Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Warum sind PNP Transistoren "schlechter" als NPN


von Bipo (Gast)


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Hallo,

ich würde gerne wissen, warum die PNP Transistoren von der Bandbreite 
etc. deutlich schlechter sind als NPN transisotoren. Das gleiche 
Phänomen tritt ja auch bei Mosfets auf. Woran liegt ?

von branadic (Gast)


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Stichwort Ladungsträgermobilität in Halbleitern. Elektronen haben eine 
höhere Ladungsträgerbeweglichkeit als "Löcher".

von Bipo (Gast)


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heißt das denn Elektronen-Loch-paare oder Elektronen-Löcher

von Zu(Höhrer) (Gast)


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branadic schrieb:
> Stichwort Ladungsträgermobilität in Halbleitern. Elektronen haben
> eine höhere Ladungsträgerbeweglichkeit als "Löcher".
Daher sind sie schneller und holen die Löcher ein!
MfG Udo

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Bipo schrieb:
> heißt das denn Elektronen-Loch-paare oder Elektronen-Löcher

Man bezeichnet sie (im Deutschen) allgemein als „Löcher“.

Exakter wäre wohl „Fehlendes Elektron“, also ein Bereich in der
Hülle, der geneigt ist, ein Elektron vom Nachbaratom abzuziehen.
Auf diese Weise wandert das „Loch“ dann, wodurch ein Stromfluss
entsteht.  Dieser Prozess ist aber viel schwerfälliger als der,
bei dem ein überzähliges Elektron selbst „umher hüpft“.

von Max M. (jens2001)


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Mann kennt ja diese "Schiebespiele"
https://de.wikipedia.org/wiki/15-Puzzle
und wie lange es dauert ein "Loch" zu bewegen.
Und nun stell dir vor das Brett ist leer bis auf einen Stein den du 
bewegen sollst.

von Hp M. (nachtmix)


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Bipo schrieb:
> warum die PNP Transistoren von der Bandbreite
> etc. deutlich schlechter sind als NPN transisotoren.

Richtig designt sind sie so furchtbar viel schlechter nicht.
Die gegenüber Elektronen etwa 3-fach niedrigere Beweglichkeit der 
Minoritätsträger in der Basiszone wurde als Grund ja schon genannt.

Wirklich schlecht sind die in vielen ICs aus technologischen Gründen 
verwendeten lateralen pnp-Transistoren.
Der Schöpfer des 555-Timers, Hans Camenzind, bezeichnete sie als "die 
schlechtesten Transistoren der Welt", die man wegen ihrer 
grottenschlechten Eigenschaften als diskrete Bauteile gar nicht 
verkaufen könnte.

von Stefan F. (Gast)


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Ist das der Grund, warum manche Elektroniker mit beträchtlichem Aufwand 
ihre Audio-Endstufen nur aus NPN Transistoren designt haben?

von Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite


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Stefan U. schrieb:
> Ist das der Grund, warum manche Elektroniker mit beträchtlichem Aufwand
> ihre Audio-Endstufen nur aus NPN Transistoren designt haben?
Mehr oder weniger schon, denn für eine gleichmäßige Aussteuerung in 
positive und negative Richtung sollten auch die Transistordaten gleich 
sein. Und nur mit gleichen Transistoren lässt sich das leicht 
errreichen.

von (prx) A. K. (prx)


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Man sollte in dieser Frage zwischen diskreten und integrierten 
Transistoren unterscheiden. Das vertical/lateral PNP Thema ist eine 
direkte Folge gängiger Herstellungsweise von ICs.

Die übliche Fertigung von ICs favorisiert über das gemeinsame Substrat 
eine bestimmte Art von Transistoren. Weshalb die anderen entweder 
schlechter sind (lateral) oder höheren Aufwand in der Fertigung zur 
Folge haben.

Bei diskreten Transistoren hat man dieses Problem nicht.

