Welche Typen sind hier gängig und empfehlenswert? Ich benötige sie zum ESD Schutz der I/O Pins eines ARM µC. Breakdown voltage dürfte daher 3V3 sein. Ich habe bei Reichelt schon nach TVS-Dioden gesucht, wurde aber nicht fündig. Insofern wäre die Typbezeichnung wichtig. Bestellen werde ich wahrscheinlich bei Reichelt, Conrad oder rsonline-privat, sie sollte also in einem dieser Jobs also verfügbar sein.
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Nano schrieb: > Breakdown voltage dürfte daher 3V3 sein. Als Tipp: suche nach Transil 3V oder nach TVS 3V Ich empfehle dir, auch mal das Datenblatt einer solchen Diode im Bezug auf das Durchbruchverhalten anzusehen. Dann erkennst du, dass so eine Diode allein nicht ausreicht.
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Lothar M. schrieb: > Als Tipp: suche nach Transil 3V oder nach TVS 3V Unter Transil habe ich bei keinem der obigen 3 Anbieter etwas mit 3V gefundne. Allerdings war die Suche nach TVS 3V bei rsonline im gewerblichen Shop erfolgreich. Bsp: https://de.rs-online.com/web/p/suppressordioden-tvs/7931942/ Der Preis ist aber von gut und böse im Vergleich zu einer einfachen Z-Diode. Ich brauche nämlich 26 Stück, das lohnt sich bei einem Preis von 0,37 € pro Stück nicht. Die Dinger gibt es nur im 5er Pack, 30 Stück würden mich damit 10,85 € kosten. Außerdem ist das alles SMD Technik, ich suche THT, wobei ich das am Anfang noch sagen hätte sollen. Ich denke, wenn es da nichts günstigeres gibt, kann ich das mit den TVS vergessen. 3V3 Z-Dioden sind für 0,03 - 0,06 € zu haben. > Ich empfehle dir, auch mal das Datenblatt einer solchen Diode im Bezug > auf das Durchbruchverhalten anzusehen. Dann erkennst du, dass so eine > Diode allein nicht ausreicht. Zur obigen habe ich folgendes Datenblatt gefunden, ich finde darin aber kein passendes Diagramm zum Durchbruchverhalten: http://docs-europe.electrocomponents.com/webdocs/1278/0900766b812781b4.pdf Bezüglich einer 3V3 Z-Diode gäbe es bei Reichelt eine BZX79C3V3 R0 für 0,5 W und BZX85C3V3 für 1,3 W Zum Durchbruchverhalten habe ich hier auf Seite 5 etwas gefunden: https://www.distrelec.de/Web/Downloads/_t/ds/BZX85_eng_tds.pdf Wenn ich das Diagramm richtig interpretiere, dann bedeutet das, je größer die Durchbruchspannung, desto weniger mA können maximal von der Z-Diode vertragen werden. Da ich aber sowieso die Z-Diode mit einem Widerstand kombinieren sollte, sollte dies ja kein Problem sein. Oder? Ich gehe mal davon aus, dass die Ströme, die bei elektrostatischen Entladungen auftreten, nicht so groß sind und wenn dann doch nur als kurzer Peak. Zumindest zu wenig um da irgendetwas nenneswertes zu erwärmen, das 0,5 bzw. 1,3 W aushält. Hauptsache die Spannung im vermutlich kV Bereich wird dann abgeführt. Wenn ich Käse rede, bitte korrigieren. Für mich ist das nur ein Hobby, ich bin kein Elektroniker der das studiert hat.
Nano schrieb: > Wenn ich das Diagramm richtig interpretiere, dann bedeutet das, je > größer die Durchbruchspannung, desto weniger mA können maximal von der > Z-Diode vertragen werden. O Wunder. P = U * I. Bei fixiertem P, etwa einer 0,5W Z-Diode...
Für ESD gibts extra Sachen, meist als Array. Die können nicht so viel Energie, sind dafür aber sehr schnell. Müssen induktivitätsarm eingebaut werden. Am besten vierpolig.
