Hallo, ich versuche analytisch zu ermitteln, wie der Worst-Case-Haltestrom für einen diskret aufgebauten Thyristor ist. Also bei welchem Strom er wieder frühestens sperrt. Welche Parameter sind für diese Berechnung relevant? Danke für Hinweise dazu Matthias
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Im wesentlichen: Die Stromverstärkung der Einzeltransistoren. Wundere dich bitte nicht, das als worst-case ein minimal zu erwartender Haltestrom im uA Bereich und darunter rauskommt.
Hallo Andrew, bist Du Dir da sicher? Laut meiner Simulation laufen beide Transistoren in Sättigung. Wundern tu' ich mich nicht, aber wie man das berechnet würde mich interessieren.
@ Matthias E. (meb) >bist Du Dir da sicher? Laut meiner Simulation laufen beide Transistoren >in Sättigung. Ist auch so. >Wundern tu' ich mich nicht, aber wie man das berechnet würde mich >interessieren. Schau dir die Schaltung an. Der Laststrom fließt in den Emitter von Q2, der ist nahezu gleich dem Kollektrom (hohe Stromverstärkung). Der fließt in die Basis von Q1. Normale Transistoren verkraften aber nicht extrem viel Basisstrom, ausserdem ist der Basisbahnwiderstand deutlich höher als am Kollektor. Daran sieht man, dass ein richtiger Thytristor im Detail noch einiges anders macht als die einfache Ersatzschaltung.
Matthias E. schrieb: > bist Du Dir da sicher? Laut meiner Simulation laufen beide Transistoren > in Sättigung. Kurz vor der Unterschreitung des Haltestroms sind die Transistoren sicherlich nicht mehr in der Sättigung. Gruss Harald
> Also bei welchem Strom er > wieder frühestens sperrt. Welche Parameter sind für diese Berechnung > relevant? Der "Thyristor" geht wahrscheinlich gar nicht aus, weil dazu die Stromverstärkung der Transistoren unter 1 absinken muss, was aber erst bei so niedrigen Strömen erfolgt, dass die Restströme dann schon erreicht sind.
Harald Wilhelms schrieb: > Kurz vor der Unterschreitung des Haltestroms sind die Transistoren > sicherlich nicht mehr in der Sättigung. Na ja, um den Strom am gezündeten Thyristore klein genug zu kriegen muss ja die Spannung über den Thyristor klein genug werden. Wenn ich mir die verbleibende Spannung symmetrisch aufgeteilt vorstelle, wären beide Transistoren tatsächlich noch an der Grenze zur Sättigung (U_BE = U_CE). Bei sehr kleinen Basisströmen sinkt die Stromverstärkung durch Verlustmechanismen, im Sättigungsbereich sinkt die Stromverstärkung ebenfalls. Imho würde der diskrete Thyristor dann abschalten, wenn die Stromverstärkung der Einzeltransistoren auf < 1 absinkt. Solche Angaben finden sich aber in keinem Datenblatt, noch werden sie von den Spice-Modellen beschrieben.
Matthias E. schrieb: > Hallo Andrew, > > bist Du Dir da sicher? Laut meiner Simulation laufen beide Transistoren > in Sättigung. > > Wundern tu' ich mich nicht, aber wie man das berechnet würde mich > interessieren. Da bin ich mir sicher. Übrigens kannst/konntest du sowas kommerziell kaufen, BRX44...49 z.B. Mindesthaltestrom war so in der Region wenige xy uA.
Achim S. schrieb: > Solche Angaben > finden sich aber in keinem Datenblatt, noch werden sie von den > Spice-Modellen beschrieben. Hallo Achim, danke da liegt glaube ich, mein Problem. Du gehst also davon aus, das ich es nicht rechnerisch bestimmen kann?
