Hallo Community, ich habe da mal, für euch sicher ganz einfache Frage :-) Also wie die Überschrift schon sagt, wieviele N-Mosfets (zb. den BUZ11) kann ich parallel an einen Pin eines µC hängen? danke für eure Hilfe lg Lisa
mit einem 1 Mega Ohm Vorwiderstand natürlich so viel du möchtest...
Verstehe ich nicht, kannst du mir das etwas genauer erklären? Danke Lisa
Hängt davon ab, was der µC maximal treiben kann, wie groß die Eingangskapazität des FETs ist und wie schnell du schalten willst. Also Datenblätter checken und dann τ = R * C
MOSFET Gate = Kondensator Kondesator = kurzzeitiger Kurzschluss bei Spannungsbeaufschlagung Vorwiderstand begrenzt Strom auf erträgliches Maß -> Datenblatt deines µC... So, den Rest kannste dir nun selbst erarbeiten...
Lisa schrieb: > wieviele N-Mosfets (zb. den BUZ11) > kann ich parallel an einen Pin eines µC hängen? Den BUZ11 solltest du mit einer Vgsthmax=4V besser nicht an den Pin eines uC hängen. Vergleiche einfach mal die Daten und Diagramme dieses Mosfets mit z.B. einem IRL3103 oder IRL3803...
Der µC kann 20mA treiben, schalten werde ich ca. mit 200Hz und R vom Buz11 ist 30mOhm. Strom müßte dann aber i(t)=dt(U*C)/dt sein... da muss ich nochmal nachdenken :-D
Ich dachte dafür kommt ja dann der Vorwiederstand zum einsatz?! lg Lisa
Lisa schrieb: > Vorwiederstand Was ist das? > und R vom Buz11 ist 30mOhm. Nicht bei 5V. > Ich dachte dafür kommt ja dann der Vorwiederstand zum einsatz?! Wofür dachtest du das?
Lisa schrieb: > wieviele N-Mosfets (zb. den BUZ11) > kann ich parallel an einen Pin eines µC hängen Du kannst natürlich beliebig viele parallel da dran hängen, bloss schalten wird der BUZ11 dabei nicht, der benötigt wie gross und deutlich im Datenblatt steht 10V zum schalten und du willst deinen AVR wohl nicht mit 10V betrieben. "RDS(on) Static Drain-source On Resistance VGS = 10V" http://www.ben.cz/_d/datasheet/buz11.pdf Also doch besser LogicLevel MOSFETs wie IRLZ34 anschliessen. Lisa schrieb: > Ich dachte dafür kommt ja dann der Vorwiederstand zum einsatz?! Wiederstände? Was willst du dort wieder machen ? Ein AVR Ausgang begrenzt den Strom irgendwo zwischn 20mA und 40mA, und ein MOSFET bildet eine Last von ca. 1nF, du kannst also selber ausrechnen, wie lange es dauert, das gate umzuladen und damit den bzw. alle MOSFETs umzuladen zum einschalten oder ausschalten. Mit einem Widerstand wird die Umladezeit länger, aber der AVR nicht so belastet, das kann wichtig sein, falls die anderen Ausgänge auch noch Strom abgeben müssen, denn der Summenstrom ist begrenzt (z.B. auf 80mA pro Port). Während des Umschaltens entsteht eine hohe Verlustleistung an MOSFET, also ist schnelles umschalten sinnvoll. In Datenblatt gibt es ein SOA Diagramm, das zeigt, wie lange man im Umschaltmoment verharren darf. 10us bis 1ms sind jedenfalls kein Problem.
Danke MaWin, mit dem BUZ11 hast du natürlich recht, dieser ist nicht TTL geeignet, das kann man deutlich sehen :-D Ich kam einfach nur auf diesen weil er halt oft erwähnt wird wenn man nach N-Mosfets sucht. Der IRLZ34N ist da sicher besser. Ich würde das auch mit der "maximalen" anzahl auf 50 ändern. Mit Vorwiederstand meinte ich zb. mal einen 100 ohmer zwischen µC und Gate. lg Lisa
Du kannst keine 50 MOSFETS an den uC hängen, das wird viel zu lahm. Ich würde >1 MOSFET einen ordentlichen Treiber einsetzen.
Lisa schrieb: > Mit Vorwiederstand meinte ich zb. mal einen 100 ohmer zwischen µC und > Gate. Grammatiklehrer Modus einschalt Widerstand ohne IE !!! Grammatiklehrer Modus ausschalt Ansonsten kann das hier vielleicht ganz hilfreich sein: http://www.sprut.de/electronic/switch/nkanal/nkanal.html Denke, wenn du die Theorie dazu verstanden hast, wird sich das Problem von selbst lösen.
@ Lisa (Gast) >Ich würde das auch mit der "maximalen" anzahl auf 50 ändern. Was soll das werden? 50 MOSFETs PARALLEL an EINEN uC Pin zu klemmen? Was willst du mit 50 MOSFETs ansteuern? Mal wieder irgendein Monster-LED-Projekt? >Mit Vorwiederstand meinte ich zb. mal einen 100 ohmer zwischen µC und >Gate. Dann schläft der Schaltvorgang fast ein. bei ~1nF/MOSFET macht das 5us Zeitkonstantebzw. ~ 10us Schaltzeit.
Falk Brunner schrieb: > Dann schläft der Schaltvorgang fast ein. bei ~1nF/MOSFET macht das 5us > Zeitkonstantebzw. ~ 10us Schaltzeit. Da sollte jemand dringend noch einmal lernen, wieviele Stellen nach dem Komma Nano denn eigentlich sind. :P T = R * C = 100E * 1nF = 100 nS -> 500nS Zeitkonstante, sprich 1 uS Schaltzeit.
@ San Lue (zwillingsfreunde) >Da sollte jemand dringend noch einmal lernen, wieviele Stellen nach dem >Komma Nano denn eigentlich sind. :P Auch zitieren will gelernt sein. Es war die Rede von FÜNFZIG MOSFETs an EINEM Pin! 50x1nF*100 Ohm = 5us Anstiegszeit einen RC-Tiefpasses liegt bei ~2,2 tau.
Falk Brunner schrieb: > Auch zitieren will gelernt sein. True Story! Sorry für den Einspruch, überlesen dass das ganze nicht an einem uC hängen soll, sondern lediglich an einem Pin.
Danke Jungs, habs kapiert :-D das passt soweit. Ich möchte nicht 50 Stk. parallel betreiben die frage war einfach mal aus interesse und grundsätzlich um mein wissen darüber mal etwas zu verbessern. lg Lisa
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