Hallo, ich würde gerne wissen, warum die PNP Transistoren von der Bandbreite etc. deutlich schlechter sind als NPN transisotoren. Das gleiche Phänomen tritt ja auch bei Mosfets auf. Woran liegt ?
Stichwort Ladungsträgermobilität in Halbleitern. Elektronen haben eine höhere Ladungsträgerbeweglichkeit als "Löcher".
heißt das denn Elektronen-Loch-paare oder Elektronen-Löcher
branadic schrieb: > Stichwort Ladungsträgermobilität in Halbleitern. Elektronen haben > eine höhere Ladungsträgerbeweglichkeit als "Löcher". Daher sind sie schneller und holen die Löcher ein! MfG Udo
Bipo schrieb: > heißt das denn Elektronen-Loch-paare oder Elektronen-Löcher Man bezeichnet sie (im Deutschen) allgemein als „Löcher“. Exakter wäre wohl „Fehlendes Elektron“, also ein Bereich in der Hülle, der geneigt ist, ein Elektron vom Nachbaratom abzuziehen. Auf diese Weise wandert das „Loch“ dann, wodurch ein Stromfluss entsteht. Dieser Prozess ist aber viel schwerfälliger als der, bei dem ein überzähliges Elektron selbst „umher hüpft“.
Mann kennt ja diese "Schiebespiele" https://de.wikipedia.org/wiki/15-Puzzle und wie lange es dauert ein "Loch" zu bewegen. Und nun stell dir vor das Brett ist leer bis auf einen Stein den du bewegen sollst.
Bipo schrieb: > warum die PNP Transistoren von der Bandbreite > etc. deutlich schlechter sind als NPN transisotoren. Richtig designt sind sie so furchtbar viel schlechter nicht. Die gegenüber Elektronen etwa 3-fach niedrigere Beweglichkeit der Minoritätsträger in der Basiszone wurde als Grund ja schon genannt. Wirklich schlecht sind die in vielen ICs aus technologischen Gründen verwendeten lateralen pnp-Transistoren. Der Schöpfer des 555-Timers, Hans Camenzind, bezeichnete sie als "die schlechtesten Transistoren der Welt", die man wegen ihrer grottenschlechten Eigenschaften als diskrete Bauteile gar nicht verkaufen könnte.
Ist das der Grund, warum manche Elektroniker mit beträchtlichem Aufwand ihre Audio-Endstufen nur aus NPN Transistoren designt haben?
Stefan U. schrieb: > Ist das der Grund, warum manche Elektroniker mit beträchtlichem Aufwand > ihre Audio-Endstufen nur aus NPN Transistoren designt haben? Mehr oder weniger schon, denn für eine gleichmäßige Aussteuerung in positive und negative Richtung sollten auch die Transistordaten gleich sein. Und nur mit gleichen Transistoren lässt sich das leicht errreichen.
Man sollte in dieser Frage zwischen diskreten und integrierten Transistoren unterscheiden. Das vertical/lateral PNP Thema ist eine direkte Folge gängiger Herstellungsweise von ICs. Die übliche Fertigung von ICs favorisiert über das gemeinsame Substrat eine bestimmte Art von Transistoren. Weshalb die anderen entweder schlechter sind (lateral) oder höheren Aufwand in der Fertigung zur Folge haben. Bei diskreten Transistoren hat man dieses Problem nicht.
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Lothar M. schrieb: > Stefan U. schrieb: >> Ist das der Grund, warum manche Elektroniker mit beträchtlichem Aufwand >> ihre Audio-Endstufen nur aus NPN Transistoren designt haben? > Mehr oder weniger schon, denn für eine gleichmäßige Aussteuerung in > positive und negative Richtung sollten auch die Transistordaten gleich > sein. Und nur mit gleichen Transistoren lässt sich das leicht > errreichen. Dafür gibt es ja Komplementärpaare. Bipo schrieb: > ich würde gerne wissen, warum die PNP Transistoren von der Bandbreite > etc. deutlich schlechter sind als NPN transisotoren. Bei Germaniumtransistoren ist das ungekehrt.
