Hallo, ich muss mich neben vielen anderen Sachen auch mit einem elektronischen Vorschaltgerät herumschlagen das Probleme bereitet. Die Grundschaltung ist im Anhang zu sehen und stellt einen selbstschwingenden Gegentaktwandler dar oder Royer-Converter wie er auch manchmal genannt wird. Das Gerät ist für 24V ausgelegt, muss aber auch von 16,8V bis 30V noch funktionieren. Versorgt wird damit eine 55W Halogenlampe. Das heißt große Ströme bei kleiner Spannung. Also ca. 94V bei 30V Eingangsspannung am Schwingkreis. Das Gerät schaltet ja im Spannungsnulldurchgang, was meines Wissens nach denkbar ungünstig für Bipolar-Transistoren ist. Darum wollte ich auf MOSFETs umsteigen, zumal die Spannung nicht allzu groß ist. Hab schon nach verschiedenen Möglichkeiten gesucht dass zu realisieren. Ich könnte zum einen die Steuerwicklung nehmen und ein paar Windungen mehr drauf machen. Bilde ich damit nicht aber einen Schwingkreis mit der Gate-Kapazität? Des Weiteren bin ich bei meiner Suche im Internet, immer wieder auf die Seite von Herrn Rehrmann gestoßen. http://www.joretronik.de/Oszillatoren/Oszillatoren.html Auf der Seite habe ich mal versucht die Standardschaltung für den Royer-Oszillator mit MOSFETs zu simulieren und nachzubauen. Es funktioniert aber die Verluste in den Widerständen und den Ventilen sind nicht ohne. http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/Kap11_2/Kapitel11_2.html Die in Bild 11.2 dargestellte Schaltung sieht vielversprechender aus. Der Herr Rehrmann möge mir Verzeihen das ich einfach so seine Schaltungen verwende. Es geht mir einfach nur um das Verständnis an sich. :-) Bin selber noch nicht so lange auf diesem Gebiet aktiv. Eine Simulation brachte die in Bild 2 dargestellten Kurvenverläufe. Besonders während der Umschaltvorgänge kommt es zu erhöhten Verlusten. Im Mittel liegen diese zwischen 2-3W, was meiner Meinung nach viel zu hoch ist. Oder kann ich nicht mehr erwarten? Es ist auch ein Verzögerung im Spannungsverlauf über den MOSFET zu erkennen aber der Strom schaltet sauber. hab auch schon die Parameter der Kondensatoren und Widerstände geändert um ein Verständnis für die Schaltung zu erlangen. Nach welchen Kriterien muss ich diese auslegen? Gate-Ladung? Gate Threshold Voltage? Die Zenerdionde in der Simulation hat 6,2V. Wonach richtet sich das? Gibt es da detailierte Erklärungen für? Wie kann ich steilere Schaltflanken erreichen? Ich danke schon mal im Voraus.
Angehängte Dateien:
-
Wandler.GIF
(11 KB)
-
Kurven.PNG
(5,9 KB)
