Hi liebe Forummitglieder, ich lese hier im Forum oft mit und nun hab ich selbst eine Frage. Unter Anderem ich will (wie wahrscheinlich schon viel andere vor mir) mit meinem Raspberry Pi RGB-LED's übers Internet ansteuern. Ich Studiere Medieninformatik und hab deswegen nur im Bereich der Elektrotechnik ein paar Fragen, die mir durch andere Beiträge unbeantwortet blieben. Ich hatte damals drei Jahre lang Elektrotechnik in der Schule, doch das liegt ein einige Jahre zurück und daher hab ich keine sehr guten Kenntnisse mehr. Doch ich verstehe gerne wie die Dinge im Detail funktionieren und daher mein Beitrag. Der Schaltungsaufbau ist mir durch die zahlreichen anderen Beiträge bereits klar. Drei MOSFETS und ein externes Netzteil (12V, 6A, 72W). Nun habe ich bereits gelesen, dass z.B. der IRLZ34N verwendet werden könnte oder auch andere. Aus alles Beiträgem haben sich bei mir folgende Fragen gebildet: • Wenn ich den LED-Strip per PWM ansprechen will, brauche ich ja einen Logic Level MOSFET, warum? • Woran erkenne ich (für die Zukunft), ob ein MOSFET der richtige ist, auf was muss ich Achten bzg. V, A und W. • Wie kann ich ausrechnen, ob der MOSFET mit PWM klar kommt? Bzw. ab wie viel Hz er nicht mehr klar kommt. • Ab wann muss ich die MOSFET's kühlen, bzw. wie errechne ich das? Was ist so der Richtwert. Gibt es überhaupt einen? Im Grunde bin ich mir noch nicht ganz Sicher mit den MOSFET's. Welchen MOSFET sollte ich benutzen und vor allem warum? Ich freue mich auf eure Antworten und hoffe dass ich wieder etwas lernen kann! :) Lg
okose schrieb: > Aus alles Beiträgem haben sich bei mir folgende Fragen gebildet: > • Wenn ich den LED-Strip per PWM ansprechen will, brauche ich ja einen > MOSFET, warum? Weil du den MOSFET mit 'nem Logic Level ansteuern willst, aber ... > • Woran erkenne ich (für die Zukunft), ob ein MOSFET der richtige ist, > auf was muss ich Achten bzg. V, A und W. Lass uns mal ein bisschen nachdenken. Aus "Netzteil (12V, 6A, 72W)", "RGB-LED" und "LED-Strip" schließe ich mal, dass der maximale Strom pro Kanal 2A sein wird. Auf Seite 2 des Datenblatts zum IRLZ34N findet sich ein Eintrag "Static Drain-to-Source On-Resistance" (RDSon) mit der Information, dass bei der Ansteuerung mit 4V der Widerstand 0.06Ω beträgt. Die Verlustleistung bei statischer Ansteuerung beträgt also maximal I²*R = 2²*0.06 = 0.24W, was für ein TO-220-Gehäuse nicht viel ist, das geht locker ohne Kühlkörper. > • Wie kann ich ausrechnen, ob der MOSFET mit PWM klar kommt? Bzw. ab wie > viel Hz er nicht mehr klar kommt. Bei den für LED-Beleuchtung üblichen PWM-Frequenzen von wenigen hundert Hertz spielt das keine Rolle. Hier ist der interessante Wert die zu schaltende Stomstärke, da sie quadratisch in die Verlustleistung eingeht. > • Ab wann muss ich die MOSFET's kühlen, bzw. wie errechne ich das? Was > ist so der Richtwert. Gibt es überhaupt einen? Auf Seite 1 des Datenblatts zum IRLZ34N findet sich ganz unten im Abschnitt "Thermal Resistance" ein Eintrag "Junction-to-Ambient" mit der Angabe 62°C/W. Dies wird mit der errechneten Verlustleistung multipliziert 62*0.24 = 14.88°C und bedeutet, dass die Erwärmung gegenüber der Umgebungstemperatur ca. 15°C beträgt. > Im Grunde bin ich mir noch nicht ganz Sicher mit den MOSFET's. > Welchen MOSFET sollte ich benutzen und vor allem warum? Deine Unsicherheit ist hier berechtigt, da zwar in diesem Fall der IRLZ34N ein gut passender MOSFET für ungekühlten Betrieb (d.h. ohne Kühlkörper) ist, aber die I/O-Pins deines RPi können ihn nur mit maximal 3.3V ansteuern - und das ist nunmal weniger als der Hersteller vorgesehen hat. Es wird vermutlich noch ganz brauchbar - auch ohne Kühlung - funktionieren (höhere Verlustleistung wegen höherem RDSon), aber mir persönlich wäre es schon zu grenzwertig. Such dir lieber einen MOSFET, der für deine Ansteuerspannung "Gate-to-Source Voltage" (VGS) im spezifizierten Bereich von "Static Drain-to-Source On-Resistance" (RDSon) liegt. Alternativ kannst du den Pegel der I/O-Pins mit geeigneter Beschaltung anpassen. Im Artikel Kühlkörper findest du Informationen für dem Fall, dass du tatsächlich mal mehr Verlustleistung loswerden musst.
