Hallo, ich habe versucht einen MOSFET Back-to-back Schalter für AC zu simulieren. Jedoch komme ich nicht ganz auf zufriedenstellende Ergebnisse. Ich bin nicht sicher, ob es sich hier um einen Schaltungsfehler oder einen Simulationsfehler handelt. Zuerst hatte ich die Schaltung ohne D7; dadurch ist der Strom durch die Last L3 bei der pos. Halbwelle korrekt, bei der neg. Halbwelle entsteht ein Kurzschluss über M2, D3. Dann habe ich die D7 eingefügt, jedoch dadurch bleibt die neg. Halbwelle gesperrt. Wo übersehe ich hier den Fehler? Gruß morres
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morres schrieb: > Dann habe ich die D7 eingefügt Kontraproduktiv. > Wo übersehe ich hier den Fehler? Grundlagen der Halbleiter, hier MOSFET. Die Gatespannung muss beim N-Kanal POSITIVER sein als das Source, damit er durchschaltet. Wie soll das bei dir, wenn M2 Drain positiv von der Spannungsquelle versorgt wird, also durchgeschaltet Souirce positive sein soll, passieren ? Du brauchst eine Spannung die noch 10V über den 325V liegt. Wenn du statt dem Brückengleichrichter eine Einweggleichrichtung verwendet, die C1 auflädt, hast duch auch dann eine noch positivere positive Spannung wenn die 230V ins positive drehen. Die MOSFETs müssen in der richtigen Reihenfolge sein und bilden über die Body-Diode eine zweite Diode. Es hilft dem Simulator, wenn du Teile, die über Dioden getrennt sind, über hochohmige (durchaus 1 Gigaohm) Widerstände an GND legst.
Herzlichen Dank! Es funktioniert mit Einweggleichrichter einwandfrei. Jedoch ist mir die Erklärung noch nicht ganz einleuchtend. Das mit der positiveren Gatespannung ist mir schon klar, daher habe ich auch zwischen den Gates und dem Verbindungspunkt der MOSFET Sourcen "gemessen" (in der Variante ohne D7, dieser Punkt ist dann GND). Die Spannung ist gleichbleibend 10V. Ich denke bei dieser Variante ist dann tatsächlich das Problem, dass der Strom durch den Brückengleichrichter fließen kann, und nicht durch die Last. Variante mit D7 ist Quatsch und geht nicht, reden wir nicht weiter drüber. Beim Einweggleichrichter ist wie bei der ersten Variante die Gatespannung positiv, aber der mögliche Rückkanal durch die Brückengleichrichter-Dioden entfällt, der Strom fließt über M2 und M1-Body Diode bei neg. Halbwelle. Ist dieses Verständnis prinzipiel richtig? Kann man die Body-Diode so einsetzen, oder sollte bei 230V (200W)eine externe Diode zusätzlich verwendet werden. Es gibt einen weiteren Beitrag hier im Forum, jedoch denke ich nur kontroverse Meinungen darüber...
https://www.digikey.de/de/product-highlight/i/ixys-integrated-circuits/fda217-dual-photovoltaic-mosfet-driver Machs dir einfach. Kannst auch einen DCDC Wandler nehmen.
Ja, interessante Möglichkeit. Muss man auf dem Segment jedoch ein bischen suchen, die Teile scheinen ziemlich langsam zu seit. Dadurch steigt die Gefahr dass der MOSFET zu lange im linearen bereich arbeitet. Insbesondere, wenn man o.s. "Grundlagenschaltung" für Phansenabschnitt verwenden wollte.
morres schrieb: > ich habe versucht einen MOSFET Back-to-back Schalter für AC zu > simulieren. Womit soll denn dieser Schalter angesteuert werden? Oder ist die Schaltung, so wie sie da gezeichnet ist, "sich selbst genug"? Was schaltest du da für eine Last? Müssen das unbedingt Mosfet als Schalter sein? Wie oft und wie "genau" müssen die Mosfet schalten (Phasen-Anschnitt oder -Abschnitt)?
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Die Schaltung ist sich nicht so genug. Hier ging es erstmal nur darum, die MOSFETs aus einer 230VAC Quelle zu schalten. Es ist vorgesehen, die Gate-Ansteuerung über Optokoppler durchzuführen und Phasenabschnitt zu realisieren (ZCD wird mit uC und anderer Peripherie realisiert, Optokoppler zur galvanischen Trennung). Des Weiteren halte ich die Schaltung so auch noch nicht praxistauglich, da sie zu viel Verlustleistung produziert. Hier muss auch noch entsprechende Optimierung vorgenommen werden.
