Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik 16A mit MOSFET und Treiber(?) mit Atmega2560 schalten


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von Robinson Crusoe (Gast)


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Hallo!

Ich kaue als Laie nun schon seit ein paar Tagen an folgendem Problem 
herum:
Mit einem Atmega2560 soll eine leicht induktive Last (~1µH, 3D Drucker 
Heizbett) geschaltet werden. Ich möchte dass das Heizbett bis zu 16A 
ziehen und bei bis zu 24V betrieben werden kann. Leistung aber nie mehr 
als ca. 200W, also 12V 16A oder 24V 8A.

Gleich vorweg, Relais geht nicht, da die Firmware ca. 8 mal pro Sekunde 
schaltet. SSR ist mir rein physisch zu groß und teuer und was man so 
liest (habe aber noch nicht genauer recherchiert) haben die auch ihre 
Herausforderungen.

Ich habe also nach einem MOSFET mit möglichst niedrigem RDS(on) gesucht 
der sich auf Logic Level schalten lässt und dabei nicht zu langsam ist 
und auch keine allzu große Gate charge und capacitance hat sowie seine 
40V Vds aushält da mir gesagt wurde, dass z.B. 30V Vds problematisch 
werden könnten bei induktiven Lasten.
Ein weiteres Ziel war, dass die reine Verlustleistung die durch den 
RDS(on) entsteht so gering wie möglich ist.

Herausgekommen ist dieser MOSFET:
PSMN1R4-40YLD
https://www.mouser.com/ds/2/302/PSMN1R4-40YLD-1151891.pdf

Bei 16A Strom und 4,5V Vgs wäre der RDS(on) bei 1,85mOhm (max), was nach 
Adam Riese 0,4736W an Durchlassverlusten generieren würde. Nichts, was 
dieses Package nicht erfolgreich ableiten könnte, denke ich?

Soweit so gut, ich denke die Wahl ist nicht allzu schlecht?
Ich habe aber nun leider überhaupt keine Ahnung, und stundenlanges lesen 
hat mich auch nicht weitergebracht, wie ich herausfinden kann ob ich für 
diesen MOSFET einen Treiber brauche (und welchen) um ihn an einem 
Atmega2560 ordentlich betreiben zu können. Wenn der Atmega nicht genug 
Saft liefert brennt doch entweder der Pin ab oder der MOSFET schaltet 
nicht schnell genug aus und ein und erzeugt riesige Schaltverluste.

Ein MOSFET Treiber hätte auch den Vorteil, dass ich den MOSFET mit mehr 
als 5V treiben könnte, was den RDS(on) weiter senken würde (in dem Fall 
auf bis zu 1,12mOhm). Wenn ich 24 Eingangsspannung habe, könnte ich die 
Versorgungsspannung des Treibers mit einer Z Diode runterclampen um die 
20V Vgs dieses MOSFETs nicht zu überschreiten...

Anbei mal ein Schematic mit dem, was ich bisher habe. Keine Ahnung ob 
der Treiber passt. Die 12V Rails sollen 12V-24V sein, das steht da noch 
nicht. Und die Versorgungsspannung von 5V für den Treiber soll noch an 
die 12V/24V Rail mit einer Z Diode...

Nun zu des Pudels Kern:
Könnte mir bitte einer sagen, wie ich ausrechnen kann ob ich einen 
MOSFET Treiber brauche oder nicht? Ich hab leider (noch) nicht mal ein 
Oszi, kann also nicht mal bestellen und ausprobieren.
Worauf muss ich bei der Treiberwahl achten?
Sollte ich überhaupt einen anderen MOSFET nehmen? Habe keinen mit 
lötfreundlichem Package und ähnlich niedrigem RDS(on) gefunden...

Vielen Dank!

von Robinson Crusoe (Gast)


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Huaah ich Vollflasche hab vergessen dazuzusagen, dass PWM im Spiel ist. 
Im Fall des Betts ist es wohl Software PWM, zumindest gibt die Software 
an, mit 7.689Hz zu schalten.
Bei den Heatern (Heizpatronen für Extruder) wird es wohl "normales" 
Arduino PWM mit 491Hz sein.
Duty Cycle lässt sich schwer sagen, da die Firmware (Marlin) ja voll 
dynamisch versucht die eingestellte Temperatur zu halten. Ich gehe davon 
aus, dass da Duty Cycles ohne Rücksicht auf Verluste (im wahrsten Sinne 
des Wortes) gefahren werden...

von Schwarzseher (Gast)


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Robinson Crusoe schrieb:
> Wenn der Atmega nicht genug
> Saft liefert brennt doch entweder der Pin ab

Nein

> oder der MOSFET schaltet
> nicht schnell genug aus und ein und erzeugt riesige Schaltverluste.

Ja

Nötiger "Saft" = Gate-Charge × Frequenz
(Grob Abgeschätzt)

Schaltflanken musst du gesondert betrachten, 45nC sind nicht wenig.
Bauchgefühl: geht ohne Treiber in deiner Anwendung.

Lass dich nur nicht zu einem übergroßen Gatewiderstand verleiten.

von Falk B. (falk)


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@ Robinson Crusoe (Gast)

>ziehen und bei bis zu 24V betrieben werden kann. Leistung aber nie mehr
>als ca. 200W, also 12V 16A oder 24V 8A.

Nimm lieber 24V/8A.

>Ich habe also nach einem MOSFET mit möglichst niedrigem RDS(on) gesucht

Lass mich raten? Es ist ein 200A Monster!

>40V Vds aushält da mir gesagt wurde, dass z.B. 30V Vds problematisch
>werden könnten bei induktiven Lasten.

Ist egal. Ersten gibt es Freilaufdioden und 2. ist 1uH nahezu nix. 
Selbst ohne Freilaufdiode könnte der MOSFET das bisschen 
Avalancheenergie bei sehr niedrigen PWM-Frequenzen schlucken.

>Ein weiteres Ziel war, dass die reine Verlustleistung die durch den
>RDS(on) entsteht so gering wie möglich ist.

Warum? Du verheizt 200W als Wärme in deinem Heizbett, machst dir aber um 
eine Handvoll Watt tierisch Gedanken?

>Herausgekommen ist dieser MOSFET:
>PSMN1R4-40YLD
>https://www.mouser.com/ds/2/302/PSMN1R4-40YLD-1151891.pdf

BINGO! Gewonnen! Geht's eigentlich noch?

