Nabend allerseits Kann mich jemand aufklären? Natürlich was Transistore angeht :D :D Und zwar frage ich mich, was genau bedeutet diese "Collector-emitter saturation voltage" Angabe bei NPN oder PNP Transistoren? Und zwar habe ich in einem 12V, 27Khz SMPS die FET Drive-Transistoren einer gegentakt stufe getauscht da diese durch waren. Es waren original A916 verbaut (2SA916) und ich habe diese durch A968 ersetzt sowie die C2316, ersetzt durch C2238. Diese hatte ich aus einem anderen Gerät entnommen, wo diese ebenfalls FETs, bzw. könnten sogar IGBTs gewesen sein. Fast alle werte sind besser, nur diese "Collector-emitter saturation voltage" liegt bei den neuen bei 1.5V statt bei 1V... aber was genau besagt dieser wert, und inwieweit ist dieser relevant für die Schaltung?
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Wird in der Gate Driver Applikation nicht viel ausmachen. Die Kollektor-Emitter Saturation gibt für einen Kollektorstromwert an, wieweit die Kollektor-Emitterspannung sinkt. Typischerweise in voll gesättigtem Betrieb also deutlich mehr Basisstrom wie nötig. Verursacht wird sie durch unterschiedliche Vorwärtsspannungen der Emitter-Basis und Kollektor-Basis Diode. Die Kollektor-Basis Diode fängt in Sättigung an zu leiten und verhindert niedrigere Kollektor-Emitter Spannungen.
soweit ich das raus lesen konnte, ist das also eine art Vdrop Angabe? sprich - wie viel Spannungsabfall ich über den Transistor habe? Ist es für einen FET nicht förderlich, mit einer möglichst hohen, noch im Optimal liegenden Gate-Spannung angefahren zu werden, damit die Gate Ladung möglichst schnell umgeladen werden kann?
David P. schrieb: > Fast alle werte sind besser, nur diese "Collector-emitter saturation > voltage" liegt bei den neuen bei 1.5V statt bei 1V... Das ist aber ein sehr hoher, eher unüblicher Wert.
Muß ein spannendes Design sein, das sie 160V Treibertransistoren für einen IGBT benutzen.
Naja, die 160V dinger...ich glaube man nimmt oft irgendwelche, die passen, die eben auch gern mal die 4x Spannung abkönnen als eigentlich anliegt... Ist mir schon in sehr vielen Schaltungen so aufgefallen Wäre also besser, NPN und PNP Transistoren zu finden, die eine sehr geringe Vce(sat) haben, oder? erstmal was finden :/
David P. schrieb: > Und zwar frage ich mich, was genau bedeutet diese "Collector-emitter > saturation voltage" Angabe bei NPN oder PNP Transistoren? Ucesat, Sättigungsspannung, die Spannung wird nicht mehr geringer, auch wenn der Basisstrom weiter ansteigt. David P. schrieb: > Fast alle werte sind besser, nur diese "Collector-emitter saturation > voltage" liegt bei den neuen bei 1.5V statt bei 1V... Höhere Spannung an Uce bedeutet höhere Verlustleistung. Beispiel: Ic= 1 Ampere Bei 1 Volt Uce 1 Watt Verlustleistung am Transistot Bei 1,5 Volt Uce 1,5 Watt Verlustleistung am Transistor
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Christian K. schrieb: > Muß ein spannendes Design sein, das sie 160V Treibertransistoren für > einen IGBT benutzen. Hatte ich ihm (fast) alles ausführlichst erklärt. Beitrag "IRFZ48V als ersatz für SFP70N06? Für 12V SMT mit "Schaltbild"" Naja - bis auf das, daß die v. m. empfohlenen BJTs... selbstverständlich auch niedrigere V(CE)sat haben. Wofür ich mich da bloß abgerackert habe, wenn der gute David immer noch mit den 160V Dingern rummacht? Ich ... weiß es ehrlich nicht. :-(
David P. schrieb: > Fast alle werte sind besser, nur diese "Collector-emitter saturation > voltage" liegt bei den neuen bei 1.5V statt bei 1V... Das sind beides keine Sättigungsspannungen. Sättigung ist definiert als Uce kleiner als Ube. Das sind üblicherweise 0,7V. Jörg R. schrieb: > David P. schrieb: >> Und zwar frage ich mich, was genau bedeutet diese "Collector-emitter >> saturation voltage" Angabe bei NPN oder PNP Transistoren? > > Ucesat, Sättigungsspannung, die Spannung wird nicht mehr geringer, auch > wenn der Basisstrom weiter ansteigt. Natürlich wird die geringer. Der Kollektorstrom steigt aber nicht weiter an.