Konrad S. schrieb: > Such dir lieber einen MOSFET, der für deine Ansteuerspannung > "Gate-to-Source Voltage" (VGS) im spezifizierten Bereich von "Static > Drain-to-Source On-Resistance" (RDSon) liegt. Alternativ kannst du den > Pegel der I/O-Pins mit geeigneter Beschaltung anpassen Hi und danke schon einmal für die tolle Antwort. Ich habe mir nun z.b. Den IRLIZ44N abgeschaut. Jetzt wäre es schön, wenn ich auch verstehen würde, wo genau die wichtigsten Unterschiede sind, so dass ich auch weiß, welches der bessere ist. Also was sind denn die wichtigsten Eigenschaften, auf die man achten sollte. Wenn ich das einmal verstehen würde, dann wäre das ein riesen Fortschritt für meine Verständnis solcher Bauteile :) Lg und vielen Dank für eure Zeit :)
Der IRLIZ44N hat etwas bessere Werte für RDSon, d.h. niedrigere Verlustleistung, ist aber leider leider auch nicht so toll für 3.3V-Betrieb geeignet. Ein interessanter N-MOSFET ist der IRF6201, leider nicht überall erhältlich(-> TME, Mouser, DigiKey, Conrad), nicht der billigste und als SO-8 nicht Bastler-freundlich.
Ich dachte Logic Level ist ein muss bei rpi? Ich werde morgen Früh zum Conrad fahren, nur weiß ich immer noch nicht weiter bzw bin mir nicht sicher welchen mosfet :( lg
Guten Tag, ich möchte mich gerne den Fragen von okose anschließen. Ich stehe vor einem ähnlichen 'Problem' und verstehe auch noch nicht genau, warum die genannten MOSFET's nicht für 3,3V geeignet sind. Worauf achtet oder guckt ihr denn? Viele Grüße, Klaus
klaus schrieb: > Guten Tag, > ich möchte mich gerne den Fragen von okose anschließen. Ich stehe vor > einem ähnlichen 'Problem' und verstehe auch noch nicht genau, warum die > genannten MOSFET's nicht für 3,3V geeignet sind. Weil auf Deusch gesagt, der MOSFET mit den 3.3V nicht komplett durchsteuert. Das ist, wie wenn du einen Wasserhahn nimmst, der zwar theoretisch 200 Liter pro Sekunde durchlassen könnte, du hn aber nur zu einem Drittel aufdrehst. Dann wird das nichts mit 200 Liter. FET bedeutet: Feldeffekt-Transistor. Banal gesagt: Eine elektrische Spannung erzeugt ein Magnetfeld, welches die eigentliche Stromstrecke (die du schalten willst) entweder einengt oder freigibt. Das kannst du dir ruhi so vorstellen wie einen Gartenschlauch, den man von aussen zusammendrückt oder eben die Umklammerung lockert. Magnetfeld, das bedeutet aber auch, dass seine Stärke von der Spannung abhängt mit der es erzeugt wird. Ist die nicht hoch genug, dann ist das Magnetfeld nicht stark genug und der 'Verschluss' der zu steuernden Strecke löst sich nicht richtig. Folge davon: der verbleibende Restwiderstand ist höher als er sein muss. Folge davon: mehr Spannungsabfall am Transistor und was noch viel wichtiger ist: mehr Verlustleistung, was wiederrum mehr Wärmeproduktion im Transistor bedeutet. Mal ganz abgesehen davon, dass du ja LED leuchten lassen willst und nicht dein Zimmer heizen. Edit: Mach dir mal die beiden Datenblätter vom * IRLZ34N http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlz34n.pdf * und vom IRF6201 http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf6201pbf.pdf nebeneinander auf. Dann scrollst du runter, bis du das Diagramm "Typical Transfer Characteristics" gefunden hast. In beiden