Hallo zusammen, ich möchte gern eine 5V Modellbaupumpe mit ca. 3A schalten. Da ich keine 3A an meinen AT Mega328-PIN hängen möchte, will ich die Pumpe(der aktuelle Plan) mit einem MOSFET einschalten. Irgendwo hier im Forum habe ich gelesen das der Verbraucher eine größere Spannung nutzen muss damit das P oder N (?) MOSFET richtig schalten kann. Leider habe ich den Beitrag 1. nicht verstanden 2. finde ich den nicht wieder und 3. weiß ich jetzt nicht ob ich ein P oder N MOSSFET nehmen muss... Kann mir jemand einen Tipp geben oder besser noch mir das erklären? Aktuell habe ich mir dieses Bauteil ausgesucht: IRF 540N :: Leistungs-MOSFET N-Ch TO-220AB Vielen Dank und Viele Grüße Sven
Sven H. schrieb: > 1. nicht verstanden Ich auch nicht: Eine größere Spannung als was? > 2. finde ich den nicht wieder Egal: Eh sinnlos. Sven H. schrieb: > IRF540N Diesen N MOSFET kannst Du nehmen. Mache antiparallel zur Modellbaupumpe noch eine Freilaufdiode, da die Pumpr eine induktive Last ist. Sven H. schrieb: > oder besser noch mir das erklären? Hast Du zum Artikel FET eine Frage? https://www.mikrocontroller.net/articles/FET
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Du brauchst die Schaltung rechts https://www.mikrocontroller.net/articles/Datei:Relais_npn.png mit Pumpe statt Relais, und IRLML6244 als MOSFET.
Torsten C. schrieb: >> IRF540N > > Diesen N MOSFET kannst Du nehmen. Um ihn von einem ATmega328 aus anzusteuern ? Gibt es einen Grund in diesem Forum zu trollen und Fragende in die Irre zu leiten ?
Hallo Torsten, danke für die Antwort. zu 1. ich meinte das der Verbraucher eine größere Spannung als die 5V am Gate haben muss. zu 2. Stimmt :-) zu 3. Werd ich lesen... Gruß Sven
Torsten C. schrieb: > MaWin schrieb: >> und IRLML6244 als MOSFET > > Warum geht Deiner Meinung nach der IRF540N nicht? Weil dessen On-Widerstand für eine Gate-Source-Spannung von 10 V spezifiziert ist und das kein ATmega direkt von einem Portpin aus liefern kann.
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Torsten C. schrieb: > Warum geht Deiner Meinung nach der IRF540N nicht? 5V reichen nicht um ihn durchzuschalten. Im Datenblatt steht nicht ohne Grund RDS(on) @ UGS=10V. Man braucht schon einen LogicLevel Typen.
Sven H. schrieb: > Aktuell habe ich mir dieses Bauteil ausgesucht Nur ausgesucht oder in der Bastelkiste vorrätig? Falls Du noch bestellen musst, nimm einen Logic-Level Typen, wie MaWin sagt. Es gibt auch welche mit Through-Hole, falls Du kein SMD willst, siehe ➩ MOSFET-Übersicht. MaWin schrieb: > Im Datenblatt steht nicht ohne Grund RDS(on) @ UGS=10V. OK, der IRF540N wird etwas wärmer als der IRLML6244. Ich würde auch den IRLML6244 nehmen. Aber gehen müsste es. Das Datenblatt schweigt sich über eine R_DS(on)-Kennlinie aus. Da ist nur die "Fig 3. Typical Transfer Characteristics". Demnach geht der IRF540N. Kannst Du aus dem Datenblatt die "Power-Dissipation" bei 3A und 4V U_GS ermitteln? Das ist mir nicht gelungen. Aber falls der TO eh bestellen muss, ist es nun auch egal. MaWin schrieb: > Gibt es einen Grund in diesem Forum zu trollen > und Fragende in die Irre zu leiten ? Ich kenne keinen. Warum fragst Du?
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Sven H. schrieb: > IRF 540N :: Leistungs-MOSFET N-Ch TO-220AB VGS(th) = 2..4V könnte knapp gehen. Ein Logik-FET ist besser geeignet, VGS(th) = 1..2V.
Peter D. schrieb: > VGS(th) = 2..4V könnte knapp gehen. Ja, wenn man zufällig einen mit 2V Vgs erwischt.