David P. schrieb: > Und zwar habe ich in einem 12V, 27Khz SMPS die FET Drive-Transistoren > einer gegentakt stufe getauscht da diese durch waren. > Es waren original A916 verbaut (2SA916) und ich habe diese durch A968 > ersetzt sowie die C2316, ersetzt durch C2238. Hast du Wort-Findungsschwierigkeiten? Für "SMPS" darfst du ruhig "Schaltnetzteil" o.ä. schreiben und für "Drive" gibt es das schöne deutsche Wort "Treiber". Hier werden megabyteweise Bilder hoch geladen - da kommt es auf die paar eingesparten Buchstaben nun wirklich nicht drauf an. Meinst du mit A916 den KSA916 [1] oder wirklich den 2SA916 [2]? Für letzteren ist V_CE_sat mit typisch -0.18V und max -0.6V angegeben. Wo hast du die Angabe 1V her? [1] http://harisi.com/products_pdf/Fairchild-Semiconductor/KSA916OBU.pdf [2] http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheets2/17/172986_1.pdf > Fast alle werte sind besser, nur diese "Collector-emitter saturation > voltage" liegt bei den neuen bei 1.5V statt bei 1V... Hast du das gemessen oder sind das Datenblattangaben mit möglicherweise verschiedenen Randbedingungen? > aber was genau besagt dieser wert, und inwieweit ist dieser relevant für > die Schaltung? Das kommt auf deine Schaltung an.
@ THOR (Gast) >> Fast alle werte sind besser, nur diese "Collector-emitter saturation >> voltage" liegt bei den neuen bei 1.5V statt bei 1V... >Das sind beides keine Sättigungsspannungen. >Sättigung ist definiert als Uce kleiner als Ube. Das sind üblicherweise >0,7V. >> Ucesat, Sättigungsspannung, die Spannung wird nicht mehr geringer, auch >> wenn der Basisstrom weiter ansteigt. >Natürlich wird die geringer. Der Kollektorstrom steigt aber nicht weiter >an. Du scheinst ja echt der Kenner zu sein ... Und die Transistorhersteller und Datenblattschreiber haben alle keine Ahnung ...
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Auf den alten Transistoren stand nur A916 drauf... Dachte die sind dann immer gleich, egal von welchem hersteller? Ich frage mich, warum man als Gate-Treiner eigentlich Transistoren einsetzt, und nicht ganz kleine Mosfets? Die hätten doch gar keine verluste, und die kleinen Fets haben auch nur eine sehr geringe Gate Kapazität was jeder PWM geber locker ansteuern könnte, oder wo ist da mein denkfehler? grübel
Der TO schrieb: >Es waren original A916 verbaut (2SA916) und ich habe diese durch A968 >ersetzt Die haben aber total unterschiedliche Eigenschaften, egal ob A968, oder 2SA968
>Ich frage mich, warum man als Gate-Treiner eigentlich Transistoren >einsetzt, und nicht ganz kleine Mosfets? Die hätten doch gar keine >verluste, und die kleinen Fets haben auch nur eine sehr geringe Gate >Kapazität was jeder PWM geber locker ansteuern könnte, oder wo ist da >mein denkfehler? grübel Der erste Denfehler ist schonmal, den MOSFET nicht als Transistor betrachten zu wollen. Schließlich hat das T am Ende ja auch so seinen Sinn. Zweitens: "keine Verluste" gibt's nicht. Auch bei Mosfets als Treiber. Ansonsten brauchen Mosfets öfters eine deutlich höhere Gatespannung als BJTs - könnte nachteilig sein. Auuserdem sind die Verluste in den Treibern üblicherweise eher vernachlässigbar gegenüber den Verlusten in der Endstufe, so daß man da ehnehin nicht unbedingt primär optimierun muß
David Partsch schrieb: > Auf den alten Transistoren stand nur A916 drauf... Dachte die sind dann > immer gleich, egal von welchem hersteller? Lass doch mal deine Shift-Taste überprüfen - da ist doch grausig. Üblicherweise ist auf den älteren Transistoren gerne mal ein Firmenlogo drauf. Wieviel Kollektorstrom fließt nun in deiner Schaltung, um mal zu realistischen Betriebsparametern zu kommen. Es macht keinen Sinn, die Sättigungsspannung bei 20mA Ic mit der bei 500mA zu vergleichen und darauf die Aussage aufzubauen, dass die Transistoren unterschiedliche Eigenschaften besitzen.