Andrew Taylor schrieb: > Mindesthaltestrom war so in der Region wenige xy uA. Bei den kommerziellen habe ich mich umgesehen. Aber ich fand nur welche mit wenigen mA und auch die von Dir vorgeschlagenen haben eher einige wenige kµA. Ich hätte gerne etwas im Bereich einige hundert µA. Deshalb der diskrete Aufbau.
ArnoR schrieb: > Der "Thyristor" geht wahrscheinlich gar nicht aus, weil dazu die > Stromverstärkung der Transistoren unter 1 absinken muss, was aber erst > bei so niedrigen Strömen erfolgt, dass die Restströme dann schon > erreicht sind. Hallo Arno, danke, ich denke mit dem Ansatz kommt man weiter. Aber wie Achim geschrieben hat, wird es wohl schwer Parameter zu bekommen.
Achim S. schrieb: > Solche Angaben > finden sich aber in keinem Datenblatt, noch werden sie von den > Spice-Modellen beschrieben. Nicht in den Spice-Modellen, aber Spice arbeitet intern mit dem Gumble-Poon-Modell. Es gilt ja grundsätzlich für alle Transistoren. Zu Gumble-Poon findet sich auch was im Internet, bspw. schon bei Wikipedia. In Datenblatt-Kurven befindet sich ja oft auch die Verstärkung über dem Kollektorstrom. Diese typische Kurvenform mit einem Maximum irgendwo bei der halben X-Achse ist eben Gumble-Poon. Links und rechts der dargestellten Kurve gibt es dann Bereiche, die zweckmäßigerweise nie dar gestellt werden, weil man dort ein Bauteil kaum betreibt, in denen irgendwann auch v < 1 wird. Also bei sehr geringen oder sehr hohen Strömen. Wobei der Transistor den Bereich weit rechts wegen extremer Leistung und SOAR sicherlich nur schwer mit macht.
Matthias E. schrieb: > Du gehst also davon aus, das > ich es nicht rechnerisch bestimmen kann? na ja, die prinzipielle Effekte kann man natürlich schon berechnen. Aber ich glaube nicht, dass du realistische Daten zu deinen Transistoren bekommen wirst, die z.B. zu experimentell bestimmten Werten passen. Ich könnte mir auch vorstellen, dass diese Parameter (die für den normalen Betrieb völlig irrelevant sind) großen Schwankungen unterliegen. Matthias E. schrieb: > Aber ich fand nur welche > mit wenigen mA Über x mA bleiben die Teile sicher an. Aber erst bei x µA gehen sie sicher aus. Ich würde mir an deiner Stelle mal einen mit empfinlichem Gate suchen und dann einfach mal ausprobieren (und auf einen sauberen Aufbau mit geringen Leckströmen achten)
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> Ich hätte gerne etwas im Bereich einige hundert µA. Deshalb der diskrete > Aufbau. Na das kannst du doch ganz einfach machen. Siehe Bild. Man kann durch einen Widerstand an B-E eines Transistors erzwingen, dass die wirksame Stromverstärkung bei einem bestimmten Strom unter 1 fällt. Im Bild beispielhaft etwa 500µA. Der Stromverlauf ist zeitlich von rechts nach links zu lesen. Der Spannungsanstieg markiert das Sperren.
ArnoR schrieb: > Man kann durch > einen Widerstand an B-E eines Transistors erzwingen, dass die wirksame > Stromverstärkung bei einem bestimmten Strom unter 1 fällt. damit kann man den Strom nach oben bringen, ab dem der Thyristor sicher abschaltet. Aber ich hatte Matthias genau umgekehrt verstanden: er will den Strom nach unten bringen, mit dem der Thyristor noch sicher leitend bleibt.
