Hallo zusammen, ich habe mal eine Frage. In einer Schaltung, die schon seit Jahren im Einsatz ist, werden 8 IRF3710 Mosfets direkt an einem Schieberegister mit 5V geschaltet. Über die Mosfets werden kleine Auswerfer ausgelöst, die Bauteile vom Band schubsen. Eine Schutzdiode (da Elektromagnet) ist jeweils vorhanden. Es gab mit dieser Schaltung nie Probleme, aber wir möchten das ganze gerne erweitern und neue Platinen dafür bauen. Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets, weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B. Aber wie gesagt, schalten sie auch schon bei 5V. Nur - wenn man meinem bisherigen Verständnis glauben schenken darf - eben nicht voll durch. Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann. Es geht mir darum, einen Versuchsaufbau zu machen, der beweist, dass diese Mosfets ~eigentlich~ nicht geeignet sind... oder man einen anderen Treiber bräuchte. Einfach ein Lastwiderstand und dann den fließenden Strom vergleichen mit dem, den die Stromquelle liefern könnte? Wie könnte man hier den Beweis erbringen? Danke für eure Ideen.
Lexi schrieb: > Einfach ein Lastwiderstand und dann den fließenden Strom vergleichen mit > dem, den die Stromquelle liefern könnte? Nein, der Strom ist überall gleich. Du mißt den Spannungsabfall über dem Mosfet und kannst mit dem Strom die Verlustleistung berechnen. Der er die abführen kann, sollte es kein Problem sein, daß er nicht richtig durchgeschaltet ist. Du solltest aber im Datenblatt prüfen, ob Du dabei noch in der SOA bist.
Am Besten ginge das mit einem Speicheroszi. Wenn Du damit zwischen Source und Drain mißt, siehst Du den Spannungsabfall über dem Kanal des MOSFET und kannst dadurch sehen, wie "weit" er aufgemacht hat. Speicheroszi deshalb, weil (wie Du sagtest) der ja nicht mit "Dauer-Strich", sondern mit Impulsen angesteuert wird und man sonst schnelle Augen bräuchte. MfG Paul
Lexi schrieb: > wie man hier den Verlust messen kann. Wie immer, Strom * Spannung (im durchgeschalteten Moment). Einfacher wäre es, gleich richtige LL MOSFETs einzubauen. Lexi schrieb: > Wie könnte man hier den Beweis erbringen? Eigentlich reicht für jeden der Elektronik gelernt hat das Datenblatt. Da steht UGS=10V und andere Werte sind nicht garantiert.
Hallo zusammen, danke für die Hinweise - hab's verstanden. Zum Thema "Datenblatt" und "gleich die richtigen Mosfets nehmen": Ja - stimme ich voll zu. Das Problem ist nur, dass hier in dem Laden jemand sitzt, der diese Basteleien erfunden hat und jetzt alle mächtig stolz auf ihn sind. Wenn ich sage "Datenblatt", dann ist die Antwort, dass man in diesem Bereich mit Schulwissen nicht weiterkommt und ich mich mal schön an Herrn XY halten soll. Das nervt mich tierisch. Am Ende wird sich daran nicht viel ändern bis der Herr mal in den Ruhestand geht. Auch den Beweis anzutreten dürfte letzlich nix bringen, denn in solchen Situation heißt es dann wieder, dass XY halt manchmal kompliziert ist und wir lieber alle Fehler weitermachen, damit er keine schlechte Laune kriegt. Alles Fähnlein im Wind hier. Für mich wäre dennoch wichtig, es zumindest besser gewusst zu haben und nicht dazu verdammt zu sein, den Kenntnisstand des Kollegen als meine Messlatte ansehen zu müssen. ;) Vielleicht kennt ihr ja solche Situationen selber. Also - Spannungsabfall... werde ich morgen messen. Vielen Dank!
Sorry, aber wenn Du wegen solcher Grundlagen hier nachfragen mußt, solltest Du vielleicht doch noch etwas Erfahrung sammeln, bevor Du anderen Fehler nachweisen willst. Es klingt nicht so, als ob Du Dein Anliegen überzeugend vortragen kannst, auch wenn Du vielleicht recht hast.