Peter D. schrieb: > Sven H. schrieb: >> IRF 540N :: Leistungs-MOSFET N-Ch TO-220AB > > VGS(th) = 2..4V könnte knapp gehen. > Ein Logik-FET ist besser geeignet, VGS(th) = 1..2V. Für solche direkte Anwendungen mit bereits vorhandenen Logikleveln nimmt man immer einen IRLxxx oder vergleichbare Mosfets. Um den On Widerstand zu minimieren dann noch einen N-Kanal. Dann ist man auf der sicheren Seite. Die Logiklevel Mosfets sind natürlich bei Ugs Spannungen größer 5V auch noch besser, aber sie sind durchaus akzeptabel um damit im Logiklevel Bereich zu arbeiten. Die meisten Mosfets benötigen eben Pegel bis zu +-15V (ganz grob, kommt ganz auf den Typ an) und damit benötigt man immer eine Push-Pull Treiberstüfe, welche man mit einem µC ansteuern kann. IRLZ34N liest man noch ganz oft hier im Forum.
Torsten C. schrieb: > Da ist nur die "Fig 3. Typical > Transfer Characteristics". Demnach geht der IRF540N. Nein, natürlich nicht, jede Woche derselbe Mist. UGS(th) ist NICHT die Spannung ab der er leitet, sondern unter der er zuverlässig sperrt. Die "typical" Diagramme beziehen sich nicht auf DEINEN MOSFET, sondern auf irgendeinen den du nicht hast. Wenn wie beim IRF540 die UGS(th) von 2V bis 4V reicht, dann wird das "typische" Modell 2.88V haben (sqrt(2)). Wenn dein zufällig von Reichelt geliefertes Teil real aber 2V UGS(th) hat, dann funktioniert er zufällig. Geht er kaputt und der nächste von Reichelt gelieferte MOSFET hat 4V UGS(th), dann benötigt er für die "typische" Kurve eben die 1.414-fache Gate-Spannung. Die Linie für 4.5V wird dann zu der Linie für 6.36V. So viel liefert ein 5V uC aber nicht. bei 4V fliessen gerade mal 250uA, bei 5V werden noch nicht 3A fliessen können, sondern vielleicht (Diagramm fehlt) 30mA. Damit funktioniert es nicht. Ein und dieselbe Schaltung geht also mit einem Transistor und geht mit dem nächsten mit dersleben Typennummer nicht mehr. So was ist Murks. So baut man keine Schaltungen auf. So was empfiehlt man keinem Bastler ! So was ist trollend in die Irre leiten. Jede Woche kommt hier aber so ein Depp der die Fragenden mit seinem Unfug den er selbst nicht verstanden hat in die Irre leitet.
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Ich find echt nett, dass man hier so viel Antworten bekommt, zumal oft ähnlich Fragen gestellt werden. Da ich noch kein SMD gelötet habe, liegt nun der IRLIZ44N im Warenkorb und könnte das noch auf den IRLIZ34N ändern. Wenn ich das hier jetzt richtig verstanden habe, wäre dies aber nicht nötig, oder? Meine Schaltung für die Pumpe sieht nun so aus wie im Anhang An den Pinheader wird die Pumpe angesteckt und SCHIFT_PUMP_0 geht halt zum AtMega.
Für deine Anwendungsfälle absolut egal, such dir den günstigeren raus ;)
Sven H. schrieb: > Ich find echt nett, dass man hier so viel Antworten bekommt, zumal oft > ähnlich Fragen gestellt werden. Ich finde es echt Scheiße, daß hier immer wieder die gleichen Fragen gestellt werden, die Leute entweder zu dumm oder zu faul sind die Suche zu benutzen. Leider gibt auch immer wieder Leute, die die ständigen Wiederholungen auch noch beantworten. Manchmal denke ich uC.net ist ein Ableger oder eine Aussenstelle von Google.
Falls du noch nicht bestellt hast: Ich habe schon mehrfach den IRLU024N mit Erfolg im Einsatz. Ist ein Logic-Level-MOSFET (VGS = 1...2V), günstig (etwa ein halber €) und kann auch bissel Strom (wenn vernünftig angesteuert). Gibts bei den gängigen Distributoren...