ArnoR schrieb: > Man kann durch > einen Widerstand an B-E eines Transistors erzwingen, dass die wirksame > Stromverstärkung bei einem bestimmten Strom unter 1 fällt. Hallo Arno, vielen Dank! Wenn man jetzt die Temperatur noch berücksichtigt kann ich mit Deinem Ansatz auf jeden Fall sagen, ich liege im Bereich 0,3V ... 1V, sprich bei einem Strom von 300µA ... 1mA, also Worst Case ist somit
I_Halte_max ist somit für mich der Strom, den ich mindestens zur Verfügung stellen muss, damit der Thyristor sicher nicht abschaltet. Ein "gefällt mir" für die systematische Herangehensweise mit der DC-Analyse. Danke. Gruß Matthias
Achim S. schrieb: er will > den Strom nach unten bringen, mit dem der Thyristor noch sicher leitend > bleibt. Hallo Achim, im Prinzip hast Du recht! Ich möchte den Thyristor leitend halten und dazu wissen, welchen Strom ich sicher zur Verfügung stellen muss (größter möglicher Vorwiderstand) um nicht nichtleitend zu werden.
Achim S. schrieb: > damit kann man den Strom nach oben bringen, ab dem der Thyristor sicher > abschaltet. Aber ich hatte Matthias genau umgekehrt verstanden: er will > den Strom nach unten bringen, mit dem der Thyristor noch sicher leitend > bleibt. Das ist doch in diesem Fall dasselbe, weil der Thyristor ohne den Widerstand ja gar nicht abschalten würde.
ArnoR schrieb: > beispielhaft etwa 500µA. Der Stromverlauf ist zeitlich von rechts nach > links zu lesen. Der Spannungsanstieg markiert das Sperren. eine Sache ist mir noch aufgefallen. Du setzt vorraus, dass der Thyristor in dem durch den Widerstand eingestellten Bereich von sich aus noch nicht sperrt.
> Du setzt vorraus, dass der > Thyristor in dem durch den Widerstand eingestellten Bereich von sich aus > noch nicht sperrt. Ja das ist sicher auch so, denn anderenfalls müssten die Transistoren bei Ic~500µA weniger als 1 verstärken, tatsächlich liegt B dort bei weit über 100.
@ Matthias E. (meb) >Ich hätte gerne etwas im Bereich einige hundert µA. Deshalb der diskrete >Aufbau. Beschreibe was du insgesamt erreichen willst, dann kann man dir besser helfen. Siehe Netiquette.
ArnoR schrieb: > er will >> den Strom nach unten bringen, mit dem der Thyristor noch sicher leitend >> bleibt. > > Das ist doch in diesem Fall dasselbe, weil der Thyristor ohne den > Widerstand ja gar nicht abschalten würde. Ob dieser Thyristor wirklich nie abschaltet (im realen Leben, nicht in der Simu) bin ich mir nicht sicher. Vielleicht muss ich es nacher zuhause einfach mal ausprobieren.
Falk Brunner schrieb: > Beschreibe was du insgesamt erreichen willst, dann kann man dir besser > helfen. Siehe Netiquette. ich will wirklich nur wissen, wie man es analytisch ermittelt, so wie ich es oben geschrieben habe. Warum zeigst Du mir gleich die Netiquetten-gelbe Karte? ;-)
Achim S. schrieb: > Ob dieser Thyristor wirklich nie abschaltet (im realen Leben, nicht in > der Simu) bin ich mir nicht sicher. Vielleicht muss ich es nacher > zuhause einfach mal ausprobieren. Das wird der Punkt sein, Achim. Aber mir geht es natürlich nicht um typische Werte in einem Aufbau, sondern, wie man es allgemein bestimmt. Vor allem ist ja seltsam, dass Thyristoren auf einem Silizium, also als käufliches Bauteil, doch sehr "hohe" Haltströme von einigen mA haben.
Wilhelm Ferkes schrieb: > Zu Gumble-Poon findet sich auch was im Internet, bspw. schon bei > Wikipedia. Mit den Gumble-Poon Parametern habe ich mich auch schon im Tietze/Schenk beschäftigt. Mir ist dadurch allerdings noch kein Zugang zu meiner Problematik gekommen. Aber mit den Ansätzen von Dir, Wilhelm und von Arno sollte ich mir das morgen nochmal zu Gemüte führen. Danke!