Wie gesagt - irgendwem einen Fehler nachzuweisen bringt eh nix. Also lass ich es. Ich will es ja nur für mich selber beweisen. Mich da hin zu stellen und auf irgendwen zu zeigen wäre nicht meine Art ;) Erst recht nicht wegen so einem Kinderkram. Aber wenn die Leute, die mich ausbilden sollen, sagen, dass das Datenblatt ja nur wertloses Schulwissen enthält und ich mehr von XY lernen kann (Schließlich macht er das schon 40 Jahre und hat Erfahrung), dann möchte ich zumindest für mich selber etwas kritischer sein... Mag ja sein, dass das auch weiterhin so funktionieren wird. Warum auch nicht, wenn's ja immer so lief. Zu wissen, wie man's richtig macht, schadet ja trotzdem nicht. ;)
Wenn du den Spulenstrom halbwegs kennst, dann reicht es, per Tastkopf die Spannung über Drain / Source im durchgeschalteten Zustand zu messen. Der daraus berechnete Rds(on) sollte halbwegs nah am Dateblattwert sein, sonst ist der FET nicht komplett durchgesteuert.
Nach Datenblatt schafft der bei 4V Vgs noch 3A. Typ wahrscheinlich ausgewählt ala "haben wir noch da liegen"
Lexi schrieb: > Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets, ... Wieviel Strom fließt denn durch deine kleinen Auswerfer? Ein paar Ampere wird der IRF3710 bei 5V U_GS schon schaffen und du willst deine Auswerfer doch wahrscheinlich nicht mit 100kHz PWM ansteuern. > Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann. Hand auflegen und Auswerfer mal kräftig takten. Wenn`s zu warm wird, kann man noch mal drüber nachdenken - sonst so lassen.
Lexi schrieb: > Das Problem ist nur, dass hier in dem Laden jemand sitzt, der diese > Basteleien erfunden hat und jetzt alle mächtig stolz auf ihn sind. Du willst also dem älteren Kollegen ans Knie pissen, keine feine Art. Horst schrieb: > Sorry, aber wenn Du wegen solcher Grundlagen hier nachfragen mußt, > solltest Du vielleicht doch noch etwas Erfahrung sammeln, bevor Du > anderen Fehler nachweisen willst. Dem ist wenig hinzuzufügen! Unabhängig davon wären alle Daten der Schaltung interessant, vielleicht ist der nicht vollständig und evtl. auch noch langsam gesteuerte FET Teil des Überlebens der Schaltung.
Hallo, > Lexi schrieb: > In einer Schaltung, die schon seit Jahren im Einsatz ist, werden 8 > IRF3710 Mosfets direkt an einem Schieberegister mit 5V geschaltet. ist doch soweit alle ok, oder? > Über die Mosfets werden kleine Auswerfer ausgelöst, die Bauteile vom > Band schubsen. Eine Schutzdiode (da Elektromagnet) ist jeweils > vorhanden. Auch kein Problem, oder? "Kleine Auswerfer" brauchen sicher auch nur einen eher kleinen Strom, oder? Wie groß ist dieser konkret? > Es gab mit dieser Schaltung nie Probleme, aber wir möchten das ganze > gerne erweitern und neue Platinen dafür bauen. > Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets, > weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B. Und woher nimmst du diese Erkenntnis? Hier im Datenblatt steht, dass die Theshold Voltage max. 4V beträgt. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3710.pdf Und in den Kennlinien auf S.3 ist zu entnehmen, dass man mit einem Logikpegel von ca. 4,5V schon über 10A schalten kann. Vermutlich haben die kleinen Auswerfer einen weit niedrigeren Strom, oder? Infolge Eigenerwärmung steigt der mögl. Strom sogar noch deutlich an. > Aber wie gesagt, schalten sie auch schon bei 5V. Nur - wenn man meinem > bisherigen Verständnis glauben schenken darf - eben nicht voll durch. Woher hast du dieses Verständnis? Werden die FET heiß? Ich vermute das die nicht mal handwarm werden. Auch wenn das R_DSon nicht 23mV ist, sondern wegen der geringeren Gatespannung 50...100mV oder noch höher liegt, wird das für die Applikation wahrscheinlich nie ein Problem sein. > Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann. Wozu? Gibt es ein Indiz dafür, dass dies überhaupt relevant ist? Spielt es bei der Bauform (TO220) eine Rolle, ob da im Mittel 10mW oder 20mW oder sogar 50mW verheizt werden? > Es geht mir darum, einen Versuchsaufbau zu machen, der beweist, dass > diese Mosfets ~eigentlich~ nicht geeignet sind... oder man einen anderen > Treiber bräuchte. Oben schreibst du, dass diese Schaltung in Praxis seit Jahren reibungslos funktioniert. Ist dir das als "Versuchsaufbau" nicht gut genug? > Einfach ein Lastwiderstand und dann den fließenden Strom vergleichen mit > dem, den die Stromquelle liefern könnte? Wo ist da eine Stromquelle? Und warum sollte über einen Lastwiderstand der Strom fließen, "den die Stromquelle liefern könnte"? > Wie könnte man hier den Beweis erbringen? Dein Problem scheint zu sein, Probleme zu suchen, wo keine sind. Außerdem hast du noch einige Defizite im Verständnis von Elektronik und der Fähigkeit Datenblätter zu verstehen. Natürlich kann man einen anderen FET nehmen. Bei einem Neudesign würde man besser gleich alles in SMD-Technik ausführen. Die FET sollten auch nicht unbedingt super schnell sein, es geht ja bloß um eher träge Mechanik. Da spart man sich Probleme mit EMV wegen zu steiler Schaltflanken. > Aber wenn die Leute, die mich ausbilden sollen, sagen, dass das > Datenblatt ja nur wertloses Schulwissen enthält Das ist natürlich Unsinn. Datenblätter lesen und korrekt interpretieren ist eine absolute Notwendigkeit für jeden Elektroniker, ganz besonders für Anfänger. Es gibt auch Fälle, wo man mit Erfahrungswissen Parameter von Datenblättern interpretiert und sich außerhalb der Spezifikation bewegen kann, aber dann muß man wirklich wissen, was man tut. Nur die "Maximum Ratings" sollte man aber besser nicht überschreiten. > und ich mehr von XY > lernen kann (Schließlich macht er das schon 40 Jahre und hat Erfahrung), > dann möchte ich zumindest für mich selber etwas kritischer sein... Warum gehst du nicht zu dem erfahrenden Kollegen und fragst ihn selber zu den Bewegründen? Oft ist das sehr viel lehrreicher, weil dabei oft noch ganz andere Aspekte zum Vorschein kommen, von denen du noch gar keine Ahnung hast, dass es solche überhaupt gibt. Gruß Öletronika
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karadur schrieb: > Nach Datenblatt schafft der bei 4V Vgs noch 3A. Nur für Trottel die keine Datenblätter lesen können. Richtig wäre: Im Datenblatt gibt es eine Kurve, die zeigt, dass ein bestimmtes Exemplar bei 4V Ugs nicht voll durchgeschaltet ist sondern noch im Linearbereich verweilt. Bei 0.1V an UDS wird der Strom schon auf 3A abgeschnürt, bei 1V und mehr als UDS wird der Strom auf 10A angeschnürt. Andere Exemplare können das Verhalten auch bei 2.8 oder 5.6V Ugs zeigen, denn unter UGS(th) steht diese Schwankungsbreite. Erst bei eta dem doppelten der Gate-Spannung für den linearen Bereich ist der MOSFET voll durchgeschaltet.
