2N3055 echt oder Fake?

Gast #4698803
Hallo,
habe einmal einen 2N3055 aufgesägt.

Ist es nun ein solches Fake, wie im Beitrag
beschrieben oder ein "echter"?

Zitat aus dse-faq (ganz unten)
http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.23


"....Alte 2N3055 hielten mehr aus als Neuere ab 1970. Gab
es damals auch schon Fälschungen ? Quasi, es gab 2N3055 in
einem anderen, billigeren Verfahren, epitaxial statt Mesa
(hometaxial), sogar vom Originalhersteller (RCA). Als das
auffiel, stempelte man die guten als 2N3055H. Motorola
(OnSemi) stempelte aber einfach auch die epitaxialen
2N3055H, die guten hiessen 2N3055A bei denen....."


Bin schon auf Euer Expertengutachten gespannt.

ciao
gustav
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Gast
Von einer "Fälschung" kann doch nur gesprochen werden, wenn der 
Transistor die Datenblattwerte nicht einhält, also sozusagen 
"unterbietet". In welcher Technologie der Chip gefertigt ist, ist doch 
nebensächlich.

Es mag sein, dass manche Transistoren früher mehr ausgehalten haben als 
heute, aber die Datenblattwerte sollten sie immer schaffen. Allerdings 
ist es bei den Bastelexperten doch üblich, die Datenblätter weitgehend 
zu ignorieren und die Transistoren knallhart zu überlasten, am besten in 
mehrenen Parametern gleichzeitig. Da fällt es natürlich auf, wenn die 
Transistoren weniger aushalten. Wenn man dagegen vernünftig 
dimensioniert,etwas Abstand von den Grenzen hält und nicht mehrere 
Parameter an den Anschlag fährt, dann bleiben die alten wie die neuen 
ganz.
Gast
Beim 2N3055 hat man eher selten Fakes, einfach weil das schon die 
billigen im TO3 sind. Eher bekommt man schon einen echten 2N3055, mit 
neuer Beschriftung als einen Fake MJE.... verkauft.

Beim 2N3055 gibt es halt die 2 Typen: einen langsamen robusten (ggf. 
3055H) und den neueren schnelleren aber nicht so robusten. Das hat aber 
weniger mit Fälschungen zu tun, sondern mit der etwas ungünstigen 
Namenswahl von Anfang an. Die hätten die neue Type nicht auch 3055 
nennen sollen, sondern anders.
Gast
ArnoR schrieb:
> Von einer "Fälschung" kann doch nur gesprochen werden, wenn der
> Transistor die Datenblattwerte nicht einhält, also sozusagen
> "unterbietet".

Willst du damit andeuten, dass ein gut nachgemachter Geldschein nicht 
als Fälschung zu bezeichnen ist?
ArnoR schrieb:

> Von einer "Fälschung" kann doch nur gesprochen werden, wenn der
> Transistor die Datenblattwerte nicht einhält, also sozusagen
> "unterbietet". In welcher Technologie der Chip gefertigt ist, ist doch
> nebensächlich.

Naja, wenn statt des Originalchips ein Chip eines Kleinleistungs-
transistors montiert wurde, kann man das wohl erst nach dem
Durchbrennen feststellen. Und mir fällt z.Z. auch keine Methode
ein, die Grenzwerte des Zweiten Durchbruchs zu überprüfen. Da kann
man sich m.E. nur auf die Angaben im Datenblatt verlassen.
Gast
> Und mir fällt z.Z. auch keine Methode
> ein, die Grenzwerte des Zweiten Durchbruchs zu überprüfen.

Das lässt sich genauso gut (oder schlecht) überprüfen, wie den 
"normalen" Durchbruch.-

Vor x-Jahren versuchte ich mal, einen 2N3055, wohl noch in "hometaxial", 
mit einem Netzteil 30V 2A zu "killen" (ohne Kühlkörper, versteht sich):
Ging nicht, man konnte zwar auf dem Gehäuse löten, aber defekt war er 
immer noch nicht.
(Der günstigste Preis für solch ein Teil war damals: DM 1,11 !)
Ich würde sagen:

Ein Fake ist, wenn Motorola draufsteht, aber kein Motorola drin ist.

Wenn der Transistor seine spezifizierten Daten nicht hält, ist er 
einfach nur scheisse.

Der ganze Chinaschrott, der bei uns (wunschgemäß) abgeladen wird, ist 
doch nicht automatisch Fake? Doch eher nur "grenzwertig" dimensioniert.

Der Transistor oben sieht doch erst mal gar nicht schlecht aus. Gibt es 
ein Bild vom Deckel?
Interessant wird es bei den recht häufig anzutreffenden 2N3055 mit 
Aufdruck von Toshiba. Bei denen einerseits Toshiba behauptete, nie 
2N3055 produziert zu haben und andererseits sich in den üblichen 
Datasheet-Archiven auch eines von Toshiba befindet. Ist da auch das 
Datasheet ein Fake, oder ist Toshiba selbst ein Fake? ;-)
Elektrofan schrieb:

> Das lässt sich genauso gut (oder schlecht) überprüfen, wie den
> "normalen" Durchbruch.-

Normalerweise versteht man unter (erstem) Durchbruch
ein durchschlagen der Sperrschicht durch eine zu hohe
Spannung. Dieser Durchbruch lässt sich recht gut mit
einem strombegrenztem, einstellbaren Netzteil testen
ohne den Transistor dabei zu beschädigen.
Eddy C. schrieb:
> Der Transistor oben sieht doch erst mal gar nicht schlecht aus. Gibt es
> ein Bild vom Deckel?

Ja. Hab noch ein ganzes Exemplar übrig.
Es ist ein als für den BD130 verkaufter Äquivalenttyp.

(70 Watt Verstärker
Fehler: Glimmerscheibe zu wenig Paste - Kunde hörte immer mit 95 dB 
(oder so) Thermoschutz-Bimetall am Kühlkörper sprang auch öfter raus... 
bis irgendwann... peng.  Aber lassen wir das.)


ciao
und Dank erstmal für die vielen Antworten!
gustav
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Gast
Warum sollte Siemens die Bezeichnung Mesa vewenden?
Dreifachdiffundiert reicht ja.

Bipolare Silizium-Leistungstransistoren - Bipolar Silicon Power ...
www.dl7avf.info/charts/semi/silt2.html - Diese Seite übersetzen
13.12.2014 - TO-53, Dreifach-diffundiert Mesa = 
Hochfrequenz-Leistungstransistor, Txi69. 2N1722A, NPN, 120, 50, C-3D7 · 
TO-53, Dreifach-diffundiert Mesa ...
Gast
> April welchen Jahres wurde das veröffentlicht?

Elrad 4/84. Also vor der Erfindung der Computer unterstuetzten 
Bildverarbeitung. Daher schon glaubwuerdig!

Olaf

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