Nano schrieb: > Ich gehe mal davon aus, dass die Ströme, die bei elektrostatischen > Entladungen auftreten, nicht so groß sind Bei den üblichen Effekten durch Klamotten etc ist das auch so. Aber ein Blitz ist auch eine elektrostatische Entladung. ;-)
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Abdul K. schrieb: > Für ESD gibts extra Sachen, meist als Array. Die können nicht so viel > Energie, sind dafür aber sehr schnell. Müssen induktivitätsarm eingebaut > werden. Am besten vierpolig. Wobei es je nach Anwendung auch auf die Kapazität der ESD-Dioden ankommt. Schätze, dass man sich an einer Daumenregel orientieren kann: Je robuster der ESD-Schutz, desto grösser sind dessen Nebenwirkungen.
A. K. schrieb: > Nano schrieb: >> Ich gehe mal davon aus, dass die Ströme, die bei elektrostatischen >> Entladungen auftreten, nicht so groß sind > > Bei den üblichen Effekten durch Klamotten etc ist das auch so. Das würde mir als Schutz reichen. Abdul K. schrieb: > Für ESD gibts extra Sachen, meist als Array. Die können nicht so > viel > Energie, sind dafür aber sehr schnell. Müssen induktivitätsarm eingebaut > werden. Am besten vierpolig. Was würdet ihr mir da konkret empfehlen?
Sowas: http://www.semtech.com/images/datasheet/sr05.pdf Empfehlen ist schwierig, keiner weiß wo du einkaufst, was du brauchst, wieviel Geld und Zeit.
Nano schrieb: > Ich benötige sie zum ESD Schutz der I/O Pins eines ARM µC. Nano schrieb: > Wenn ich Käse rede, bitte korrigieren. Für mich ist das nur ein Hobby, > ich bin kein Elektroniker der das studiert hat. Sag doch lieber mal was du eigentlich bezweckst und welche Bauteile / Installationen beteiligt sind. Du verfolgst mit den Suppressordioden ja einen Zweck. Die mögen die Dioden schlüssig vorkommen, die können aber auch komplett am Ziel vorbeischießen.
Abdul K. schrieb: > Sowas: http://www.semtech.com/images/datasheet/sr05.pdf > > Empfehlen ist schwierig, keiner weiß wo du einkaufst, was du brauchst, > wieviel Geld und Zeit. Dieser SR05 kostet 2,01 € pro Stück, für meine Anwendung ist das viel zu teuer. Ich möchte 26 I/O Ports schützen, pro SR05 könnte ich 2 I/O schützen, damit wäre ich bei 13 * 2.01 € und somit jenseits von gut und böse. Passende TVS im Preisbereich einer Z-Diode (also < 0,10 € pro Stück) gibt's wohl nicht und das als THT und wenn SMD dann möglichst groß und gut lötbar, oder?
Preislich ja, aber THT???? Hm, da fällt mir nix ein. ESD brauchs auch extrem induktivitätsarm. Ansonsten ist das für die Katz. ESD-Schutz für Arme ist ein Kondensator am Eingang. Wie schnell sind deine Nutzsignale und welche Spannungen?
Hier bedrahtet: https://www.digikey.com/products/en/circuit-protection/tvs-diodes/144?k=esd&k=&pkeyword=esd&pv69=80&FV=ffe00090&mnonly=0&ColumnSort=0&page=1&stock=1&quantity=0&ptm=0&fid=0&pageSize=25 Such dir was aus. Ich lege mich ab...
wenns etwas günstiger sein darf www.tme.eu SMLVT3V3 TVS3V3L4UE6327 PESD3V3S1UB.115 UCLAMP3301D.TCT SR3.3.TCT RCLAMP3304P.TCT SLP2626P10 RCLAMP3304N.TCT AOZ8211DI-03 SRDA3.3-4.TBT PESD3V3S2UT ESD5Z3.3T1G ESD9R3.3ST5G PESD3V3L4UG.115 SMBJ3V3-E3/52 oder einfach mal als Suchbegriff 3,3V Diode eingeben danach landest du in der parametrischen suche und wählst unipolar aus dann erscheinen sowohl SMT als auch THT.