: Bearbeitet durch User
von oldeurope O. (Gast)


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Lothar M. schrieb:
> Stefan U. schrieb:
>> Ist das der Grund, warum manche Elektroniker mit beträchtlichem Aufwand
>> ihre Audio-Endstufen nur aus NPN Transistoren designt haben?
> Mehr oder weniger schon, denn für eine gleichmäßige Aussteuerung in
> positive und negative Richtung sollten auch die Transistordaten gleich
> sein. Und nur mit gleichen Transistoren lässt sich das leicht
> errreichen.

Dafür gibt es ja Komplementärpaare.

Bipo schrieb:
> ich würde gerne wissen, warum die PNP Transistoren von der Bandbreite
> etc. deutlich schlechter sind als NPN transisotoren.

Bei Germaniumtransistoren ist das ungekehrt.

von Soul E. (Gast)


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OXI T. schrieb:

> Dafür gibt es ja Komplementärpaare.

Die sind heutzutage ungefähr so selten wie MOSFETs für Linearbetrieb 
oder rosa Elefanten. Gute Si-PNP gibt's fast nur noch als NOS.

von hinz (Gast)


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soul e. schrieb:
> OXI T. schrieb:
>
>> Dafür gibt es ja Komplementärpaare.
>
> Die sind heutzutage ungefähr so selten wie MOSFETs für Linearbetrieb
> oder rosa Elefanten. Gute Si-PNP gibt's fast nur noch als NOS.

Mindestens Sanken hat da ausreichend Auswahl, nicht NOS. Ebenso gibts 
ausreichend Audio MOSFETs bei Renesas. Lediglich für rosa Elefanten und 
Positronenröhren kann ich dir keine Bezugsquelle nennen.

von Peter D. (peda)


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Class-AB Verstärker werden heute immer noch häufig gebaut.
Bekannte Komplementärpaare sind z.B. BD135/BD136 oder 2SC5198/2SA1941.

von sdghb (Gast)


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ich meine PNPs müssen mit wesentlich mehr Halbleitermaterial hergestellt 
werden, also alleine wegen Platzbedarf in ICs sind die dann schon 
ungünstiger, wenn das jemand bestätigen mag :)

von Marian (phiarc) Benutzerseite


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OXI T. schrieb:
> Bipo schrieb:
>> ich würde gerne wissen, warum die PNP Transistoren von der Bandbreite
>> etc. deutlich schlechter sind als NPN transisotoren.
>
> Bei Germaniumtransistoren ist das ungekehrt.

Bei Ge-Transistoren hatte das Fertigungsgründe. PNPs konnten hergestellt 
werden, indem an ein N-Germaniumsubstrat P-Indiumpillen anlegiert 
wurden.

Auch in Ge haben Elektronen die größere Mobilität, genau wie in 
Silizium. Nur das in Ge sowohl Elektronen als auch Löcher schneller als 
in Si sind.

Hp M. schrieb:
> Wirklich schlecht sind die in vielen ICs aus technologischen Gründen
> verwendeten lateralen pnp-Transistoren.
> Der Schöpfer des 555-Timers, Hans Camenzind, bezeichnete sie als "die
> schlechtesten Transistoren der Welt", die man wegen ihrer
> grottenschlechten Eigenschaften als diskrete Bauteile gar nicht
> verkaufen könnte.

Nur wegen den "miesen PNPs" in ICs gibt es überhaupt Spielerein wie 
Stromspiegel mit vier oder fünf (...PNP...) Transistoren :-)

: Bearbeitet durch User
von Peter D. (peda)


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OXI T. schrieb:
> Bei Germaniumtransistoren ist das ungekehrt.

Ulkiger Weise hat die CSSR fast ausschließlich npn-Germanium 
hergestellt:

http://www.abetterpage.com/wt/soviet/TeslaT60.html

Wenn man dann versuchte, so ein Gerät mit DDR-Transistoren zu 
reparieren, hat es geraucht.

von oldeurope O. (Gast)


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Peter D. schrieb:
> Ulkiger Weise hat die CSSR fast ausschließlich npn-Germanium
> hergestellt

Sieh an. Hätte man ja komplementär konstruieren können.

LG
OXI

von Peter D. (peda)


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OXI T. schrieb:
> Hätte man ja komplementär konstruieren können.