Das ist vollkommener Schwachsinn! Selbst der Klassiker IRLZ34N mit ca. 
50mOhm verheizt bei 16A nur 12,8W. Naja, da braucht es schon einen etwas 
größeren Kühlkörper. Sagen wir mal 5W sind OK, dann braucht man 
20mOhm.
Nimm 2 IRLZ34N parallel und schraub die auf einen kleinen Kühlkörper und 
gut.

>Bei 16A Strom und 4,5V Vgs wäre der RDS(on) bei 1,85mOhm (max), was nach
>Adam Riese 0,4736W an Durchlassverlusten generieren würde. Nichts, was
>dieses Package nicht erfolgreich ableiten könnte, denke ich?

Ja, ist aber trotzdem Unsinn.

>Soweit so gut, ich denke die Wahl ist nicht allzu schlecht?

Irrsinn.

>Ich habe aber nun leider überhaupt keine Ahnung, und stundenlanges lesen
>hat mich auch nicht weitergebracht, wie ich herausfinden kann ob ich für
>diesen MOSFET einen Treiber brauche (und welchen) um ihn an einem

Bei der sehr niedrigen Frequenz von 8 Hz kann man einen 5V Logic Level 
MOSFET direkt ansteuern. Kein Treiber, kein Gatevorwiderstand. Aber 
einen Pull-Down vom Gate nach Masse, damit der MOSFET sicher sperrt, 
wenn der uC im Reset ist. 10k und gut.

>Atmega2560 ordentlich betreiben zu können. Wenn der Atmega nicht genug
>Saft liefert brennt doch entweder der Pin ab oder der MOSFET schaltet
>nicht schnell genug aus und ein und erzeugt riesige Schaltverluste.

Theroretisch ja, praktisch nein.

Beitrag "Re: Transistor, 1A, 4MHz Schaltfrequenz"

>Ein MOSFET Treiber hätte auch den Vorteil, dass ich den MOSFET mit mehr
>als 5V treiben könnte, was den RDS(on) weiter senken würde (in dem Fall
>auf bis zu 1,12mOhm). Wenn ich 24 Eingangsspannung habe, könnte ich die
>Versorgungsspannung des Treibers mit einer Z Diode runterclampen um die
>20V Vgs dieses MOSFETs nicht zu überschreiten...

Du übertreibst es schon wieder.

>Könnte mir bitte einer sagen, wie ich ausrechnen kann ob ich einen
>MOSFET Treiber brauche oder nicht?

Du brauchst keinen, siehe Link.

>Sollte ich überhaupt einen anderen MOSFET nehmen? Habe keinen mit
>lötfreundlichem Package und ähnlich niedrigem RDS(on) gefunden...

Such einen mit ~20mOhm im TO220 Package, das reicht. Der Kühlkörper 
sollte um die 15K/W Wärmewiderstand oder weniger haben.
Deine Freilaufdioden sind auch monströs. Bei einer nahezu rein ohmschen 
Last mit minimalem induktiven Anteil reicht eine 1A Diode ala 1N4001, 
denn die muss nur für ein paar Mikrosekunden den Strom der 
Streuinduktivität leiten, dann ist wieder Ruhe.

von Thomas E. (picalic)


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Falk B. schrieb:
> Lass mich raten? Es ist ein 200A Monster!

Wo ist das Problem?
Ich finde es nicht so abwegig, 1 Euro mehr in einen "Monster-FET" zu 
investieren, wenn man dadurch einen Euro für einen Kühlkörper incl. 
dessen Montage sparen kann. Bei dem Boliden reicht als Kühlung ein wenig 
Kupferfläche auf der Platine, und die Montage besteht lediglich aus dem 
Auflöten des Bauteils. Kenne die Einbau-Platzverhältnisse des TO nicht, 
aber ohne dicken KK lässt sich so eine flache Steuerplatine sicher 
leichter irgendwo unterbringen.
Ich halte den TO deshalb nicht für Schwachsinnig!

von der schreckliche Sven (Gast)


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Falk B. schrieb:
>>Soweit so gut, ich denke die Wahl ist nicht allzu schlecht?
>
> Irrsinn.

Irrsinn ist das, was Du schreibst:

Falk B. schrieb:
> Nimm 2 IRLZ34N parallel und schraub die auf einen kleinen Kühlkörper und
> gut.

Was ist an Kühlkörpern eigentlich so toll? Sieht schick aus, oder?

von ACK (Gast)


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Thomas E. schrieb:
> Wo ist das Problem?
> Ich finde es nicht so abwegig, 1 Euro mehr in einen "Monster-FET" zu
> investieren, wenn man dadurch einen Euro für einen Kühlkörper incl.
> dessen Montage sparen kann. Bei dem Boliden reicht als Kühlung ein wenig
> Kupferfläche auf der Platine, und die Montage besteht lediglich aus dem
> Auflöten des Bauteils. Kenne die Einbau-Platzverhältnisse des TO nicht,
> aber ohne dicken KK lässt sich so eine flache Steuerplatine sicher
> leichter irgendwo unterbringen.
> Ich halte den TO deshalb nicht für Schwachsinnig!

Dito. Dieser FET kostet dort übrigens nur ca. 1€.

Man muß doch immer eruieren, was einem eher entgegenkommt. Einzelstück 
bzw. geringste Stückzahl vs. Serie, genaue Kosten (auch ein KK kostet - 
Geld und Platz), etc. ... man sollte vielleicht schon mal 
differenzieren, worum es geht, und was man erreichen will.

So lange man dadurch keine Probleme bekommt, das Ding anständig zu 
treiben (in diesem Fall wohl auch kein Problem), sind Deine Überlegungen 
identisch mit meinen. Aber sogar ein zusätzlicher Treiber (vielleicht 
auch nur ein monolithischer P+N) kann für die Unnötigkeit eines 
(vielleicht sogar großen) Kühlkörpers sorgen.

Also abwegig sind die Gedanken doch eher nicht.

von ACK (Gast)


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ACK schrieb:
> Aber sogar ein zusätzlicher Treiber (vielleicht
> auch nur ein monolithischer P+N)

Ich meinte speziell das etwas allgemeiner - also in Fällen, wo das 
realisierbar ist.

von 7.689Hz (Gast)


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Robinson Crusoe schrieb:
> Huaah ich Vollflasche hab vergessen dazuzusagen, dass PWM im Spiel ist.
> Im Fall des Betts ist es wohl Software PWM, zumindest gibt die Software
> an, mit 7.689Hz zu schalten.