OXI T. schrieb: > Dafür gibt es ja Komplementärpaare. Die sind heutzutage ungefähr so selten wie MOSFETs für Linearbetrieb oder rosa Elefanten. Gute Si-PNP gibt's fast nur noch als NOS.
soul e. schrieb: > OXI T. schrieb: > >> Dafür gibt es ja Komplementärpaare. > > Die sind heutzutage ungefähr so selten wie MOSFETs für Linearbetrieb > oder rosa Elefanten. Gute Si-PNP gibt's fast nur noch als NOS. Mindestens Sanken hat da ausreichend Auswahl, nicht NOS. Ebenso gibts ausreichend Audio MOSFETs bei Renesas. Lediglich für rosa Elefanten und Positronenröhren kann ich dir keine Bezugsquelle nennen.
Class-AB Verstärker werden heute immer noch häufig gebaut. Bekannte Komplementärpaare sind z.B. BD135/BD136 oder 2SC5198/2SA1941.
ich meine PNPs müssen mit wesentlich mehr Halbleitermaterial hergestellt werden, also alleine wegen Platzbedarf in ICs sind die dann schon ungünstiger, wenn das jemand bestätigen mag :)
OXI T. schrieb: > Bipo schrieb: >> ich würde gerne wissen, warum die PNP Transistoren von der Bandbreite >> etc. deutlich schlechter sind als NPN transisotoren. > > Bei Germaniumtransistoren ist das ungekehrt. Bei Ge-Transistoren hatte das Fertigungsgründe. PNPs konnten hergestellt werden, indem an ein N-Germaniumsubstrat P-Indiumpillen anlegiert wurden. Auch in Ge haben Elektronen die größere Mobilität, genau wie in Silizium. Nur das in Ge sowohl Elektronen als auch Löcher schneller als in Si sind. Hp M. schrieb: > Wirklich schlecht sind die in vielen ICs aus technologischen Gründen > verwendeten lateralen pnp-Transistoren. > Der Schöpfer des 555-Timers, Hans Camenzind, bezeichnete sie als "die > schlechtesten Transistoren der Welt", die man wegen ihrer > grottenschlechten Eigenschaften als diskrete Bauteile gar nicht > verkaufen könnte. Nur wegen den "miesen PNPs" in ICs gibt es überhaupt Spielerein wie Stromspiegel mit vier oder fünf (...PNP...) Transistoren :-)
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OXI T. schrieb: > Bei Germaniumtransistoren ist das ungekehrt. Ulkiger Weise hat die CSSR fast ausschließlich npn-Germanium hergestellt: http://www.abetterpage.com/wt/soviet/TeslaT60.html Wenn man dann versuchte, so ein Gerät mit DDR-Transistoren zu reparieren, hat es geraucht.
Peter D. schrieb: > Ulkiger Weise hat die CSSR fast ausschließlich npn-Germanium > hergestellt Sieh an. Hätte man ja komplementär konstruieren können. LG OXI
OXI T. schrieb: > Hätte man ja komplementär konstruieren können. Hat man auch. Das Pärchen hieß 101NU71/GC507 und wurde in einigen Radios eingesetzt. Für mehr Power gabs dann die AC128K/AC176K und AD161/AD162 aus Ungarn (Tungsram).
Hallo ja so macht das Forum Spaß: Es werden Vorgänge und Ursachen auf verständlicher Weise erklärt die woanders entweder einfach ignoriert oder als gegeben hingenommen werden oder direkt auf einen derart hohen und abstrakten Niveau "erklärt" werden mit der ein Hobbyist kaum etwas anfangen kann. Danke
> warum die PNP Transistoren von der Bandbreite etc. deutlich schlechter > sind als NPN Transistoren. Weil sie, in Silizium, schwerer zu dotieren sind und daher meist räumlich größer werden. Allerdings gibt es mittlerweile auch gleichwertige PNP-NPN Pärchen bei denen den PNP dann häufig teurer ist. Grüße Löti
Lothar S. schrieb: > Weil sie, in Silizium, schwerer zu dotieren sind und daher meist > räumlich größer werden. Hmpf. Weiter oben stehen deutlich konkretere Begründungen, und die kamen schon vor vielen Tagen.
