Halbbrückenansteuerung mit IR2104

Gast #3470426
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Sehr geehrte Forummitglieder!
Wir haben im Studium ein Projekt bekommen, wo wir einen Wechselrichter 
bauen sollen. Es soll also ein Sinus erzeugt werden, dieser 
PWM-moduliert werden, durch eine Endstufe verstärkt werden und mit einem 
Tiefpass gefiltert werden. Am Piefpass-Ausgang soll dann eine 
Sinus-Spannung von 35Vpp erzeugt werden. Die PWM-Signal hat eine 
Frequenz von 50kHz und eine Pulsspannung von knapp 12V.
Die PWM-Erzeugung hat wunderbar geklappt, nur bei der Endstufe haben wir 
mit großen Problemen zu kämpfen. Uns steht ein Trafo mit Muittelabgriff, 
der die Ausgangsspannung liefern soll. Deswegen haben wir zur Halbbrücke 
gegriffen. Als gate-Treiber haben wir den IR2104 verwendet. Das Problem 
ist, dass die gate-Treiber nichts tut, was er soll. Am Ausgang vor dem 
TP liegen jedes Mal entweder eine Gleichspannung von -55V oder 0V an. 
Wir haben schon 5 verschiedene Exemplare der gate-Treiber verwendet und 
jedes Mal das gleiche Problem. Im Anhang ist die Schaltung, die wir 
verwenden. Wer kann einen Tipp geben, was wir falsch machen oder was wir 
übersehen haben?
Bei die Simulation will aufgrund Konvergenzprobleme auch nicht 
funktionieren. Könnte das evtl. ein Ground-Problem sein? Wir haben ja 
einmal Power-Ground und einmal Logik-Ground in unserer Schaltung.
Bin für jede Hilfestellung und Tipp dankbar.
MfG Viktor
Angehängte Dateien:
Gast #3470467
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Die VS Verbindung wird das Hauptproblem sein.

Ein paar weitere Fragen: Anhand von welcher Empfehlung habt ihr die 
Bauteile dimensoniert? Das sieht sehr unausgewogen aus.

C1 ist zu groß, in Serie zu D1 wär ein < 4 Ohm Widerstand sinnvoll. 
R1/R2 im Verhältnis zu den Dioden D2/D3 sehr unsymmetrisch dimensioniert 
- absicht?
Gast #3470478
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Erstmal vielen Dank für die schnellen Antworten. Der VS-Pin ist 
verbunden, ich habe die Schaltung blos etwas übersichtlicher machen 
wollen und habe den VS-Pin wohl vergessen, mit der Brückenmitte zu 
verbinden.
Gast #3470488
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@ Mik
Der Kondensator wurde nach der Anleitung hier aus dem Forum 
dimensioniert.
http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber
Im Kapitel "Stromversorgung eines High-Side Treibers" wird die Formel 
C=Qgate/dU
mit dU=max. Spannungseinbruch= 0,5V ergibt sich eine Kapazitaet von 
C=18nC/0,5V=36nF, wobei im Artikel steht, dass man die Kapazitaet um den 
Faktor 3-8 größer nehmen soll. Okay, ich habe mit dem Fahtor wohl 
übertrieben, müsste max. knapp 30nF sein, aber spielt das eine Rolle? 
Das problem ist, dass weder High- noch Lowside durchgeschaltet werden.
Gast #3470494
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Die Widerstände mit parallelgeschalteten Dioden zur Gate-Ansteuerung 
sollen eine Art "dead-time" erzeugen. Ich habe heute ein Application 
Note von International Rectifier zu den Mosfet-Treibern gefunden, werde 
den wohl etwas studieren müssen. MfG Viktor
Gast #3470514
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Was für eine Steuerspannung hast Du. Der Baustein braucht mindestens 3V 
um high zu werden. Bei langen und dünnen Leitungen und einer 
Ausgangsspannung von theoretisch 3,3V könnte es dünn werden. Hast Du 
mehr, sollte es von dieser Seite aus keine Probleme geben.
Sonst fällt mir auch nur R1 und R2 und C1 kleiner ein.

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