Hat man auch. Das Pärchen hieß 101NU71/GC507 und wurde in einigen Radios 
eingesetzt.
Für mehr Power gabs dann die AC128K/AC176K und AD161/AD162 aus Ungarn 
(Tungsram).

von Bastler (Gast)


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Hallo

ja so macht das Forum Spaß:
Es werden Vorgänge und Ursachen auf verständlicher Weise erklärt die 
woanders entweder einfach ignoriert oder als gegeben hingenommen werden 
oder direkt auf einen derart hohen und abstrakten Niveau "erklärt" 
werden mit der ein Hobbyist kaum etwas anfangen kann.
Danke

von Lothar S. (loeti)


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> warum die PNP Transistoren von der Bandbreite etc. deutlich schlechter
> sind als NPN Transistoren.

Weil sie, in Silizium, schwerer zu dotieren sind und daher meist 
räumlich größer werden.
Allerdings gibt es mittlerweile auch gleichwertige PNP-NPN Pärchen bei
denen den PNP dann häufig teurer ist.

Grüße Löti

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Lothar S. schrieb:
> Weil sie, in Silizium, schwerer zu dotieren sind und daher meist
> räumlich größer werden.

Hmpf.  Weiter oben stehen deutlich konkretere Begründungen, und die
kamen schon vor vielen Tagen.

von Lothar S. (loeti)


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Jörg W. schrieb:
> Weiter oben stehen deutlich konkretere Begründungen

Die aber nicht der tatsächliche Grund sind.

Grüße

von Bodo (Gast)


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Lothar S. schrieb:
> Weil sie, in Silizium, schwerer zu dotieren sind

Kannst du darauf bitte nochmal etwas genauer eingehen. Warum sind 
pnp-Transistoren schwerer zu dotieren?

Hp M. schrieb:
> Wirklich schlecht sind die in vielen ICs aus technologischen Gründen
> verwendeten lateralen pnp-Transistoren.

Sicherlich spielt auch Hp M. darauf an?

von Hp M. (nachtmix)


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Bodo schrieb:
> Kannst du darauf bitte nochmal etwas genauer eingehen. Warum sind
> pnp-Transistoren schwerer zu dotieren?
>
> Hp M. schrieb:
>> Wirklich schlecht sind die in vielen ICs aus technologischen Gründen
>> verwendeten lateralen pnp-Transistoren.
>
> Sicherlich spielt auch Hp M. darauf an?

Nein, die lateralen pnps sind nicht so schlecht, weil sie so schwer 
herzustellen wären, sondern im Gegenteil, weil sie auf einfachste Weise 
ohne zusätzliche Prozeßschritte, zusammen mit den normalen 
npn-Transistoren hergestellt werden.

Dadurch haben sie ein völlig falsches Dotierungsprofil:
Emitter und Kollektor werden aus dem niedrig dotierten und schlecht 
leitenden p-Silizium der Basisdiffusion hergestellt, und das Material 
der  Basiszone entspricht dem Kollektor eines npn-Transistors.
Für einen anständigen Transistor müssten die Dotierungsstärken aber 
gerade umgekehrt sein.
Wegen des hochohmigen Emitters sind diese Transistoren auch nur für 
geringe Ströme geeignet.

Hinzu kommt, dass die Dicke der Basiszone bzw. die Zeit, die die 
Ladungsträger sich dort aufhalten, nicht durch eine Diffusion definiert 
wird, sondern durch das Auflösungsvermögen der Lithographie.
Das ergibt eine niedrige Grenzfrequenz und verschlechtert die 
Stromverstärkung des Transistors weiter.
Immerhin ist dieser Punkt durch die Fortschritte der Lithographie 
gegenüber den früher üblichen Strukturbreiten von 6µm und mehr 
entschärft worden.

: Bearbeitet durch User
von Lothar S. (loeti)


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Bodo schrieb:
> Warum sind pnp-Transistoren schwerer zu dotieren?

Da Silizium-Rohmaterial normalerweise n verunreinigt ist.