Sven H. schrieb: > Meine Schaltung für die Pumpe sieht nun so aus wie im Anhang Die 1n4148 hat einen "Repetitive peak forward current: max. 450mA". Da der 3A-strom durch eine Induktivität erstmal "weiter fließen will", bevor er sich abbaut, bekommt die Diode kurzzeitig auch 3A ab. Nimm wenigstens eine 1N4001 oder such Dir selbst eine aus und achte auf den Strom. MaWin schrieb: > … (Diagramm fehlt) 30mA. Damit funktioniert es nicht. Aha, war für mich nicht erkennbar, das Diagramm fehlt. Aber dafür sind Foren ja da: Man kann von den Erfahrungen anderer profitieren und lernt dazu. Es ist oft nur schwer zu unterscheiden, was "dumme Sprüche", "heiße Luft" oder "brauchbare Erfahrungen" sind. MaWin schrieb: > So was ist trollend in die Irre leiten. Im Sinne der Definition aus Wikipedia ist ein Funken Wahrheit dran: > … erfolgt mit der Motivation, eine Reaktion der anderen Teilnehmer zu > erreichen … In diesem Fall war es Deine Reaktion: Es hätte ja auch sein können, dass bei 4.8V noch 3A fließen. Nun sind wir alle ein Stück schlauer. Ich dachte zunächst, dass der TO den IRF540N schon vor der Nase liegen hat. Das hatte ich falsch verstanden. Auch wenn es mir bei Deiner Ausdrucksweise schwer fällt, mich bei Dir zu bedanken: Danke für Deine Hinweise.
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PS: Und dann kommt noch dazu, dass die "Fig 3. Typical Transfer Characteristics" für 50V U_DS gilt, und nicht für 5V. Klar: die Paralellverschiebung (blau) ist natürlich nicht exakt das echte Verhalten für ein Exemplar mit U_GS(th) = 4V. Sie soll zum Verständnis helfen und U_GS(th) = 4V haben vermutlich eh nur ein Promille der IRF540N. PPS: U_GS(th) sinkt mit steigender Temperatur, das passt auch zum Diagramm. Ein Stück weit "regelt" sich das Problem also aus. Ist aber alles nur Theorie, um die Zusammenhänge besser zu verstehen, bevor jemand denkt, es geht hier ums "Recht haben wollen".
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Peter D. schrieb: >> IRF 540N :: Leistungs-MOSFET N-Ch TO-220AB > > VGS(th) = 2..4V könnte knapp gehen. > Ein Logik-FET ist besser geeignet, VGS(th) = 1..2V. VGS(th) ist nicht der Wert, nach dem man suchen soll. Man sieht besser in die Zeile, in der der R ds(on) steht. Da steht dann normalerweise auch die Spannung Ugs für den dieser Rds(on) wert gilt.
@Harald Wilhelms: Du bringst es nochmal auf den Punkt, nur nicht so plump wie MaWin schrieb: > Im Datenblatt steht nicht ohne Grund RDS(on) @ UGS=10V. Da kann sich MaWin 'ne Scheibe von abschneiden.
U_GS(th) ist ja die Spannung unter der der MOSFET zuverlässig sperrt. Hat jemand eine Idee, wozu die obere Toleranz-Angabe für U_GS(th) im Datenblatt gut ist? Eigentlich interessiert doch nur die untere, oder?
