n-kanal FET - Grundlagen

Google kaputt? Na da helf ich doch gerne!

https://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor
https://www.mikrocontroller.net/articles/FET
http://www.elektronikinfo.de/strom/feldeffekttransistoren.htm
https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0510161.htm

Schönes Wochenende ;-)

Grundlage ist erst mal das ohmsche Gesetz. Widerstand=Spannung/Strom.
Die Verhältnisse untereinander musst du begreifen. Dann sollte man
sich mit den Grundschaltungen beschäftigen.
Hier kann man sich etwas einlesen:
http://elektroniktutor.de/bauteilkunde/fet.html

Dieser Trollbeitrag erhält 4 von 10 möglichen Punkten.

Text (0 von 2):
Formulierung und Inhalt sind kaum verständlich.

Intention (1 von 2):
Der Beitrag lässt es vermissen, Zwietracht zwischen zwei Nutzergruppen 
zu sähen. So kann die angeregte Diskussion nicht in Fahrt kommen. 
Allerdings wird recht geschickt provoziert.

Zeitpunkt (1 von 2):
Freitag abends, klassisch aber einfallslos.

Wahl der Zielgruppe (2 von 2)
Freunde der deutschen Rechtschreibung, Googlehinweiser und 
Wikipedialinkposter sind eine gut gewählte Zielgruppe, weil leich zu 
provozieren.

Umsetzung und Subtilität (0 von 2)
Die Moderatorenlöschgeschwindigkeit ist vermutlich viel zu hoch, die 
Trollbeitragerkennungsschwierigkeit ist leider niedrig.

Die tutorials beantworten nicht meine Frage, überall ist eine 
Spannungsquelle angegeben,. In einer Schaltung sah ich mal eine 
StromQuelle...

Trollbeitragsbewerter schrieb:
> Dieser Trollbeitrag erhält 4 von 10 möglichen Punkten.

www.youtube.com/watch?v=VVmmQN5YelM

Trollbeitragsbewerter schrieb:
> Dieser Trollbeitrag erhält 4 von 10 möglichen Punkten.

Die Trollbeitragsbewertung hat leider einen Schwachpunkt: Bei 10/10 muss 
das Forum geschlossen werden und keiner wird die Trollbewertung je lesen 
;)

Wie gesagt ich bin mir fast sicher,dass bei ladungsempfindlichen 
versteigern das eingangssignal ein Strom ist, aber der eingang OPV ist 
ein FET, daher bin ich verwirrt, da bei FETs am Gate normalerweise eine 
Spannung anliegt.

Christian schrieb:
> ladungsempfindlichen
> versteigern

Is das ne neue Option bei e-bay?

Ach Leute,beantwortet doch einfach seine Frage oder lasst es bleiben.

Im Prinzip liegst du nicht ganz falsch. Bei Halbleitern in Sperrschicht 
werden beispielsweise oft OPVs verwendet, um Signale zu integrieren. Die 
Eingangs-FETs invertieren dabei den Impuls. Dieser Impusl kann auch ein 
Spannungsimpuls sein, aus dem sich logischerweise dann auch die Ladung 
und der Strom über die Zeit herleiten lässt. Daher kannst du diesen 
Impuls als Stromimpuls oder Spannungsimpuls oder Ladung betrachten. Am 
Gate liegt im Prinzip die Spannung U=Q/C. Q ist dabei die Ladung, die 
verstärkt wird. Und Q=I*dt, dass ist der Stromimpusl, den dir 
beispielsweise ein Halbleiter-Detektor liefert ...

Das Gate wirkt wie ein Kondensator der sich auflädt und da fließt dann
auch ein kleiner Strom, bis der Kondensator geladen ist.
Ähnlich ist es dann beim abschalten, nur das der kleine Strom dann
zurück fließt.

Christian schrieb:
> Die tutorials beantworten nicht meine Frage, überall ist eine
> Spannungsquelle angegeben,.

Das hat seinen guten Grund: FETs sind Spannungsgesteuert.

Deswegen sag ich ja, es ist an sich eine Eingangsspannung am FET. Jedoch 
ist diese Spannung nichts anderes als im Falle eines Halbleiters 
Ladung/Kapazität. VOn daher kann man das auch als aufintegrieren des 
Strom ansehen ...