Datenblättern ist das zufällig jeweils die Fig. 3 In diesem Diagramm wird gezeigt, wieviel Strom maximal bei einer bestimmten Gate-Spannung noch durch die Drain-Source Strecke gehen kann, weil sonst der FET zu heiß wird (es ist praktisch immer eine thermische Limitierung, du kannst auch 300A durchjagen, nur wird dann der Silizium-Chip brennheiß und brennt durch). Was sehen wir? Beim IRLZ34N beginnt die Kurve bei ca. 4V flach zu werden. Bei 3.3V bist du noch weit im ansteigenden Ast und der Hersteller gibt an, dass da ca. 8 bis 9A drüber gehen können. Das würde zwar im Prinzip reichen, aber wie gesagt: wir wollen ja keine Heizung bauen, wenn es auch besser geht. Wie sieht die Kurve beim IRF6201 aus? Nun, da ist 3.3V schon rechts ausserhalb des Diagramms. Bei bereits rund 2V ist der MOSFET komplett durchgeschaltet. Der Hersteller gibt an, dass da schon über 100A fliessen können, ohne das es zu thermischen Problemen kommt. Mit 3.3V Gate-Spannung ist dieser FET also sowas von durchgesteuert, dass du praktisch den kleinsten Widerstand kriegst, den du auf der D-S Strecke haben kannst. KLeinster Widerstand bedeutet aber auch kleinste Verlustleistung und kleinste Verlustleistung bedeutet: die wenigste Abwärme, die du von diesem FET kriegen kannst.
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Braucht man zum Ansteuern dieser FETs einen Vorwiderstand? Ich habe BUZ71A am Atmega328p Ausgangs-PIN für PWM hängen und es funktioniert problemlos, habe aber in allen Schaltplänen von professionellen LED-PWM-Dimmern immer einen Vorwiderstand gesehen. Und dann gäbe es noch das traurige EMV-Thema: Muss ein Widerstand oder gar Kondensator an das Gate um das Rechtecksignal abzuschleifen? Das würde ja wieder Wärme erzeugen! Ein Kurzwellenradio im nächsten Raum betrieben ist okay und ungestört. Betreibe ich es jedoch im gleichen Raum, wo ich den LED-Strip und den PWM-Dimmer betreibe, höre ich ein Fiepen in den wenigen gefundenen KW-Sendern. Wenn jetzt überall 10m LED-Strips verklebt werden, auch im Dachgeschoß und vielleicht auch ein paar Meter Anschlußkabel: Kommt dann die Bundesnetzagentur zu mir und macht Ärger? Funkamateure sind keine in der Nähe! Am liebsten würde ich ja einen Funkamateur kennenlernen und ihm das Zeug zeigen und ihn bitten mir zu sagen, ob es ihn oder irgendeinen Flugzeugverkehr stören könnte.
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klaus schrieb: > Worauf achtet oder guckt ihr denn? Die Bilder sind ein Auszüge aus dem Datenblatt des IRF6201. Mein Blick gilt zuerst dem RDSon beim niedrigsten VGS. Passt VGS nicht zu meiner Ansteuerspannung, dann war's das; der nächste bitte! Ist eine passende VGS angegeben, dann nehme ich im zweiten Schritt den zugehörigen RDSon-Wert und multipliziere ihn mit dem Quadrat des maximal vorgesehenen Stroms und erhalte dadurch die (auch wieder maximale) Verlustleistung im statischen Betrieb. Wieviel Verlustleistung ein Bauteil aushält, hängt davon ab, wie gut es die Verlustleistung in Form von Wärme los wird. Möchte ich ohne Kühlkörper auskommen, was meistens der Fall ist, dann multipliziere ich im dritten Schritt die Verlustleistung mit dem Wert für RθJA und bekomme so eine Vorstellung davon, wie warm der MOSFET wird.