Jörg W. schrieb: > Weiter oben stehen deutlich konkretere Begründungen Die aber nicht der tatsächliche Grund sind. Grüße
Lothar S. schrieb: > Weil sie, in Silizium, schwerer zu dotieren sind Kannst du darauf bitte nochmal etwas genauer eingehen. Warum sind pnp-Transistoren schwerer zu dotieren? Hp M. schrieb: > Wirklich schlecht sind die in vielen ICs aus technologischen Gründen > verwendeten lateralen pnp-Transistoren. Sicherlich spielt auch Hp M. darauf an?
Bodo schrieb: > Kannst du darauf bitte nochmal etwas genauer eingehen. Warum sind > pnp-Transistoren schwerer zu dotieren? > > Hp M. schrieb: >> Wirklich schlecht sind die in vielen ICs aus technologischen Gründen >> verwendeten lateralen pnp-Transistoren. > > Sicherlich spielt auch Hp M. darauf an? Nein, die lateralen pnps sind nicht so schlecht, weil sie so schwer herzustellen wären, sondern im Gegenteil, weil sie auf einfachste Weise ohne zusätzliche Prozeßschritte, zusammen mit den normalen npn-Transistoren hergestellt werden. Dadurch haben sie ein völlig falsches Dotierungsprofil: Emitter und Kollektor werden aus dem niedrig dotierten und schlecht leitenden p-Silizium der Basisdiffusion hergestellt, und das Material der Basiszone entspricht dem Kollektor eines npn-Transistors. Für einen anständigen Transistor müssten die Dotierungsstärken aber gerade umgekehrt sein. Wegen des hochohmigen Emitters sind diese Transistoren auch nur für geringe Ströme geeignet. Hinzu kommt, dass die Dicke der Basiszone bzw. die Zeit, die die Ladungsträger sich dort aufhalten, nicht durch eine Diffusion definiert wird, sondern durch das Auflösungsvermögen der Lithographie. Das ergibt eine niedrige Grenzfrequenz und verschlechtert die Stromverstärkung des Transistors weiter. Immerhin ist dieser Punkt durch die Fortschritte der Lithographie gegenüber den früher üblichen Strukturbreiten von 6µm und mehr entschärft worden.
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Bodo schrieb: > Warum sind pnp-Transistoren schwerer zu dotieren? Da Silizium-Rohmaterial normalerweise n verunreinigt ist. Grüße Löti
Lothar S. schrieb: > Da Silizium-Rohmaterial normalerweise n verunreinigt ist. Lothar, du hast sowas von keine Ahnung, bitte hör jetzt einfach mal auf damit. Es gibt im Thread ausreichend vernünftige Erklärungen.
Bipo schrieb: > ich würde gerne wissen, warum die PNP Transistoren von der Bandbreite > etc. deutlich schlechter sind als NPN transisotoren. ..... Woran liegt ? sind sie das? ich habe gerade mal BC141/161 verglichen, http://www.biltek.tubitak.gov.tr/gelisim/elektronik/dosyalar/36/bc141.pdf http://www.multcomercial.com.br/doc/transistores/BC161-16.pdf deutlich schlechter sehe ich nicht
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Jörg W. schrieb: > Lothar, du hast sowas von keine Ahnung, bitte hör jetzt einfach mal > auf damit. Es gibt im Thread ausreichend vernünftige Erklärungen. Da bei beiden Transistortypen sowohl P- als auch N-leitendes Material im Stromkreis liegt, finde ich die Erklärungen nicht ausreichend vernünftig. Kann aber auch ohne vernünftige Erklärung weiterbasteln. LG OXI
So wirklich groß sind die Unterschiede zwischen NPNs und PNPs nicht. Bei den PNPs bei den Komplementär-Paaren strengt man sich ggf. auch etwas mehr um bei den parametern nicht so weit auseinander zu liegen. Die PNPs sind auch nicht in jeder Hinsicht schlechter: das 1/f rauschen ist von der Tendenz her etwas besser. Im NPN Transistor ist der entscheidende Schritt die Bewegung von Elektronen druch die Basis. Entsprechend sind die Eigenschaften der Elektronen wichtig. Bei den Löchern ist es sogar positive, wenn die nicht so sehr in den Emitter diffundieren.