Grüße Löti

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Lothar S. schrieb:
> Da Silizium-Rohmaterial normalerweise n verunreinigt ist.

Lothar, du hast sowas von keine Ahnung, bitte hör jetzt einfach mal
auf damit.  Es gibt im Thread ausreichend vernünftige Erklärungen.

von Joachim B. (jar)


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Bipo schrieb:
> ich würde gerne wissen, warum die PNP Transistoren von der Bandbreite
> etc. deutlich schlechter sind als NPN transisotoren. ..... Woran liegt ?

sind sie das?

ich habe gerade mal BC141/161 verglichen,
http://www.biltek.tubitak.gov.tr/gelisim/elektronik/dosyalar/36/bc141.pdf
http://www.multcomercial.com.br/doc/transistores/BC161-16.pdf
deutlich schlechter sehe ich nicht

: Bearbeitet durch User
von oldeurope O. (Gast)


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Jörg W. schrieb:
> Lothar, du hast sowas von keine Ahnung, bitte hör jetzt einfach mal
> auf damit.  Es gibt im Thread ausreichend vernünftige Erklärungen.

Da bei beiden Transistortypen sowohl P- als auch N-leitendes
Material im Stromkreis liegt, finde ich die Erklärungen
nicht ausreichend vernünftig.

Kann aber auch ohne vernünftige Erklärung weiterbasteln.

LG
OXI

von Lurchi (Gast)


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So wirklich groß sind die Unterschiede zwischen NPNs und PNPs nicht. Bei 
den PNPs bei den Komplementär-Paaren strengt man sich ggf. auch etwas 
mehr um bei den parametern nicht so weit auseinander zu liegen.

Die PNPs sind auch nicht in jeder Hinsicht schlechter: das 1/f rauschen 
ist von der Tendenz her etwas besser.

Im NPN Transistor ist der entscheidende Schritt die Bewegung von 
Elektronen druch die Basis. Entsprechend sind die Eigenschaften der 
Elektronen wichtig. Bei den Löchern ist es sogar positive, wenn die 
nicht so sehr in den Emitter diffundieren.

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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OXI T. schrieb:
> Da bei beiden Transistortypen sowohl P- als auch N-leitendes
> Material im Stromkreis liegt, finde ich die Erklärungen
> nicht ausreichend vernünftig.

Entscheidend ist die höhere Ladungsträgerbeweglichkeit da, wo der
Strom auch fließt: zwischen Kollektor und Emitter bzw. im Kanal.
Daher braucht ein pnp-Transistor (oder p-Kanal-FET) für vergleichbare
Eigenschaften schon mal mehr Fläche als ein npn-Transistor oder
n-Kanal-FET.

Beim genannten lateralen pnp-Transistor kommt dann noch hinzu, dass
bei ihm die Dotierung im p-Bereich (also wieder Kollektor/Emitter)
vergleichsweise gering ist, sodass er dort hohe Widerstände aufweist.

von Lothar S. (loeti)


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Jörg W. schrieb:
> Lothar, du hast sowas von keine Ahnung

Könnte es sein Das Du keine Ahnung hast?

Oder wie erklärst Du das es bei Germanium genau anders ist?

Joachim B. schrieb:
> ich habe gerade mal BC141/161 verglichen,
> http://www.biltek.tubitak.gov.tr/gelisim/elektronik/dosyalar/36/bc141.pdf
> http://www.multcomercial.com.br/doc/transistores/BC161-16.pdf
> deutlich schlechter sehe ich nicht

Na ja, die Collector-Base Capacitance ist um 25% größer.
Das kann man schon als deutlich bezeichnen.

Grüße Löti

: Bearbeitet durch User
von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Lothar S. schrieb:

> Oder wie erklärst Du das es bei Germanium genau anders ist?

Es war da nicht „genau anders“.

Auch pnp-Germanium war grottenschlecht, das vergisst man nur gern.
Die Ge-Leistungstransistoren hatten oft Transitfrequenzen, die
in einem NF-Verstärker schon der limitierende Faktor waren.

pnp war eben nur technologisch beim Legierungstransistor einfacher
herzustellen.

von Lothar S. (loeti)


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Ich geb's jetzt auf...

von Possetitjel (Gast)


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Lothar S. schrieb:

> Ich geb's jetzt auf...