So komplex :( Also geschaltet werden pro Gegentaktstufe 8 IRFZ48 FETs die je einen 27Ohm Gate-Widerstand davor haben.
> Also geschaltet werden pro Gegentaktstufe 8 IRFZ48 FETs die je einen > 27Ohm Gate-Widerstand davor haben. Also da war bestimmt kein 2SA916 als Mosfet-Treiber drin. Der schafft ja gerade mal 50mA offiziell.
Original waren es mal die SFP70N06 FETs, aber die IRFZ sind ähnlich. Es waren jedenfalls TO-92 ähnliche Transistoren, ähnlich darum, da ich die exakte Bauform bezeichnung nicht kenne, sieht aus wie TO-92,nur etwas Länger. Also 800mA wird schon hin kommen, wenn die kleineren TO-92 500mA schalten können. Und das war Original so :-/
David Partsch schrieb: > Es waren jedenfalls TO-92 ähnliche Transistoren, ähnlich darum, da ich die > exakte Bauform bezeichnung nicht kenne Dann guck mal in das oben verlinkte Datenblatt vom KSA916 und prüfe, ob das dort auf S.4 beschriebene Gehäuse deinem entspricht. Der 2SA916 von NEC hat ein flaches, kantige Gehäuse. Der Unterschied sollte doch wohl festzustellen sein.
David Partsch schrieb: > Ich frage mich, warum man als Gate-Treiner eigentlich Transistoren > einsetzt, und nicht ganz kleine Mosfets? Ich ergänze, was Jens schon schrieb: a.) MOSFETs brauchen eine gewisse Gate-Spannung (gegenüber den jeweiligen Sources). Daher muß eine einfache MOSFET- P-Ch- N-Ch- Kombination, will man sie an der Treiberspannung ohne Zusatzbeschaltung betreiben, gegenüber der bipolaren Lösung "vertauscht" platziert werden - wodurch aber die Funktion des Treibers invertierend wird. (Das heißt: Man müßte das Treibersignal vor Einspeisung in diese Gegentaktstufe erst invertieren, oder aber invertiert vorliegen haben. b.) bei der einfachen MOSFET- P-Ch- N-Ch- Kombination kommt es während der Treiber-Gate-Umladungen zu einer Überlappung der Leitend-Phasen beider FETs. Das führt dazu, daß in diesen Zeiten praktisch die Treiber-Betriebsspannung ziemlich niederohmig kurzgeschlossen wird (engl. "Shoot-Through"), wobei hohe Ströme fließen, und große Verlustleistungen entstehen können. Gefährdet die Treiber-MOSFETs wie auch die -Versorgung. c.) Noch dazu sind bipolare Transistoren etwas billiger zu haben... Forist schrieb: > Wieviel Kollektorstrom fließt nun in deiner Schaltung Betriebsspannung 12V angenommen, bei 8 R´s mit 27 Ohm 12 / (27 / 8) ---> 3,555... Ampere (bei 14,4V auch a bissel mehr möglich) wenn man den internen R_G vernachlässigt. (Forist, ich weiß, daß Du selbst rechnen kannst. Hatte es nur eh noch im Kopp.) Mir ist bewußt, daß "kommerziell" hier gerne BD140/BD139 verwendet werden bei solchen Strömen. (Oder, wie hier anscheinend, noch sehr viel "windigere".) Ich persönlich benutze für Reparaturen und Eigenbauten aber gerne welche mit I_C(dauer) = 1,5x - 2x I_C(peak) - denn dann ist an der Stelle gerne für lange Zeit "Ruhe". Welche Treiber-BJTs würdest Du empfehlen?