@ Matthias E. (meb) >ich will wirklich nur wissen, wie man es analytisch ermittelt, so wie >ich es oben geschrieben habe. OK. > Warum zeigst Du mir gleich die Netiquetten-gelbe Karte? ;-) Weil ich dachte, du willst ein praktisches Problem lösen.
Matthias E. schrieb: > Wilhelm Ferkes schrieb: > >> Zu Gumble-Poon findet sich auch was im Internet, bspw. schon bei >> Wikipedia. > > Mit den Gumble-Poon Parametern habe ich mich auch schon im Tietze/Schenk Hermann Gummel.
Matthias E. schrieb: > > Das wird der Punkt sein, Achim. Aber mir geht es natürlich nicht um > typische Werte in einem Aufbau, sondern, wie man es allgemein > bestimmt. Vor allem ist ja seltsam, dass Thyristoren auf _einem_ > Silizium, also als käufliches Bauteil, doch sehr "hohe" Haltströme von > einigen mA haben. Der hohe Haltestrom ist gewünscht, und wird (vereinfacht gesagt) durch den mit eingebauten Widerstand zwischen G und K erreicht. Läßt man diesen weg, erreicht man Thyristoren mit Halteströmen im uA Bereich (und darunter). Natürlich wird da kein Widerstand zusätzlich auf's Silizium gelötet, sondenr man steuert das über die Herstellung (auf dem Die).
Andrew Taylor schrieb: > Natürlich wird da kein Widerstand zusätzlich auf's Silizium gelötet, > sondenr man steuert das über die Herstellung (auf dem Die). OK, das war mir nicht klar, dass dieser Widerstand im Design eines Thyristors enthalten ist. Danke für den Hinweis.
Erstmal Danke an alle, die mir bei der Lösungsfindung so engagiert geholfen haben! Ich versuche mal zusammenzufassen: 1. Der Thyristor (auch der diskrete) leitet so lange, bis die Verstärkung am unteren Transitor < 1 wird. 2. Dies findet theoretisch und in der Simulation erst bei Strömen << µA statt. Ein parasitäres Bauteil im Modell, dass den Haltestrom bestimmt, konnte hier nicht ermittelt oder benannt werden. 3. Durch einen Widerstand R_BE am unteren Transistor (oder R_GK) kann man den maximalen Haltestrom mit der Beziehung I_Halte = U_BE / R_BE gezielt setzen. (U_BE sollte über Temperatur etc. betrachtet werden, variiert also zwischen 0,6V ... 1,2V ) 4. Ein-Chip-Thyristoren haben per Design einen R_GK implementiert, der den Haltestrom bestimmt. 5. Der R_GK ist notwendig, um den Thyristor sicher gesperrt zu halten, trotz Sperrströme des oberen Transistors: http://elektroniktutor.de/bauteilkunde/thyrist.html
> 1. Der Thyristor (auch der diskrete) leitet so lange, bis die > Verstärkung am unteren Transitor < 1 wird. Nein, das Produkt der Stromverstärkungen muss <1 sein, wegen der unterstellten Symmetrie der Transistoren war vereinfacht nur von einem die Rede. > 3. Durch einen Widerstand R_BE am unteren Transistor (oder R_GK) kann > man den maximalen Haltestrom mit der Beziehung I_Halte = U_BE / R_BE > gezielt setzen. Dabei hast du aber den Basisstrom unterschlagen. > (U_BE sollte über Temperatur etc. betrachtet werden, > variiert also zwischen 0,6V ... 1,2V ) 1,2V wirst du wohl nur bei wenigen °K erreichen. Setz als Grenzen mal eher 0,5...0,8V, erst recht bei den kleinen Strömen.
