Sehr geehrte Forummitglieder! Wir haben im Studium ein Projekt bekommen, wo wir einen Wechselrichter bauen sollen. Es soll also ein Sinus erzeugt werden, dieser PWM-moduliert werden, durch eine Endstufe verstärkt werden und mit einem Tiefpass gefiltert werden. Am Piefpass-Ausgang soll dann eine Sinus-Spannung von 35Vpp erzeugt werden. Die PWM-Signal hat eine Frequenz von 50kHz und eine Pulsspannung von knapp 12V. Die PWM-Erzeugung hat wunderbar geklappt, nur bei der Endstufe haben wir mit großen Problemen zu kämpfen. Uns steht ein Trafo mit Muittelabgriff, der die Ausgangsspannung liefern soll. Deswegen haben wir zur Halbbrücke gegriffen. Als gate-Treiber haben wir den IR2104 verwendet. Das Problem ist, dass die gate-Treiber nichts tut, was er soll. Am Ausgang vor dem TP liegen jedes Mal entweder eine Gleichspannung von -55V oder 0V an. Wir haben schon 5 verschiedene Exemplare der gate-Treiber verwendet und jedes Mal das gleiche Problem. Im Anhang ist die Schaltung, die wir verwenden. Wer kann einen Tipp geben, was wir falsch machen oder was wir übersehen haben? Bei die Simulation will aufgrund Konvergenzprobleme auch nicht funktionieren. Könnte das evtl. ein Ground-Problem sein? Wir haben ja einmal Power-Ground und einmal Logik-Ground in unserer Schaltung. Bin für jede Hilfestellung und Tipp dankbar. MfG Viktor
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vs vom ir2104 müsste noch an den knoten zw. den beiden mosfets und der drossel gehängt werden, wenn ich mich nicht irre
Lt. Manual zum IR2104 muss VS mit dem Ausgang verbunden werden. Ich auch logisch, da sich die Steuerspannung zum "oberen" FET auf die Ausgangsspannung bezieht und nicht auf GND. Andernfalls währe der IR sinnlos.
Die VS Verbindung wird das Hauptproblem sein. Ein paar weitere Fragen: Anhand von welcher Empfehlung habt ihr die Bauteile dimensoniert? Das sieht sehr unausgewogen aus. C1 ist zu groß, in Serie zu D1 wär ein < 4 Ohm Widerstand sinnvoll. R1/R2 im Verhältnis zu den Dioden D2/D3 sehr unsymmetrisch dimensioniert - absicht?
Erstmal vielen Dank für die schnellen Antworten. Der VS-Pin ist verbunden, ich habe die Schaltung blos etwas übersichtlicher machen wollen und habe den VS-Pin wohl vergessen, mit der Brückenmitte zu verbinden.
@ Mik Der Kondensator wurde nach der Anleitung hier aus dem Forum dimensioniert. http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber Im Kapitel "Stromversorgung eines High-Side Treibers" wird die Formel C=Qgate/dU mit dU=max. Spannungseinbruch= 0,5V ergibt sich eine Kapazitaet von C=18nC/0,5V=36nF, wobei im Artikel steht, dass man die Kapazitaet um den Faktor 3-8 größer nehmen soll. Okay, ich habe mit dem Fahtor wohl übertrieben, müsste max. knapp 30nF sein, aber spielt das eine Rolle? Das problem ist, dass weder High- noch Lowside durchgeschaltet werden.
Die Widerstände mit parallelgeschalteten Dioden zur Gate-Ansteuerung sollen eine Art "dead-time" erzeugen. Ich habe heute ein Application Note von International Rectifier zu den Mosfet-Treibern gefunden, werde den wohl etwas studieren müssen. MfG Viktor
Viktor:B schrieb: > Die Widerstände mit parallelgeschalteten Dioden zur Gate-Ansteuerung > sollen eine Art "dead-time" erzeugen. Der IR2104 hat eine Dead-Time von typ 520ns eingebaut.
Was für eine Steuerspannung hast Du. Der Baustein braucht mindestens 3V um high zu werden. Bei langen und dünnen Leitungen und einer Ausgangsspannung von theoretisch 3,3V könnte es dünn werden. Hast Du mehr, sollte es von dieser Seite aus keine Probleme geben. Sonst fällt mir auch nur R1 und R2 und C1 kleiner ein.
Zwischen +55V und -55V liegen 110V. Deshalb sollte man keine MosFets nehmen, die bis max. 100V gehen. Ich würde 200V Typen verwenden.
Könnt Ihr V2 nicht auf 0V runter drehen und mal kurzschließen und V1 auf 12V. Dann kann man mit dem Scope mal messen. PWM darf ja nicht größer als 90..95% werden. Das ist klar, oder ?
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