Nachtrag: Ob ein Basiswiderstand vorhanden, und welcher Größe, konnte ich noch nicht ermitteln. Auch nicht die weitere Beschaltung. Nur, daß alles wohl von einem TL494 kommt. Ungeregelt betrieben, mit voller Pulsbreite, wie es scheint.
Vielen Dank für die erklärung, warum man keine Mosfets als Treiber benutzt :) Damit konnte ich was anfangen :) Wegen den Basis Widerstand...stimmt, da sollte einer dran sein. ich werde heute abend nochmal genauer hinschauen, und versuchen, hochauflösende Fotos des PWM gebers und der Treiber-Abteilung anzubieten... habe sogar noch einen fall, was mich etwas irritiert, wie man soetwas bauen kann...auch eine 12V Endstufe, auch mit einem TL494 PWM Geber, da ist aber meines erachtens nach keine Gegentakt Stufe drin, sondern als FET Treiber nimmt man da NUR PNP Transistoren, und einen Widerstand - das konstrult Läd und Entläd die GATE-Eingänge der MOSFETs...finde ich etwas komisch warum man da keine gegentakt-stufe verbaut hat...würd mich interessieren, ob man einen besseren wirkungsgrad erzielen kann wenn man das auf gegentakt treiber umbaut, und was ich denke was auch helfen könnte: Wenn man den PWM Geber über ein DC-DC wandler versorgt, statt direkt die eingangsspannung zu nutzen was an der Endstufe anliegt. Weil ich denke, wenn die Endstufe voll aussteuert, und die Spannung intern auf 10V zusammen bricht, es dem PWM geber nicht wirklich gefällt, und der Spannungsabfall hinter den GATE Treiber ist ja dann noch höher, bzw. es kommt noch weniger GATE Spannung raus, worduch die FETs garnicht schnell genug Geladen/Entladen werden bzw. schalten... oder wo ist da nun wieder mein denkfehler? :-/ aber das würd ich ggf. in einen weiteren Thread packen
David Partsch schrieb: > habe sogar noch einen fall, was mich etwas irritiert, wie man soetwas bis: > oder wo ist da nun wieder mein denkfehler? :-/ Dir ist schon bewusst, dass dieser gesamte Absatz EIN SATZ ist?!
die ... kann man doch auch als Punkt ansehen :D Habe ein paar Fotos gemacht, aber da ich diese nicht weiter komprimieren wollte als meine Kamera ohnehin schon macht, habe ich diese auf meine Dropbox hochgeladen: https://www.dropbox.com/sh/amudxwu903lvg7h/AABd4zOroR63lWkJJsGNl4mZa?dl=0
David Partsch schrieb: > Habe ein paar Fotos gemacht, aber da ich diese nicht weiter komprimieren > wollte als meine Kamera ohnehin schon macht Wenn's Sinn macht, große Bilder hoch zu laden, hat hier sicher niemand was zu meckern!
ALso, ein Basis-Widerstand konnte ich keinen finden, also keiner der direkt zwischen dem TL494 und der Gegentaktstufe sitzt. Da sind aber zwei SMD Widerstände mit je 1K Ohm welche den Ausgang des TL494 richtung Treiber-Basis eingang gegen GND ziehen
David Partsch schrieb: > ALso, ein Basis-Widerstand konnte ich keinen finden, also keiner > der > direkt zwischen dem TL494 und der Gegentaktstufe sitzt. Da sind aber > zwei SMD Widerstände mit je 1K Ohm welche den Ausgang des TL494 richtung > Treiber-Basis eingang gegen GND ziehen Also wenns ne BJT Gegentaktstufe ist (NPN und PNP jeweils in Kollektorschaltung), dann brauchts da auch keinen Basiswiderstand. Bzw. der ist den Schaltzeiten sogar abträglich.