> Michael B. schrieb: > karadur schrieb: >> Nach Datenblatt schafft der bei 4V Vgs noch 3A. > Nur für Trottel die keine Datenblätter lesen können. Solche Leute, die ihr Selbstbewußtsein damit aufpäppeln, indem sie andere Forenteilnehmer erniedrigen, sind sicher überall sehr beliebt. > Richtig wäre: > Im Datenblatt gibt es eine Kurve, die zeigt, dass ein bestimmtes > Exemplar Immerhin ist es eine typische Kennlinie. Dass solche Bauelemente aber dicht an den minimalen oder maximalen Parametern liegen, ist eher untypisch. > bei 4V Ugs nicht voll durchgeschaltet ist sondern noch im > Linearbereich verweilt. Bei 0.1V an UDS wird der Strom schon auf 3A > abgeschnürt, bei 1V und mehr als UDS wird der Strom auf 10A angeschnürt. > Andere Exemplare können das Verhalten auch bei 2.8 oder 5.6V Ugs zeigen, Wie kommst du darauf? Als max. Toleranz für die Thresholdspannung wird nur ein Bereich von 2V angegeben, nicht fast 3V. > denn unter UGS(th) steht diese Schwankungsbreite. Eben, da steht: min= 2V, max= 4V. Die UGS(th)von ca. 3,5V in der Kennlinie auf S.3 liegt dann auch nur 0,5V unter der maximalen UGS(th) und nicht 1,6V wie du oben behauptest! > Erst bei eta dem doppelten der Gate-Spannung für den linearen Bereich > ist der MOSFET voll durchgeschaltet. Ja, wenn man einen Strom von 50A schalten wollte, ist das sicher relevant. Vermutlich geht es aber nur um paar hundert mA oder 1..2A. Und da wird der FET allemal funktionieren, wenn man eine Gatespannung bis mindestens 4,5V annimmt.
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"Kleiner Auswerfer" gefällt mir. Der könnte auch am Disko-Eingang stehen oder im Personalbüro sitzen. :) MfG Paul
@U.M. Hallo ich bin schon lange dabei. Ich kann solche Beiträge schon einschätzen. Trotzdem Danke. @laberkopp: Die Frage war ob eine Ansteuerung mit 5V aus dem Schieberegister ein Problem ist. Offensichtlich ja nicht.
U. M. schrieb: > Infolge Eigenerwärmung steigt der mögl. Strom sogar noch deutlich an. Wenn die kleinen Auswerfer mit ihrem maximalen Duty Cycle betrieben werden, dürfte auf Grund der Eigenerwärmung der Strom eher sinken und damit die FETs entlasten. Bleibt immer noch die Frage: WAS schlucken die kleinen Auswerfer?
Hi Wolfgang, > Wieviel Strom fließt denn durch deine kleinen Auswerfer? Nicht viel... wenn ich den Strom mit einem Multimeter messe, dann sind es knapp unter 500mA. Beim Ein- und Ausschalten evtl. etwas mehr, weil die Stößel ja mittels elektromagnet bewegt werden. > Ein paar Ampere wird der IRF3710 bei 5V U_GS schon schaffen und du > willst deine Auswerfer doch wahrscheinlich nicht mit 100kHz PWM > ansteuern. Eher nicht - dann hätten wir ganz schön viel Ausschuss auf dem Band gehabt ;) Realistisch ist eine Schaltfrequenz (wenn man das so nennen will) von 0.05Hz an schlechten Tagen.