Matthias E. schrieb: > > 5. Der R_GK ist notwendig, um den Thyristor sicher gesperrt zu halten, > trotz Sperrströme des oberen Transistors: Nein, ein R_gk ist dafür definitv nicht notwendig. Siehe z.B. die von mir bereits genannten Bauteile BRX4x Die sperren auch, wenn man das Gate schlicht offen läßt. Und haben keinen R_gk, auch keinen "eingebauten". Und genauso funktioniert auch Dein diskreter Aufbau aus 2 Bipolartransistoren ohne R_gk einwandfrei (zumindest bei meinem Testaufbau). Der R_gk ist üblicherweise deswegen drin, um etwas "Störabstand" zu haben.
Andrew Taylor schrieb: > Und haben keinen R_gk, auch keinen "eingebauten". > Sorry, jetzt komm ich nicht mehr mit. Du hast mich doch vorher darauf aufmerksam gemacht, dass die käuflichen Thyristoren einen integrierten R_GK haben um den Haltestrom gewünscht hoch zu halten. > Der R_gk ist üblicherweise deswegen drin, um etwas "Störabstand" zu > haben. "Störabstand" von was zu was?
Deine Argumentation ist ähnlich krude wie: Du hast mich darauf aufmerksam gemacht das käufliche Äpfel grün sind. Jetzt sehe ich bei Edeka aber rote Äpfel in der Obstabteilung. Ich mach es mal kurz: BRX4x = käuflich = kein eingebauter Widerstand. Dutzende andere Thyristorenlabel = käuflich = mit eingebautem Widerstand. Wenn Du schon quotest, dann bitte den Kontext mit verwerten.
Andrew Taylor schrieb: > Deine Argumentation ist ähnlich krude wie: Du hast mich darauf > aufmerksam gemacht das käufliche Äpfel grün sind. Jetzt sehe ich bei > Edeka aber rote Äpfel in der Obstabteilung. > > Ich mach es mal kurz: > > BRX4x = käuflich = kein eingebauter Widerstand. > Dutzende andere Thyristorenlabel = käuflich = mit eingebautem > Widerstand. > > Wenn Du schon quotest, dann bitte den Kontext mit verwerten. Ich will eigentlich nur wissen, was Du mir sagen willst. Du wirfst verschiedene Fakten in den Raum, aber die Deutung ist mir nicht klar. Also mit Kontext: BRX4x = käuflich = kein integrierter Widerstand --> meine Frage: Warum hat er dann Halteströme größer mA und nicht µA? Und weiter bleibt meine Frage zu Deiner Antwort: Welcher Störabstand wird wie durch den R_gk verändert?
Matthias E. schrieb: > Also mit Kontext: > BRX4x = käuflich = kein integrierter Widerstand --> meine Frage: Warum > hat er dann Halteströme größer mA und nicht µA? > Tja, wenn ich hier mal 3 willkürlich aus der Schublade gegriffene BRX46 ausmesse, liefern diese Minimal-Halteströme von 17, 24, und 33 uA @ 21 Grad Celsius an meinem Labortisch. Ich würde also mal behaupten, die Angabe des hier bei mir liegenden Intermetalldatenblattes von 1977 und die hier gemessenen Halteströme korrelieren ganz wunderbar. Ich hätte bei dem Thyristoraufbau auch nix anderes erwartet.