Stell dein Licht nicht untern Scheffel.

Dir sollte allerdings klar sein, dass 7.689 Hz (oder vielleicht doch 
7.688 Hz?) zu 16 Schaltvorgängen pro Sekunde führt.

Robinson Crusoe schrieb:
> Gleich vorweg, Relais geht nicht, da die Firmware ca. 8 mal pro Sekunde
> schaltet.

von Falk B. (falk)


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@Thomas Elger (picalic)

>Ich halte den TO deshalb nicht für Schwachsinnig!

Du hälst dich auch für einen großen H-Brückenentwickler . . .

von sgg (Gast)


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Thomas E. schrieb:
> Falk B. schrieb:
>> Lass mich raten? Es ist ein 200A Monster!
>
> Wo ist das Problem?
> Ich finde es nicht so abwegig, 1 Euro mehr in einen "Monster-FET" zu
> investieren, wenn man dadurch einen Euro für einen Kühlkörper incl.
> dessen Montage sparen kann. Bei dem Boliden reicht als Kühlung ein wenig
> Kupferfläche auf der Platine, und die Montage besteht lediglich aus dem
> Auflöten des Bauteils. Kenne die Einbau-Platzverhältnisse des TO nicht,
> aber ohne dicken KK lässt sich so eine flache Steuerplatine sicher
> leichter irgendwo unterbringen.
> Ich halte den TO deshalb nicht für Schwachsinnig!

Full ACK.

1. Wird dann viel weniger Leistung im MOSFET verheizt.
2. Kostet die Lösung auch noch viel weniger, als einen zusätzlichen
Kühlkörper inklusive Montage.
3. Ist das alles viel viel kleiner, als die Kühlkörper-Lösung.

Mein Tipp wäre es aber, das über High-Side-Switches (oder ggf. Low-Side
-Switches) zu realisieren.

Die PWM mit 8Hz ist ja sowieso "DC", da lohnt es sich kaum,
die dynamischen Verluste auszurechnen oder empirisch zu bestimmen.
8Hz schaffen High-Side-Switches alle müßelos. Obwohl ich mich frage,
warum eine 200W-Heizung, die von Natur aus extrem träge ist,
mit 8Hz PWM betrieben werden muss.

Geschweige denn mit 500Hz. Da muss man schauen, ob es mit High-Sides
noch sinnvoll umsetzbar ist - oder eher mit Low-Side-Switches.

Die Freilaufdiode würde ich immer vorhalten, vor allem auch deswegen,
weil hier nicht auf den letzten Cent geachtet werden muss.

von Thomas E. (picalic)


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Falk B. schrieb:
> Du hälst dich auch für einen großen H-Brückenentwickler . . .

LOL - ich wusste, daß sowas in der Art von Dir zurückkommen würde!
Deine Antwort trägt jetzt nicht wirklich etwas zum Thema bei, oder?

Ich frage mich, wie Du im RL mit Leuten umgehst, die Dich evtl. um einen 
Rat fragen und Dir ihre bisherigen, von Deinen Vorstellungen 
abweichenden  Lösungsgedanken darlegen. Wirfst Du Deinem Gegenüber dann 
auch immer gleich so Sachen an den Kopf, wie "schwachsinnig" und "geht's 
noch?", um ihn möglichst wie den größten Deppen im Universum 
darzustellen?
Falls Du in Deiner Firma beim Umgang mit Kunden einen ähnlichen 
Kommunikationsstil pflegst, wie hier im Forum, dann lass das bloß nicht 
Deinen Chef mitkriegen!

: Bearbeitet durch User
von Thomas E. (picalic)


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Um auch noch etwas zum Thema beizutragen:
ich würde schon einen Gatewiderstand von z.B. 100 Ohm einbauen. Die 
Schaltflanken sind damit immer noch steil genug, um bei der niedrigen 
Schaltfrequenz die Schaltverluste im vernachlässigbaren Bereich zu 
halten, die SOA wird damit locker eingehalten und die Flankensteilheit 
ist auch nicht unnötig hoch. Im Übrigen halte ich den direkten Anschluss 
einer so hohen Gatekapazität an einen µC-Output für Gebastel - 
funktioniert zwar, aber eine saubere Lösung unter Einhaltung der 
Spezifikationen sieht anders aus. Solange die µC-Hersteller da keine 
konkreten Daten über die SOA ihrer Ausgangstreiber bereitstellen, wäre 
ich mit der Propagierung solcher Lösungen vorsichtig. Es ist sowieso 
eher sinnvoll, unnötig hohe Schaltströme vom µC-Chip fernzuhalten.

: Bearbeitet durch User
von Robinson Crusoe (Gast)


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Schwarzseher schrieb:
> Nötiger "Saft" = Gate-Charge × Frequenz
> (Grob Abgeschätzt)

45nC x 8 Hz = 360 (Einheit??)
Tut mir leid, bin wie gesagt Laie und versteh das nicht genau - sind das 
dann nC oder µF oder schon die mA die der Pin/Treiber liefern muss?

> Schaltflanken musst du gesondert betrachten, 45nC sind nicht wenig.
> Bauchgefühl: geht ohne Treiber in deiner Anwendung.

Wie genau kann ich das machen (Schaltflanken beachten)? Ich hab den 
Eindruck, hier ist schon Wissen erforderlich welches man nur in einer 
entsprechenden Ausbildung hätte erwerben können...

Ich will ja nicht nur die Lösung, ich hätte gerne den Lösungsweg gewusst 
um ihn in Zukunft selbst und eigenständig anwenden zu können :-)

> Lass dich nur nicht zu einem übergroßen Gatewiderstand verleiten.
Da dann der Strom fürs Gate beschränkt und damit das Schaltverhalten 
negativ beeinflusst wird, richtig?

Falk B. schrieb:
> Nimm lieber 24V/8A.
Das Board soll mit 12V und mit 24V betrieben werden können.

> Lass mich raten? Es ist ein 200A Monster!
Nein, 240A ;-)

>>40V Vds aushält da mir gesagt wurde, dass z.B. 30V Vds problematisch
>>werden könnten bei induktiven Lasten.
>
> Ist egal. Ersten gibt es Freilaufdioden und 2. ist 1uH nahezu nix.
> Selbst ohne Freilaufdiode könnte der MOSFET das bisschen
> Avalancheenergie bei sehr niedrigen PWM-Frequenzen schlucken.