Hey, super Antwort und vielen Dank. So kann ich mir auch etwas darunter vorstellen, sogar ziemlich viel. Was genau bedeutet denn, dass ein passendes VGS angegeben ist. Schließlich sind das doch nur "Standardwerte". Und eine weitere Frage zu den hier angesprochenen LL-MOSFETS. So wie ich das jetzt verstanden habe, ist LL kein muss, solange der MOSFET bei der gegebenen Vgs durchschaltet? Viele Grüße, Klaus
klaus schrieb: > Was genau bedeutet denn, dass ein passendes VGS angegeben ist. Deine Ansteuerspannung muss höher als der niedrigste bei RDSon zu findende Wert von VGS. Betreibst du deinen µC mit 3.3V, so ist auch deine Ansteuerspannung 3.3V. Demnach hältst du bei RDSon Ausschau nach einer VGS-Angabe kleiner oder gleich 3.3V. klaus schrieb: > solange der MOSFET bei der > gegebenen Vgs durchschaltet? Exakt!
Hi und danke für eure zahlreichen Antworten. Ich denke, dass auch ich einiges gelernt habe. Ich habe hier die Tabelle der MOSFETs durchstöbert und habe mich nun mit euren Informationen für den [[http://www.mikrocontroller.net/part/BS107]] entschieden. Liege ich denn richtig mit meiner Entscheidung? Rds_on liegt für Vgs = 2.7V bei 0.03 Ohm. Das bedeutet ja, dass der Widerstand bei 3.3V noch geringer ist. Bei max. 2A pro MOSFET wären das 2 A^2 * 0.03 Ohm = 0.12 W. Das mit RθJA multipliziert ergibt 0.12 W * 50 C / W = 6 Grad. Also erhitzt sich der MOSFET um ca. 6 Grad? Fig 3. Typical Transfer Characteristics zeigt, dass der MOSFET bei 3.3 Vohne Probleme mit den 7 A umgehen kann. Stimmt das alles? Also wäre dieser MOSFET doch auch geeignet. In den Absolute Maximum Ratings steht ja noch folgendes: Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V sind ja laut Datenblatt 7.0 A. Laut I=U/R müsste doch I bei höherem U (wie im Fall des LED-Netzteils, 12 V) auch größer werden und somit wären die 7 A auch kein Problem (ist das überhaupt die Angabe für den maximal mäglichen Strom?). und VGS Gate-to-Source Voltage ist +-12V. Wäre das jetzt zu start an der Grenze? Dadurch würde es schon wieder nicht funktionieren oder? Welchen MOSFET benutzen, falls meine Denkweise falsch ist, und was daran wäre falsch oder richtig. Danke nochmals dass ihr mir diese Welt näher bringt :) Lg, okose
Irgendwie habe ich die Vermutung, dass deine Überlegungen nicht auf dem verlinkten Datenblatt beruhen. Prüfe das bitte nochmal. Der BS107(A) bei den "Maximum Ratings" nur einen "Drain Current" ID von 250mA im kontinuierlichen Betrieb stehen. Das reicht bei weitem nicht. Vermutlich wird es in der Bauform TO-92 keinen geeigneten MOSFET geben. Deine Werte passen überhaupt nicht zu TO-92.
