Hallo allerseits, ich versuche eine Spannungsregelung auf Basis dieser Schaltung zu realisieren: Beitrag "Netzteil für Röhrenverstärker" Schaltplan: https://www.mikrocontroller.net/attachment/228684/Netzteil-mosfet.png Man findet die Schaltung in mannigfaltiger Abwandlung im Netz, also muss was dran sein. http://www.robkalmeijer.nl/techniek/electronica/radiotechniek/hambladen/cq-dl/1991/page012/index.html http://www.struening.org/Bausatzbeschreibung/HV_PSU.pdf Meine derzeit aufgebaute Schaltung mit IRF840 für die Spannungsstabilisierung, wie auch die damit zu betreibende Last, habe ich angehängt. Die Wahl und Anordnung der Bauteile sind "historisch bedingt", da ich ursprünglich mit einer Spannungsstabilisierung mittels NPN-Transistor (2SC2979) ins Rennen gehen wollte. Mit der Wahl der dargestellten Werte für die Bauteile (R7=4.7K/11W; R8=300R/2W) habe ich die besten Ergebnisse bekommen, wie das Diagramm im Anhang zeigt. Die Werte für das Diagramm wurden mit einem 1kHz Sinus gemessen. Oberschwingungen oder Verzerrungen sind keine am Oszilloskop zu beobachten. Der Lastwiderstand für den Ausgang des Verstärkers beträgt 390 Ohm. Was mache ich falsch, dass die Spannung bei mir nicht stabilisiert wird? Vielen Dank für Eure Hilfe! LeFish
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Hallo, Deine 500V Versorgung scheint nachzugeben. Oder wo hast Du den Sinus drauf gegeben? Und wo gemessen? Spitzenwert, Effektivwert? Bei 35 mA müßte sonst am FET Ugs 150V betragen... MfG
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Die 500V Versorgung gibt zu keinem Zeitpunkt nach - hab ich nachgemessen. Der 1kHz Sinus liegt am Verstärkereingang an. In Abhängigkeit von dessen Pegel (ca. 200mVeff bis ca. 800Veff) wird die Spannungsversorgung belastet, da der Anodenstrom steigt.
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Sind die 500 Volt überhaupt gesiebt? Du brauchst allerdings einen Transistor, der mehr Spannung aushält.
Hallo, SINUS bis 800mV? Und dann hast Du dort Gleichspannung gemessen, wo im Verstärkerschaltbild 350V steht? MfG
Ich habe mich etwas unklar ausgedrückt: Der Spannungsregler wird mit gleichgerichteter und gesiebter Spannung versorgt. Der Sinus mit 1kHz ist das zu verstärkende Signal. Je nach dessen Pegel belastet es den Verstärker (Anodenstrom steigt auf bis zu ca. 50mA je Kanal). Die Anodenspannung sollte jedoch auf 350VDC stabilisiert werden und nicht auf 280VDC abfallen. Das Schaltbild des Verstärkers habe ich also nur der Vollständigkeit halber angefügt, da oftmals bei Fragen zu Spannungsreglern nach der Last gefragt wird. Meine Frage betrifft nur den Spannungregler, der mir die Anodenspannung nicht sauber auf 350VDC von 0-100mA (bei zwei Kanälen) zu stabilisieren scheint. Beste Grüße LeFish
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Der Transistor ist hinüber. Der R7 sorgt für den Spannungsabfall.
Hallo Luca, Am Gain des IRF fehlt ein Widerstand von mindestens 150 Ohm. Den Fehler habe ich auch schon einmal gemacht. Falls Du eine entsprechende Platine haben möchtest, melde Dich bei mir. Gruß Frank
Hallo, gut, so habe ich es mir gedacht, wie Du schreibst. Immerhin verbraucht der Röhrenverstärker 2 x 17 Watt, wie es scheint. Nur kann der FET keine 350 V - 280 V = 70 V zwischen Gate und Source aushalten. Dann ist er defekt. Eine Schutzdiode fehlt am Gate. Den FET hattest Du bestimmt immer gekühlt? MfG
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Frank L. schrieb: > Am Gain des IRF fehlt ein Widerstand von mindestens 150 Ohm. Gate + Drain = Gain?
TheLeFish .. schrieb: > Was mache ich falsch, dass die Spannung bei mir nicht stabilisiert wird? Hast du auch mal einfach die Spannung über den Z-Dioden gemessen? Denn wenn du an deinem "Ausgang" (=Source) tatsächlich 260V hast und am Gate noch 350V, dann möchte ich nicht die GS-Strecke sein... > Man findet die Schaltung in mannigfaltiger Abwandlung im Netz In beiden der verlinkten Schaltungen ist das Gate aber nicht so exponiert und ungeschützt wie in deinem Entwurf. der schreckliche Sven schrieb: > Der Transistor ist hinüber. > Der R7 sorgt für den Spannungsabfall. Ich sehe da in den Kennlinien auch nur einen Spannungsteiler aus 5k (R7+R8) und dem Laststrom: 50mA * 5k = 250V --> 500V - 250V = 250V. Passt exakt, die GS-Strecke ist durchlegiert.