OXI T. schrieb: > Da bei beiden Transistortypen sowohl P- als auch N-leitendes > Material im Stromkreis liegt, finde ich die Erklärungen > nicht ausreichend vernünftig. Entscheidend ist die höhere Ladungsträgerbeweglichkeit da, wo der Strom auch fließt: zwischen Kollektor und Emitter bzw. im Kanal. Daher braucht ein pnp-Transistor (oder p-Kanal-FET) für vergleichbare Eigenschaften schon mal mehr Fläche als ein npn-Transistor oder n-Kanal-FET. Beim genannten lateralen pnp-Transistor kommt dann noch hinzu, dass bei ihm die Dotierung im p-Bereich (also wieder Kollektor/Emitter) vergleichsweise gering ist, sodass er dort hohe Widerstände aufweist.
Jörg W. schrieb: > Lothar, du hast sowas von keine Ahnung Könnte es sein Das Du keine Ahnung hast? Oder wie erklärst Du das es bei Germanium genau anders ist? Joachim B. schrieb: > ich habe gerade mal BC141/161 verglichen, > http://www.biltek.tubitak.gov.tr/gelisim/elektronik/dosyalar/36/bc141.pdf > http://www.multcomercial.com.br/doc/transistores/BC161-16.pdf > deutlich schlechter sehe ich nicht Na ja, die Collector-Base Capacitance ist um 25% größer. Das kann man schon als deutlich bezeichnen. Grüße Löti
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Lothar S. schrieb: > Oder wie erklärst Du das es bei Germanium genau anders ist? Es war da nicht „genau anders“. Auch pnp-Germanium war grottenschlecht, das vergisst man nur gern. Die Ge-Leistungstransistoren hatten oft Transitfrequenzen, die in einem NF-Verstärker schon der limitierende Faktor waren. pnp war eben nur technologisch beim Legierungstransistor einfacher herzustellen.
So eine Grundsatzfrage ist doch praktisch Unsinn. Man hat doch immer einen entsprechenden Typ. Selbst in der GE-Zeit konnte man Geräte komplett in NPN realisieren. Nie habe ich mir Gedanken darüber gemacht. Die Auswahl ist ja riesengroß.
Danke Hp M. das klingt plausibel. Lothar S. schrieb: > Da Silizium-Rohmaterial normalerweise n verunreinigt ist. Das klärt meine Frage nicht. Dotieren kann ich doch trotzdem, die Technologie dafür wird schon lange beherrscht. Ohnehin sind die ungewollten Hintergrunddotierungen im Silizium so gering (10^12 1/cm^3), dass es kaum eine Rolle spielt. Es wird sowieso fast nicht mit ungewollt dotiertem Material gearbeitet. Joachim B. schrieb: > ich habe gerade mal BC141/161 vergliche > deutlich schlechter sehe ich nicht Wenn du dir ein komplementäres Transistorpaar anschaust wirst du auch nix sehen. Die sind ja extra gleich gestaltet. Man kann auch den npn-Transistor schlechter machen als möglich um ihn auf das Niveau des pnp-Transistors zu bringen und somit ein Pärchen zu erhalten. Trotzdem wird man die bestmöglichen Eigenschaften beim npn-BPT oder n-channel MOSFET erreichen. Voraussetzung ist natürlich der bestmögliche Prozess für jeden Typ. Der Grund dafür liegt, wie schon mehrere Mal beschrieben, in der Ladungsträgermobilität: Jörg W. schrieb: > Entscheidend ist die höhere Ladungsträgerbeweglichkeit da, wo der > Strom auch fließt: zwischen Kollektor und Emitter bzw. im Kanal. > Daher braucht ein pnp-Transistor (oder p-Kanal-FET) für vergleichbare > Eigenschaften schon mal mehr Fläche als ein npn-Transistor oder > n-Kanal-FET. michael_ schrieb: > So eine Grundsatzfrage ist doch praktisch Unsinn. Für dich vielleicht. Wenn du aber ein Bauelement mit bestmöglichen Eigenschaften suchst (z.B. minimaler RDSon bei kleinst möglicher Gatekapazität) dann brauchst du nicht mit p-channel MOSFETs anfangen.
