Hallo, ich möchte mein Mosfet vor zu hohen Spannungen schützen. Der IRFP460 kann ja bis 500V. Ich würde aber gerne die Primärinduktion ausnutzen. welche diode D1 oder D2 schützt? wenn ich eine normale Freilauf diode benutze, dann wirkt sie doch wie ein kurzschluss? wenn ich D1 und D2 in der Richtung wie eingezeichnet einsetze, schütze ich mein Mosfet vor DS Durchbruch oder nicht? Hab mal gehört durch Freilaufdiode macht man sich die nutzbare primärinduktion zunichte... viele Grüße D1 und D2 sollen Zenerdioden sein. Geht das so?
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Also ich hatte mal was gelesen von active clamp. ist das mit D1 richtig und dazu in gegenrichtung eine andere diode . Somit würde bei überspannung >500 V die zenerdiode leitend und das Gate-Potential angehoben wodurch die Induktivität abgebaut werden kann. Ist das richtig was ich jetzt zusammenfasse? Um Induktivitäten dennoch aussnutzen zu können: - Auf D2 verzichten - Snubbernetzwerk zwischen Drain und Source und Drain und V+ - Zenerdiode (15V weil +-20V FET) zwischen Gate und Source - Ultrafast Diode(P6KE440A oder MUR460) zwischen Drain und Source - Zenerdiode und entgegengesetzt eine Diode zwischen Drain und Gate - Varistor zwischen Drain und V+ - Kondensator ( mit Widerstand )zwischen Drain und Source nen ordentlichen Gatetreiber dann sollte doch nix kaput gehen?
Du speist den Flyback mit 12V und musst den primären Schalttransistor vor 500V schützen? Was hat denn dein Trafo für ein Übersetzungsverhältnis? Den Kondensator rechts neben dem FET brauchst du so nicht (und willst ihn nicht haben). Die Diode weiter rechts davon ist evtl. im FET als Bodydiode integriert, ein Flyback braucht sie aber nicht. Die ganzen Dioden zur Gate lässt du auch weg und verbindest Gate mit Source über einen 10k-Widerstand. D2 als Snubber kann man so verwenden, wenn es eine Silizium-Diode ist. In den Pfad schaltet man gewöhnlicherweise eine RC-Parallelschaltung oder in Reihe mit der Diode eine Zenerdiode. Insbesondere letzteres eignet sich, um die reflektierte Spannung aus dem Trafo zu begrenzen. Aber da brauchst du dann keinen 500V-FET. Lieber einen mit 30V und niedriger Gate-Charge und kleinem Rds,on
@ Stefan H. (tocotronix) >Also ich hatte mal was gelesen von active clamp. >ist das mit D1 richtig Ja. >und dazu in gegenrichtung eine andere diode . Die braucht man eigentlich nicht. >Somit würde bei überspannung >500 V die zenerdiode leitend und das >Gate-Potential angehoben wodurch die Induktivität abgebaut werden kann. Die Induktivität eher nicht, bestenfalls das Magnetfeld. >- Auf D2 verzichten Auf jeden Fall! >- Snubbernetzwerk zwischen Drain und Source und Drain und V+ Muss nicht sein. >- Zenerdiode (15V weil +-20V FET) zwischen Gate und Source Ja. >- Ultrafast Diode(P6KE440A oder MUR460) zwischen Drain und Source Kann man machen. >- Zenerdiode und entgegengesetzt eine Diode zwischen Drain und Gate Nein. >- Varistor zwischen Drain und V+ Man muss es nicht übertreiben! Die beiden Z-Dioden Gate-Source sowie Gate Drain reichen. >- Kondensator ( mit Widerstand )zwischen Drain und Source Das wäre noch ein Snubber, den keiner braucht. >nen ordentlichen Gatetreiber Der TLC555 reicht, der kann auch 100mA gegen GND schalten, kurzzeitg vielleicht noch mehr.
