Hallo Leute, ich suche nach einer Möglichkeit, einen PFET (mit mit ~ 180nC Total Gate Charge ) Highside (@ ca. 60Vdc) mit ~100-150 kHz (On-Time läge so bei 10-100% falls von Interesse) anzusteuern. Für "statischen" Betrieb als nehme ich immer eine Schaltung nach dieser Vorlage: http://www.radio-sensors.se/download/gate-driver2.pdf Seite 20 Fig. 20 Aber taugt die auch etwas, wenn man 100-150kHz Schaltfrequenz benötigt? Gibt es für PFETs ggf. auch Treiber wie es die für N-Fets gibt - also welche die ggf. auch ein paar Ampere in das Gate "jagen" bzw. entladen können? PS NFETs scheiden aus, da ich noch gut 5 Stangen voll IRF5210 habe ;-)
Ich wuerde den NPN treiber als Stromquelle auslegen, dh einen Emitterwiderstand reinhaengen, den Basiswiderstand weg. Zb (5Vout-0.7V)/10mA=430 Ohm und dafuer R2 wegmachen. Wenn man so genuegend Strom runterlaesst, und R1 dann noch 1K gross ist fuer 10V am Gate sind wir im schnelleren Bereich. Allenfalls genuegen auch 5V am Gate, mit 500 Ohm fuer R1, und den Gatewiderstand vielleicht 4.7 Ohm.
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Wenn man die Schaltung ordentlich dimensioniert sind 150kHz kein Problem. Hab schon nen MC34063 Sperrwandler mit sowas aufgebaut. Wenn die Schaltflanken nicht steil genug sind: quasi resonant gate drive. Da schaltet man ein L in Reihe zum Gate mit Freilaufdioden von Masse zum Gate und vom Gate nach Vcc. Ändert das Ladeverhalten von PT1 nach PT2, was dazu führt dass am kritischen Uth Punkt von ca. 3V der fließende Strom größer ist als ohne. Zumindest wenn mans richtig macht. Aber für die Schaltzeiten von üblichen p-fets kannste dir das meistens schenken.
Hein schrieb: > > ich suche nach einer Möglichkeit, einen PFET (mit mit ~ 180nC Total Gate > Charge ) Highside (@ ca. 60Vdc) mit ~100-150 kHz (On-Time läge so bei > 10-100% falls von Interesse) anzusteuern. Um diesen Brocken von P-Kanal-MOSFET mit 15V Gatespannung und 150kHz anzusteuern, sind immerhin ca. 0,4W nötig. Falls 12V Gate-Spannung reichen, wäre die Angelegenheit mit ca. 0,25W Gate-Ansteuerleistung für den genannten MOSFET leicht entschärft. Meines Wissens gibt es keine 60V-Highside-MOSFET-Treiber-ICs für P-Kanal-MOSFETs. Man könnte aber durchaus den "oberen" Teil eines geeigneten Halbbrücken-MOSFET-Treibers für N-Kanal-MOSFETs nehmen (gibt es von diversen Herstellern für 85V, 100V und mehr), den man auf der heißen Seite statt mit der Boost-Methode (die eine positive Gate-Spannung gegenüber dem Source-Anschluss eines N-Kanal-MOSFETs erzeugt) mittels kleinem Negativspannungsregler dauerhaft mit der gewünschten negativen Gate-Spannung gegenüber dem Source-Anschluss des P-Kanal-MOSFETs versorgt. Es gibt auch ein paar Einzel-Highside-N-Kanal-MOSFET-Treiber für Spannungen über 60V (z.B. LTC4440). Einige davon lassen aber keine 15V Gate-Spannung zu. Dann kann man den Highside-MOSFET-Treiber auf der Lowside mit Logik-Pegeln ansteuern (für P-Kanal statt N-Kanal mit negiertem Pegel) und muss sich keine Gedanken über Level-Shift (bei solchen ICs normalerweise statisch) und ausreichend steile Ansteuerflanken machen. Ein kleines Problem ist allerdings, dass es für 60V keine Negativregler mit niedrigem Ruhestrom gibt. Ausführungen für bis zu 16V oder 20V (teilweise sogar 36V) gibt es mit Ruheströmen von ein paar zig µA. Den Rest zwischen maximal zulässiger LDO-Spannung und 60V kann z.B. eine Z-Diode vom Eingang des Spannungsreglers zur 60V-Masse übernehmen. Mit der geschickten Wahl der Z-Spannung kann man die Verluste zwischen LDO (eher wenig) und Z-Diode (eher mehr) aufteilen. Mit der vorgeschlagenen Ansteuermethode ist auch eine 100% Gate-Ansteuerung auf der heißen Seite möglich.
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