Ich habe nicht alles beantwortet, es MÜSSEN keine MOSFETs sein, so wie ich mich informiert habe, könnten auch IGBTs eine Lösung sein. MOSFETs schienen mir einfacher und günstiger zu bekommen zu sein. Als Last würde ich zunächst erstmal dimmbare LED-Leuchtmittel oder Halogen-Leuchtmittel mit el. Trafo annehmen (landläufig "Dimmer").
morres schrieb: > Es ist vorgesehen, die Gate-Ansteuerung über Optokoppler > durchzuführen und Phasenabschnitt zu realisieren Och Kinders, warum nicht VORHER mal nachsehen wie die Profis das bauen ? Das Problem an MOSFETs ist: Sie sind nicht robust. Wenn am Phasenabschnittdimmer eine Glühlampe durchbrennt oder ein Kurzschluss auftritt, ist der MOSFET hinüber bevor die 16A Haussicherung auslöst. Man findet nicht mal eine kleine 5x20 flink Sicherung, die schneller (kaputt) ist als der MOSFET. Man muss elektronisch bei Überstrom schnell (1us) abschalten, und dazu muss man ihn erst mal massen. oder IGBTs für PhasenABschnitt (bei elektronischen Halogentrafos o.ä. kapazitiven Lasten): http://large.stanford.edu/courses/2012/ph240/johnson2/docs/CD00003922.pdf (AN518 Soft Light Dimmer mit NE555, 2 adrig angeschlossen)http://see-solutions.de/sonstiges/BJ-Dimmer.pdf https://www.mikrocontroller.net/attachment/46512/BJ-Dimmer.pdf (Phasenabschnittsdimmer mit Erzeugung von 10V aus Phasenbeginn)http://www.conrad.de/ 190231-as-01-de-phasenabschnittsdimmer.pdf (ELV DI300) http://download.gira.de/data2/elektronik-handbuch.pdf Das Problem ist, daß man aus der 230V Netzspannung die Betriebspannng holen will, sich aber mit dem Einschalten der Last die Netzspannung selber wegnimmt. Bei dieser Schaltung leitet immer einer der IRFI840I MOSFETs rückwärts über seine Body-Diode und stellt damit die Verbindung für GND her (negativer Zweig des Brückengleichrichters), die Betriebspannung wird über eine der beiden 1N4007 gewonnen (positiver Zweig des Brückengleichrichters) wobei die Diode gleich ein Abfliessen der Ladung aus dem Ladeelko verhindert. Man darf die MOSFETs erst einschalten, wenn der Elko geladen ist (der, der über die Body Diode leitete, leitet dann noch besser, damit der hohe Laststrom nicht zu hohen Verlusten führt), und die 1N4148 verodern den über die Shunts gemessenen Strom, man muss abschalten wenn der Strom für die MOSFETs zu hoch wird, denn eine Feinsicherung wäre langsamer als die MOSFETs sterben.
1 | 1N4007 |
2 | o---Last--+---+--|>|--+-----220R---+ |
3 | | | | | |
4 | 230V~ VDR | | | |
5 | | | | | |
6 | o---Sich--+---)--|>|--+--220k--+--|I IRFI840 |
7 | | | | |S |
8 | IRFI840 | I|--+ ZD16 +-- ca. +10V |
9 | | S| +-- | | |
10 | IRFI840 I|--(---+ | 10uF |
11 | S| | | | |
12 | | +---|>|--+ | | |
13 | | | 1N4148 +-- | | |
14 | +---(---|>|--+ | | |
15 | | | | | |
16 | 0R1 0R1 | | |
17 | | | | | |
18 | GND +---+----------------+---+ |
Vielen Dank für die Links. Wie gesagt, mir ist klar, dass die Schaltung noch nicht praxistauglich ist. Daher wurde und wird es so auch nicht gebaut. Es ist erstaunlich, wie viele Schaltungen es im Internet gibt, die gebaut (gebastelt) wurden, und die ich auch nie verwenden würde. Ich werde die Möglichkeiten der IGBTs (im Gegensatz zu MOSFETs) noch näher betrachten (habe verschieden ELV Artikel dazu erworben). Der Vergleich MOSFET - IGBT in einem der Links hängt wohl auch stark von den verwendeten MOSFET-Typen ab. Ich habe einen anderen Artikel gelesen, in dem die MOSFETs besser abschneiden als IGBTs. Dass IGBTs in der Robustheit überlegen sind wusste ich tatsächlich nicht. Evtl. gilt es doch auch noch einmal den Fairchild FL5150 Phase Cut Dimmer Controller genauer unter die Lupe zu nehmen (hatte ihn eigentlich verworfen, er scheint zumindest in unseren Breitengraden nicht sehr populär zu sein).
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