Lexi schrieb: > Beim Ein- und Ausschalten evtl. etwas mehr, weil > die Stößel ja mittels elektromagnet bewegt werden. Gerade Elektromagneten haben keine Einschaltströme sondern begrenzen sie. Sie haben nur eine ggf. problematische Abschaltspannung. karadur schrieb: > Die Frage war ob eine Ansteuerung mit 5V aus dem > Schieberegister ein Problem ist. Offensichtlich ja nicht. Nein, die Frage war, wie man den Pfuschern wie dir bebringt, daß so eine Konstruktion Murks ist, weil sie an den Datenblattvorgaben vorbei geht. Man baut keine Schaltung, in der 60V an einem MOSFET liegen der nach Datenblatt 40V aushält, selbst wenn DIESES Exemplar das vielleicht bisher überlebt, und man baut keine Schaltung, in der ein BC547 250mA schalten muss, selbst wenn er bisher überlebt weil im Gehäuse einfach derselbe Chip wie beim BC337 ist, aber im Datenblatt steht nur 100mA, und so baut man auch keine Schaltung, in der ein nur bei 10V spezifiziert durchgeschalteter MOSFET nur mit 5V versorgt wird. Und es gibt für solchen Pfusch auch keine Not, LogicLevel MOSFETs sind erfunden. Ja, der Aufbau funktioniert. Das liegt an den verwendeten Exemplaren der MOSFETs. Sie funktioniert also vor allem deswegen weil sie eine eher typische oder niedrigere UGS(th) haben, selbst wenn die Selektion Zufall war. Wenn nun eines Tages doch einer kaputt geht, und der Reparateur einfach denkt "IRF3710 war drin also baue ich einen neuen IRF3710 wieder ein", so kann er sein blaues Wunder erleben, wenn er ein Exemplar erwischt, das an der oberen Grenze von UGS(th) liegt und daher bei 5V UGS nicht mehr 500mA ohne deutlichen Spannungsanfall durchlässt. Was dann ggf. heisst, daß der Auswerfer nicht mehr zuverlässig auswirft weil für ihn nicht mehr genügend Spannung übrig bleibt. U. M. schrieb: >> Andere Exemplare können das Verhalten auch bei 2.8 oder 5.6V Ugs zeigen, > Wie kommst du darauf? > Als max. Toleranz für die Thresholdspannung wird nur ein Bereich von 2V > angegeben, nicht fast 3V. Durch einfaches Nachdenken. Wenn die Grenze, unter der der MOSFET zuverlässig sperrt weil er nur noch weniger als 250uA durchlässt VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250μA eine Schwankungsbreite von 2 bis 4 hat, also 1:2, dann wird die Spannung bei der die 4V Kurve im 'typischen' Diagramm ist, auch um 1:2 schwanken können, von 0.707*4 bis 2*0.707*4, also real erreicht bei einer Gate-Spannung von 2.8 bis 5.6V. Vor allem sagt UGS(th), daß einige IRF3710 MOSFETs bei 4V eventuell nur noch 250uA durchlassen, und eben NICHT 12A wie im 'typischen' Diagramm gezeigt. Manfred schrieb: > Du willst also dem älteren Kollegen ans Knie pissen, keine feine Art. So ist Deutschland gross geworden, damals, 1938. Als Wahrheit keine Rolle spielte sondern jeder nur tat was ihm der Ältere sagte. Lexi weiss im Gegensatz zu dir und U.M. schon was UGS(th) und typische Kurven im Datenblatt bedeuten, er will nur noch dem altverdienten Ingenieur^WPfuscher klar machen, WARUM der IRF3710 eine schlechte Wahl ist und man lieber einen LogicLevel MOSFET einbaut. Er hat ein Problem, wenn der altverdiente Ingenieur^WPfuscher so ein lernresistenter Bock ist wie du, nur auf das eigene hingelogene Ansehen bedacht statt begierig auf neue Erkenntnis. Leider haben wir viel zu Viele so wie dich in Deutschland.
Kann ja sein das ich ein Pfuscher bin, aber die ca. 100.000 Geräte die nach meiner Entwicklung gebaut wurden laufen seit vielen Jahren sehr zuverlässig.
karadur schrieb: > Kann ja sein das ich ein Pfuscher bin, aber die ca. 100.000 Geräte > die > nach meiner Entwicklung gebaut wurden laufen seit vielen Jahren sehr > zuverlässig. Ja, ich wundere mich ja auch dauernd, wieso Leute Made in Germany nicht als Warnsymbol verstehen, bei dem Pfusch der von den "haben wir schon immer so gemacht Denkfaulen" abgeliefert wird. In China hingegen ist man wissbegierig und lernt gerne hinzu. Kein Wunder, daß manche dort schon weit besser sind als wir hier. Kein Wunder, daß Deutschland schon längst den Anschluss verloren hat bei so viel Faulheit und Bequemlichkeit und lediglich noch Gier nach mehr Geld. Ob Autoproduktion oder eben Elektronik.
