Mini Whip Antenne mit anderem Transistor

Hallo!

DH1AKF K. schrieb:
> ich würde wenigstens einen rauscharmen HF- Typ einsetzen. Habe gute
> Erfahrungen mit dem 2SC3355 gemacht (Reichelt: 0,30€), in genau dieser
> Anwendung.

Danke für den Tipp! Werde bei der nächsten Bestellung ein paar Exemplare 
mitordern.
Bis da hin muss einer von den genannten Transistoren "Platzhalter" 
spielen.

Viele Grüße!

Da Du den 2N2222 in der Bastelkiste hast, würd ich es mit ihm versuchen. 
Sollte gehen.

KlausB schrieb:
> Bin aber nicht sicher, ob man sie so einfach für den Emitterfolger in
> der Mini-Whip übernehmen kann.

Für diesen Zweck geht fast jeder Kleinsignal Transistor, der die 
Verlustleistung von ca 100mW ohne Kühlung verkraftet. Es muss noch nicht 
mal ein HF-Typ sein. Ein BC549/BC550 oder besser ein 2N2222A oder ein 
BC337 machen den Job und neigen sogar weniger zum Schwingen als der gute 
aber schnelle 2N3355.

Chris Trask hat sich vor einigen Jahren die Mühe gemacht und diverse 
Transistoren auf ihre Tauglichkeit in aktiven Antennen untersucht:

Trask, “Bipolar Transistor Evaluation” 1 15 December 2008
An Evaluation of Bipolar Transistors
Suitable for Active Antenna Applications

http://home.earthlink.net/~christrask/Bipolar%20Transistor%20Evaluation.pdf

KlausB schrieb:
> Hier noch mal die Eckdaten für das Projekt:
> - fo < 20MHz

Für so niedrige Frequenzen, bei denen die Antennen meist zu kurz sind, 
nimmst du in der Eingangsstufe besser einen Sperrschicht FET wie den 
BF245.
Dahinter kannst du dann einen Bipolartransistor wie den BF199 als 
Emitterfolger setzen um das 50 Ohm Kabel zu treiben.

P.S.:
Ich sehe gerade, dass genau das ja in den von dir verlinkten 
Schaltungsbeispielen gemacht wird.
Sorry.

Sieh halt zu, dass die Verlustleistung des Bipolartransistors im 
zulässigen Rahmen bleibt und der Kollektorstrom so eingestellt ist, dass 
hfe in Abhängigkeit von Ic sich möglichst wenig ändert.

Wenn du  mit der Frequenz noch wesentlich tiefer willst, können 
rauscharme NF-Transistoren, wie der BC549C, günstiger sein.

KlausB schrieb:
> Bis da hin muss einer von den genannten Transistoren "Platzhalter"
> spielen.

Mach tunlichst kein Layout, sondern löte die paar Teile direkt auf díe 
Kupferfläche (Masse) von unbearbeitetem Basismaterial.
Das geht nicht nur schneller, sondern ist auch HF-technisch meist 
besser.

Auf was man beim Bau und bei der Aufstellung der MiniWhip achten muss 
findet man zusammengefasst hier:

http://www.dl4zao.de/projekte/index.html#a1097

Grüße

KlausB schrieb:
> - Ub Mini-Whip +8,5V (9V-Blockbatterie)

Ich habe zwei in Betrieb und einige gebaut.
Allen gemein : 50-80 mA Stromverbrauch für ein brauchbares Ergebnis.
Batterie wohl eher nicht ?

Grüße Werner

Wenn man hinter den FET einen Übertrager von 1kohm auf 50ohm setzt, kann 
man auf den bipolaren Transistor verzichten und spart (Batterie-)Strom.
Man hat dann aber Pegelverluste.


foo schrieb:
> Für so niedrige Frequenzen, bei denen die Antennen meist zu kurz sind,
> nimmst du in der Eingangsstufe besser einen Sperrschicht FET wie den
> BF245.

Statt des J310?

ReneNeuern schrieb:
> Wenn man hinter den FET einen Übertrager von 1kohm auf 50ohm setzt, kann
> man auf den bipolaren Transistor verzichten und spart (Batterie-)Strom.
> Man hat dann aber Pegelverluste.

Je nach FET und seiner Steilheit etwa zwischen 13 und 17dB Verlust.

J310 statt BF245 geht auch. Der J310 o.ä. haben meist eine Steilheit von 
ca. 10mS.

Wenn man den BF245 als source-folger einsetzt, sollte man für eine gute 
Aussteuerbarkeit die C-Version verwenden!

Bernd F. schrieb:
> J310 statt BF245 geht auch. Der J310 o.ä. haben meist eine
> Steilheit von ca. 10mS.

Ein J310 (bzw. die SMD Version MMBFJ310) ist einem BF245 in dieser 
Schaltung überlegen. Er hat mit typisch 13mS eine doppelt so große 
Steilheit als ein BF245. Daraus resultiert an gleichem 
Source-Lastwiderstand weniger Dämpfung und wegen des höheren IDss auch 
einen größeren Strom bei geerdetem Gate.

Die BF245 weisen eine große Exemplarstreung und vom IDss wäre ein BF245C 
verwendbar, allerdings mit dem Nachteil einer etwas höheren Dämpfung.

Siehe hierzu auch die Abhandlung:
"An Evaluation of Junction Field-Effect Transistors Suitable for Active 
Antenna Applications"
http://home.earthlink.net/~christrask/JFET%20Evaluation.pdf