Guten Abend liebe Forumsmitglieder, ich unternehme gerade erste Schritte in Richtung Elektronik und habe mich daran versucht, einen invertierenden Schaltregler zusammen zu schustern. Leider wird der dabei benutzte MOSFET (IRF9510) im Probeaufbau extrem heiss. Habe natürlich das Rad jetzt auch nicht unbedingt neu erfunden, und mich an bestehenden Schaltungen orientiert. Die Elkos sind noch nicht entsprechend dimensioniert, aber daran kann es ja eigentlich nicht liegen, oder? Über Anregungen würde ich mich sehr freuen. Vielen Dank schon einmal. Viele Grüße Benjamin
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Wenn der negative Impuls der Spule ansteht für die Minusspannung, dann öffnet der FET wieder etwas, wenn ich das richtig sehe.
@Benjamin, wie ist der Aufbau (Bilder), Spannungen, Ströme und hilfreich wären vor allem Scope Bilder. Alles andere wäre Kaffeesatz lesen. ;)
Was ist das für eine "ZAUBERSCHALTUNG" mit D1, Q1, R5 ???
Benjamin schrieb: > Leider wird der dabei benutzte MOSFET (IRF9510) im Probeaufbau extrem > heiss. Osszi am Gate zeigt den Scheiß...
Hi, die Zauberschaltung dient als Ersatz für einen oberen Transistor, wenn man einen Push Pull Ausgang braucht, aber nur einen Open Kollektor Ausgang hat. Gruß The Wizard
The Wizard schrieb: > wenn > man einen Push Pull Ausgang braucht, aber nur einen Open Kollektor > Ausgang hat. Würde ich niemals so bauen!
Eingangsspannung? Ausgangsspannung? Welcher Ausgangsstrom? Foto des Aufbaus/Platine gepostet? Oszi vorhanden und den Spannungsverlauf über R4 gemessen? Welchen Einfluß hat die Erhitzung hat unterschiedlich eingestellte negative Ausgangsspannung? Daten MOSFET? Rdson=1,2 Ohm, 30ns, 20...100pF, 5..10nC Hmm, das wär's fast schon.
Beitrag #5340559 wurde vom Autor gelöscht.
Nicht aufgeführt hatte ich noch die Frage nach Spulendate. Welcher Sättigungsstromes wird für diese Spule angegeben?
Mani W. schrieb: > The Wizard schrieb: >> wenn >> man einen Push Pull Ausgang braucht, aber nur einen Open Kollektor >> Ausgang hat. > > Würde ich niemals so bauen! Weil du keine Ahnung hast? Die Schaltung ist erprobt und funktioniert. Habe ich auch schon verwendet (mit einem LM3578). Nur weil du ein Schaltungsdetail nicht kennst - oder nicht verstehst - ist es nicht gleich unsinnig. Im Prinzip kann die Schaltung funktionieren. Allerdings muß man beachten, daß die (betragsmäßige) Summe aus Eingangs- und Ausgangsspannung als Versorgungsspannung des MC34063 und als Gate-Source-Spannung am MOSFET ansteht. Von +10V auf -10V ist OK. Von +12V auf -24V nicht (dann kriegt der MOSFET mehr als die erlaubten -20V U_gs zu sehen).
