Mosfet arbeitsbereich

[didi (Gast)]

Hallo,

ich beschäftie mich momentan mit Mosfets als Schalter. Werden diese im 
Sättigungsbereich oder im linearen Bereich betrieben? Ich habe schon mir 
verschiedene Quellen durchgelesen. Einmal steht es, dass der 
Betriebspunkt in der Nähe des ohmschen Bereiches liegt. Woanders steht 
es wieder rum im Sättigngsbereich usw.
Wie sieht es mit den Verlusten im Einschaltzustand aus? Der Widerstand 
Rdson beträgt im ohmschen Bereich den kleinsten Wert, daher fallen die 
Verluste im ohmschen Bereich am geringsten aus.


Mfg

[Teo D. (teoderix)]

https://www.mikrocontroller.net/articles/FET

[didi (Gast)]

In diesem Artikel steht es, dass der Mosfet im eingeschalteten Zustand 
im Sättigungsbereich betrieben wird. Warum?



http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_7.html

[Alexander L. (photoniker)]

Weil er schalten soll.

[didi (Gast)]

Warum nicht im linearen Bereich?

[Teo D. (teoderix)]

><(()°>

[Michael B. (laberkopp)]

didi schrieb:
> Werden diese im Sättigungsbereich oder im linearen Bereich betrieben

Beide Begriffe stammen aus dem bipolaren Transistor und sind beim MOSFET 
unglücklich weil sie genau das Gegenteil bedeuten.

Der Sättigungsbereich bei MOSFET ist genau das Gegenteil vom 
Sättigungsbereich vom bipolaren Transistor, daher ist der Begriff beim 
MOSFET unglücklich, man sagt besser Abschnürbereich.

Ein durchgeschalteter MOSFET wird also im linearen Bereich betrieben, 
obwohl er voll durchschaltet, also gar nicht mehr abhängig von der 
Gate-Spannung ist, also auch gar nicht linear ist. Auch dieser Begriff 
ist also unglücklich und verwirrt vor allem Anfänger, man sagt besser 
... Sättigungsbereich ? Hmm, blöd, schon vergeben. Also 
Raumladungsbereich, oder Inversionszonenbereich.

Besonders blöd ist, dass der Sperrbereich gar nicht im Diagramm ist, 
sondern bei UGS<UGS(th) stattfindet.

Vergiss also die Worte, merke dir nur:
Ein MOSFET ist voll durchgeschaltet, wenn UGS > 2 * UGS(th).
Er ist voll gesperrt, wenn UGS < UGS(th)
Und er ein steuerbarer Widerstand wenn UGS(th) < UGS < 2 * UGS(th).

[THOR (Gast)]

Michael B. schrieb:
> Ein MOSFET ist voll durchgeschaltet, wenn UGS > 2 * UGS(th).

Ich sehe schon die nächsten Forenbeiträge:

"Ich brauche 6V um nen FET einzuschalten aber habe nur 5V HILFE 
DRINGEND"

[Michael B. (laberkopp)]

THOR schrieb:
> Ich sehe schon die nächsten Forenbeiträge:
>
> "Ich brauche 6V um nen FET einzuschalten aber habe nur 5V HILFE
> DRINGEND"

Niemand lässt sich deswegen bei der SUche nach einem MOSFET mit 2.5V 
maximaler UGS(th) helfen
sondern alle nehmen einfach den MOSFET mit 4 V UGH(th) und wundern sich 
nichtmal warum er nicht voll durchschaltet sondern halten die Verluste 
für normal, sie haben doch alles richtig gemacht.

Gegen Dummheit ist kein Kraut gewachsen.