Nachdem ich Laie und nicht in der Lage bin so etwas zu 100% auszurechnen 
oder nach Erfahrungswerten abzuschätzen, hab ich halt immer gerne "Luft 
nach oben" drin. Außerdem soll nicht nur das Heizbett mit diesen Teilen 
geschaltet werden, sondern auch Lüfter und die Heizpatrone für den 
Extruder wo dann zumindest beim Lüfter die 491Hz PWM zutreffen werden. 
Da ist das dann alles zwar äußerst überdimensioniert, ich wollte aber 
die BOM klein halten und die Teile sind alle ziemlich günstig. Zudem 
soll das keine kommerzielle Auflage mit tausenden Stück werden wo jeder 
Cent zählt und womit ich meinen Lebensunterhalt verdienen will.

>>Ein weiteres Ziel war, dass die reine Verlustleistung die durch den
>>RDS(on) entsteht so gering wie möglich ist.
>
> Warum? Du verheizt 200W als Wärme in deinem Heizbett, machst dir aber um
> eine Handvoll Watt tierisch Gedanken?
die 200W sind gewünschte Wärme, alles über 1-2W an einem TO-220 
ähnlichen Gehäuse ist in meinen Augen eher unerwünscht. Vielleicht macht 
alles etwas mehr Sinn für dich, wenn ich das näher in den Kontext rücke:
Auf dem fertigen Board wird alles relativ dicht gepackt sein mit wenig 
Platz und SMD Teilen. Da kann ich eine Heizung mit fetten Kühlern 
mittendrin nicht brauchen, die mir die ganze Platine und alle Bauteile 
rundherum aufwärmen. Da kommen dann wieder Elkos mit 105° oder mehr und 
entsprechender Laufleistung bei hohen Temperaturen ins Spiel, die auch 
wieder teurer sind.

Außerdem, auch wenn ich scheinbar manchmal allein mit der Ansicht 
dazustehen scheine, bin ich der Meinung dass nur kühle Elektronik gute 
Elektronik ist (und vor allem mit viel Reserven).

>>Herausgekommen ist dieser MOSFET:
>>PSMN1R4-40YLD
>>https://www.mouser.com/ds/2/302/PSMN1R4-40YLD-1151891.pdf
>
> BINGO! Gewonnen! Geht's eigentlich noch?
>
> Das ist vollkommener Schwachsinn! Selbst der Klassiker IRLZ34N mit ca.
> 50mOhm verheizt bei 16A nur 12,8W. Naja, da braucht es schon einen etwas
> größeren Kühlkörper. Sagen wir mal 5W sind OK, dann braucht man
> 20mOhm.
> Nimm 2 IRLZ34N parallel und schraub die auf einen kleinen Kühlkörper und
> gut.
@Kühler und Platz siehe oben... Warum genau ist das Schwachsinn? Ich 
nehme die Kritik (wenn auch etwas salopp formuliert) gerne an, wenn du 
sie mir begründest. Liegt es am höheren Preis für die Bauteile? Den 
höheren Aufwand um den MOSFET sauber zu schalten? Der Gewinn der dem 
gegenüber steht ist der, dass alles kühler und mit weniger 
Verlustleistung läuft.
Oder habe ich was übersehen (was)?

>>Bei 16A Strom und 4,5V Vgs wäre der RDS(on) bei 1,85mOhm (max), was nach
>>Adam Riese 0,4736W an Durchlassverlusten generieren würde. Nichts, was
>>dieses Package nicht erfolgreich ableiten könnte, denke ich?
>
> Ja, ist aber trotzdem Unsinn.
Weil?

>
>>Soweit so gut, ich denke die Wahl ist nicht allzu schlecht?
>
> Irrsinn.
Nu is aber gut hier...

>
>>Ich habe aber nun leider überhaupt keine Ahnung, und stundenlanges lesen
>>hat mich auch nicht weitergebracht, wie ich herausfinden kann ob ich für
>>diesen MOSFET einen Treiber brauche (und welchen) um ihn an einem
>
> Bei der sehr niedrigen Frequenz von 8 Hz kann man einen 5V Logic Level
> MOSFET direkt ansteuern. Kein Treiber, kein Gatevorwiderstand. Aber
> einen Pull-Down vom Gate nach Masse, damit der MOSFET sicher sperrt,
> wenn der uC im Reset ist. 10k und gut.
Pull-Down hab ich vergessen, vielen Dank!
Hab auch schon mit 491Hz MOSFETs direkt ohne Treiber und Gate 
geschaltet, und zwar die IRF3708. Der hat halt aber auch wesentlich 
niedrigere Gate Charge und Capacitance.
Es geht hier auch (bei 5 der 6 MOSFETs) um 491Hz. Nur der fürs Heizbett 
schaltet so langsam (hat aber auch mit Abstand die größte Last). Daher 
die Frage nach einem Treiber...

>>Atmega2560 ordentlich betreiben zu können. Wenn der Atmega nicht genug
>>Saft liefert brennt doch entweder der Pin ab oder der MOSFET schaltet
>>nicht schnell genug aus und ein und erzeugt riesige Schaltverluste.
>
> Theroretisch ja, praktisch nein.
Pin abbrennen oder die Schaltverluste?

> Beitrag "Re: Transistor, 1A, 4MHz Schaltfrequenz"
>
>>Ein MOSFET Treiber hätte auch den Vorteil, dass ich den MOSFET mit mehr
>>als 5V treiben könnte, was den RDS(on) weiter senken würde (in dem Fall
>>auf bis zu 1,12mOhm). Wenn ich 24 Eingangsspannung habe, könnte ich die
>>Versorgungsspannung des Treibers mit einer Z Diode runterclampen um die
>>20V Vgs dieses MOSFETs nicht zu überschreiten...
>
> Du übertreibst es schon wieder.
Ich nehm an, weil ich die Verlustleistung am MOSFET gering halten 
will...?
Die Z Diode kostet ein paar Cent und wenn ich den Treiber schon hätte, 
wärs auch schon egal...?

>>Könnte mir bitte einer sagen, wie ich ausrechnen kann ob ich einen
>>MOSFET Treiber brauche oder nicht?
>
> Du brauchst keinen, siehe Link.
Bin mir angesichts dessen dass du die 491Hz außer Acht gelassen hast und 
anhand der anderen Kommentare noch nicht so ganz sicher ob ich wirklich 
keinen brauche...?

