50 Ohm Terminierung

[LMZ4987 (Gast)]

Super einfache Frage:

ein Funktionsgenerator mit hat 50Ohm Ausgang. Der Ausgang steuert mit 
dem Rechteckpuls  das(den?) Gate (also Ugs) des Transistor :irliz44n

Brauche ich vor dem Gate einen 50 Ohm  Widerstand für die 
Impendanzanpassung  oder nicht?

[Rächdschraipleera (Gast)]

LMZ4987 schrieb:
> Brauche ich vor dem Gate einen 50 Ohm  Widerstand für die
> Impendanzanpassung  oder nicht?

Nein. Aber du musst mit einer etwa doppelt so hohen Spannung
rechnen gegenüber einem Anschluss mit 50Ohm Terminierung.

[Peter R. (pnu)]

LMZ4987 schrieb:
> Super einfache Frage:
>
> ein Funktionsgenerator mit hat 50Ohm Ausgang. Der Ausgang steuert mit
> dem Rechteckpuls  das(den?) Gate (also Ugs) des Transistor :irliz44n
>
> Brauche ich vor dem Gate einen 50 Ohm  Widerstand für die
> Impendanzanpassung  oder nicht?

Diese Terminierung braucht man erst wenn längere Leitungen im Spiel 
sind, im Vergleich zur Frequenz der Rechteckspannung und dazu eine 
einwandfreie Flanke gefordert ist.

Ab 1MHz Taktfrequenz würde ich mir bei mehr als 5m Gedanken machen.
Darunter spielt mehr die große Leitungskapazität eine Rolle. Die kann 
die Flankensteilheit merklich verschlechtern.
Ab 2m dürfte man in der Flanke der Rechteckspannung die allerersten 
treppenförmigen Störungen erkennen; allerdings nur, wenn das Oszilloskop 
zehn Nanosekunden lange Stufen in der Flanke auflösen kann.

[Falk B. (falk)]

@ Peter R. (pnu)

>Diese Terminierung braucht man erst wenn längere Leitungen im Spiel
>sind,

Ja, aber . . .

> im Vergleich zur Frequenz der Rechteckspannung

Falsch. Entscheidend ist NICHT die Frequenz sondern die minimale 
Anstiegszeit. Siehe Wellenwiderstand.

>Ab 1MHz Taktfrequenz würde ich mir bei mehr als 5m Gedanken machen.

Falsch, siehe oben.

Auserdem ist der "Empänger" das Gate eines MOSFETs, das ist nahezu rein 
kapazitiv, da hat man so oder so einen ganz anderen Refletionsfaktor. 
Aber das spielot hier so oder so keine Rolle, weil man so oder so keine 
echten Digitalsignale hat.