Hein schrieb:
>
> ich suche nach einer Möglichkeit, einen PFET (mit mit ~ 180nC Total Gate
> Charge ) Highside (@ ca. 60Vdc) mit ~100-150 kHz (On-Time läge so bei
> 10-100% falls von Interesse) anzusteuern.
Um diesen Brocken von P-Kanal-MOSFET mit 15V Gatespannung und 150kHz
anzusteuern, sind immerhin ca. 0,4W nötig.
Falls 12V Gate-Spannung reichen, wäre die Angelegenheit mit ca. 0,25W
Gate-Ansteuerleistung für den genannten MOSFET leicht entschärft.
Meines Wissens gibt es keine 60V-Highside-MOSFET-Treiber-ICs für
P-Kanal-MOSFETs.
Man könnte aber durchaus den "oberen" Teil eines geeigneten
Halbbrücken-MOSFET-Treibers für N-Kanal-MOSFETs nehmen (gibt es von
diversen Herstellern für 85V, 100V und mehr), den man auf der heißen
Seite statt mit der Boost-Methode (die eine positive Gate-Spannung
gegenüber dem Source-Anschluss eines N-Kanal-MOSFETs erzeugt) mittels
kleinem Negativspannungsregler dauerhaft mit der gewünschten negativen
Gate-Spannung gegenüber dem Source-Anschluss des P-Kanal-MOSFETs
versorgt.
Es gibt auch ein paar Einzel-Highside-N-Kanal-MOSFET-Treiber für
Spannungen über 60V (z.B. LTC4440). Einige davon lassen aber keine 15V
Gate-Spannung zu.
Dann kann man den Highside-MOSFET-Treiber auf der Lowside mit
Logik-Pegeln ansteuern (für P-Kanal statt N-Kanal mit negiertem Pegel)
und muss sich keine Gedanken über Level-Shift (bei solchen ICs
normalerweise statisch) und ausreichend steile Ansteuerflanken machen.
Ein kleines Problem ist allerdings, dass es für 60V keine Negativregler
mit niedrigem Ruhestrom gibt.
Ausführungen für bis zu 16V oder 20V (teilweise sogar 36V) gibt es mit
Ruheströmen von ein paar zig µA.
Den Rest zwischen maximal zulässiger LDO-Spannung und 60V kann z.B. eine
Z-Diode vom Eingang des Spannungsreglers zur 60V-Masse übernehmen. Mit
der geschickten Wahl der Z-Spannung kann man die Verluste zwischen LDO
(eher wenig) und Z-Diode (eher mehr) aufteilen.
Mit der vorgeschlagenen Ansteuermethode ist auch eine 100%
Gate-Ansteuerung auf der heißen Seite möglich.