>>Sollte ich überhaupt einen anderen MOSFET nehmen? Habe keinen mit
>>lötfreundlichem Package und ähnlich niedrigem RDS(on) gefunden...
>
> Such einen mit ~20mOhm im TO220 Package, das reicht. Der Kühlkörper
> sollte um die 15K/W Wärmewiderstand oder weniger haben.
> Deine Freilaufdioden sind auch monströs. Bei einer nahezu rein ohmschen
> Last mit minimalem induktiven Anteil reicht eine 1A Diode ala 1N4001,
> denn die muss nur für ein paar Mikrosekunden den Strom der
> Streuinduktivität leiten, dann ist wieder Ruhe.

5W Verlustleistung am MOSFET wären mir zu viel. Das muss man ja erstmal 
zuverlässig kühlen... Noch dazu wie gesagt SMD, d.h. die Platine und 
alle Bauteile in der Nähe werden aufgewärmt.
@Diode: Spielst du auf "Non-Repetitive Peak Forward Surge Current" von 
30A bei der 1N4001 an? Dann würde das für mich Sinn ergeben. Wobei mich 
das "Non-Repetitive" stutzig macht. Und: brauch ich bei 491Hz PWM nicht 
langsam eine Fast Recovery Diode?
Ich hab die Diode halt gewählt weil ich gelesen hab, dass die 
Spitzenspannung bis zum zehnfachen der ursprünglichen Spannung betragen 
kann und dass die Diode den Strom aushalten soll den der Verbraucher 
zieht da das der Strom ist der dann durch die Diode beim "Rückstoß" 
durchfließt...

Thomas E. schrieb:
> ...
> Ich halte den TO deshalb nicht für Schwachsinnig!
Vielen Dank! Wie oben schon erwähnt, wird alles sehr eng sein...

ACK schrieb:
> Dito. Dieser FET kostet dort übrigens nur ca. 1€.
>
> Man muß doch immer eruieren, was einem eher entgegenkommt. Einzelstück
> bzw. geringste Stückzahl vs. Serie, genaue Kosten (auch ein KK kostet -
> Geld und Platz), etc. ... man sollte vielleicht schon mal
> differenzieren, worum es geht, und was man erreichen will.
Kühle, zuverlässige Elektronik mit Reserven auf engem Raum ist mein Ziel 
in dem Fall...

> So lange man dadurch keine Probleme bekommt, das Ding anständig zu
> treiben (in diesem Fall wohl auch kein Problem), sind Deine Überlegungen
> identisch mit meinen. Aber sogar ein zusätzlicher Treiber (vielleicht
> auch nur ein monolithischer P+N) kann für die Unnötigkeit eines
> (vielleicht sogar großen) Kühlkörpers sorgen.
Daher meine Kernfrage wie ich diese Treibergeschichte (auch bei 491Hz) 
genau ausrechnen kann... Hoffe dass das für einen Laien wie mich 
überhaupt möglich sein wird.

> Also abwegig sind die Gedanken doch eher nicht.
Auch an dich ein Danke!

7.689Hz schrieb:
> Stell dein Licht nicht untern Scheffel.
Was Elektronik betrifft, immer wieder gerne. Habe größten Respekt vor 
der Materie und bereue es immer mehr, keine Ausbildung in die Richtung 
gemacht zu haben. Wenn auch ich damals wohl zu jung und dumm gewesen 
wäre...

> Dir sollte allerdings klar sein, dass 7.689 Hz (oder vielleicht doch
> 7.688 Hz?) zu 16 Schaltvorgängen pro Sekunde führt.
Ups... Danke!

sgg schrieb:
> 1. Wird dann viel weniger Leistung im MOSFET verheizt.
> 2. Kostet die Lösung auch noch viel weniger, als einen zusätzlichen
> Kühlkörper inklusive Montage.
> 3. Ist das alles viel viel kleiner, als die Kühlkörper-Lösung.
So eigentlich auch mein Gedankengang...

> Mein Tipp wäre es aber, das über High-Side-Switches (oder ggf. Low-Side
> -Switches) zu realisieren.
Ich verwirrt.. Der MOSFET den ich vorsehe würde doch als Low-Side Switch 
fungieren, oder was meinst du genau damit? Da kommt der Laie wieder mal 
durch bei mir ;-) Wäre High-Side nicht P-Channel wo es noch viel 
schwieriger ist einen geeigneten FET (in dem Fall) zu finden?

> Die PWM mit 8Hz ist ja sowieso "DC", da lohnt es sich kaum,
> die dynamischen Verluste auszurechnen oder empirisch zu bestimmen.
> 8Hz schaffen High-Side-Switches alle müßelos.
Ich glaub ich hätte wirklich öfter oder prominenter die 491Hz erwähnen 
sollen, die hier auch im Spiel sein werden bei 5 von 6 MOSFETs 
(allerdings viel geringere Last).

> Obwohl ich mich frage,
> warum eine 200W-Heizung, die von Natur aus extrem träge ist,
> mit 8Hz PWM betrieben werden muss.
Keine Ahnung, die Firmware (Marlin) macht ein PID Tuning und nachher ist 
die Linie des Temperaturverlaufs schnurgerade ohne Ausreißer nach oben 
oder unten. Magic happens (until the Magic Smoke escapes) :-)

> Geschweige denn mit 500Hz. Da muss man schauen, ob es mit High-Sides
> noch sinnvoll umsetzbar ist - oder eher mit Low-Side-Switches.
s.o. ich verwirrt - Low Side ist doch das was ich machen will?

> Die Freilaufdiode würde ich immer vorhalten, vor allem auch deswegen,
> weil hier nicht auf den letzten Cent geachtet werden muss.
In dem Fall gehts wirklich nicht um jeden Cent. In erster Linie ist das 
für mich und wenn es Anklang findet dann rücke ich die BOM und 
Schaltpläne/Sourcefiles raus. Biete höchstens noch eine Sammelbestellung 
für die Platinenherstellung und die Einzelteile an...

Thomas E. schrieb:
> LOL - ich wusste, daß sowas in der Art von Dir zurückkommen würde!
> Deine Antwort trägt jetzt nicht wirklich etwas zum Thema bei, oder?
>
> Ich frage mich, wie Du im RL mit Leuten umgehst, die Dich evtl. um einen
> Rat fragen und Dir ihre bisherigen, von Deinen Vorstellungen
> abweichenden  Lösungsgedanken darlegen. Wirfst Du Deinem Gegenüber dann
> auch immer gleich so Sachen an den Kopf, wie "schwachsinnig" und "geht's
> noch?", um ihn möglichst wie den größten Deppen im Universum
> darzustellen?
> Falls Du in Deiner Firma beim Umgang mit Kunden einen ähnlichen
> Kommunikationsstil pflegst, wie hier im Forum, dann lass das bloß nicht
> Deinen Chef mitkriegen!