Abdul K. schrieb: > Wie schnell sind deine Nutzsignale > und welche Spannungen? Die Nutzsignale sind bestenfalls wenige KHz, wenn überhaupt. Ansonsten möchte ich noch einen DC Motors per PWM Signal ansteuern, da bin ich auch schlimmstenfalls im unteren KHz Bereich. Bezüglich der Spannung verträgt der µC an den I/O Pins nicht viel mehr als 3,3 V. Höhere Spannungen werden mit einem MOSFET oder Transistor geschaltet, die I/O Pins liefern also nur das Schaltsignal. Abdul K. schrieb: > Hier bedrahtet: > https://www.digikey.com/products/en/circuit-protec... > Such dir was aus. Ich lege mich ab... Hm, die kleinste Breakdown Voltage sind da 5,6 V. Zuviel für den µC. Thomas O. schrieb: > wenns etwas günstiger sein darf > > www.tme.eu > ... > > oder einfach mal als Suchbegriff 3,3V Diode eingeben danach landest du > in der parametrischen suche und wählst unipolar aus dann erscheinen > sowohl SMT als auch THT. Danke für die Liste. Ich werde mich da mal durchblättern.
Wo liegt eigentlich der Unterschied zwischen der Durchbruchspannung (Reverse clamping voltage) und der Rückspannung max. (Reverse working voltage)? Die obige Liste verwirrt mich nämlich etwas. Der SMLVT3V3 hat z.B. noch eine Durchbruchspannung von 3,3V, beim TVS3V3L4UE6327 beträgt die Durchbruchspannung aber schon 7,7V und die Rückspannung max. ist 3,3V, wobei auch diese 3V3 im Namen der Typbezeichnung drin stehen. Ich dachte die Durchbruchspannung ist das, was man man bei Z-Dioden als Z-Spannung bzw. Breakdown voltage bezeichnet und die dann auszeichnet, ab welcher Spannung die Spannung mithilfe eine Z-Diode gekappt wird. Demnach wäre eine Durchbruchspannung von 7,7V, wie es der TVS3V3L4UE6327 bietet, ja viel zu hoch, wenn ich 3,3 V maximal für den µC haben darf. Der TVS3V3L4UE6327 wird aber in der obigen Liste aufgeführt. Werden hier die Begriffe Unterschiedlich verwendet, so dass die Durchbruchspannung bei dem TVS3V3L4UE6327 eigentlich die Rückspannung max. ist oder wie muss ich das verstehen?
Nano schrieb: > Wo liegt eigentlich der Unterschied zwischen der Durchbruchspannung > (Reverse clamping voltage) und der Rückspannung max. (Reverse working > voltage)? "Working voltage" ist die Spannung, bei der praktisch nichts abgeleitet wird, wo die Schaltung also noch "normal" arbeiten kann. "Clamping voltage" ist die Spannung, die herauskommt, wenn die Diode einen großen Strom ableiten muss. Bei kleineren Strömen ist die Spannung näher an der working voltage. (Die restliche Spannungsdifferenz kann von den ESD-Dioden des µC erledigt werden; hier setzt man oft einen Widerstand zwischen TVS und µC-Pin ein, um den Strom zu begrenzen.)
Nano schrieb: > Die Nutzsignale sind bestenfalls wenige KHz, In vielen Datasheets von Suppressordioden steht die Kapazität vorsichtshalber nicht drin. Hab aber dann doch eines gefunden, von der gängigen P6KE. Die kleinste davon, 6,8V, hat eine Kapazität von 4nF - der Wert sinkt mit der Nennspannung. Sowas sollte man im Auge behalten, denn damit liegt man im Bereich der Gatekapazitäten von Power-MOSFETs.