Danke.

von michael_ (Gast)


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So eine Grundsatzfrage ist doch praktisch Unsinn.
Man hat doch immer einen entsprechenden Typ.
Selbst in der GE-Zeit konnte man Geräte komplett in NPN realisieren.
Nie habe ich mir Gedanken darüber gemacht.
Die Auswahl ist ja riesengroß.

von Bodo (Gast)


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Danke Hp M. das klingt plausibel.

Lothar S. schrieb:
> Da Silizium-Rohmaterial normalerweise n verunreinigt ist.

Das klärt meine Frage nicht. Dotieren kann ich doch trotzdem, die 
Technologie dafür wird schon lange beherrscht. Ohnehin sind die 
ungewollten Hintergrunddotierungen im Silizium so gering (10^12 1/cm^3), 
dass es kaum eine Rolle spielt. Es wird sowieso fast nicht mit ungewollt 
dotiertem Material gearbeitet.

Joachim B. schrieb:
> ich habe gerade mal BC141/161 vergliche
> deutlich schlechter sehe ich nicht

Wenn du dir ein komplementäres Transistorpaar anschaust wirst du auch 
nix sehen. Die sind ja extra gleich gestaltet. Man kann auch den 
npn-Transistor schlechter machen als möglich um ihn auf das Niveau des 
pnp-Transistors zu bringen und somit ein Pärchen zu erhalten.
Trotzdem wird man die bestmöglichen Eigenschaften beim npn-BPT oder 
n-channel MOSFET erreichen. Voraussetzung ist natürlich der bestmögliche 
Prozess für jeden Typ. Der Grund dafür liegt, wie schon mehrere Mal 
beschrieben, in der Ladungsträgermobilität:

Jörg W. schrieb:
> Entscheidend ist die höhere Ladungsträgerbeweglichkeit da, wo der
> Strom auch fließt: zwischen Kollektor und Emitter bzw. im Kanal.
> Daher braucht ein pnp-Transistor (oder p-Kanal-FET) für vergleichbare
> Eigenschaften schon mal mehr Fläche als ein npn-Transistor oder
> n-Kanal-FET.

michael_ schrieb:
> So eine Grundsatzfrage ist doch praktisch Unsinn.
Für dich vielleicht. Wenn du aber ein Bauelement mit bestmöglichen 
Eigenschaften suchst (z.B. minimaler RDSon bei kleinst möglicher 
Gatekapazität) dann brauchst du nicht mit p-channel MOSFETs anfangen.

von oldeurope O. (Gast)


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Jörg W. schrieb:
> Lothar S. schrieb:
>
>> Oder wie erklärst Du das es bei Germanium genau anders ist?
>
> Es war da nicht „genau anders“.
>
> Auch pnp-Germanium war grottenschlecht, das vergisst man nur gern.
> Die Ge-Leistungstransistoren hatten oft Transitfrequenzen, die
> in einem NF-Verstärker schon der limitierende Faktor waren.
>
> pnp war eben nur technologisch beim Legierungstransistor einfacher
> herzustellen.


AF239 fällt mir da gerade ein.
Kennst Du einen Ge NPN der damit vergleichbar ist?

LG
OXI

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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OXI T. schrieb:
> Kennst Du einen Ge NPN der damit vergleichbar ist?

Nö, da hat aber be Ge die Entwicklung praktisch auch aufgehört damit.
Das Ende der Fahnenstange war erreicht, alle weitere Forschung ging
nur noch in Si dann.

von oldeurope O. (Gast)


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Jörg W. schrieb:
> Nö,

beim Ge-BJT ist halt wirklich PNP "besser".
Damit ist die Forenerklärung hier hinfällig.