Jörg W. schrieb: > Lothar S. schrieb: > >> Oder wie erklärst Du das es bei Germanium genau anders ist? > > Es war da nicht „genau anders“. > > Auch pnp-Germanium war grottenschlecht, das vergisst man nur gern. > Die Ge-Leistungstransistoren hatten oft Transitfrequenzen, die > in einem NF-Verstärker schon der limitierende Faktor waren. > > pnp war eben nur technologisch beim Legierungstransistor einfacher > herzustellen. AF239 fällt mir da gerade ein. Kennst Du einen Ge NPN der damit vergleichbar ist? LG OXI
OXI T. schrieb: > Kennst Du einen Ge NPN der damit vergleichbar ist? Nö, da hat aber be Ge die Entwicklung praktisch auch aufgehört damit. Das Ende der Fahnenstange war erreicht, alle weitere Forschung ging nur noch in Si dann.
Jörg W. schrieb: > Nö, beim Ge-BJT ist halt wirklich PNP "besser". Damit ist die Forenerklärung hier hinfällig. LG OXI
Zur 'Ehrenrettung' der PNP (vor allem der Siliziums) muss man auch mal anmerken, das ihnen lange Jahre der Ruf nach-(oder vor-)eilte, sie seien rauschärmer. Die Elektor hatte sogar damals mal einen Moving Coil Vorverstärker mit Hochstrom PNP HF-Transistor, der angeblich deutlich besser war, als sein Kollege mit NPN. Ob das alles wirklich so stimmt, lasse ich mal dahingestellt. Aber immerhin steht hier auch noch das 'rauscharm' Argument: http://www.4qdtec.com/preamp.html Die 2te Schaltung natürlich. > Theoretically PNP transistors can have lower noise level than NPNs.
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Ist das relevantere Argument für PNP-Transistoren in der Differenzverstärker-Eingangsstufe bei diskreten Verstärkern nicht eher, dass die zweite Emitterstufe direkt mit NPNs gebaut werden kann, die am Ende eben doch schneller (2N3906 <-> 2N3904, als typisches Beispiel) / weniger Miller-Kapazität als ein PNP-Pendant haben?!
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Marian . schrieb: > Ist das relevantere Argument für PNP-Transistoren in der > Differenzverstärker-Eingangsstufe bei diskreten Verstärkern nicht eher, > dass die zweite Emitterstufe direkt mit NPNs gebaut werden kann, die am > Ende eben doch schneller (2N3906 <-> 2N3904, als typisches Beispiel) / > weniger Miller-Kapazität als ein PNP-Pendant haben?! Nöö, gerade an der Stelle wird das nicht gebraucht, weil der Verstärker dort mit dem Miller-Effekt korrigiert wird (es wird mit der Miller-Kapazität plus Zusatzkapazität ein Pol bei etwa 10...100Hz erzeugt). Neben dem geringeren Rauschen durch den kleineren Basisbahnwiderstand ist das Hauptargument für die komplemantären Transistoren das man mit Komplementärschaltungen viel bessere Eigenschaften und weniger Aufwand gegenüber einer Schaltung aus rein npn oder pnp erreicht.