Nano schrieb: > Wenn ich Käse rede, bitte korrigieren. Bitte: Transil taugen nicht als Schutz an µC-Eingängen. In 99% der Fälle reicht ein simpler Vorwiderstand, denn Schutzdioden sind schon drin.
Da dir ja der Preis auch wichtig ist, solltest Du darüber nachdenken, vor welchem Szenario du deinen Controller überhaupt schützen willst. Da ja im µC schon Schutzdioden eingebaut sind, kannst du auch erstmal schauen, ob die nicht schon reichen und ggf. mit einem einfachen Serienwiderstand den Strom durch diese begrenzen. Falls die nicht reichen, kannst Du auch nochmal Dioden parallel zu den internen hängen (GND -|>|- PIN -|>|- VCC), bzw. bei Bedarf da noch mit Serienwiderstand und Parallelkapazität arbeiten.
@Nano: Zu dem Thema möchte ich mich mal zitieren: Beitrag "Re: Ist es egal, was für eine Zenerdiode man für den IO Schutz eines µC verwendet, wenn nur die" Mit der Lösung kannst Du viele Anforderungen erfüllen; welche ist im Wesentlichen eine Frage der Dimensionierung und des Weglassen von Bauteilen.
zwar auch SMD, aber nett: PESD3V3L4UG * 4 Dioden in einem Gehäuse * max. 28pF * 4 Cent/Pin bei RS
Beitrag #5219801 wurde vom Autor gelöscht.
Bei echten ESD hat man Risetime von vielleicht 10ns auf 30KV mit Rsource ein paar Kohm aus 200pF. Da zählt jedes cm Leitungslange. Nein, der interne Schutz der Chips reicht da nicht!!! Das sind dann die Fälle, wo einer ein Gerät angefasst hat und es sofort ausfällt ohne sichtbaren Schaden.
Auf Reichelt findet man unter dem Stichwort "Überspannungs-schutzdioden" auch etliche Modelle, sogar THT. Allerdings nicht für 3,3V, sondern minimalst 5V, TNT sogar erst ab 6,4V. Andererseits könnte DANACH die µC-interne Beschaltung ausreichen.
Abdul K. schrieb: > Bei echten ESD hat man Risetime von vielleicht 10ns auf 30KV mit Rsource > ein paar Kohm aus 200pF. Da zählt jedes cm Leitungslange. Nein, der > interne Schutz der Chips reicht da nicht!!! Das sind dann die Fälle, wo > einer ein Gerät angefasst hat und es sofort ausfällt ohne sichtbaren > Schaden. Ist halt die Frage, was als realistisches Szenario betrachtet wird. Wenns ums anfassen geht, würde ich das Human Body Model [1] nehmen und halt nicht ganz auf Kante nähen. Dort ist die Rede von bis etwa 10kV, 100pF und 1,5k Serienwiderstand. Das ist dann ein Tau von 150ns (bei 10kV also etwa 7kV nach 150ns, deutlich weniger wie Du als "echten ESD" bezeichnest). Und natürlich gibt es auch Szenarien, für die der interne Schutz reicht (siehe Datenblatt). [1]: https://en.wikipedia.org/wiki/Human-body_model
Die interne ESD-Beschaltung ist nur für den Transport und die Montage des Chips. Und damit ist ESD-sichere Umgebung gemeint. Irgendwo hat mal jemand die auftretenden Impulse beim Juckeln auf einem Bürostuhl gemessen. Es war erschreckend. Und einige meiner Pullover sind auch richtige ESD-Pistolen. Das knallt richtig. Jeder hat andere Ansprüche an Qualität und Zuverlässigkeit.
Was man auch beachten sollte. Z-Dioden/Suppressordioden mit niedriger Nennspannung unterhalb ca. 6V haben lausige Kennlinien. Das sind Bananenkurven und keine scharfen Knicke. Darum nutzt man bei solchen Spannungen eher eine Klemmung mit Dioden gegen GND/VCC und keine Z-Dioden.
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