Stefan H. schrieb: > Ich würde aber gerne die Primärinduktion ausnutzen. d.H. du musst zulassen, daß nach dem Anlegen der 12V an deine Zünspule die rücktransfomierte Zündspannung anliegt, musst aber verhindern, dass im Falle des nicht-Zündens die Spannung zu hoch für die Wicklungsisolation und den MOSFET wird. D2 lässt nur 0.7V Gegeninduktionsspannung zu, geht also nicht. D1 als 540V Z-Diode erlaubt aber bis 550V, also zu viel für den MOSFET und vermutlich auch zuviel für die Isolation der Zündspule. Nimm 360V (3 x 130V) oder 410V (3 x 147V) oder falls es wirklich nötig ist 460V (schau halt vorher ins Datenblatt der Zündspule, 360V sind meist möglich). Die anderen eingezeichneten Dioden am Gate, zum MOSFET und über dem MOSFET sind bei angemessenem Aufbau überflüssig, typische Angstdioden. Kevin K. schrieb: > Du speist den Flyback mit 12V und musst den primären Schalttransistor > vor 500V schützen? Offensichtlich eine KFZ Zündspule. Natürlich schlagen da 500V zurück.
MaWin schrieb: > Offensichtlich eine KFZ Zündspule. Natürlich schlagen da 500V zurück. Ja, aber mit dem Übersetzungsverhältnis, also vermutlich dann doch wieder deutlich runtertransformiert.
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Falk Brunner schrieb: > @ Stefan H. (tocotronix) >>- Ultrafast Diode(P6KE440A oder MUR460) zwischen Drain und Source > > Kann man machen. > MUR460 ist eine normale Diode, also an dieser Stelle nicht wirklich hilfreich. Eine P6KE440A könnte auch als alleiniger Schutz durchgehen - je nach Energie kann aber auch ein Varistor notwendig sein. >>- Zenerdiode und entgegengesetzt eine Diode zwischen Drain und Gate > > Nein. > Wenn die Energie über active clamping abgebaut werden soll muß die entgegengesetzte Diode vorhanden sein, da ansonsten Gate nach Gnd kurzgeschlossen wird. Als Alternative käme eine bidirektionale TVS-Diode geringer Leistung in Frage, die sowohl die normale als auch die Zenerdioden ersetzt. Passt dieses Clamping zum SOA? Ich hab das jezt nicht nachgeprüft. > Der TLC555 reicht, der kann auch 100mA gegen GND schalten, kurzzeitg > vielleicht noch mehr. Und deshalb ist auch R1 erforderlich - sonst bleibt das Gate beim Abschaltimpuls auf < 1V bis es den Ausgangstransistor des 555 zerlegt hat.
MaWin schrieb: > Offensichtlich eine KFZ Zündspule. Natürlich schlagen da 500V zurück. Die Beschreibung klingt wirklich nach Zündspule. Aber zumindest bei der Quelle von Stefans Schaltungsbild geht es um einen umgedrehten Netztrafo http://www.circuitstoday.com/12-v-florescent-lamp-driver-circuit
hallo danke für die vielen infos... also generell geht es nicht um diese Schaltung. Ich war auf Tagung und hatte nur Handy dabei und nicht mein Schaltplan.Den hab ich jetzt auf mein Arbeitsrechner. Ich würde ihn morgen senden. Auf welche Werte kommt es denn an im SAO Diagramm? Angstdioden sind besser als defekte Mosfets...warum Weiß ich eben nicht. Eventuell defekter Rechteck generator.. aber Krieg erst die Tage einen neuen Tastkopf. will mich eben in alle Richtungen absichern und Zündspule auch gegen Zeilentrafo austauschbar lassen. gatetreiber hab ich jetzt die 7667...ist eine komplementäre treiberstufe auch gut (gleich gut)? sollte man Frequenzerzeuger und Endstufe galvanisch durch Spule trennen? oder machts auch ein paar Dioden?
sehr viele entgegen gesetzte Meinungen hier....
Stefan H. schrieb: > sehr viele entgegen gesetzte Meinungen hier.... Dann fang erst einmal damit an, zu erzählen was es eigentlich werden soll, welche Bauteile (Datenblätter) vorgesehen sind und nicht damit unzutreffende Schaltpläne zu posten. SOA=Save operating area=Zulässiger Strom und Spannung abhängig von der Zeit Dabei ist es ein großer Unterschied ob ein Netztrafo, eine Zündspule oder ein Zeilentrafo dranhängt, aber auch welche Betriebsbedingungen auftreten. ps. Gürtel+Hosenträger ist Megaout.