LG
OXI

von Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)


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Zur 'Ehrenrettung' der PNP (vor allem der Siliziums) muss man auch mal 
anmerken, das ihnen lange Jahre der Ruf nach-(oder vor-)eilte, sie seien 
rauschärmer.
Die Elektor hatte sogar damals mal einen Moving Coil Vorverstärker mit 
Hochstrom PNP HF-Transistor, der angeblich deutlich besser war, als sein 
Kollege mit NPN. Ob das alles wirklich so stimmt, lasse ich mal 
dahingestellt.
Aber immerhin steht hier auch noch das 'rauscharm' Argument:
http://www.4qdtec.com/preamp.html

Die 2te Schaltung natürlich.
> Theoretically PNP transistors can have lower noise level than NPNs.

: Bearbeitet durch User
von Marian (phiarc) Benutzerseite


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Ist das relevantere Argument für PNP-Transistoren in der 
Differenzverstärker-Eingangsstufe bei diskreten Verstärkern nicht eher, 
dass die zweite Emitterstufe direkt mit NPNs gebaut werden kann, die am 
Ende eben doch schneller (2N3906 <-> 2N3904, als typisches Beispiel) / 
weniger Miller-Kapazität als ein PNP-Pendant haben?!

: Bearbeitet durch User
von ArnoR (Gast)


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Marian  . schrieb:
> Ist das relevantere Argument für PNP-Transistoren in der
> Differenzverstärker-Eingangsstufe bei diskreten Verstärkern nicht eher,
> dass die zweite Emitterstufe direkt mit NPNs gebaut werden kann, die am
> Ende eben doch schneller (2N3906 <-> 2N3904, als typisches Beispiel) /
> weniger Miller-Kapazität als ein PNP-Pendant haben?!

Nöö, gerade an der Stelle wird das nicht gebraucht, weil der Verstärker 
dort mit dem Miller-Effekt korrigiert wird (es wird mit der 
Miller-Kapazität plus Zusatzkapazität ein Pol bei etwa 10...100Hz 
erzeugt).

Neben dem geringeren Rauschen durch den kleineren Basisbahnwiderstand 
ist das Hauptargument für die komplemantären Transistoren das man mit 
Komplementärschaltungen viel bessere Eigenschaften und weniger Aufwand 
gegenüber einer Schaltung aus rein npn oder pnp erreicht.

von Marian (phiarc) Benutzerseite


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ArnoR schrieb:
>> Ist das relevantere Argument für PNP-Transistoren in der
>> Differenzverstärker-Eingangsstufe bei diskreten Verstärkern nicht eher,
>> dass die zweite Emitterstufe direkt mit NPNs gebaut werden kann, die am
>> Ende eben doch schneller (2N3906 <-> 2N3904, als typisches Beispiel) /
>> weniger Miller-Kapazität als ein PNP-Pendant haben?!
>
> Nöö, gerade an der Stelle wird das nicht gebraucht, weil der Verstärker
> dort mit dem Miller-Effekt korrigiert wird (es wird mit der
> Miller-Kapazität plus Zusatzkapazität ein Pol bei etwa 10...100Hz
> erzeugt).

Genau, aber die mögliche Grenzfrequenz hier wird ja gerade durch die 
Geschwindigkeit der Schaltung bestimmt, wenn ich also in der zweiten 
Stufe einen [signifikant] langsameren Transistor einsetze, muss die 
Grenzfrequenz der Schleifenverstärkung noch niedriger gewählt werden.

von ArnoR (Gast)


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Marian  . schrieb:
> die mögliche Grenzfrequenz hier wird ja gerade durch die
> Geschwindigkeit der Schaltung bestimmt...

Nicht an der Stelle. Die nötige Korrektur (der erste Pol) ist bestimmt 
durch den zweiten Pol, der am Kollektor dieser Stufe durch die Belastung 
mit Treiber/Endstufe entsteht. Der erste Pol muss bei <fp2/Vs liegen. 
Der VAS-Transistor begrenzt die Grenzfrequenz normalerweise nicht.

von Marian (phiarc) Benutzerseite


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Du hast recht, ich hab mir das noch mal skizziert. Danke!

von hinz (Gast)


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OXI T. schrieb:

> beim Ge-BJT ist halt wirklich PNP "besser".

Dem ist nicht so, und ein Blick in die Datenblätter zeigt das deutlich.