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Würdet ihr mir bitte helfen die Widersände für die Stabilisierung mittels FET richtig auszulegen? Was ich noch unterschlagen habe ist, dass ich die Schutzdiode (ZD 16V) zwischen Gate und Source direkt auf den FET gelötet habe. Prinzipiell scheint der IRF840 ja der richtige Leistungstransistor zu sein. SOA aus einem Datenblatt ist angehängt. Demnach kann ich bei 300V V_DS bis zu 0,4A I_D ziehen. Beide Werte sind bei mir wesentlich geringer (V_DSmax=200V, I_Dmax=0,1A) Mit den meist verwendeten hochohmigen Widerständen brach mir die Spannung unter Last zusammen. Deswegen habe ich es mit geringeren Werten probiert. Ich bin ratlos, warum beispielsweise hier http://www.struening.org/Bausatzbeschreibung/HV_PSU.pdf die Stabilisierung einwandfrei zu funktionieren scheint bei ähnlichen Werten, die auch ich benötige. Ist meine Last das Problem? Beste Grüße LeFish
TheLeFish .. schrieb: > dass ich die Schutzdiode (ZD 16V) > zwischen Gate und Source direkt auf den FET gelötet habe. Jetzt frage ich mal ganz blöd: Hast Du die Z-Diode auch richtig rum eingebaut (Ring am Gate)?
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Ja, Zener-Diode ist sicher richtigherum eingelötet. Habe soeben eine Testmessung nachgeholt: Ohne Last wird die Spannung auf exakt 350V gehalten. Sobald die Last wenige mA erreicht hat, bricht die Spannung, sowie auch der Spannungsabfall über die Zenerdioden (Referenzspannung) sukzessive mit steigender Last ein. Die Eingangsspannung vom Trafo bleibt stabil auf ca. 550V. Wodurch sinkt die Spannung über die Zener-Dioden ab?
TheLeFish .. schrieb: > Wodurch sinkt die Spannung über die Zener-Dioden ab? Da gibts wohl nur eine Erklärung: Der Ausgangsstrom fließt über R7, R8 und die (kaputte) Gate-Source Strecke des Transistors. Oder die Z-Diode ist kaputt. Wenn der IRF840 hinüber ist, wäre das kein Wunder, 550 Volt sind ihm einfach zu viel!
Vielen Dank für die Hinweise. Der eingesetzte FET ist tatsächlich hinüber. Drain-Source ist auch bei entladenem Gate (in beide Richtungen) niederohmig. Auch die Gate-Source-Strecke ist (in beide Richtungen) niederohmig. Bei einem neuen IRF840 schaffe ich zwar nicht das Gate soweit zu laden, dass Drain-Source niederohmig wird, abder Drain-Source hat einen Widerstand von etwa 700ohm, etwas geringer nach Laden vom Gate. Kann ich nun mit einem FET, der V_DS 800V verträgt mein Glück versuchen, oder scheitere ich dabei das Unmögliche möglich zu machen? Welchen FET würdet Ihr mir für die Anwendung empfehlen? Ideal wäre ein TO-220 Gehäuse, wo nicht die Drainspannung an der Kühlfahne anliegt. Was ich versuche zusammengefasst: Vein=550VDC Vaus=350VDC I=0,6mA bis 150mA (mit Sicherheitsreserve) Beibehaltung des Layouts. (siehe Schaltungen oben) Bitte entschuldigt die blöde Frage, aber mit FET, die nicht in Sättigung gehen (-> Schalter) hatte ich noch nichts zu tun. Vielen Dank für Eure Hilfe.
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TheLeFish .. schrieb: > Ideal wäre ein > TO-220 Gehäuse, wo nicht die Drainspannung an der Kühlfahne anliegt. Es gibt TO220 Iso-Gehäuse, die können aber nicht viel Leistung abführen. Bei 200 Volt (550 - 350) und 150mA entstehen immerhin 30 Watt. TheLeFish .. schrieb: > Kann ich nun mit einem FET, der V_DS 800V verträgt mein Glück versuchen, Ja klar, ein 600V Typ machts auch schon. Ältere Typen sind für Linearbetrieb zu bevorzugen. Ich denke spontan an BUZ 90 oder 91. Dürften z.B. bei Ebay noch zu kriegen sein.
Der IRF840 wird an seiner Grenze von 500V betrieben -> nicht so toll. Das Gate bekommt bei Einschalten 350V ab, was garantiert den Fet zerbröselt, also wenigsten eine Zenerdiode zum Schutz zwischen Gate + Source.
Danke für Eure Tips. Ich hätte mir den STP4N80K5 mittelfristig (für nächste Woche) gefunden. Ist halt kein "altes" Modell. 800V VDS. Isoliertes TO-220 Gehäuse. Max. 60W. SOA wird locker eingehalten. Charme hat die integrierte Schutzdiode zwischen Source und Gate. Für mich halbwegs einfach zu bekommen. Datenblatt ist angehängt. Ist das eine vernünftige Wahl für endgültiges Setup? Kurzfristig verfügbar ums Eck hätte ich mir auch den IRFIBE30G fürs Testen übers Wochenende gefunden. Datenblatt aus 2008: http://www.vishay.com/docs/91184/91184.pdf Ähnliche Daten wie oben, nur max. 35W Verlustleistung (grenzwertig). Auch eine Schutzdiode, aber zwischen Drain und Source (?!) SOA wird erfüllt. Was ist davon zu halten?
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TheLeFish .. schrieb: > 800V VDS. Isoliertes TO-220 Gehäuse. Max. Der mit dem isolierten Gehäuse ist der "STF" - 20 Watt. TheLeFish .. schrieb: > Auch eine Schutzdiode, aber zwischen Drain und Source (?!) Das ist die Body-Diode, prinzipiell in jedem Power-Mosfet enthalten.
IRFBC40 - 600V / 6,2A. 125W Pd. Keine Schutzdiode
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TheLeFish .. schrieb: > 800V VDS. Isoliertes TO-220 Gehäuse. Mit 6°C/W Wärmewiderstand, ebendeshalb. Bei 30 W also dT=180°C. Hattest du Flüssigstickstoffkühlung vorgesehen?
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