Mat 02/03 heute besser als damals?

Beim Rauschen kommt es sehr auf die Bedingungen beim Messen an. Direkt 
vergleichbare Messwerte dürften recht selten sein. Heutzutage arbeitet 
man mit ganz andren Eingngsimpedanzen und Strömen in der Eingangsstufe.

"Damals" arbeitete man bei den hochpreisigen Daten an der 
Fertigungsgrenze auch per Selektion. Und kam so an die hochwertigen 
Exemplare.

Da sich die Fertigungstechnologie weiterentwickelt hat, haben Opamps 
inzwischen so gute Eingangsstufen, dass diskrete Ts-Paare kaum noch 
gefragt sind.

Ja, du hast wohl recht. Ich erinnere mich, dass für den Verstärker 
"Black Devil" aus Elrad für den Eingangstransistor empfohlen wurde, 
diesen auf geringstes Rauschen zu selektieren. Oder, wie hier im Forum 
auch schon mal aufgetaucht, einen ganzen Sack von Transistoren parallel 
zu schalten :-)
Gruß Rainer

guest...Rainer schrieb:
> Oder, wie hier im Forum
> auch schon mal aufgetaucht, einen ganzen Sack von Transistoren parallel
> zu schalten :-)

Das ist etwas andres. Bei Parallelschaltung addieren sich die 
Rauschspannungen anders als das Nutzignal. (Wurzel aus der Summe der 
Quadrate) Da kann man mit zehn gleichen Tsen evtl. einen um SQRT(10) 
besseren Wert bekommen.

Das ist eigentlich eine aus theoretische Überlegungen stammende Lösung, 
die Praxis widerspricht da meistens. Irgend ein Bauelement oder 
schlechtes Layout pfuscht dann mittenhinein. Oder die Streuung ist so 
groß, dass der Schlechteste das Rauschen bestimmt. Man setzt nämlich 
beim parallelschalten  voraus, dass alle zehn Tsen gleich rauscharm 
sind.

Peter R. schrieb:
> Das ist eigentlich eine aus theoretische Überlegungen stammende Lösung,
> die Praxis widerspricht da meistens. Irgend ein Bauelement oder
> schlechtes Layout pfuscht dann mittenhinein. Oder die Streuung ist so
> groß, dass der Schlechteste das Rauschen bestimmt. Man setzt nämlich
> beim parallelschalten  voraus, dass alle zehn Tsen gleich rauscharm
> sind.

Zuerst mal: "Theorie vs. Praxis" - Diese Deine Aussage impliziert 
irgendwie, daß man das gesteckte Ziel dann aber mit genügend Sorgfalt 
(bei der sowieso gekonnten Ausführung) von Layout und Aufbau, plus 
Selektion der (zu parallelisierenden) Transistoren auf gleich gute und 
hervorragende Werte, schon auch in der Praxis schaffen könnte - ist 
das überhaupt der Fall? (Und jetzt sag bloß nicht: "In der Theorie 
schon...")

Des weiteren: "Meistens" - Ist jemandem ein Fall bekannt, wo dieses 
Vorhaben zum Ziel führte? (a. und sei es auch nur unter o. g. 
Bedingungen. b. es würde freilich auch ein Wert in der selben 
Größenordnung wie der theoretische Zielwert, bzw. halt so nahe wie 
möglich daran, als "Ziel erreicht" gelten, da Meßungenauigkeiten immer 
berücksichtigt werden müssen. c. von einer Simulation spreche ich 
freilich nicht...) Wenn ja, bitte ich sehr um eine Verlinkung jenes 
Beispiels.

(Bitte nicht als Kritik verstehen, es handelt sich allein um "neugierige 
Fragen". Und es interessiert dabei auch die tatsächliche Antwort... Also 
ganz ohne Witze darüber zu machen - Methode plausibel oder nicht?)

g.l. schrieb:
> Ist jemandem ein Fall bekannt, wo dieses Vorhaben zum Ziel führte?

Zuviel verlangt, einfach mal ins Datenblatt des MAT03 zu sehen?

g.l. schrieb:
> Zuerst mal: "Theorie vs. Praxis" - Diese Deine Aussage impliziert
> irgendwie, daß man das gesteckte Ziel dann aber mit genügend Sorgfalt
> (bei der sowieso gekonnten Ausführung) von Layout und Aufbau, plus
> Selektion der (zu parallelisierenden) Transistoren auf gleich gute und
> hervorragende Werte, schon auch in der Praxis schaffen könnte

Ja,natürlich. Das führt aber nur dann zum Erfolg, wenn man das Ergebnis 
durch Messung kontrollieren kann.

Einfach zehn Ts-Stufen parallel zu schalten reicht nicht. Da muss vorher 
jede Stufe auf guten Wert hin gemessen werden.

Wenn es sich nicht um HF handelt sondern um NF gibt es da eine sinnvolle 
Grenze für den Aufwand für eine Verbesserung des Nutz-Rausch-Abstands. 
An dieser Grenze muss man sich dann mit der Signalquelle beschäftigen.

Bei HF zum Beispiel wurden die Rauschzahlen durch neue 
Transistortechnologien verbessert bzw. durch andere Übertragungsart wie 
Bandspreizung usw.

Heute kämpft man nicht mehr um Bruchteile von Rausch-dBs sondern nimmt 
eine andre Modulations- oder Verschlüsselungstechnik.

Also die Parallelschaltung ist die einzige Lösung, wenn man extrem 
niedrige Rauschwerte benötigt.

Die gepaarten Transistoren sind aber für eine ganze Menge von 
Einsatzzwecken sinnvoll, nicht nur für ein geringes Rauschen. Egal was 
man braucht, geringe Eingangsströme, wenig Offset etc. ein diskreter 
oder halbdiskreter Aufbau ist natürlich überlegen.

In den letzten 2-3 Jahren sind allerdings auch sehr gute 
Operationsverstärker herausgekommen, so daß der Einsatz von solchen 
aufwendigen Schaltungen weiterhin auf Anwendungen mit sehr hohen 
Anforderungen beschränkt.

Außerdem ist es nicht "ungefährlich", ein kleiner Denk- oder 
Ausführungsfehler bei der Schaltung und es ist dahin mit der Optimierung 
die man eigentlich wollte.

Ich habe mal einen extrem rauscharmen Verstärker mit 400 pVrms (ja kein 
Schreibfehler!) Eingangsrauschen gebaut, aber die Ruhe- und Offsetströme 
waren erheblich um es freundlich zu formulieren. Und mit gepaarten 
Transistoren geht das natürlich nicht in so einem Extrem.

Gepaarte Transistoren sind für wenig Offset und/oder wenig 
Eingangsoffsetstrom sinnvoll und schlagen in dieser Hinsicht jeden OPV 
(zumindest die MAT und andere High End Paare).
Für wenig Rauschen sind sie nicht optimal eingesetzt. Ja es gibt auch 
sehr rauscharme, aber eben nicht rauschärmer als ein voll integrierter 
OPV.

Zum Thema rauschärmer durch diskrete Bauteile empfehle ich unter anderem 
auch folgende Lektüre:
http://www.janascard.cz/PDF/Design%20of%20ultra%20low%20noise%20amplifiers.pdf

Frank schrieb:
> Zum Thema rauschärmer durch diskrete Bauteile empfehle ich unter anderem
> auch folgende Lektüre:
> http://www.janascard.cz/PDF/Design%20of%20ultra%20low%20noise%20amplifiers.pdf

Hi, danke euch für die Antworten und die Links....besonders die von 
Frank. Da gibt es einiges zu Lesen.
Gruß Rainer