WTM, Angstduioden sind aber schlechter, als ein durchdsachtes Design mit Komponenten, die nicht nur den Normalbetrieb, sondern auch Störungen aushalten. Vergiss nicht: jede zusätzliche Komponente ist ein möglicher Schwachpunkt im Design.
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Hier mein Plan, also ich weiß nun wirklich nicht welche Dioden überflüssig sind am Mosfet direkt. Grüße
Stefan H. schrieb: > Hier mein Plan, > > also ich weiß nun wirklich nicht welche Dioden überflüssig sind Was machen darin die 30 überflüssigen Bauteile ? Musst du den Elektronischschrott durch einlöten entsorgen ? Bei 22 Ohm Gate-Vorwiderstand können bei 12V maximal 540mA fliessen. Deine 1N418 soll wohl eine 1N4148 sein und schafft nur 100mA. Die BD139 könnten 1.5A aber woher sollen die kommen bei der Diode und dem nachgeschalteten Widerstand ? Das ganze Zeug ist überflüssig und fehldimensioniert, und ein NE555 kann sowohl Wiederholfrequenz und Impulsdauer beeinflussen, es braucht keinen zweiten. Damit bleibt von allem vor dem gate nur ein NE555 übrig der direkt, ohne Vorwiderstand, das Gate ansteuert. Hinter dem Transistor sieht es nicht besser aus. Deine Zündspule wird bis 400V an der primären Wicklung durch Rücktransformation des Zündfunkens haben, ein S20K40 begrenzt das zuverlässig auf 56V und verhindert damit gründlich daß jemals ein Zündfunke entsteht, geht aber als VDR durch die dauernden Absorptionsschläge kaputt. Damit ist der 2kV Kondensator komplett überdimensioniert, der MOSFET auch, und die 450V Z-Dioden auch. Wenn D2 Spannungen unter 0V verhindern soll, ist D3 überflüssig und als 1N4007 viel zu langsam. Deine 8.2V Z-Dioden sind so geschaltet, daß am Gate des MOSFETs nie mehr als 8.9V anliegen können. Eine negative Spannung kann dort sowieso nicht hinkommen, weil D2 die ja schon verhindert. Alle diese Dioden sind überflüssig und der VDR verhindert gründlich daß die Schaltung überhaupt funktioniert. Der ganze Schaltplan ist Murks, alle zusätzlich zur Grundschaltung hinzuerfundenen Bauteile behindern eher die Funktion, als daß sie irgendeinen begründeten Nutzen hätten.
C10 raus was machen die 4 Zenerdioden an der Gate? Eine 18V und das reicht! Einmal 1µF von Kollektor Q1 gegen Masse bitte. Dort schaltest du steilflankig, da soll ein kleiner Stromkreis sein.
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Zunächst warum NE556 Zündspule kann nur begrenzt Energie aufnehmen also Leistung * Zeit. Erste A-stabile Kippstufe gibt Frequenz vor und soll dann mal zwischen 0,5 und 3 Hz sein. Dann gibt die monostabile Kippstufe die Impulsdauer vor. Damit die Zündspule nicht übersättigt. Denn dann kommt kein Funke. Soll dann zwischen 1 µs und max. 10ms sein. """Kurze zwishenfFrage was mich interessiert: Angenommen Mosfet schaltet bis 15A. a) Netzteil 5A 12V b) Autobatterie 100Ah 12V Angenommen a) ist bei 15ms Puls geättigt. Müsste ich bei der Autobatterie die Impulsdauer auf 1/3 von a) senken??""" Wenn ich nur ein NE555 nutze haben beide Widerstände Einfluss auf die Frequenz. Aber auf die Impulsdauer hat nur ein Widerstand Einfluss. Will halt beides einstellbar lassen. MaWin schrieb: > Stefan H. schrieb: >> Hier mein Plan, >> >> also ich weiß nun wirklich nicht welche Dioden überflüssig sind > > Was machen darin die 30 überflüssigen Bauteile ? > > Musst du den Elektronischschrott durch einlöten entsorgen ? > > Bei 22 Ohm