Vielleicht ist er sein eigener Chef... Ich finde die Wortwahl auch nicht 
so toll, vor allem ohne Begründung. Aber was solls, als Laie muss ich 
jeglichen Input erstmal annehmen und dann schauen was ich mir daraus 
zusammenreimen kann...

von Robinson Crusoe (Gast)


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Thomas E. schrieb:
> Um auch noch etwas zum Thema beizutragen:
> ich würde schon einen Gatewiderstand von z.B. 100 Ohm einbauen. Die
> Schaltflanken sind damit immer noch steil genug, um bei der niedrigen
> Schaltfrequenz die Schaltverluste im vernachlässigbaren Bereich zu
> halten, die SOA wird damit locker eingehalten und die Flankensteilheit
> ist auch nicht unnötig hoch. Im Übrigen halte ich den direkten Anschluss
> einer so hohen Gatekapazität an einen µC-Output für Gebastel -
> funktioniert zwar, aber eine saubere Lösung unter Einhaltung der
> Spezifikationen sieht anders aus. Solange die µC-Hersteller da keine
> konkreten Daten über die SOA ihrer Ausgangstreiber bereitstellen, wäre
> ich mit der Propagierung solcher Lösungen vorsichtig. Es ist sowieso
> eher sinnvoll, unnötig hohe Schaltströme vom µC-Chip fernzuhalten.

Ich hab zwar keine Ahnung, bei so einem MOSFET hab ich aber trotzdem 
ohnehin kein gutes Gefühl den ohne Treiber zu verwenden. Vor allem bei 
491Hz.

Bezüglich Gate Widerstand hab ich wieder Widersprüchliches gelesen. Zum 
Schluss dachte ich mir, wenn der MOSFET möglicherweise direkt am µC 
gehen müsste, dann brauch ich an einem extra Treiber sicher keinen Gate 
Widerstand... Sicher war ich mir aber nicht.

Würden die 100 Ohm auch bei 491Hz noch passen?

von Thomas E. (picalic)


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Alles im grünen Bereich - hier mal eine Simulation mit 500Hz PWM (50% 
Einschaltdauer).
Ich würde Dir empfehlen, LTSpice zu installieren, damit kann man sowas 
gut untersuchen.
In der LTSpice Bibliothek ist zwar der PSMN1R4-40YLD nicht drin, habe 
deshalb den PSMN2R4 benutzt - denke, die Ergebnisse dürften sich nicht 
katastrophal unterscheiden.

von Robinson Crusoe (Gast)


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ohne Treiber, seh ich das richtig??

Cool dann kann ich ja auch 1% und 99% duty cycle simulieren, was meines 
wissens ja die kritischsten werte sind, oder?

von Thomas E. (picalic)


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1% ist sicher nicht kritisch - 99% eher, da dann fast 100% statische 
Verluste (d. RDSon und I) + die vollen Schaltverluste auftreten.

von Falk B. (falk)


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@ Robinson Crusoe (Gast)

>> Nötiger "Saft" = Gate-Charge × Frequenz
>> (Grob Abgeschätzt)

>45nC x 8 Hz = 360 (Einheit??)

C (Couloumb) = As (Amperesekunden)
Hz (Hertz) = 1/s

As * 1/s = A

>Tut mir leid, bin wie gesagt Laie und versteh das nicht genau - sind das
>dann nC oder µF oder schon die mA die der Pin/Treiber liefern muss?

NanoAmpere. Also praktisch gar nichts. Eben weil 8Hz praktisch keine 
hohe Frequenz ist.

>> Lass dich nur nicht zu einem übergroßen Gatewiderstand verleiten.
>Da dann der Strom fürs Gate beschränkt und damit das Schaltverhalten
>negativ beeinflusst wird, richtig?

Ja.

>Außerdem, auch wenn ich scheinbar manchmal allein mit der Ansicht
>dazustehen scheine, bin ich der Meinung dass nur kühle Elektronik gute
>Elektronik ist (und vor allem mit viel Reserven).

Falsch. Wenn etwas nur lauwarm wird, ist es massiv überdimensioniert. 
Ok, im Hobbybereich als Bastler ist das egal, in der Praxis ist es 
ökonomisch wie techisch nicht tragbar. Mal ganz abgesehen davon, daß 
dort dann eine gehörige Portion Angst und Nichtwissen drinsteckt. So wie 
die Leute, die "auf Nummer sicher" gehen wollen und Relais mittels 
Optokoppler ansteuern. Etc.

>@Kühler und Platz siehe oben... Warum genau ist das Schwachsinn?

Fährst du mit dem Panzer am Sonntag Brötchen holen?

>sie mir begründest. Liegt es am höheren Preis für die Bauteile?

Auch das, was aber anscheinend hier nicht der Fall ist, wenn das Ding 
nur 1 Euro kostet.

>Den
>höheren Aufwand um den MOSFET sauber zu schalten?

Das schon eher. Wenn gleich HIER kaum ein Problem in Sicht scheint, 
verursachen solche extremen Überdimensionierungen regelmäßig Probleme, 
die man bei vernünftiger Dimensionierung incl. Reserven nicht hätte.
Außerdem bin ich kein Freund derartiger Lösungen ala "Hirn aus, einfach 
jedes Problem mit MASSE erschlagen".

>Der Gewinn der dem
>gegenüber steht ist der, dass alles kühler und mit weniger
>Verlustleistung läuft.

Schon klar.

>geschaltet, und zwar die IRF3708.

Noch so ein Killer!

>schaltet so langsam (hat aber auch mit Abstand die größte Last). Daher
>die Frage nach einem Treiber...

Jeder 08/15 MOSFET-Treiber reicht hier, der 0,5A Ausgangsstrom bringt. 
12V sind als Treiberspannung mehr als ausreichend.

>>>Atmega2560 ordentlich betreiben zu können. Wenn der Atmega nicht genug
>>>Saft liefert brennt doch entweder der Pin ab oder der MOSFET schaltet
>>>nicht schnell genug aus und ein und erzeugt riesige Schaltverluste.
>
>> Theroretisch ja, praktisch nein.