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Guten Tag, zunächst einmal vielen Dank für die vielen Rückmeldungen. Hier die bisher ausgelassenen Daten: Eingangsspannung ist 5 V von einem alten PC-Netzteil. Ausgangsspannung soll -10 V bei maximal 0.3 A sein. Habe leider kein Oszilloskop, kann deswegen wolle nicht mit allem dienen, was von Interesse wäre. Der Aufbau hat erstmal nur auf einem Steckboard stattgefunden. Ich habe den MOSFET gegen einen anderen (IRF5305) ausgetauscht und festgestellt, dass die Situation sich ursprünglich nicht massiv verbessert hat. Die Ausangsspannung ist immer noch bei relativ geringer Belastung (100 mA) eingebrochen. Habe dann nochmal ins Datenblatt geschaut und bei den Ausgangsdiagrammen gesehen, dass der MOSFET bei einer Eingangsspannung von 5V eventuell nicht die gewünschte Stromstärke liefert, habe dementsprechend den Emitter nicht an GND sondern an die Ausgangsspannung gelegt (siehe auch Beitrag zum invertierenden Wandler im MC34063 Artikel). Damit funktioniert die Schaltung auf jeden Fall wesentlich besser, der MOSFET wird auch bei Last nicht mehr übermäßig heiß. Habe den Schlatplan entsprechend angepasst. Hier sind ein paar Messdaten zu den Ausgangsspannungen bei entsprechender Belastung mit Widerständen: 200 Ohm 100 Ohm 50 Ohm -10.06V -9.94V -9.48V Habe mich auch an der Messung des Wirkungsgrades versucht und bin bei maximal etwa 50 %. Gemessen habe ich hierfür den Strom, der über den Rsc läuft. Ist das korrekt? Der Wirkungsgrad bricht bei stärkerer Belastung (mit 50 Ohm Widerstand) auf etwa 33 % zusammen. Die Spulendimensionierung war ursprünglich auch etwas klein, da muss ich irgendwo einen Rechenfehler gehabt haben. Mittlerweile ist es eine 47 µH Ferritspule von Reichelt (L-07HCP 47µ). Die sollte einen Sättigungsstrom von 2.5A haben, das sollte bei maximalem Ausgangsstrom von 0.3 A ausreichend sein (Peakstrom etwa um die 1.8 A) Wo seht ihr die besten Möglichkeiten, den Wirkungsgrad zu verbessern? Ist ein Großteil des Verlustes auf das Steckbrett mit den vielen Jumpern zurückzuführen? Welches Verbesserungspotenzial haben low ESR ELKOs? Hat die Spule zu hohe Verluste? Was haltet ihr von der Idee, statt einem P-POSFET zwei N-MOSFETS mit Invertierung durchzuführen? Habe eine Buck-Boost Schaltung gesehen, die nach dem Prinzip funktioniert (http://www.jiggerjuice.info/electronics/projects/power/buck-diode-nmos.html). @hinz: UGS sollte den MOSFET nicht gestört haben, ist bis 10 V ausgelegt @Christian S. Den Beitrag kannte ich, hat mir viel geholfen im Verständnis @ Mani W. @ Axel Schwenke @ The Wizard Bezüglich der "Zauberschaltung" (Ich mag den Begriff) wurde ja bereits alles gesagt, prinzipiell ist das ja nur ein vereinfachter Totem Pole Driver (siehe auch Note von TI). @ Dieter: Die Daten von dem MOSFET haben mich auf die richtige Spur gebracht. Dachte ursprünglich, der RDSON wäre zu hoch, deswegen neuer FET und weitere Recherche im Datenblatt (siehe oben). Glaube auch, dass die Spulenauswahl nicht optimal ist. Bin gespannt auf deine Einschätzung (47µH, stehend, Ferrit, 2.5 A Isat) Ich hoffe, ich habe soweit alle Fragen beantwortet. Ich bedanke mich noch einmal vielmals für die vielfältigen konstruktiven Einwürfe. Viele Grüße Benjamin
Die Spule ist für diese kleinen Ströme und der raltiv geringen Schaltfrequenz des MC34063 viel zu klein. eher 330µH oder 470µH. Den Gate-Widerstand kannst ruhig noch etwas größer machen und parallel zu Gate-Source noch eine 12Volt Z-diode schalten. Dann geht da wenigstens nichts kaputt. 1000µF am Ausgang sind quatsch. Bau hier 2x47µ/25VµF LOW-ESR(!) ein und parallel noch einen 1µF/50V Keramik. Dann mach ein Bild vom "Steckbrettaufbau" und mal dir - wie hier so oft empfohlen - die Kreise ein, die der Eingangsstrom zurücklegt und mit anderer Farbe den Kreis, den der Ausgangsstrom zurücklegt. Diese Kreise sollten eher eine möglichst kleine Fläche "umspannen". Die Zuleitung zu R2 (22K) separat direkt an den Ausgang (Pin1 J2) ziehen. Direkt GND-VCC vom MC34063 noch einen Abblockkondensator drüberlöten, um den Gatestrom sicher liefern zu können.
