Hallo, möchte einen IR2127 als Low Side Schalter betreiben. Ist die Beschaltung im Anhang hierfür richtig? Welche Kondenstoren Werte sind eingangs- und ausgangseitig hierfür zu verwenden? Sind das hier auch Abblockkondensatoren mit 100 nF. VCC beträgt 12V und die Spannung über der Last ist auch 12V. Benötigt werden in etwa 200 bis 500 mA. Kann mir hierfür noch jemand einen Kondenstor empfehlen? Möglichst im TO-220 Gehäuse. Habe noch irfz24n herumliegen die dürften aber ein wenig überdimensioniert sein.Oder? Gruß
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nimm doch einfach einen logic-level fet..dann brauchst du keinen treiber
Hallo Meier, ich empfehle Dir zuerst mal das hier als Lektüre http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber Des Weiteren schlage ich vor daß Du - sofern Du eine Antwort möchtest, die Dein Problem löst - erst mal genau beschreibst, was Du machen möchtest, Informationen wie z.B. Schaltfrequenz und etwas mehr als so ein kleiner Ausschnitt eines Stromlaufplanes, ... denn vielleicht wäre hier ein P-Kanal-FET, oder sogar ein BC237 für Dich besser geeignet. Eventuell wäre auch anzuraten, daß Du Dich hier im Forum oder auch sonst im Netz über verschiedene Bauteile wie z.B. Kondensatoren und Transistoren informierst, z.B. hier http://www.mikrocontroller.net/articles/Kategorie:Bauteile http://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor http://www.mikrocontroller.net/articles/FET http://www.mikrocontroller.net/articles/IGBT Wenns dann Fragen dazu gibt... gern ;-) Gruß Volker
@xaos das ganze läuft mit einer PWM, von daher wäre es selbst mit einem logic level nicht möglich aufgrund der miller kapazität und das der AVR vorher nur 20 mA liefern kann @volker Hallo Volker, den Artikel kenn ich bereits und mit Bauelement kenn ich mich auch aus. :) Es ging lediglich darum welche Werte die Kondensatoren in der Schaltung haben müssen bzw. ob diese hier auch nur als Abblockkondensatoren dienen. Mir ist nicht ganz klar wozu der eingangsseitig Elko dient der im Artikel eingezeichnet ist?! Die PWM Frequenz soll so hoch wie möglich gewählt werden. Daher auch die Frage nach dem TO-220 Gehäuse da sich dieses besser kühlen lässt. Die Frage war eher so zu verstehen ob jemand direkt einen MOSFET kennt. Es hat ja jeder so seinen Fundus.... Das Problem ist halt das die meisten Mosfets im TO-220 (zumindest bei IR) schon ziemlich große Teile sind und daher auch hohe Totally Gate Charge haben und entsprechende ansteuer leistung brauchen. Ich such eher was in Richtung 20-30V bei 1-2A im TO-22 Gruß
Hallo Meier, sorry, aber da Du oben nach einem "Kondenstor" im TO220 gefragt hast war ich mir da nicht mehr sicher. Die Kerkos sind für die paar zehn ns, die normalerweise die Aufladung über die Diode brauche, erforderlich. Du hast hier keine Diode, trotzdem solltest Du nahe am Treiber-IC puffern, und zwar mit einem größeren Kerko auf der Treiber (rechten) Seite. Links genügt bei Dir vermutlich ein 100nF Puffer. Der Elko - der für die Umladepulse natürlich VIEL zu langsam ist - soll verhindern, daß Du Dir eine hohe dI/dt quer über die PCB ziehst. Auf der HS könntest Du den Elko theoretisch auch weglassen, sofern Dein Kerko groß genug ist, auf der Versorgungsseite empfehle ich Dir zumindest 10..100µF. Zu Deinem "so hoch wie möglich": von was sprechen wir bis zu 1kHz, 100kHz 100MHz oder wohin willst Du... sprich... was ist sinnvoll, und ist es den Aufwand wirklich wert? Gib uns doch bitte wenigstens eine Hausnummer, "hoch" ist relativ. Gruß Volker
Sorry ich hatte mich vertippt im Eifer des Gefechtes....ich meinte natürlich einen Tip für einen Mosfet im TO-220 ;) Sorry, nochmals ;) Eingangseitig also einen Elko und einen Kerko --> 100nF Kerko und 10..100uF Kann man den Elko irgendwie genauer ausrechnen? Oder besser messen? Was meinst du mit der Abkürzung "HS"?? Als Hausnummer würd ich mal 10 kHz vorgeben... hab eine rein ohmsche Last. Gruß
Ohmsche Last... soso... Das hier kennst Du ?? http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber#St.C3.BCtzkondensator Ok es sind bei Dir nur wenige Ampere... Du weist aber schon, daß Du ganz oben einen LS = Low Side FET gezeichnet hast, oder? (schaltet gegen GND) HS heißt "High-Side" und DER schaltet geggen VCC. siehe hier http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber#Stromversorgung_eines_High-Side_Treibers Wenn es also wirklich nur eine LS Anwendung ist, dann genügt - bei Deinem Strom - (und auch bei der vergleichsweise niedrigen Frequenz) wirklich ein Logic-Level FET, siehe hier http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Unterschied_Logic-Level_.2F_.22Normal.22-Level Wenn Du mich jetzt nach einem FET Typen fragst könnte der http://www.mikrocontroller.net/part/IRL1004 eine gute Wahl sein oder der hier http://www.mikrocontroller.net/part/IRLU024N Klar können die mehr Strom, als Du brauchst... aber die sind so niederohmig, daß Du Dir vermutlich um das Thema Kühlung keine Sorgen machen mußt...
