Welche Unipolare Suppressordiode mit einer 3V3 Breakdown voltage könnt ihr mir empfehlen?

Lothar M. schrieb:
> Als Tipp: suche nach Transil 3V oder nach TVS 3V

Unter Transil habe ich bei keinem der obigen 3 Anbieter etwas mit 3V 
gefundne.
Allerdings war die Suche nach TVS 3V bei rsonline im gewerblichen Shop 
erfolgreich.

Bsp:
https://de.rs-online.com/web/p/suppressordioden-tvs/7931942/

Der Preis ist aber von gut und böse im Vergleich zu einer einfachen 
Z-Diode.
Ich brauche nämlich 26 Stück, das lohnt sich bei einem Preis von 0,37 € 
pro Stück nicht.
Die Dinger gibt es nur im 5er Pack, 30 Stück würden mich damit 10,85 € 
kosten.

Außerdem ist das alles SMD Technik, ich suche THT, wobei ich das am 
Anfang noch sagen hätte sollen.

Ich denke, wenn es da nichts günstigeres gibt, kann ich das mit den TVS 
vergessen.
3V3 Z-Dioden sind für 0,03 - 0,06 € zu haben.


> Ich empfehle dir, auch mal das Datenblatt einer solchen Diode im Bezug
> auf das Durchbruchverhalten anzusehen. Dann erkennst du, dass so eine
> Diode allein nicht ausreicht.

Zur obigen habe ich folgendes Datenblatt gefunden, ich finde darin aber 
kein passendes Diagramm zum Durchbruchverhalten:
http://docs-europe.electrocomponents.com/webdocs/1278/0900766b812781b4.pdf

Bezüglich einer 3V3 Z-Diode gäbe es bei Reichelt eine
BZX79C3V3 R0 für 0,5 W und BZX85C3V3 für 1,3 W

Zum Durchbruchverhalten habe ich hier auf Seite 5 etwas gefunden:
https://www.distrelec.de/Web/Downloads/_t/ds/BZX85_eng_tds.pdf

Wenn ich das Diagramm richtig interpretiere, dann bedeutet das, je 
größer die Durchbruchspannung, desto weniger mA können maximal von der 
Z-Diode vertragen werden.
Da ich aber sowieso die Z-Diode mit einem Widerstand kombinieren sollte, 
sollte dies ja kein Problem sein. Oder?
Ich gehe mal davon aus, dass die Ströme, die bei elektrostatischen 
Entladungen auftreten, nicht so groß sind und wenn dann doch nur als 
kurzer Peak. Zumindest zu wenig um da irgendetwas nenneswertes zu 
erwärmen, das 0,5 bzw. 1,3 W aushält.
Hauptsache die Spannung im vermutlich kV Bereich wird dann abgeführt.

Wenn ich Käse rede, bitte korrigieren. Für mich ist das nur ein Hobby, 
ich bin kein Elektroniker der das studiert hat.

A. K. schrieb:
> Nano schrieb:
>> Ich gehe mal davon aus, dass die Ströme, die bei elektrostatischen
>> Entladungen auftreten, nicht so groß sind
>
> Bei den üblichen Effekten durch Klamotten etc ist das auch so.

Das würde mir als Schutz reichen.

Abdul K. schrieb:
> Für ESD gibts extra Sachen, meist als Array. Die können nicht so
> viel
> Energie, sind dafür aber sehr schnell. Müssen induktivitätsarm eingebaut
> werden. Am besten vierpolig.

Was würdet ihr mir da konkret empfehlen?

Nano schrieb:
> Ich benötige sie zum ESD Schutz der I/O Pins eines ARM µC.

Nano schrieb:
> Wenn ich Käse rede, bitte korrigieren. Für mich ist das nur ein Hobby,
> ich bin kein Elektroniker der das studiert hat.

Sag doch lieber mal was du eigentlich bezweckst und welche Bauteile / 
Installationen beteiligt sind.
Du verfolgst mit den Suppressordioden ja einen Zweck. Die mögen die 
Dioden schlüssig vorkommen, die können aber auch komplett am Ziel 
vorbeischießen.

Abdul K. schrieb:
> Sowas: http://www.semtech.com/images/datasheet/sr05.pdf
>
> Empfehlen ist schwierig, keiner weiß wo du einkaufst, was du brauchst,
> wieviel Geld und Zeit.

Dieser SR05 kostet 2,01 € pro Stück, für meine Anwendung ist das viel zu 
teuer.
Ich möchte 26 I/O Ports schützen, pro SR05 könnte ich 2 I/O schützen, 
damit wäre ich bei 13 * 2.01 € und somit jenseits von gut und böse.