ArnoR schrieb: >> Ist das relevantere Argument für PNP-Transistoren in der >> Differenzverstärker-Eingangsstufe bei diskreten Verstärkern nicht eher, >> dass die zweite Emitterstufe direkt mit NPNs gebaut werden kann, die am >> Ende eben doch schneller (2N3906 <-> 2N3904, als typisches Beispiel) / >> weniger Miller-Kapazität als ein PNP-Pendant haben?! > > Nöö, gerade an der Stelle wird das nicht gebraucht, weil der Verstärker > dort mit dem Miller-Effekt korrigiert wird (es wird mit der > Miller-Kapazität plus Zusatzkapazität ein Pol bei etwa 10...100Hz > erzeugt). Genau, aber die mögliche Grenzfrequenz hier wird ja gerade durch die Geschwindigkeit der Schaltung bestimmt, wenn ich also in der zweiten Stufe einen [signifikant] langsameren Transistor einsetze, muss die Grenzfrequenz der Schleifenverstärkung noch niedriger gewählt werden.
Marian . schrieb: > die mögliche Grenzfrequenz hier wird ja gerade durch die > Geschwindigkeit der Schaltung bestimmt... Nicht an der Stelle. Die nötige Korrektur (der erste Pol) ist bestimmt durch den zweiten Pol, der am Kollektor dieser Stufe durch die Belastung mit Treiber/Endstufe entsteht. Der erste Pol muss bei <fp2/Vs liegen. Der VAS-Transistor begrenzt die Grenzfrequenz normalerweise nicht.
Du hast recht, ich hab mir das noch mal skizziert. Danke!
OXI T. schrieb: > beim Ge-BJT ist halt wirklich PNP "besser". Dem ist nicht so, und ein Blick in die Datenblätter zeigt das deutlich. > Damit ist die Forenerklärung hier hinfällig. Hat jemand das Forum erklärt?
OXI T. schrieb: > AF239 fällt mir da gerade ein. > Kennst Du einen Ge NPN der damit vergleichbar ist? Jörg W. schrieb: > Nö hinz schrieb: > OXI T. schrieb: > >> beim Ge-BJT ist halt wirklich PNP "besser". > > Dem ist nicht so, und ein Blick in die Datenblätter zeigt das deutlich. Na dann zeige mir mal bitte den besseren Ge-NPN. Wobei der AF239 gar nicht mal der beste pnp war, er war aber wohl der am häufigsten verwendete. LG OXI
OXI T. schrieb: > Na dann zeige mir mal bitte den besseren Ge-NPN. Du kannst also keine Datenblätter lesen, kennst nicht mal die damals gängigsten Transistoren. > Wobei der AF239 gar nicht mal der beste pnp war, Bei weitem nicht, für Audioendstufen völlig ungeeignet. > er war aber wohl der am häufigsten verwendete. Sicher nicht. EOD
OXI T. schrieb: > Na dann zeige mir mal bitte den besseren Ge-NPN. Es hat sich einfach keiner mehr um Ge geschert, bei denen man aufwändige Klimmzüge mit Basisschaltung machen musste, um überhaupt irgendwo ins UHF zu kommen, wenn selbst einfachste Si-Transistoren zur gleichen Zeit schon VHF-tauglich waren. Wofür zum Geier™ hätte dann noch jemand einen npn-UHF-Ge-Transistor entwickeln wollen? Es war zu dem Zeitpunkt sonnenklar, dass das mit Si viel billiger zu haben sein wird. Dass man für Transistoren wie AF239 eher auf pnp gesetzt hat, dürfte wohl am ehesten darauf zurückzuführen sein, dass man dafür die entsprechenden Dotierungs- und Diffusionsprofile damals am besten beherrscht hat. Das waren in dieser Zeit ja noch Erfahrungswerte und keine Computersimulationen.
Jahrzehnte nach dem faktischen Tod von Germanium gab es eine Firma "Germanium Power Devices", die sich dem Namen entsprechend dieses Materials widmete. Was die aber alles im Programm hatten weiss ich nicht. Gefunden habe ich Dioden - und da ergibt das noch einen gewissen Sinn.
hinz schrieb: > AF239 > Bei weitem nicht, für Audioendstufen völlig ungeeignet. Ich glaube, der (bzw. mehrere Parallel) war als Eingangsstufe für einen Movingcoil-Verstärker vorgesehen. Da muss man ja schon auf geringes Rauschen achten. Nf-Endstufen wurden ja anfänglich auch als typische Gegentaktstufe mit zwei gleichen Transistoren und Ausgangstrafo und Steuertrafo aufgebaut. Sog. "eisenlose Endstufen" hat man sich erst deutlich später ausgedacht.