>Pin abbrennen oder die Schaltverluste?

Schaltverluste. Aber nicht bei den Frequenzen, da fehlt mindestens der 
Faktor 10.000.

>Ich nehm an, weil ich die Verlustleistung am MOSFET gering halten
>will...?

Ja.

>Die Z Diode kostet ein paar Cent und wenn ich den Treiber schon hätte,
>wärs auch schon egal...?

Siehe oben. Angst und Unwissen sind keine guten Berater. Weder bei 
Elektronik noch im Rest des Lebens.

>Bin mir angesichts dessen dass du die 491Hz außer Acht gelassen hast und
>anhand der anderen Kommentare noch nicht so ganz sicher ob ich wirklich
>keinen brauche...?

Wenn wir von 45nC Gate Charge @ 4,5V UGS ausgehen und mal sehr 
konservativ 20mA Ausgangsstrom vom AVR ansetzen, dauert ein 
Schaltvorgang

t = Q / I = 45nC / 20mA = 2,25us. Real ist es eher die Hälfte und 
weniger.
Da brennt nix an.

>@Diode: Spielst du auf "Non-Repetitive Peak Forward Surge Current" von
>30A bei der 1N4001 an? Dann würde das für mich Sinn ergeben.

Ja.

> Wobei mich
>das "Non-Repetitive" stutzig macht. Und: brauch ich bei 491Hz PWM nicht
>langsam eine Fast Recovery Diode?

Das ist was anderes, ich ging von den 8 Hz aus.

>Ich hab die Diode halt gewählt weil ich gelesen hab, dass die
>Spitzenspannung bis zum zehnfachen der ursprünglichen Spannung betragen
>kann

Das ist falsch.

> und dass die Diode den Strom aushalten soll den der Verbraucher
>zieht da das der Strom ist der dann durch die Diode beim "Rückstoß"
>durchfließt...

Das ist richtig.

>Vielleicht ist er sein eigener Chef... Ich finde die Wortwahl auch nicht
>so toll, vor allem ohne Begründung.

Die Begründung kann und will ich nicht immer wieder liefern, ich bin 
kein Grundschullehrer.

von Thomas E. (picalic)


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Falk B. schrieb:
> "Hirn aus, einfach
> jedes Problem mit MASSE erschlagen".

Was hat wohl objektiv mehr Masse - ein einzelner, überdimensionierter 
MOSFET, oder ein "passender" MOSFET mit massig Kühlkörper?

von der schreckliche Sven (Gast)


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Robinson Crusoe schrieb:
> alles über 1-2W an einem TO-220
> ähnlichen Gehäuse ist in meinen Augen eher unerwünscht.

Falk B. schrieb:
> Falsch. Wenn etwas nur lauwarm wird, ist es massiv überdimensioniert.

Ich glaube nicht, daß Ihr Freunde werdet.

von Thomas E. (picalic)


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Falk B. schrieb:
> Wenn etwas nur lauwarm wird, ist es massiv überdimensioniert.

Ahaaa! Jetzt wird mir langsam klar, warum Falk mir statt meiner 
diskreten H-Brücke die integrierte (mit Emitterfolger als 
High-Side-Switch) aufschwatzen will - die diskreten MOSFETs werden ihm 
nicht heiß genug! :o

von Robinson Crusoe (Gast)


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@Falk B.
Danke, das war ziemlich aufschlussreich.
Werde wohl als Laie und nachdem ich mich im Hobbybereich bewege beim 
Überdimensionieren bleiben.
Nur interessehalber: wie würde dein Rat aussehen, wenn das Gerät für 
widrige Umstände gebaut werden sollte, also z.B. sehr hohe Tambient? 
Oder wenn du wirklich überhaupt keinen Platz hast und alles voll mit 
Caps ist, würdest du die grillen wollen?

der schreckliche Sven schrieb:
> Ich glaube nicht, daß Ihr Freunde werdet.

Sieht nicht so aus. Aber wie würde die Welt denn aussehen, wenn wir alle 
Freunde wären...

Thomas E. schrieb:
> Ahaaa! Jetzt wird mir langsam klar, warum Falk mir statt meiner
> diskreten H-Brücke die integrierte (mit Emitterfolger als
> High-Side-Switch) aufschwatzen will - die diskreten MOSFETs werden ihm
> nicht heiß genug! :o

I lolled :P

von Thomas E. (picalic)


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Mein Chef schimpft mich auch schon dauernd, nachdem er Falks Beitrag 
gelesen hat, daß unsere Schaltungen nicht warm genug werden - also 
offenbar alle total überdimensioniert sind! Ich werde wohl demnächst 
noch ein paar Heizdrähte implementieren müssen... ;)

von der schreckliche Sven (Gast)


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Robinson Crusoe schrieb:
> Aber wie würde die Welt denn aussehen, wenn wir alle
> Freunde wären...

Ich bin der Meinung, das wäre ein erstrebenswerter Zustand.
(Klappt aber nur, wenn Ihr alle meiner Meinung seid).

von Thomas O. (kosmos)


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Wenn man schon 24V zur Verfügung hat, dann kann man das Gate per Pullup 
hochziehen und legt noch vom Gate eine Z-Diode gegen Masse. Mit nem 
kleinen Transistor zieht man dann das Gate gegen Masse.

Mal als alternative fur das TO-220 Gehäuse gäbe es noch TO-247. Z.B. 
IRFP2907

von der schreckliche Sven (Gast)


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Bevor diese lustige Diskussion frühzeitig endet, schmeiß ich noch was in 
die Runde. Das kleine Ding könnte ein SiRA00DP sein.

von Robinson Crusoe (Gast)


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SiRA00DP wär eine Überlegung wert. Obwohl ich eigentlich nichts 
QFN-artiges drauf haben wollte. Andererseits wird die Platine wohl 
ohnehin Reflow gelötet...

von Äxl (geloescht) (Gast)


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Dann könntest du den IX4427 aber auch mit 12V betreiben. Spart die Suche 
nach 'nem LogiklevelFET.
Aber sollte ja jetzt kein Thema mehr sein.
Nur als Hinweis, mir ist der eine oder andere Fet an Überspannung 
gestorben, weil ich nicht daran gedacht habe, das ein FET wirklich JEDEM 
Impuls am Eingang folgt und somit durchaus in der Lage ist, erhebliche 
Stromänderungsgeschwindigkeiten zu erzeugen, die schon allein aufgrund 
der Zuleitungsinduktivität zu ebenso nicht unerheblichen 
Spannungsspitzen führen.
Die meisten FETs sind aber recht robust und gehen dann in den 
Avalache-Betrieb (erster Durchbruch). Abhilfe: runde Flanken, Snubber 
(10nF+470R) parallel zum Fet.
Aber man muss heute keinen fetten Kühlkörper installieren, das ist 
richtig.

