Hi, mich würde interessieren, wann bei IGBT Halb-/Vollbrücken Snubber-Kondensatoren/Widerstände parallel zu den IGBTs geschaltet werden und wann lediglich Kondensaotren, um die Kollektor-Emitter-Spannung nach dem abschalten langsamer ansteigen zu lassen?
Okay, um das ganze etwas zu veranschaulichen hab ich es mal fix gezeichnet, die Werte sind zu vernachlässigen.
RC-Snubber ohne R macht man nicht. Eine IGBT-Brücke funktioniert meistens ohne Snubber, wenn man sie ordentlich aufbaut. Dazu gehört allerdings etwas mehr als auf dem Schaltplan zu sehen ist.
Antimedial schrieb: > Dazu gehört > allerdings etwas mehr als auf dem Schaltplan zu sehen ist. Und das wäre???
Mir ist klar, dass für die eigentliche Schaltung mehr Bauteile notwendig sind, hab diese auch lediglich innerhalb von 2 Minuten aufgezeichnet. Es ist ja dann auch kein RC-Snubber (wenn der R fehlt), er hat dabei einen ganz anderen Verwendungszweck. Der einzelne Kondensator, rechtes Schaltbild, soll dafür sorgen, dass nach dem Abschalten der IGBTs, die Kollektor-Emitter-Spannung nicht so schnell ansteigt, um Abschaltverluste zu reduzieren. Mein Problem ist, dass ich inzwischen schon beides gesehem hab, einmal mit Snubber-Widerstand und einmal ohne und ich mir darauf keinen Reim machen kann.
Windelfüller schrieb: > Es ist ja dann auch kein RC-Snubber (wenn der R fehlt), er hat dabei > einen ganz anderen Verwendungszweck. Der einzelne Kondensator, rechtes > Schaltbild, soll dafür sorgen, dass nach dem Abschalten der IGBTs, die > Kollektor-Emitter-Spannung nicht so schnell ansteigt, um > Abschaltverluste zu reduzieren. So ein Quatsch. 1. Die du/dt kannst du gar nicht durch Außenbeschaltung beeinflussen. Allenfalls in der Treiberstufe. Und selbst dort bei neueren IGBT nur begrenzt. 2. Ein Verlangsamen des du/dt würde die Schaltverluste eher erhöhen. 3. Eine kapazitive Last erhöht die Schaltverluste. 4. Das C würde eine enorme Pulsbelastung sehen und hat keine wirkliche Funktion. Ich bin mir 100% sicher, dass du da etwas verwechselst. Vermutlich waren die C eingangsseitig und nicht ausgangsseitig.
Habe auch schon beide Varianten gesehen. Größenordnung von C = 470pF, vom R = 22-47 Ohm. Sinn des ganzen ist eher Reduktion von di/dt beim Ausschalten und damit Reduktion von Spannungsspitzen an den IGBTs.
Wie gesagt, gesehen hab ich auch schon beides, nur stellt sich mir die Frage, wann wird was gemacht?
wenn das Layout nicht gut genug ist, sprich parasitäre Induktivitäten zu groß.
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