Gate-Vorwiderstand können bei 12V maximal 540mA fliessen. > Deine 1N418 soll wohl eine 1N4148 sein und schafft nur 100mA. > Die BD139 könnten 1.5A aber woher sollen die kommen bei der Diode und > dem nachgeschalteten Widerstand ? Also BD139 direkt an V+ 1N4148 ersetzen durch? Hatte mich verschrieben und copy and paste gemacht im Eagle. > > Das ganze Zeug ist überflüssig und fehldimensioniert, und ein NE555 kann > sowohl Wiederholfrequenz und Impulsdauer beeinflussen, es braucht keinen > zweiten. Geht so nicht mit einem NE555 > Damit bleibt von allem vor dem gate nur ein NE555 übrig der direkt, ohne > Vorwiderstand, das Gate ansteuert. Ich würde gerne Gegentaktendstufe davor legen um den Mosfet leer zu ziehen. Auch wenn es für die niedrigen Frequenzen vielleicht nicht nötig ist. Aber ich will ja die Frequenz in zwei drei Stufen schalten können. Auch in höhere Hz bereiche. Also passt das mit 220 Ohm Widerstand an der Gegentaktendstufe und dann 10 Ohm widerstand? Passt das mit Kondensator an Kollektor von BD139? Der Kollentor soll doch auf V+? > > Hinter dem Transistor sieht es nicht besser aus. Deine Zündspule wird > bis 400V an der primären Wicklung durch Rücktransformation des > Zündfunkens haben, ein S20K40 begrenzt das zuverlässig auf 56V und > verhindert damit gründlich daß jemals ein Zündfunke entsteht, geht aber > als VDR durch die dauernden Absorptionsschläge kaputt. Damit ist der 2kV > Kondensator komplett überdimensioniert, der MOSFET auch, und die 450V > Z-Dioden auch. Ok Varistor lass ich weg. Und C10 Wieso Mosfet überdimensioniert? Will hohe Spannungen zulassen aber? Blöder RDSon? Wieso 450V überdimensioniert? lieber weniger? > Wenn D2 Spannungen unter 0V verhindern soll, ist D3 überflüssig und als > 1N4007 viel zu langsam. Deine 8.2V Z-Dioden sind so geschaltet, daß am > Gate des MOSFETs nie mehr als 8.9V anliegen können. Eine negative > Spannung kann dort sowieso nicht hinkommen, weil D2 die ja schon > verhindert. Alle diese Dioden sind überflüssig und der VDR verhindert > gründlich daß die Schaltung überhaupt funktioniert. Glaub da ist ein Fehler bei den Zener am Gate. Ist es richtiger wenn ich das so mache wie im Bild was ich angehängt habe? Welche Diode anstatt 1n4007? MBR MUR? > Der ganze Schaltplan ist Murks, alle zusätzlich zur Grundschaltung > hinzuerfundenen Bauteile behindern eher die Funktion, als daß sie > irgendeinen begründeten Nutzen hätten. Aber die vier Dioden von Gate zu Drain sind erstmal richtig? viele dank erstmal für die Hilfe. Also auf dem Experimentierboard waren mit Zündspule 5cm drin. Aber nachdem ich alles an Autobatterie geklemmt hatte fliegen die Mosfets durch.
Stefan H. schrieb: > Wenn ich nur ein NE555 nutze haben beide Widerstände Einfluss auf die > Frequenz. Der eine auf 3Hz, der andere auf 10msec, es spielt keine Rolle, ob deine 3Hz 10msec länger sind. > Also BD139 direkt an V+ Gar kein BD139 > 1N4148 ersetzen durch? Gar keine 1N4148 > Ich würde gerne Gegentaktendstufe davor legen um den Mosfet leer zu > ziehen Auch ein NE555 hat eine Gegentaktendstufe. > Welche Diode anstatt 1n4007? Gar keine. > Aber nachdem ich alles an Autobatterie geklemmt hatte fliegen > die Mosfets durch. Tja, keine Strombegrenzung. Du unterliegst dem Irrtum zu meinen, viel bringt viel.
Welche Widerstände und wo würdest du empfehlen? 10 bis 50 Ohm?
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