Ich glaube fast, dass an dieser Stelle ein bipolarer Transistor anstelle des MOSFET besser wäre. Dann braucht man auch keine "Zauberschaltung".
Benjamin schrieb: > Leider wird der dabei benutzte MOSFET (IRF9510) im Probeaufbau extrem > heiss. Habe natürlich das Rad jetzt auch nicht unbedingt neu erfunden, > und mich an bestehenden Schaltungen orientiert. Mal den Strom durch den Mosfet und die an diesem abfallende Spannung mit dem Oszilloskop anschauen und hier im Forum posten? Da erkennt man einiges, was man am Schaltplan nicht direkt erkennt. Sicher, dass R4 wirklich erforderlich ist? Ich würde den durch ein Stück Draht ersetzen. Benjamin schrieb: > Die Elkos sind noch nicht entsprechend dimensioniert, aber daran kann es > ja eigentlich nicht liegen, oder? Paralell zu jedem Elko bitte noch einen großen Kerko.
Stefan U. schrieb: > Ich glaube fast, dass an dieser Stelle ein bipolarer Transistor > anstelle > des MOSFET besser wäre. Dann braucht man auch keine "Zauberschaltung". Ja! Ich hätte mich auch für einen bipolaren Transistor entschieden. Warum eigentlich nicht?
Hallo, mir ist bewusst, dass für den gewünschten Ausgang ein MOSFET nicht nötig ist. Mir hat sich allerdings hierbei die Möglichkeit geboten, mich gleichzeitig auch ein bisschen mit MOSFETS auseinanderzusetzen. Prinzipiell könnte ich dann, wenn es nötig sein sollte, die Schaltung mit einem MOSFET auch auf eine höhere Leistung auslegen. Ich gebe euch allerdings vollkommen recht, dass es hier nicht nötig ist. Viele Grüße Benjamin
Benjamin schrieb: > Habe mich auch an der Messung des Wirkungsgrades versucht und bin bei > maximal etwa 50 %. Gemessen habe ich hierfür den Strom, der über den Rsc > läuft. Ist das korrekt? Rsc? Wenn das R1 ist, kriegst Du da keine vernünftigen Ergebnisse. Um den Wirkungsgrad einigermaßen genau ermitteln zu können, brauchst Du Lastwiderstände mit 1% Toleranz, und musst den durch die Elkos geglätteten Strom messen. Stefan U. schrieb: > Ich glaube fast, dass an dieser Stelle ein bipolarer Transistor anstelle > des MOSFET besser wäre. Wenn, dann einen MJE2955T. Aber auch der braucht einen Widerstand für den Basisstrom, in dem mehr Leistung verlorengeht, als der Mosfet zur Ansteuerung benötigt.
Die Daten des MOS hatte ich geschrieben und es ist Dir auch aufgefallen. R_dson mit 60 mOhm ist schon deutlich besser. Die Schwelle liegt im Bereich von 4,5V und das ist nicht sicher genug, bei nur 5V für eine gute Durchschaltung. Du benötigst einen Typen mit niedrigerem Wert, z.B. 3,5V oder machst Bootstrapping für negative Unterspannung zum Ansteuern. Der MOS hat 1200pF als Gitterkapazität. Hier muss das Gate stärker "ausgeräumt" werden. R+C parallel zu R4 wäre vielleicht noch eine Maßnahme. Abschätzung für L und 50kHz: L~U/I*1/f= 200uH L~U/I*1/f= 100uH (5 od 10V, Imax 1A) Wenn L zu klein ist, dann geht die Schaltung über in den lückenden Betrieb, mit wirklich großen Lücken als Pausen zwischen steigenden und fallenden Dreieck des Stromes. Damit der Laststrommittelwert erreicht wird, muss die Stromspitze entsprechend größer ausfallen. Z.B. Ladezyklus habe 20%, Entladezyklus 10% des Zeitfensters, dann ist die Pause 70%. Für 0,3A wäre dann die Stromspitze mindestens bei: 0,3A*2*70/30=1,4A
Hallo, das hier kennst Du vielleicht auch schon: Beitrag "MC34063 Schaltungsvorstellung 5V Stepup-Konstantstromquelle 1A für 2x10W Power-LED" Da ging es auch um die Auswahl der Spule und den lückenden Betrieb. MfG
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