bei 24V etwas knapp, die nehm ich immer, wenns kein SMD sein muss...
https://www.reichelt.de/IRC-IRF-Transistoren/IRF-3708/3/index.html?ACTION=3&GROUPID=2891&ARTICLE=90229&START=0&OFFSET=16&;

von Äxl (geloescht) (Gast)


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avalanche - rolleyes hatte extra nochmal gegengelesen ;)

von Robinson Crusoe (Gast)


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Äxl (geloescht) schrieb:
> Dann könntest du den IX4427 aber auch mit 12V betreiben. Spart die
> Suche nach 'nem LogiklevelFET.
> Aber sollte ja jetzt kein Thema mehr sein.
Nix ist noch in Stein gemeißelt :-)
12V hab ich vor, muss ich aber runterclampen da ich auch mit 24V 
kompatibel sein will und die meisten hier interessanten MOSFETs die ich 
gefunden habe nur bis 20Vgs gehen.

> Nur als Hinweis, mir ist der eine oder andere Fet an Überspannung
> gestorben, weil ich nicht daran gedacht habe, das ein FET wirklich JEDEM
> Impuls am Eingang folgt und somit durchaus in der Lage ist, erhebliche
> Stromänderungsgeschwindigkeiten zu erzeugen, die schon allein aufgrund
> der Zuleitungsinduktivität zu ebenso nicht unerheblichen
> Spannungsspitzen führen.
> Die meisten FETs sind aber recht robust und gehen dann in den
> Avalache-Betrieb (erster Durchbruch).
Ähm.. Wie? Meinst du mit Eingang das Gate? Wie kann ich mir das 
vorstellen?

 Abhilfe: runde Flanken, Snubber
> (10nF+470R) parallel zum Fet.
Könntest du mir das evtl aufmalen? Würde mich schwer interessieren :-)

> Aber man muss heute keinen fetten Kühlkörper installieren, das ist
> richtig.
Aber dann ist der MOSFET doch überdimensioniert!!1 ;-)

>
> bei 24V etwas knapp, die nehm ich immer, wenns kein SMD sein muss...
> https://www.reichelt.de/IRC-IRF-Transistoren/IRF-3...;
Die hab ich in meinem WLAN Dimmer drin. Werden direkt von einem PCA9685 
betrieben. Läuft erste Sahne, zumindest aus Endanwendersicht, Oszi hab 
ich leider noch keins um mir da ansehen zu können was genau abgeht :-)

von Thomas E. (picalic)


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Äxl (geloescht) schrieb:
> Abhilfe: runde Flanken, Snubber
> (10nF+470R) parallel zum Fet.

Bei geschalteten Strömen von mehreren Ampere bringt ein Snubber mit 470 
Ohm so gut wie nichts - selbst bei nur 1A steigt die Spannung am R 
theoretisch schon auf 470 Volt!

Die Flankensteilheit könnte man auch durch Rückkopplung über einen 
Kondensator (1-10nF) von Drain nach Gate begrenzen. Wichtig ist dafür 
aber auch ein Gate-Widerstand.

Am Besten ist aber wohl immer noch die gute, alte Freilaufdiode parallel 
zur Last.

: Bearbeitet durch User
von der schreckliche Sven (Gast)


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Thomas E. schrieb:
> Am Besten ist aber wohl immer noch die gute, alte Freilaufdiode parallel
> zur Last.

Ja genau, und da es in diesem Fall nur um die Leitungsinduktivität geht, 
in der nicht viel Energie gespeichert ist, muß man keine fette 16-Ampere 
Diode nehmen. Eine 1-Ampere Schottkydiode wird mit den kurzen Impulsen 
leicht fertig. Freilaufdiode und Stützelko für die Betriebsspannung in 
unmittelbarer Nähe des Mosfet schützen selbst einen 30V-Typ vor 
Überspannung.

von Thomas E. (picalic)


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der schreckliche Sven schrieb:
> und da es in diesem Fall nur um die Leitungsinduktivität geht

Naje, vielleicht nicht nur - der TO erwähnte ca. 1µH.
Die Leitungsinduktivität kann aber u.U. bei sehr langen Leitungen auch 
schon beachtlich werden. Aber bei der genannten Induktivität und 
Schaltfrequenz reicht eine kleine Diode natürlich locker. Sie muß halt 
nur als Peak-Strom den Laststrom aufnehmen können (Abs. Max.Ratings 
beachten).

von Peter D. (peda)


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Robinson Crusoe schrieb:
> Herausgekommen ist dieser MOSFET:
> PSMN1R4-40YLD
> https://www.mouser.com/ds/2/302/PSMN1R4-40YLD-1151891.pdf
>
> Bei 16A Strom und 4,5V Vgs wäre der RDS(on) bei 1,85mOhm (max), was nach
> Adam Riese 0,4736W an Durchlassverlusten generieren würde. Nichts, was
> dieses Package nicht erfolgreich ableiten könnte, denke ich?

Stimmt, der FET ist genau richtig.

FETs sind heutzutage nicht mehr so teuer, als daß man sie auf Kante 
nageln müßte. Man dimensioniert sie kräftig über, so daß man das 
umständliche Kühlkörpergedöns komplett einspart.
Es ist ja nicht nur der zusätzliche Montageaufwand, man heizt ja auch 
die anderen Teile unnötig auf und man muß die Wärme ja auch aus dem 
Gehäuse abführen. Schnell ist mal ein Gerät gestorben, weil Staub die 
Lüftungsöffnungen zugesetzt hat. Daher ist der optimale Ansatz, so wenig 
wie möglich Wärme im Gerät entstehen zu lassen.

Wenn ich mir mal vom Fertiger die Bestückungskosten für einen TO-247 auf 
Kühlkörper geben lassen würde, würde ich vom Stuhl fallen.
Ein FET im Power SO-8 spart dagegen richtig Geld. Ich nehme die auch 
sehr gerne.


P.S.:
Den Pulldown am Gate hast Du noch vergessen!

: Bearbeitet durch User

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