Ahh, ok, deswegen sind da keine Widerstände :) Ja, ist eine Klassische BJT Gegentaktstufe. Ist es eigentlich generell besser, Mosfets mit einer Gegentakt Stufe anzutakten, anstatt mit nur einem PNP + Widerstand?
Ja, ist es (meist ist der Controller nicht "allein fähig", größere Ströme abzugeben oder aufzunehmen). Der PNP kann halt nur entladen - das kommt genaugenommen auf die Anwendung an, ob das "reicht". Lies doch mal z.B.: https://www.google.de/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=4&cad=rja&uact=8&ved=0ahUKEwidx-eYxOHUAhVKZ1AKHTskBfcQFgg9MAM&url=http%3A%2F%2Fwww.ixys.com%2FDocuments%2FAppNotes%2FIXAN0010.pdf&usg=AFQjCNE5GrhB-I6SsemV1iWnENPym9tkOw Da gibt es übrigens noch tausende Dokumente und Quellen drüber. Normalerweise stellt man ja nicht tausend Fragen, sondern informiert sich erst mal. Und fragt dann nach Dingen, die man nicht "von allein" versteht.
THOR schrieb: > Also wenns ne BJT Gegentaktstufe ist (NPN und PNP jeweils in > Kollektorschaltung), dann brauchts da auch keinen Basiswiderstand. Bzw. > der ist den Schaltzeiten sogar abträglich. Man muß oft keinen platzieren. Man kann aber über einen solchen (zusätzlich zum, oder anstatt, Gatewiderstand) und die Stromverstärkung die Impedanzen und Schaltzeiten auch "anpassen". Man muß (mit Gatewiderstand) auch die BJTs nicht unbedingt sehr viel tiefer sättigen, als für den Gatestrom notwendig. Für sehr hohe Frequenzen z.B. profitiert man dann von den kürzeren Schaltzeiten der BJTs selbst, wenn diese "voll" gesättigt schon an ihre Grenzen stoßen würden. Auch ist es - obwohl häufig - nicht wirklich "in jedem Fall" angeraten, die wirklich schnellstmögliche Schaltzeit bei den FETs anzustreben. Nur nebenbei, weil Du einen R hier scheinbar in jedem Fall als sinnlos erachtest.
THOR (Gast) schrieb: > Sättigung ist definiert als Uce kleiner als Ube. > Das sind üblicherweise 0,7V. Wer war das?
öhm schrieb: > wenn diese "voll" gesättigt schon an ihre Grenzen stoßen > würden. Da die Gegentaktstufe gar nicht sättigen kann, braucht man auch keinen Basiswiderstand der Sättigung verhindert. Es sei denn, du baust die Gegentaktstufe mit NPN unten und PNP oben auf. Das ist dann halt dämlich.
David P. schrieb: > ? unten...oben... ? https://de.wikipedia.org/wiki/Gegentaktendstufe#/media/File:Eisenlose_Endstufe.png Die ganz rechten, einer oben, einer unten.
also bei den gegentakt stufen die ich kenne, sind die Basis Anschlüsse direkt miteinander verbunden, auf kürzestem weg kopfkratz
David P. schrieb: > also bei den gegentakt stufen die ich kenne, sind die Basis > Anschlüsse > direkt miteinander verbunden, auf kürzestem weg kopfkratz Dann sind die ruhestromlos, zur Ansteuerung von Logik. Die von Wiki ist für Audio, mit Ruhestrom gegen Verzerrungen. Beides Gegentaktendstufen, aber für verschiedene Anwendungen.
Hab ich mir schon gedacht als ich den Wiki Artikel gelesen habe :) Macht es sinn, die jetzt verbauten A968 und C2238 durch die BD139 und BD140 zu ersetzen?, oder gibt es noch bessere, die aber gerne 3A Schaltstrom haben, oder 5A?
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