Harald W. schrieb: > VGS(th) ist nicht der Wert, nach dem man suchen soll. > Man sieht besser in die Zeile, in der der R ds(on) > steht. Dazu muß man aber auch zwischen den Zeilen lesen wollen/können. Nimmt man das Datenblatt von IRF, Figure 1, sieht man bei Vgs = 5 V den Schnittpunkt Vds = 1 V @ 20 A. Auch ohne Taschenrechner kommt man damit auf RDSon von 50 mOhm als typ. Wert. Bei 3 A gibt es somit kein Problem, selbst wenn RDSon durch Streuungen etwas höher ausfallen sollte. @Sven H. Mit den N-Kanal MOSFETs kannst Du arbeiten, wenn Deine Pumpe nicht zwingend mit GND (Masse) verbunden sein muß. Fall Du die +Versorgungsspannung schalten mußt(willst), brauchst Du einen P-Kanal MOSFET; eine gute Alternative wäre auch ein BTS462, der Schutzfunktionen für Überlast und Übertemperatur eingebaut hat, und dennoch recht günstig ist. http://www.reichelt.de/BTS-462/3/index.html?&ACTION=3&LA=446&ARTICLE=115934&artnr=BTS+462&SEARCH=bts462
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m.n. schrieb: > Dazu muß man aber auch zwischen den Zeilen lesen wollen/können. Das ist bei fast allen Datenblättern so. Dieser Thread hilft gerade, dass Mitleser ihre Fähigkeiten beim "Datenblätter lesen" verbessern. > Nimmt man das Datenblatt von IRF, Figure 1 Auch hier: Das sind die "Typical Output Characteristics" für U_GS(th) = 2,88V ¯¯¯¯¯¯¯ … also grün in IRF540N_a.png. Weil der part-Link nicht richtig geht: https://www.mikrocontroller.net/part/IRF540N Was man an Fig. 1 aber gut sieht: Die "Transfer Characteristics" sind bei geringen GS-Spannungen bis hinunter zu 1V ziemlich unabhängig von U_DS. Es fragt sich noch, wie der Verlauf in Fig. 3 für ein Einzel-Exemplar mit U_GS(th) = 4V aussieht. Irgendwo im blauen Bereich, würde ich sagen. Für "Typical" stimmen die Punkte in beiden Diagrammen überein: Grüne Kringel bei U_DS = 50v (gelb). Rot ist 3 Ampere. Es könnte also sein, dass 'worst-case' 5,3V für 3A nötig sind. Ich befürchte, mit dem Datenblatt allein kommt man nicht weiter. Oder weiss noch jemand was?
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m.n. schrieb: > Nimmt man das Datenblatt von IRF, Figure 1, sieht man bei Vgs = 5 V den > Schnittpunkt Vds = 1 V @ 20 A. Kaum beginnt der Erste hier im Thread zu verstehen, Torsten C, kommt garantiert der Zweite, der nichts verstanden hat und bisher nichts gelesen hat, und der ganze Scheiss geht noch mal von vorne los, genau wie im Drehgeber-Thread wo Troll m.n. auch bis heute völlig merkbefreit rumtrollt. Auch für m.n.: Figure 1 ist TYPICAL, die reale für die Kurve benötige UGS kann 1.414 mal so gross oder 0.707 mal so gross sein.
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Ist das so? Falls ja, kann man sich den Verlauf bei 25°C herleiten, also im 'worst-case' und bevor der MOSFET warm wurde, so wie in der blauen Linie.
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Torsten C. schrieb: > Ich befürchte, mit dem Datenblatt allein kommt man nicht weiter. Warum nicht? Für Einzelstücke sind die typischen Werte problemlos brauchbar. Dem Chiphersteller braucht man sein Datenblatt nicht neu zu schreiben. Ferner gibt es so viel schöne MOSFETs, daß man sich seinen Typen nach Belieben aussuchen kann. Und falls schon einer zufällig in der Kiste liegt, er ist schnell geprüft und für gut befunden. Alles kein Problem!
m.n. schrieb: > er ist schnell geprüft Ganz vergessen, mein Schnelltest: Ohmmeter zwischen Source und Drain und dann eine 3 V Lithiumzelle zwischen Source und Gate halten. Dann sieht man schnell, was los ist.
m.n. schrieb: > m.n. schrieb: >> er ist schnell geprüft > > Ganz vergessen, mein Schnelltest: > Ohmmeter zwischen Source und Drain und dann eine 3 V Lithiumzelle > zwischen Source und Gate halten. Dann sieht man schnell, was los ist. Stellt sich nur die Frage, ob der Widerstand bei dem winzigen Prüfstrom dann auch dem bei mehreren Ampere entspricht. Der Messwert sagt ja nichts darüber aus, wo auf der Ugs-Id-Kennlinie man sich befindet und wie weit der Kanal schon offen ist. Zudem muss man aufpassen, dass man nicht die Diode zwischen Source und Drain misst. Ich halte es nach wie vor für die sauberste Lösung, sich einen MOSFET zu suchen, dessen On-Widerstand für eine Gate-Source-Spannung spezifiziert ist, die unterhalb der Spannung liegt, die ich am Gate anzulegen gedenke.
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