Hallo Forengemeinde, Ich bin gerade dabei für ein Projekt eine rein Ohmsche Last 1Ohm @12V per PWM zu regeln. Ein PT1000 dient als Temperatursensor. Ich möchte die Mosfets direkt per AVR ansteuern, deswegen der langsame Puls von 10ms. Jetzt habe ich folgende Mosfets zur Auswahl(Datenblätter im Anhang) IRFZ44 -> Kein Logic Level; fällt somit weg IRL3713 IRLB3034 lt. meinem Schulwissen ist das SOA Diagramm das "Maß der Dinge" hier gewinnt der IRL3713 (bezogen auf den zu erwartenden 10ms Pulse) jedoch hat der IRLB3034 den wesentlich niedrigeren RDSon (ca. 50%) auch die Thermischen Widerstände sind identisch. Ich werde daraus nicht schlau.Welcher von beiden verträgt bei gleichen Kühlkörper (7°C/W) mehr Drainstrom verträgt! Wäre nett wenn mich da mal wer aufklären könnte wo mein Denk/lesefehler liegt! Vielen Dank!
Kann sein, dass die beiden FETs deutlich unterschiedliche die-Größen haben. Das würde die stark unterschiedliche Avalanche Energy erklären (250mJ vs. 1,5J) und das würde auch zur Tendenz des SOA-Diagramms passen. Bei gepulster Belastung verteilt sich die anfallende Wärme einfach auf unterschiedliche Silizium-Volumen. Bei deiner Anwendung (12A) bist du mit beiden weit vom SOA-Limit weg - da würde ich mich einfach nur am R_DS orientieren.
Matthias schrieb: > rein Ohmsche Last 1Ohm @12V Also 12 V / 1 Ω = 12 Ampere. (KFZ?) > Puls von 10ms ??? Meinst du eine PWM-Frequenz von 100 Hz? Du hast 5 Volt Gatespannung zur Verfügung, somit liegt der Rdson bei: typ max P = I² * R IRL3713 3.3 4.0 mΩ 0.6 Watt IRLB3034PbF 1.6 2.0 mΩ 0.3 Watt Entscheidend ist der max Wert, nur für den garantiert der Hersteller. Die Schaltverluste vernachlässigen wir hier, bei 100 Hz ist das noch möglich. Mit LTspice abgeschätzt: 100 µJ 2 100 Hz = 0,02 Watt.
@ Matthias (Gast) >Ich bin gerade dabei für ein Projekt eine rein Ohmsche Last 1Ohm @12V >per PWM zu regeln. Das sind satte 12A! > Ein PT1000 dient als Temperatursensor. Ich möchte die >Mosfets direkt per AVR ansteuern, deswegen der langsame Puls von 10ms. Hä? >Jetzt habe ich folgende Mosfets zur Auswahl(Datenblätter im Anhang) >IRFZ44 -> Kein Logic Level; fällt somit weg >IRL3713 >IRLB3034 Der oft genannte IRLZ34N tut es, wenn gleich er einen Kühlkörper braucht. Klar kann man einen noch moderneren HighTec Boliden mit einstelligen mOhm nehmen, aber man muss es nicht immer übertreiben. >lt. meinem Schulwissen ist das SOA Diagramm das "Maß der Dinge" hier >gewinnt der IRL3713 (bezogen auf den zu erwartenden 10ms Pulse) Deine MOSFETs sind um Größenordnungen überdimensioniert. Du verstehst das SOA-Diagramm falsch. https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#SOA_Diagramm Bei PWM, sprich Schaltbetrieb, arbeitet der MOSFET nur für Bruchteile einer Mikrosekunde im Linearbetrieb. Die 12V/10A kann dabei jeder mittelmäßige MOSFET aushalten, selbst ein Oldie wie BUZ11. Es reicht also, wenn im SOA-Diagramm die Linie für 1us mehr als 12V/10A hergibt. Deine MOSFETs können dort mehrere 100 bis 1000A! Das sind MONSTER-MOSFETS! >Ich werde daraus nicht schlau.Welcher von beiden verträgt bei gleichen >Kühlkörper (7°C/W) > mehr Drainstrom verträgt! Wäre nett wenn mich da mal >wer aufklären könnte wo mein Denk/lesefehler liegt! Wo siehst du da einen nennenswerten Unterschied? Beide haben ein R_theta_JC von max. 0,45 K/W sowie ein typisches R_theta_CS von 0,5 K/W. Auch R_theta_JA ist mit 62 K/W praktisch gleich, das ist der Wert des Wärmewiderstands ohne Kühlkörper!
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Falk Brunner schrieb: > Das sind MONSTER-MOSFETS! Wenn die bei einem Kurzschluß nicht zerbröseln hat das Vorteile :-)
@all vielen Dank für die Antworten! Das die beiden Typen der Totale Overkill sind hätte ich nicht gedacht. Aber jetzt bin ich schlauer. Werde mir nochmals den Artikel zum SOA ordentlich zu Gemüte führen... Vllt. muss ich hier noch meine Typenauswahl rechtfertigen: Ich hab nur IRLB3034 in der Bastelkiste, den IRL3713 könnt ich von einem Kollegen haben. jetzt benutz ich den IRLB3034 werde bei der nächsten Bestellung besser auf die Dimensionierung achten. Dann wirds auch billiger :-) Nochmals vielen Dank für die Antworten! Grüße Matthias
@Matthias (Gast) >vielen Dank für die Antworten! Das die beiden Typen der Totale Overkill >sind hätte ich nicht gedacht. Ach ne? Dir ist es nicht merkwürdig vorgekommen, dass du mit einem 260A Transistor 12A schalten willst?
Matthias schrieb: > Ich möchte die > Mosfets direkt per AVR ansteuern, deswegen der langsame Puls von 10ms. Tu dir nen Gefallen: Setze einen Gatetreiber dazwischen. Die Dinger können beim Umschalten die Gatekapazität bewältigen, was ich von einem µC-Ausgang nicht glaube. Obendrein können sie bei Vorhandensein einer höheren (Roh-)spannung auch das Gate höher durchsteuern. Notfalls einen TTL-IC nehmen (6 Inverter und alle parallel). W.S.
Beide sind untauglich.
Begründung:
Die Gateladung (Qg) ist deutlich zu groß, als dass du das mit dem
Controllerpin schnell herausdrücken könntest. Die liegen bei so 60nC und
mehr - bei sagen wir 10mA dauert das lange (z.B. 6µs). Die FET schalten
extrem zäh, wodurch hohe Schaltverluste anfallen.
Du bräuchtest einen sehr guten Logik-Level FET mit gutem merit ("figure
of merit", RDSON * Qg).
http://www.vishay.com/docs/71933/71933.pdf
Da das schwierig werden wird, nimm doch einen Gatetreiber, wie oben
schon vorgeschlagen. Dann kannst du auch gleich die 12V fürs Gate
nehmen, und hast größere Auswahl bei den FET.
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