> Damit ist die Forenerklärung hier hinfällig.

Hat jemand das Forum erklärt?

von oldeurope O. (Gast)


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OXI T. schrieb:
> AF239 fällt mir da gerade ein.
> Kennst Du einen Ge NPN der damit vergleichbar ist?

Jörg W. schrieb:
> Nö

hinz schrieb:
> OXI T. schrieb:
>
>> beim Ge-BJT ist halt wirklich PNP "besser".
>
> Dem ist nicht so, und ein Blick in die Datenblätter zeigt das deutlich.

Na dann zeige mir mal bitte den besseren Ge-NPN.
Wobei der AF239 gar nicht mal der beste pnp war, er war aber
wohl der am häufigsten verwendete.

LG
OXI

von hinz (Gast)


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OXI T. schrieb:

> Na dann zeige mir mal bitte den besseren Ge-NPN.

Du kannst also keine Datenblätter lesen, kennst nicht mal die damals 
gängigsten Transistoren.


> Wobei der AF239 gar nicht mal der beste pnp war,

Bei weitem nicht, für Audioendstufen völlig ungeeignet.


> er war aber wohl der am häufigsten verwendete.

Sicher nicht.


EOD

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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OXI T. schrieb:
> Na dann zeige mir mal bitte den besseren Ge-NPN.

Es hat sich einfach keiner mehr um Ge geschert, bei denen man aufwändige
Klimmzüge mit Basisschaltung machen musste, um überhaupt irgendwo ins
UHF zu kommen, wenn selbst einfachste Si-Transistoren zur gleichen Zeit
schon VHF-tauglich waren.  Wofür zum Geier™ hätte dann noch jemand
einen npn-UHF-Ge-Transistor entwickeln wollen?  Es war zu dem Zeitpunkt
sonnenklar, dass das mit Si viel billiger zu haben sein wird.

Dass man für Transistoren wie AF239 eher auf pnp gesetzt hat, dürfte
wohl am ehesten darauf zurückzuführen sein, dass man dafür die
entsprechenden Dotierungs- und Diffusionsprofile damals am besten
beherrscht hat.  Das waren in dieser Zeit ja noch Erfahrungswerte
und keine Computersimulationen.

von oldeurope O. (Gast)


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Lothar S. schrieb:
> Ich geb's jetzt auf...

Verständlich, danke für Deinen Einsatz hier.

LG
OXI

von (prx) A. K. (prx)


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Jahrzehnte nach dem faktischen Tod von Germanium gab es eine Firma 
"Germanium Power Devices", die sich dem Namen entsprechend dieses 
Materials widmete. Was die aber alles im Programm hatten weiss ich 
nicht. Gefunden habe ich Dioden - und da ergibt das noch einen gewissen 
Sinn.

von Harald W. (wilhelms)


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hinz schrieb:

> AF239
> Bei weitem nicht, für Audioendstufen völlig ungeeignet.

Ich glaube, der (bzw. mehrere Parallel) war als Eingangsstufe
für einen Movingcoil-Verstärker vorgesehen. Da muss man ja
schon auf geringes Rauschen achten.

Nf-Endstufen wurden ja anfänglich auch als typische Gegentaktstufe
mit zwei gleichen Transistoren und Ausgangstrafo und Steuertrafo
aufgebaut. Sog. "eisenlose Endstufen" hat man sich erst deutlich
später ausgedacht.

von (prx) A. K. (prx)


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Harald W. schrieb:
> Nf-Endstufen wurden ja anfänglich auch als typische Gegentaktstufe
> mit zwei gleichen Transistoren und Ausgangstrafo und Steuertrafo
> aufgebaut.

Zumal es vom direkten Vorläufer bis heute keinen Komplementärtyp gibt. 
Oder hat schon mal jemand eine P-Röhre gesehen?

von Harald W. (wilhelms)


Angehängte Dateien:

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A. K. schrieb:

> Oder hat schon mal jemand eine P-Röhre gesehen?