Ups entschuldige! Ich meinte diesen MOSFET: [[http://www.mikrocontroller.net/part/IRF7401]] Mein Satz "VGS Gate-to-Source Voltage ist +-12V. Wäre das jetzt zu start an der Grenze? Dadurch würde es schon wieder nicht funktionieren oder?" ist glaub ich auch Quark, da es sich bei dieser angabe ja nicht um Vds sondern Vgs handelt. Ich habe gerade noch den [[http://www.mikrocontroller.net/part/IRF7455]] gefunden. Dieser MOSFET scheint bessere Werte zu haben, jedoch hört die Kurve in dem Diagram "Typical Transfer Characteristics" bei 3.2V auf. Hat das was zu bedeuten? (Bei kurven ja eigentlich schon), daher ungeeignet? lg okose
okose schrieb: > dass der MOSFET bei 3.3 > Vohne Probleme mit den 7 A umgehen kann Da wird es deutlich grenzwertig, da sich durch die Wärme der Verlustleistung auch die Umgebungstemperatur erhöht und dann möglicherweise von "Absolute Maximum Ratings" das Limit für "ID@TA=70°C: 7A" überschritten wird. Sorgst du für einen kühlenden Wind, dann kann das klappen. Allgemein kann man für solche Fälle mit hoher Verlustleistung sagen, dass es bei der SO-8-Bauform angebracht ist, die Pads von Source bzw. Drain mit einer großzügigen Kupferfläche auszustatten, auch wenn dadurch das Löten schwieriger wird. > VGS Gate-to-Source Voltage ist +-12V. VGS ist die Ansteuerspannung und die darf nicht überschritten werden. Beispiel: Du willst mit dem IRF7401 die GND-Leitung einer 15V-Stromversorgung unterbrechen können. Damit im Normalfall der MOSFET durchschaltet, legst du einen Pullup-Widerstand vom Gate zur Plus-Leitung, aber nicht direkt, weil so - autsch - das Limit für VGS überschritten wird. Hier kann eine Z-Diode helfen und VGS auf einen zulässigen Wert begrenzen. okose schrieb: > Ich habe gerade noch den [[http://www.mikrocontroller.net/part/IRF7455]] > gefunden. Dieser MOSFET scheint bessere Werte zu haben, So ist es. > jedoch hört die > Kurve in dem Diagram "Typical Transfer Characteristics" bei 3.2V auf. Sieh es mal andersrum: die Kurve hört bei 120A auf, dem Limit für IDM aus den "Absolute Maximum Ratings". > Hat das was zu bedeuten? (Bei kurven ja eigentlich schon), daher > ungeeignet? Der IRF7455 ist durchaus geeignt für den eingangs genannten Anwendungsfall, ebenso wie der IRF7401. Der IRF7401 dürfte allgemein etwas billiger sein als der IRF7455. Ich akzeptiere für meine Bastelzwecke gerne mal einen höheren Preis, wenn ich dadurch einen sichereren Betrieb (geringere Wärmeentwicklung) erreichen kann. Neulich habe ich mir bei CSD einen Vorrat an TSM6968SDCA http://www.taiwansemi.com/DSfile/TSM6968SD_E07.pdf für einen guten Preis besorgt. Die Bauform TSSOP-8 ist zwar schon mühsam zu verarbeiten, aber es ist eben ein Dual-MOSFET mit guten Werten.
Konrad S. schrieb: > VGS ist die Ansteuerspannung und die darf nicht überschritten werden. > Beispiel: Du willst mit dem IRF7401 die GND-Leitung einer > 15V-Stromversorgung unterbrechen können. Damit im Normalfall der MOSFET > durchschaltet, legst du einen Pullup-Widerstand vom Gate zur > Plus-Leitung, aber nicht direkt, weil so - autsch - das Limit für VGS > überschritten wird. Hier kann eine Z-Diode helfen und VGS auf einen > zulässigen Wert begrenzen. Das ist doch für meinen Fall irrelevant, weil ich nur maximal mit 3.3V ansteuere oder? Der IRF7455 hat ja beim Rds_on 0.02 Ohm bei 2.8V und 3.5A. Jetzt werde ich aber 3.3V und aber nur maximal 2A haben. Also muss ich ja mit einem deutlich höheren Widerstand rechnen? Ich denke auch mal, dass ich mich für den IRF7455 entscheide, wenn ihr den absegnet. Ich danke euch nochmals für die zahlreichen Antworten. Ihr habt mir einiges beigebracht :) Und sorry falls ich zu viel frage, so bin ich nunmal, lerne gerne und diskutiere gerne ;)