Passende TVS im Preisbereich einer Z-Diode (also < 0,10 € pro Stück) 
gibt's wohl nicht und das als THT und wenn SMD dann möglichst groß und 
gut lötbar, oder?

Abdul K. schrieb:
> Wie schnell sind deine Nutzsignale
> und welche Spannungen?

Die Nutzsignale sind bestenfalls wenige KHz, wenn überhaupt.
Ansonsten möchte ich noch einen DC Motors per PWM Signal ansteuern, da 
bin ich auch schlimmstenfalls im unteren KHz Bereich.

Bezüglich der Spannung verträgt der µC an den I/O Pins nicht viel mehr 
als 3,3 V.
Höhere Spannungen werden mit einem MOSFET oder Transistor geschaltet, 
die I/O Pins liefern also nur das Schaltsignal.

Abdul K. schrieb:
> Hier bedrahtet:
> https://www.digikey.com/products/en/circuit-protec...
> Such dir was aus. Ich lege mich ab...

Hm, die kleinste Breakdown Voltage sind da 5,6 V.
Zuviel für den µC.

Thomas O. schrieb:
> wenns etwas günstiger sein darf
>
> www.tme.eu
> ...
>
> oder einfach mal als Suchbegriff 3,3V Diode eingeben danach landest du
> in der parametrischen suche und wählst unipolar aus dann erscheinen
> sowohl SMT als auch THT.

Danke für die Liste. Ich werde mich da mal durchblättern.

Wo liegt eigentlich der Unterschied zwischen der Durchbruchspannung 
(Reverse clamping voltage) und der Rückspannung max. (Reverse working 
voltage)?

Die obige Liste verwirrt mich nämlich etwas.
Der SMLVT3V3 hat z.B. noch eine Durchbruchspannung von 3,3V,
beim TVS3V3L4UE6327 beträgt die Durchbruchspannung aber schon 7,7V und 
die Rückspannung max. ist 3,3V, wobei auch diese 3V3 im Namen der 
Typbezeichnung drin stehen.

Ich dachte die Durchbruchspannung ist das, was man man bei Z-Dioden als 
Z-Spannung bzw. Breakdown voltage bezeichnet und die dann auszeichnet, 
ab welcher Spannung die Spannung mithilfe eine Z-Diode gekappt wird.

Demnach wäre eine Durchbruchspannung von 7,7V, wie es der TVS3V3L4UE6327 
bietet, ja viel zu hoch, wenn ich 3,3 V maximal für den µC haben darf.
Der TVS3V3L4UE6327 wird aber in der obigen Liste aufgeführt.

Werden hier die Begriffe Unterschiedlich verwendet, so dass die 
Durchbruchspannung bei dem TVS3V3L4UE6327 eigentlich die Rückspannung 
max. ist oder wie muss ich das verstehen?

Da dir ja der Preis auch wichtig ist, solltest Du darüber nachdenken, 
vor welchem Szenario du deinen Controller überhaupt schützen willst.

Da ja im µC schon Schutzdioden eingebaut sind, kannst du auch erstmal 
schauen, ob die nicht schon reichen und ggf. mit einem einfachen 
Serienwiderstand den Strom durch diese begrenzen.

Falls die nicht reichen, kannst Du auch nochmal Dioden parallel zu den 
internen hängen (GND -|>|- PIN -|>|- VCC), bzw. bei Bedarf da noch mit 
Serienwiderstand und Parallelkapazität arbeiten.

zwar auch SMD, aber nett: PESD3V3L4UG
 * 4 Dioden in einem Gehäuse
 * max. 28pF
 * 4 Cent/Pin bei RS

Abdul K. schrieb:
> Bei echten ESD hat man Risetime von vielleicht 10ns auf 30KV mit Rsource
> ein paar Kohm aus 200pF. Da zählt jedes cm Leitungslange. Nein, der
> interne Schutz der Chips reicht da nicht!!! Das sind dann die Fälle, wo
> einer ein Gerät angefasst hat und es sofort ausfällt ohne sichtbaren
> Schaden.

Ist halt die Frage, was als realistisches Szenario betrachtet wird.
Wenns ums anfassen geht, würde ich das Human Body Model [1] nehmen und 
halt nicht ganz auf Kante nähen. Dort ist die Rede von bis etwa 10kV, 
100pF und 1,5k Serienwiderstand. Das ist dann ein Tau von 150ns (bei 
10kV also etwa 7kV nach 150ns, deutlich weniger wie Du als "echten ESD" 
bezeichnest).

Und natürlich gibt es auch Szenarien, für die der interne Schutz reicht 
(siehe Datenblatt).

[1]: https://en.wikipedia.org/wiki/Human-body_model