Hallo, ja, es ist wirklich nur eine LS-Side Anwendung... daher ja auch die Frage! Im IR2127 Daten ist nur die Beschaltung in High Side Anwendung angegeben. Du meintest oben das ich den Elko weglassen könnte, wenn ich das ganze als High Side Switch betreibe?! Irgendwie hab ich dich dann zuvor nicht richtig verstanden, da sich ja die Fragstellung auf eine LS Anwendung bezogen hat Bzgl. dem Mosfet: Dann könnt ich ja auch den IRLZ24N oder IRFZ24N (mit Gate Driver) nutzen. Wie kann ich die Total Gate Charge abschätzen, wenn ich bei einem niedrigen ID und UDS bin? Im Datenblatt ist diese im Diagramm bei ID=10A und UDS=44V und 28V angegeben. Gruß
Hallo, ja, die kannst Du nehmen, der IRLZ24N hat die kleinere Qg und damit würde ich den bevorzugen. Ich empfehle Dir bei einer LS-Anwendung einen Elko/Tako mit z.B. 22-47µF und einen 100nF Kerko auf der "Digitalseite" , und von dort die Verbindung zur "Ausgangsseite", dort aber einen Kerko mit z.B. 4,7.. 10µF möglichst DIREKT an den Beinchen des Treibers. Einen Elko auf der "Ausgangsseite" brauchst Du nur in einem HS-Anwendungsfall UND wenn Du den HS sehr lange eingeschaltet halten möchtest, denn die HS-Kondensatoren werden über die Diode nur dann aufgeladen, wenn der LS eingeschaltet ist. Beantwortet dies Deine Frage dazu? Gruß Volker
Hallo Volker, ja, vielen Dank für deine Antwort das hilft mir weiter! Kannst du vielleicht noch einen Satz bzgl. der Abhängigkeit der Total Gate Charge schreiben? Ich beziehe mich dabei auf Seite 4 des Datenblattes, Fig.4. Würde gerne wissen in welche Richtung sich diese verändert wenn ich nur ein UDS von 12 V habe und ein ID von 0,5A
Hallo, wenn Du wirklich die "Total Gate Charge" meinst...schau Dir mal im Datenblatt die Fig. 6 an. Dort sieht man schon sehr schön den Unterschied zwischen einer UDS von 48V auf 28V. Wenn ich da eine weitere Parallelverschiebung "reinschätze", dann wirst Du vermutlich im Bereich von tyypisch 8..8,5nC liegen (UGS von 5V vorausgesetzt) Bezüglich R_ds_on funktioniert das in Fig. 4 sehr ähnlich... aber es wäre nett von Dir, wenn Du Deine Frage nochmals formulierst, den die Fig 4 (aus dem Datenblatt das DU gerade angehängt hast) hat nix mit der Gateladung zu tun... Gruß Volker
Hi Volker, ja ich meinte eigentlich Figure 6...sorry! Besteht hierbei keine Abhängigkeit von Id? Weil die Grafik ja eigentlich bei einem ID von 11A angegeben ist. Gruß
Hallo, nach dem, was ich bisher gelesen habe hängt die Gateladung kaum vom Drainstrom ab. Nach dem der FET "auf" ist, beginnt der Drainstrom zu fließen. Der Strom steigt so lange an, bis er sein Maximum erreicht hat. Diese Zeit verlängert sich natürlich durch die absolute Höhe des Stromes, das hat aber nichts mit der Gateladung zu tun. Auch im Tieze-Schenk habe ich keinen Hinweis auf einen Zusammenhang gefunden... zumindest nicht beim schnellen Scannen. Ev gibts ja hier im Forum jemand, der hier mehr Details auf Lager hat, aber ehrlich gesagt glaube ich im Moment nicht, daß hier ein nennenswerter Einfluß besteht... ich laß mich aber gern eines besseren belehren. Gruß Volker
@Volker vielleicht könntest dir die Umsetzung hier mal anschauen Beitrag "Layoutüberprüfung IR2127 als Low Side Schalter" Gruss
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