Andrew Taylor schrieb: > Und genauso funktioniert auch Dein diskreter Aufbau aus 2 > Bipolartransistoren ohne R_gk einwandfrei (zumindest bei meinem > Testaufbau). na dann der Vollständigkeit halber noch schnell meine Ergebnisse: diskreter Thyristor aus BC546/556 (B) ohne R_gk: - bei Raumtemperatur zündet er auch mit offenem Gate ab einigen V Spannung selbsttätig - mit etwas Eisspray verhält er sich im Prinzip wie gewünscht (lässt sich übers Gate zünden und schaltet bei Haltestrom von knapp 2µA ab) Für den praktischen Einsatz ohne R_gk also nicht zu empfehlen Matthias E. schrieb: > meine Frage: Warum > hat er dann Halteströme größer mA und nicht µA? > der Haltestrom wird groß - wenn der Strom "am pn-Übergang vorbei kommt" ohne zur Stromverstärkung beizutragen (z.B. über einen explizit eingebauten R_gk) - wenn die Stromverstärkung der bipolar-Übergänge ohnehin gering ist (wie bei Leistungshalbleitern üblich). Was konkret bei einem bestimmten Thyristortyp vorliegt, kann man vielleicht über dessen Datenblatt erschließen. Aber bezüglich der tatsächlichen halbleitertechnischen Tricks und Realisierungen kratzen wir hier natürlich nur an der Oberfläche. > Und weiter bleibt meine Frage zu Deiner Antwort: Welcher Störabstand > wird wie durch den R_gk verändert? der gegenüber ungewünschtem Zünden z.B. durch Sperrströme
Achim S. schrieb: : > > diskreter Thyristor aus BC546/556 (B) ohne R_gk: > - bei Raumtemperatur zündet er auch mit offenem Gate ab einigen V > Spannung selbsttätig > - mit etwas Eisspray verhält er sich im Prinzip wie gewünscht (lässt > sich übers Gate zünden und schaltet bei Haltestrom von knapp 2µA ab) > Wir alle wissen um den Zenereffekt/Avalacheffekt bei small signal transis .-) > Für den praktischen Einsatz ohne R_gk also nicht zu empfehlen Korrekt. Wäre aber die gleiche Argumentation wenn man einen FET mit offenem Gate betrachtet: Wäre ebenfalls schaltungstechnisch nicht sonderlich zu empfehlen. Letztlich sind sowohl FET als auch BRX irgendwie in eine Schaltung integriert. deise bestimmt mit den übrigen Baulemente die Nutzbarkeit/Verhalten/etc. Es ist also müßig, sich hier über das Verhalten von isoliert vermessenen Bauelementen Gedanken zu machen. Oder höflicher gesagt: Es ist eine rein akademische Frage. Ihr vermischt in eurer "Diskussion" inzwischen beides.
Andrew Taylor schrieb: > Ich würde also mal behaupten, die Angabe des hier bei mir liegenden > Intermetalldatenblattes von 1977 und die hier gemessenen Halteströme > korrelieren ganz wunderbar. Dann muss ich mir den Apfelvergleich wohl gefallen lassen ;-) Die auffindbaren Datenblätter sprechen von etwa 5mA.
Genau steht da: 3 (<5) mA. Bei Rgk 1kOhm. Und ja, Andrew hat haltestrom mit Zündstrom verwechselt.
Zehnernde Diode schrieb: > Korrekt. > Wäre aber die gleiche Argumentation wenn man einen FET mit offenem Gate > betrachtet: Wäre ebenfalls schaltungstechnisch nicht sonderlich zu > empfehlen. Die Diskussion um den diskret aufgebauten Thyristor ist tatsächlich eine akademische Spielerei (aber sein reales Verhalten hat mich halt trotzdem interessiert). Dein Vergleich vom Thyristor zu MOSFET hinkt aber. Klar kann beim MOSFET das Gate auf alle möglichen Werte driften, wenn ich es nicht halbwegs definiert ansteuere. Aber wenn ich bei einem (normalen) Thyristor das Gate "offen" lasse (z.B. weil ich ihn über einen Optoisolator ansteuere und dessen Ausgang gerade hochohmig ist), dann erwarte ganz eindeutig, dass der Thyristor nicht von selbst zündet.