Ja, ich. :-)

: Bearbeitet durch User
von Lurchi (Gast)


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Es gibt schon schnelle Ge NPN transistoren -aber eher exoten:
http://www.ebay.ca/itm/2x-1T383A-USSR-Germanium-UHF-Low-Noise-2-4GHz-NPN-Gold-Pins-transistors-/191697177433

Beim Germanium war auch eher die Technik zum Herstellen das Problem, 
nicht so sehr die Materialparameter selber. Im Germanium hat man auch 
nur einen Faktor 2 zwischen der Beweglichkeit von Löchern und 
Elektronen. Beim Silizum ist es ein Faktor 3.

von oldeurope O. (Gast)


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A. K. schrieb:
> Zumal es vom direkten Vorläufer bis heute keinen Komplementärtyp gibt.

Dafür besitzen die Trioden einen Durchgriff. Damit kann man
auch schon einiges machen.

LG
OXI

von Joachim B. (jar)


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A. K. schrieb:
> Oder hat schon mal jemand eine P-Röhre gesehen?

Eine? nee hunderte :-)

von (prx) A. K. (prx)


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Joachim B. schrieb:
>> Oder hat schon mal jemand eine P-Röhre gesehen?
>
> Eine? nee hunderte :-)

Bei denen an Stelle der Elektronen die Löcher durchs Vakuum flitzen? ;-)

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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A. K. schrieb:
> Bei denen an Stelle der Elektronen die Löcher durchs Vakuum flitzen? ;-)

Die heißen dort Ionen. :)

von (prx) A. K. (prx)


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Positronen fänd ich interessanter.

von hinz (Gast)


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A. K. schrieb:
> Positronen fänd ich interessanter.

Geht ohne molekülverdichtetes Panzerterkonit nicht.

;-)

von Peter D. (peda)


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Z.B. der bekannte OPV LM358 hat PNP in der Eingangsstufe. Ganz so 
schlecht können die Si-PNP also nicht sein, wie hier behauptet wird.

von (prx) A. K. (prx)


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Als schlecht wurden die lateralen PNPs bezeichnet.
Der LM358 hat da aber laterale NPNs drin. ;-)

: Bearbeitet durch User
von Peter D. (peda)


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Ich nehme immer, was am besten paßt.
Lediglich bei hohen Spannungen (ab -500V) wird die Luft bei PNP bzw. 
P-FET recht dünne.

von Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite


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Peter D. schrieb:
> Lediglich bei hohen Spannungen (ab -500V) wird die Luft bei PNP bzw.
> P-FET recht dünne.

Bei hohen Frequenzen ebenfalls.  Wenn du bspw. mal bei NXP schaust,
findest du unter ca. 60 HF-Transistoren ganze fünf in pnp.  Deren
maximale Transitfrequenz ist 5 GHz, d. h. für normale Verstärker bis
etwa 1 GHz geeignet.  Bei npn ist die maximale Transitfrequenz 17 GHz.

von Harald W. (wilhelms)


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A. K. schrieb:

> Positronen fänd ich interessanter.

Ja, dann sieht man doch alles gleich viel positiver. :-)

von Joachim B. (jar)


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A. K. schrieb:
> Bei denen an Stelle der Elektronen die Löcher durchs Vakuum flitzen? ;-)

nee Serienheizung mit 0,3A :p

PL/PY PCL PCC selterner

von hinz (Gast)


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Joachim B. schrieb:
> A. K. schrieb:
>> Bei denen an Stelle der Elektronen die Löcher durchs Vakuum flitzen? ;-)
>
> nee Serienheizung mit 0,3A :p
>
> PL/PY PCL PCC selterner

Dein Ironiedetektor ist damit bestückt?

von Joachim B. (jar)


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hinz schrieb:
> Dein Ironiedetektor ist damit bestückt?

ach das sollte Ironie sein, das musst noch üben :-)

von Harald W. (wilhelms)


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hinz schrieb:

>> A. K. schrieb:

> Dein Ironiedetektor ist damit bestückt?

Röhrenbestückte Ironiedetektoren können moderne Ironie nicht
erkennen. Da braucht man schon mindestens einen Vierkernprozessor.

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