halbbrücke funktioniert nicht

Servus,

Den Bauteilen nach liegt die Schaltfrequenz irgend wo um die 100kHz. Da 
ist die 1N4007 zu langsam dafür. Bau dort eine Schotky Diode ein. Für 
den Boostrap Kondensator ist der Elko eine schlechte Wahl. Der ESR ist 
viel zu hoch. Nutz dort einen induktionsarmen Folienkondensator oder 
einen Keramiktyp mit 100 - 220nF.

Nein, er meint den 100µF zwischen Pin 6 und 8.

ESR -> 
http://de.wikipedia.org/wiki/Elektrolytkondensator#Scheinwiderstand_Z_und_Wirkwiderstand_ESR

anton schrieb:
> Der Schaltplan.

Sind 24V nicht ein bisschen viel für den IR2153? Im Datenblatt erkenne 
ich noch einen Widerstand, der bei Dir fehlt...


Grüßle,
Volker.

Hallo Anton,
da muß ich mich meinen Vorrednern anschließen.

1. Betriebsspannung für den IC ist zu hoch
2. 1N4007 ist zu langsam, nimm eine UF4007 oder was schnelleres
3. Wenn der 700µF Elko der Zwischenkreiskondensator sein soll... dann 
stell sicher, daß er "elektrisch" nicht zu weit weg ist (unabhängig 
davon, ob die Kapazität zu groß ist, oder nicht) Vermutlich ist der ESR 
und ESL zu groß für eine Anwendung größer als einige kHz. Für Höhere 
Frequenzen nimm impulsfeste Folie oder Keramik oder viele Elkos 
parallel.
4. 100nF dürften als Bootstrapkondensator ausreichend sein, hängt jedoch 
von der Gatekapazität ab... aber 100µF ist definitiv zu hoch um schnell 
umgeladen zu werden.
5. Gatewiderstand fehlt
6. laß die Zenerdiode mal drin, die schützt Dich solange aufbautechnisch 
noch "optimierungspotential" bestent...aber nimm die Zenerspannung nur 
unwesentlich höher als die Versorgungsspannung
7. Die Versorgungsspannung sollte 12-15V nicht überschreiten, denn mehr 
als "voll durchgesteuert" braucht der FET nicht zu sein, höhere 
Spannungen mußt Du nur umladen und das kostet Zeit und Energie.


Wenn Du was zum lesen braucht
http://www.mikrocontroller.net/articles/Leistungselektronik

Gruß
Volker

Dieser Aufbau ist, für den angestrebten Einsatzzweck, denkbar ungünstig 
bzw. eigentlich ungeeignet.
Du musst die Gate Stöme in deiner Schaltung bedenken. Hier ist nix mit 
leistungsloser Ansteuerung der FET! Hier fließen Umladeströme von >1A 
hin und her und das 200000 mal in der Sekunde pro FET!
Jeder zentimeter an Leitung bringt hier parasitäre Induktivitäten mit 
die diesen Umladeströmen im weg stehen und obendrein mit den, auch 
reichlich vorhandenen, parasitären Kapazitäten Schwingkreise bilden.
Im besten fall verbraten die Fet jede Menge Energie, da sie sich quasie 
die meiste Zeit im Übergangsbereich zwischen leiten und sperren 
befinden. Warscheinlich stirbt dir durch die Induktionsspitzen vorher 
der Gatetreiber. Die reagieren auf solche aufbauten erfahrungsgemäß 
äußerst allergisch.
Fang mit den oben genannten Ratschlägen einfach noch mal von vorn am mit 
dem Aufbau. Dann wird deine Mühe auch von Erfog gekrönt sein.