Hallo, ich habe folgende Situation: Ich habe ein Atmega88V und ein Funkmodul, die über 3,3Volt betrieben werden. Da das Funkmodul auch im Standby einige mA zieht, würde ich dieses gerne nur bei Bedarf mit Strom versorgen. Nach Recherche hier im Forum bin ich nun auf die Idee gekommen, dieses mit einem N-Channel Mosfet als Low Side Switch zu umzusetzen. Als Mosfet habe ich den BSS138 ausgesucht, da dieser mit meinen 3,3 Volt doch komplett durchschalten sollte, oder (Gate Threshold Voltage von Max 1,5V * Faktor 2 zum sicheren Durchschalten = 3V)? Es sind auch nicht mehr als 220mA Dauerstrom zu erwarten, also sollte das auch passen... Damit der Mosfet nach dem Abschalten wieder sperrt, muss doch ein Widerstand ans Gate, oder habe ich das falsch verstanden? Wie berechne ich diesen Widerstand (der doch gleichzeitig zum Entladen des Gates auch die Funktion eines Pulldowns hat, oder?) Ist das so wie im Plan richtig angeschlossen (ich habe jetzt nur mal eine Pinleiste zur Versorgungsspannungs des Moduls eingezeichnet. Es geht mir ja erstmal um das Prinzip)? Hier noch der Link zum Datenblat des Mosfets: http://www.reichelt.de/index.html?&ACTION=7&LA=3&OPEN=0&INDEX=0&FILENAME=A200%252FBSS138-FSC.pdf Ich hoffe, ich stelle mich nicht zu dämlich an, aber ich bin noch ziemlich neu in der Elektronik...
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Moin, da du ja nur ab unf zu einschalten willst und nicht mit Zig-Kilohertz auf dem Gate rumtaktest kannst du R1 auch weglassen. Wenn dein Controller an den Portpins sowohl Strom treiben als auch senken kann, brauchst du nicht unbedingt einen Entladewiderstand, da der Port das Gate ja auch definiert auf "L" ziehen kann. Solltest du aber den Port auch im Tri-State-Modus betreiben wollen, so empfiehlt es sich, einen Pull-Down zwischen Gate und GND im Bereich 10k ... 100k einzubauen, um einen definierten Low-Pegel zu haben.
Keine gute Idee. Nimm lieber einen p-Kanal als highside-switch für Vcc. Viele Funkmodule kann man auch per Software in den standby schicken.
Danke schonmal für die Antworten. Tri-State-Modus heißt undefinierter Pegel? Also quasi wenn der Pin nicht initialisiert ist? Und wie 'Nick' auch schon gefragt hat: was spricht gegen die Low-Side Variante bzw. für die High-Side Version?
Der BSS138 ist jetzt nicht gerade ein Super-Teil bei 3.3V. Schau im Datenblatt nach, welchen RDSon du bei Ansteuerung mit 3.3V erhältst. Dann überlegt dir die Potienzialdifferenz zwischen GND vom µC und vom Funkmodul. Wenn du damit leben kannst: OK. (Nimm einen P-MOSFET auf der High-Side!)
@ Elektro-Nick (Gast) >Tri-State-Modus heißt undefinierter Pegel? Nein, hochohmig, so wie ein Eingang. http://www.mikrocontroller.net/articles/Ausgangsstufen_Logik-ICs#Tristate >Und wie 'Nick' auch schon gefragt hat: was spricht gegen die Low-Side >Variante bzw. für die High-Side Version? Die Tatsache, dass es meist ungünsig ist, einem IC/Modul die "Füsse", sprich Masse wegzuziehen. Das kann unter bestimmten Bedingungen OK sein, ist es aber oft nicht. Beachten muss man z.B., dass das Modul NICHT über die Eingänge parasitär mit Strom versorgt wird, wegen der Klemmdioden, siehe Pegelwandler. Hier muss man eben die Eingänge in die gleich Polarität schalten wie das Modul dann liegt, wenn es ausgeschaltet ist. Also LOW bei Abschaltung von VCC(High side) und HIGH bei Abschaltung von GND (Low Side).
