhang
gefunden... zumindest nicht beim schnellen Scannen.
Ev gibts ja hier im Forum jemand, der hier mehr Details auf Lager hat,
aber ehrlich gesagt glaube ich im Moment nicht, daß hier ein
nennenswerter Einfluß besteht... ich laß mich aber gern eines besseren
belehren.
Gruß
Volker
IR2127.GIF
(5,9 KB)