Harald W. schrieb: > Nf-Endstufen wurden ja anfänglich auch als typische Gegentaktstufe > mit zwei gleichen Transistoren und Ausgangstrafo und Steuertrafo > aufgebaut. Zumal es vom direkten Vorläufer bis heute keinen Komplementärtyp gibt. Oder hat schon mal jemand eine P-Röhre gesehen?
A. K. schrieb: > Oder hat schon mal jemand eine P-Röhre gesehen? Ja, ich. :-)
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Es gibt schon schnelle Ge NPN transistoren -aber eher exoten: http://www.ebay.ca/itm/2x-1T383A-USSR-Germanium-UHF-Low-Noise-2-4GHz-NPN-Gold-Pins-transistors-/191697177433 Beim Germanium war auch eher die Technik zum Herstellen das Problem, nicht so sehr die Materialparameter selber. Im Germanium hat man auch nur einen Faktor 2 zwischen der Beweglichkeit von Löchern und Elektronen. Beim Silizum ist es ein Faktor 3.
A. K. schrieb: > Zumal es vom direkten Vorläufer bis heute keinen Komplementärtyp gibt. Dafür besitzen die Trioden einen Durchgriff. Damit kann man auch schon einiges machen. LG OXI
Joachim B. schrieb: >> Oder hat schon mal jemand eine P-Röhre gesehen? > > Eine? nee hunderte :-) Bei denen an Stelle der Elektronen die Löcher durchs Vakuum flitzen? ;-)
A. K. schrieb: > Bei denen an Stelle der Elektronen die Löcher durchs Vakuum flitzen? ;-) Die heißen dort Ionen. :)
A. K. schrieb: > Positronen fänd ich interessanter. Geht ohne molekülverdichtetes Panzerterkonit nicht. ;-)
Z.B. der bekannte OPV LM358 hat PNP in der Eingangsstufe. Ganz so schlecht können die Si-PNP also nicht sein, wie hier behauptet wird.
Als schlecht wurden die lateralen PNPs bezeichnet. Der LM358 hat da aber laterale NPNs drin. ;-)
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Ich nehme immer, was am besten paßt. Lediglich bei hohen Spannungen (ab -500V) wird die Luft bei PNP bzw. P-FET recht dünne.
Peter D. schrieb: > Lediglich bei hohen Spannungen (ab -500V) wird die Luft bei PNP bzw. > P-FET recht dünne. Bei hohen Frequenzen ebenfalls. Wenn du bspw. mal bei NXP schaust, findest du unter ca. 60 HF-Transistoren ganze fünf in pnp. Deren maximale Transitfrequenz ist 5 GHz, d. h. für normale Verstärker bis etwa 1 GHz geeignet. Bei npn ist die maximale Transitfrequenz 17 GHz.
A. K. schrieb: > Positronen fänd ich interessanter. Ja, dann sieht man doch alles gleich viel positiver. :-)
A. K. schrieb: > Bei denen an Stelle der Elektronen die Löcher durchs Vakuum flitzen? ;-) nee Serienheizung mit 0,3A :p PL/PY PCL PCC selterner
Joachim B. schrieb: > A. K. schrieb: >> Bei denen an Stelle der Elektronen die Löcher durchs Vakuum flitzen? ;-) > > nee Serienheizung mit 0,3A :p > > PL/PY PCL PCC selterner Dein Ironiedetektor ist damit bestückt?
hinz schrieb: > Dein Ironiedetektor ist damit bestückt? ach das sollte Ironie sein, das musst noch üben :-)
hinz schrieb: >> A. K. schrieb: > Dein Ironiedetektor ist damit bestückt? Röhrenbestückte Ironiedetektoren können moderne Ironie nicht erkennen. Da braucht man schon mindestens einen Vierkernprozessor.
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