Achim S. schrieb: > > Dein Vergleich vom Thyristor zu MOSFET hinkt aber. Klar kann beim MOSFET > das Gate auf alle möglichen Werte driften, wenn ich es nicht halbwegs > definiert ansteuere. Nö, ist die gleiche Situation. > Aber wenn ich bei einem (normalen) Thyristor das > Gate "offen" lasse (z.B. weil ich ihn über einen Optoisolator ansteuere > und dessen Ausgang gerade hochohmig ist), dann erwarte ganz eindeutig, > dass der Thyristor nicht von selbst zündet. Du kannst das von einem normalen Thyristor erwarten. Es geht hier aber NICHT um eine normalen Thyristor im Sinne von "sowas haben wir hier immer schon eingekauft". Und da es jedoch hier nicht um einen normalen Thyristor geht, sondern um einen speziellen Sonderfall: Da ist jedem intelligenten Elektroniker klar, das da auch spezielle Effekte zu erwarten sind. Wolf (Gast) schrieb: > Und ja, Andrew hat haltestrom mit Zündstrom verwechselt. Da irrst Du wohl -- ich habe hier einen BRX44, und der hat einen Haltestrom von gemessenen 13 uA. Halte-, NICHT Zündstrom. Das bestätigt doch wohl eher Andrews Angabe.
@Achim und @Andrew Erstmal vielen Dank für die praktischen Versuche. Ich habe natürlich auch Versuche gemacht und konnte einige µA feststellen. Akademisch ja, Spielerei eher nein. Denn es geht darum, deterministisch zu sagen, dass der Thyristor bei bestimmten Strömen noch leitet. Also eine Auslegung zu finden, die ich nach Datenblatt auslegen kann, ohne jeden Aufbau typisch vermessen zu müssen. Und um das reproduzierbar zu gewährleisten muss man die Theorie verstehen.
@Matthias: Schön das es nun paßt. Übrigens, den oben stehenden Hinweis von Diode über das Zehnern und damit "Selbstzünden" der selbstaufgebauten Teile bitte ernst nehmen. d.h. beim diskreten Aufbau aus 2 Transistoren ist das schon bei kleinen Spannungen unter 6..10v gelegentlich zu beobachten. Habe da gerade noch ein bischen gelesen: findest Deine 2 transistor Lösung ebenfalls im Buch "50 Schaltungen mit LEDs" (oder so) als Blinkgenerator - nutzt dort exakt diesen Effekt.
EMV Spezialist schrieb: > Und da es jedoch hier nicht um einen normalen Thyristor geht, sondern um > einen speziellen Sonderfall: Da ist jedem intelligenten Elektroniker > klar, das da auch spezielle Effekte zu erwarten sind. ich will nicht unnütz streiten, aber um meine Ehre als halbwegs intelligenten Elektroniker zu retten: Zehnerdiode hatte geschrieben Zehnernde Diode schrieb: > Letztlich sind sowohl FET als auch BRX irgendwie in eine Schaltung > integriert. und darauf bezieht sich mein Widerspruch: der BRX wird sich mit offenem Gate nicht so undefiniert verhalten wie ein FET.
Achim S. schrieb: > > und darauf bezieht sich mein Widerspruch: der BRX wird sich mit offenem > Gate nicht so undefiniert verhalten wie ein FET. Weil wir gerade so schön korinthenk... habe ich das mal praktisch ausprobiert, und siehe da: auch der BRX46 hier verhält sich in "Wohnzimmerumgebung" undefiniert. Will sagen: Handempfindlichkeit bei "Herumwedeln in 20cm Abstand vom offenen Gate" und das Teil zündet. Das Gate NICHT berührt. Gegenprobe: FET und BRX in 2 cm Abstand von elektrostatischer leitender Labortischauflage: Alles ruhig. Ernsthaft, und war irgendwie zu erwarten. > ich will nicht unnütz streiten, aber um meine Ehre als halbwegs > intelligenten Elektroniker zu retten: lass es. Und der Effekt hat nix mit Deiner Ehre zu tun, sondern ist simple Physik.
@EMV Spezialist > habe hier einen BRX44, und der hat einen Haltestrom von gemessenen 13 uA Warum sollte ich mich irren, du misst nur anders. Ich beziehe mich auf das Datenblatt. 1. Kennwerte 2. Diagramm: Haltestrom in Abhängigkeit vom Gatewiderstand Darin gibt es keine Angaben mit deinem niedrigen uA-Wert.
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