okose schrieb: > Das ist doch für meinen Fall irrelevant, weil ich nur maximal mit 3.3V > ansteuere oder? Ja, die 3.3V sind OK. > Der IRF7455 hat ja beim Rds_on 0.02 Ohm bei 2.8V und 3.5A. Jetzt werde > ich aber 3.3V und aber nur maximal 2A haben. Also muss ich ja mit einem > deutlich höheren Widerstand rechnen? Höhere VGS, kleinerer RDSon. Zu hohe VGS, MOSFET tot. Zu kleine VGS (aber oberhalb VGSth), MOSFET bald tot. Bei VGS 2.8V ist 0.02Ω für "Max." angegeben und bei VGS 4.5V ist 0.0069Ω für "Typ." angegeben. Irgendwo dazwischen liegt der RDSon für VGS 3.3V. Zur Abschätzung des thermischen Verhaltens nimmst du sicherheitshalber den schlechteren Wert, also 0.02Ω. > Ich denke auch mal, dass ich mich für den IRF7455 entscheide, wenn ihr > den absegnet. Meinen Segen hast du. ;-) > Und sorry falls ich zu viel frage "Papi , warum werden wir älter?" "Keine Ahnung." "Und wieso haben Giraffen so lange Hälse?" "Ich weiß es nicht." "Warum dreht sich die Erde?" "Keine Ahnung." "Papi , nervt es dich , wenn ich dauernd frage?" "Nein frag nur, sonst lernst du ja nie was !" (hier geklaut: http://www.guck-da.de/witz.htm)
Christian H. schrieb: > Braucht man zum Ansteuern dieser FETs einen Vorwiderstand? Ich habe > BUZ71A am Atmega328p Ausgangs-PIN für PWM hängen und es funktioniert > problemlos, habe aber in allen Schaltplänen von professionellen > LED-PWM-Dimmern immer einen Vorwiderstand gesehen. "Brauchen"? Hm. Also ich baue keine Vorwiderstände zwischen AVR-Pins und MOSFET-Gates. Der Vorwiderstand soll einerseits den Strom des I/O-Pins begrenzen und damit den µC schützen, andererseits die Störstrahlung vermindern. Im Gegenzug schaltet der MOSFET langsamer um, ist dadurch länger im linearen Bereich und hat in dieser Zeit eine höhere Verlustleistung. Dass der BUZ71A gemäß Datenblatt nicht das gelbe vom Ei ist, kannst du nachvollziehen, nehme ich an?!? Ich bezweifle aber nicht, dass es funktioniert. Dafür gibt es im Internet einfach zu viele Aleitungen, die Schaltungen mit 10V-VGS-MOSFETs vorstellen. Ich würd's mal so sagen: not recommended for new designs! > Und dann gäbe es noch das traurige EMV-Thema: Muss ein Widerstand oder > gar Kondensator an das Gate um das Rechtecksignal abzuschleifen? Das > würde ja wieder Wärme erzeugen! > > Ein Kurzwellenradio im nächsten Raum betrieben ist okay und ungestört. > Betreibe ich es jedoch im gleichen Raum, wo ich den LED-Strip und den > PWM-Dimmer betreibe, höre ich ein Fiepen in den wenigen gefundenen > KW-Sendern. Wenn jetzt überall 10m LED-Strips verklebt werden, auch im > Dachgeschoß und vielleicht auch ein paar Meter Anschlußkabel: > Kommt dann die Bundesnetzagentur zu mir und macht Ärger? Funkamateure > sind keine in der Nähe! > Am liebsten würde ich ja einen Funkamateur kennenlernen und ihm das Zeug > zeigen und ihn bitten mir zu sagen, ob es ihn oder irgendeinen > Flugzeugverkehr stören könnte. Ich habe einen "EMV-Spion" (http://www.box73.de/product_info.php?products_id=2763) und vergleiche damit meine Basteleien mit handelsüblichen Störquellen (nein, die werden nicht als Störquellen verkauft, eher als Energiesparlampe, LED-Leuchte usw.;-). Manchmal muss dann der MOSFET näher an den Verbraucher ran, manchmal ist es eben wie es ist und der LED-Strip ist eben 5m lang. Der Test mit dem Kurzwellenradio liefert dir auf jeden Fall auch eine Einschätzung über das Störpotenzial der Eigenkonstruktion. Auch hier: Vergleich mit handelsüblichen Geräten. Allerdings würde ich auf einen schwächern Sender gehen und ausloten, bei welcher Entfernung vom zu testenden Gerät die Grenze zwischen Empfang/Nichtempfang liegt, auch in unterschiedlichen Richtungen. Edit: ein paar Worte zum BUZ71A
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