Hallo nochmal, wenn ich das Modul jetzt also High Side schalte, spricht irgend etwas gegen den IRLML 2244? http://www.reichelt.de/index.html?&ACTION=7&LA=3&OPEN=0&INDEX=0&FILENAME=A200%252FDS_IRLML2244.pdf So ganz habe ich die Beschaltung auch noch nicht verstanden. Im Artikel über FETs steht, das beim P-MOSFET das Gate negaiver sein muss, als die Source. Muss ich die Last jetzt an Drain hängen, Source auf VCC und ein Low-Signal zum Durchschalten des MOSFETs ans Gate ausgeben? Wenn ich das so richtig verstanden habe, ist das für den Fall mit meinem Funkmodul, dass mit der selben Spannung versorgt wird, wie mein µC ja gut, aber was würde ich machen, wenn ich ein Modul hätte, das 5-6V brauch? Dann könnte ich dem MOSFET mit meinem µC-High von 3.3V nicht sperren, oder? Wie gesagt, bin noch ziemlich neu in der Materie. Deshalb bitte nicht sofort steinigen...
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Bei unterschiedlicher Vcc-Spannung brauchst du noch zus. einen Pegelwandler, klar. Ansonsten: siehe Bildchen.
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Das ist dann ja so, wie ich es mir gedacht habe. Wenn ich jetzt noch einen Motor (12V) zusätzlich zu meiner Logik High-Side schalten will, bräuchte ich zwei P- und einen N-MOSFET, oder? Also jeweils Motor bzw. Logik über Drain der P-MOSFETs an Masse, Source der P-MOSFETs an 12V bzw 3,3V und die Gates an Drain des N-MOSFETs. Source des N-MOSFETs an Masse. Wenn ich dann ein Hi mit dem µC auf das Gate des N-MOSFETS gebe, müsste dieser durchschalten und die Gates der P-MOSFETs auf +12V legen und diese damit sperren?! Brauche ich dann Entladewiderstände an den Gates der beiden P_MOSFETs?
Kann mir einer sagen, ob das so richtig ist, oder ob ich da einen Denkfehler habe?
Wenn du soviel schalten möchtest, macht ein Treiber richtig Sinn. Da werden verschiedene Versorgungsspannungen zusammengeführt und verschiedene Schaltaufgaben bewerkstelligt. Der ideale MOSFET für deinen Motor hat ja andere Parameter als einer für die initiale Aufgabenstellung: Elektro-Nick schrieb: > Es sind auch nicht mehr als 220mA Dauerstrom zu erwarten (Stichwörter: Halbbrücke, H-Brücke, Freilaufdiode, galvanische Trennung, MOSFET-Treiber) Vielleicht hilft es deinem technischen Verständnis der MOSFET-Eigenheiten, das Gate als Kondensator zu betrachten. Man lädt das Gate (mit einem hohen Spitzenstrom), bzw. entlädt man es wieder. Dieser Vorgang ist auch noch asymmetrisch, laden und entladen gehen also unterschiedlich schnell. Einfache Treiber aus Komplementärtransistoren reichen u.U. für deine Schaltaufgabe. Was die Korrektur der Ein- und Ausschaltzeiten anbelangt ist das für dich nicht unwichtig. Mit Serienwiderständen dem schnellen Einschalten entgegen zu wirken spart Störstrahlung (durch schnelles Schalten hoher Ströme).
Dein Q2 wird sich innerhalb von wenigen Millisekunden auflösen wenn er duchschaltet, abhängig vom Innenwiderstand der Spannungsquelle "12V+IN". Da fehlt einfach noch ein Widerstand oberhalb von Q1. Peter
Q2 würde abrauchen, weil beim Durchschalten quasi ein Kurzschluss entsteht und alles, was die Spannungsquelle an Strom zur verfügung stellen kann über Q2 fließen würde? Habe ich das so richtig verstanden? Und der Widerstand über Q1 könnte ruhig im Megaohm-Bereich liegen, weil Q1 und Q3 ja nur die Spannung am Gate brauchen, aber so gut wie keinen Strom? Dass man Motoren normalerweise mit H-Brücken ansteuert, ist mir schon klar. Hier geht es auch gerade bei den Überlegungen um kein konkretes Projekt, sondern darum, zu verstehen, wie man unterschiedliche Versorgungsspannungen mit einem µC schalten könnte. Danke schonmal.
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