Hallo, Ich hatte vor, eine Temperatursteuerung für die Heizplatte meines 3D-Druckers zu bauen. Habe mir jetzt jedoch einfach einen Temperaturregler für 15€ gekauft, da mir der zusätzliche Aufwand für die paar Euro zu groß wurden und ich wahrscheinlich noch neue Bauteile hätte nachbestellen müssen. Deshalb frage ich jetzt im Nachhinein, da mich doch noch interessiert, wo mein Denkfehler lag. Wollte das ganze an einem 12V Trafo-Netzteil betreiben. Habe eine kurze PWM-Steuerung für einen ATmega328p geschrieben, den Mikrocontroller über einen LM2940 CT5 mit 5V gespeist und die Heizplatte über einen IRL2203NPBF Mosfet regeln wollen. Habe zur verdeutlichung noch einen Schaltplan angehängt, der Aufbau sollte aber eigentlich Standard sein. Die Heizplatte braucht 140W, also sollten ungefähr 12A fließen. Der Mosfet verträgt ja eigentlich 100A. Der Mosfet hat jedoch schon 10s nach dem Einschalten angefangen zu rauchen und ich finde keine Erklärung. Habe schon ein wenig gegoogelt und die einzige Erklärung auf die ich gestoßen bin, könnte sein, dass am Trafo Spannungsspitzen entstehen, wenn ich dessen Spannung schalte. Die PWM lief jedoch nur maximale eine halbe Sekunde, ansonsten hatte ich den Mosfet zu 100% geöffnet (Hatte am ADC Eingang erst einmal einen Poti gelötet, um die Schaltung zu testen und den uC so programmiert, dass die PWM erst nahe beim Sollwert einsetzt und sonst auf 100% oder 0% läuft, deshalb lief die PWM wenn überhaupt nur sehr kurz). Ich frage mich nur für zukünftige Projekte, ob ich irgendetwas offensichtliches vergessen habe, oder es doch die Spannungsspitzen am Trafo waren. Wenn letzteres zutrifft, wie glätte ich die Spannung am einfachsten und sinnvollsten? Vielen Dank im Voraus für die Hilfe. Gruß andreas
Is das ein N-Fet? Dann solltest du Masse schalten und nicht + Ok is einer, dann musst du wirklich Masse schalten. Und am Regler die Kondensatoren tauschen, grosse am Eingang und kleine am Ausgang. Der Regler will ja schliesslich was zu tun haben...
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Wenn der MosFet raucht, dann ist die Gatespannung zu klein...
Du hast den FET als Sourcefolger betrieben. U_gs muss man jetzt von der zur Verfügung stehenden Betreibsspannung abziehen. Die bleibt im FET "hängen". Die Spannung (3-4V?) mal deinen 12 Ampere (nun eher 8A?) machen 25Watt IM FET!. Gut kühlen geht oder die Gatespannung deutlich anheben... StromTuner
Andreas I. schrieb: > Aufbau > sollte aber eigentlich Standard sein ist er aber nicht. Die Heizplatte kommt am die Spannung und ein N-Fet schaltet nach Masse
Vielen Dank für die vielen Antworten. Ich wusste garnicht, dass die Platzierung des Mosfets doch so ausschlaggebend ist. Na wenigstens habe ich mal wieder etwas dazugelernt.
Vielleicht solltest du erstmal lernen, wie ein MOSFET funktioniert und wo der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal ist. Deine Schaltung hat nämlich noch ein einen weiteren gravierenden Fehler, falls deine PWM Frequenz höher als ein paar Hz ist. http://stefanfrings.de/mikrocontroller_buch/index.html
Hallo, Vielen Dank für den Verweis auf die Seite, die ist wirklich hilfsvoll. Stefan U. schrieb: > Deine Schaltung hat nämlich noch ein einen weiteren gravierenden Fehler, > falls deine PWM Frequenz höher als ein paar Hz ist. Von welchem Fehler sprichst du denn genau?
stromtuner schrieb: > Die Spannung (3-4V?) mal deinen 12 Ampere (nun eher 8A?) > machen 25Watt IM FET!. Wie kommst du auf 3-4V? Drain liegt an +12V, das Gate auf bestenfalls 5V und damit Source IMHO eher unter 3V (ohne jetzt Kennlinien gewälzt zu haben). Zusammen macht das gut 9V über dem FET. Bei 3V über der Heizung wird die allerdings weder auf 12 noch auf 8A kommen ... Sicher ist es da ganz Lehrreich, die Schaltung mal z.B. in LTSpice nachzubauen und darin ein bisschen rumzumessen. Da riecht es auch nicht so, wenn der virtuelle FET mal etwas Dampf ablässt ;-)
> Von welchem Fehler sprichst du denn genau? > Ich denk ER, der nette, meinte ... Schaltverluste jepp. 10k Ohm als Pulldopwn erscheint mir um Faktor 100 zu hoch. Besser wäre ein Treiber mit Push-Pull Ausgang.
Stefan U. schrieb: > jepp. 10k Ohm als Pulldopwn erscheint mir um Faktor 100 zu hoch. Besser > wäre ein Treiber mit Push-Pull Ausgang. Wie die Ausgangsstufe des µC vom Programm gesteuert wird, wissen wir nicht. Aber eine Umschaltung zwischen aktiv High und Tri-State wäre doch eher ungewöhnlich. CMOS Standardausgänge würden genau Push-Pull machen. Vielleicht solltest du dich mal mit µC-Ausgangsstufen beschäftigen. Der Pull-Down dient üblicherweise dazu, das Gate auf Low zu halten, solange das Programm im µC die Ausgangsstufe noch nicht aktiviert hat. Und dafür könnte der Widerstand gerne auch einen Faktor 10 größer sein.
Stimmt, ist logisch. Der Widerstand ist wohl nur für die Initialisierungs-Phase da. Ich habe das übersehen.
Da mich bei der ganzen hilfreichen Diskussion nun doch noch interessiert, ob das ganze funktionieren wird, hab ich mich noch einmal rangesetzt. Ich werde das ganze nun an einem Schaltnetzteil betrieben, um eventuelle Spannungsspitzen zu vermeiden. Den Mosfet werde ich diesmal hinter die Heizplatte löten, um den unangenehmen Rauch zu vermeiden. Wegen der Schaltverluste habe ich das ganze nun als 2-Punkt-Regler umprogrammiert, also ohne PWM, da die Heizplatte als Regelstrecke ja eigentlich träge genug ist. Notfalls kann ich da den Mosfet noch durch ein Relais ersetzen. Ich werde das ganze Morgen mal zusammenbasteln.
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