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Michael B. schrieb: > Ja, ich wundere mich ja auch dauernd, wieso Leute Made in Germany nicht > als Warnsymbol verstehen ... Das war der ursprüngliche Sinn von "Made in Germany". Im Vergleich zu Pfusch aus anderen Quellen, hat sich tendenziell oft das Gegenteil bewiesen. https://de.wikipedia.org/wiki/Made_in_Germany
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Lexi schrieb: > Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann. Wieso willst du da was messen? Steht doch alles im Datenblatt. Du musst dir die Diagramme ansehen. Bei 5V schaltet der noch etwas über 40A. Habe das Diagramm nicht vergrößert, aber schätzungsweise 45A. Kommt drauf an, ob dir das reicht.
Lexi schrieb: > Aber wenn die Leute, die mich ausbilden sollen, sagen, dass das > Datenblatt ja nur wertloses Schulwissen enthält und ich mehr von XY > lernen kann (Schließlich macht er das schon 40 Jahre und hat Erfahrung), > dann möchte ich zumindest für mich selber etwas kritischer sein... Im Anfang habe ich viele Bauteile ausgemessen und mit dem Datenblatt verglichen. Ausnahmslos alle Bauteile konnten mehr, als im Datenblatt steht. Dass das keine allgemein gültige Referenz ist, das ist mir klar und den Anspruch stelle ich auch nicht. Für mich war es nur Beweis genug, dass man "immer die halbe Leistung" nehmen soll, wie von vielen so verkündet wird, für mich keine Relevanz mehr hat. Es hat viel Zeit gebraucht, bis ich die Datenblätter lesen konnte. Auch viel lesen (die Bibel/ T&Sch) brachte mich weiter.
Michael B. schrieb: > Man baut keine Schaltung, in der 60V an einem MOSFET liegen der nach > Datenblatt 40V aushält, VDSS = 100V http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3710.pdf Michael, normalerweise weiß ich, dass du schon sehr genau bist. Hast du vielleicht ein falsches Datenblatt gehabt? Da die Schaltung schon viele Jahre ohne Probleme funktioniert, kann das alles nicht so verkehrt sein, wie ich finde. Da der oder eher die Fets sicher parallel geschaltet sind, nur kurz für den Ausstoß geschaltet werden, bin ich sicher, dass sie nicht einmal warm werden. Aber um genaues zu sagen, müsste man alle Daten haben. Der TO, das ist meine Meinung, will doch nur sein an der Uni oder sonst wo erworbenes (frisches) Wissen, gegen das des "alten Hasens" stellen und beweisen, dass er nicht die Koryphäe ist, für den ihn alle halten. Ich würde sagen und das geht an den TO, entwickele doch eine eigene Schaltung, ohne von der anderen abzugucken und nimm die Gegebenheiten (also Magnet, Einschaltdauer usw.), mach dir Gedanken dazu und mache das anders. Denn besser geht ja wohl nicht, da diese Schaltung genau das tut, was sie soll und wohl schon lange Zeit. Wenn sie dann genauso lange funktioniert, dann bist du noch nicht besser, aber vielleicht billiger gewesen.
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@Michael Bertrandt (laberkopp) >Ja, ich wundere mich ja auch dauernd, wieso Leute Made in Germany nicht >als Warnsymbol verstehen, bei dem Pfusch der von den "haben wir schon >immer so gemacht Denkfaulen" abgeliefert wird. >In China hingegen ist man wissbegierig und lernt gerne hinzu. Kein >Wunder, daß manche dort schon weit besser sind als wir hier. Gewiß, gewiß. Ja, die wissen inzwischen genau, wie man die Lebensdauer ihrer Produkte nach Kauf begrenzen können ... F. Fo (foldi) schrieb: >Lexi schrieb: >> Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann. >Wieso willst du da was messen? Steht doch alles im Datenblatt. >Du musst dir die Diagramme ansehen. Bei 5V schaltet der noch etwas über >40A. Habe das Diagramm nicht vergrößert, aber schätzungsweise 45A. >Kommt drauf an, ob dir das reicht. Schon wieder ein Falschinformierer ... >Da der oder eher die Fets sicher parallel geschaltet sind, nur kurz für >den Ausstoß geschaltet werden, bin ich sicher, dass sie nicht einmal >warm werden. Wieso sollen die parallel geschaltet sein?
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F. F. schrieb: > Wieso willst du da was messen? Steht doch alles im Datenblatt. > Du musst dir die Diagramme ansehen. Bei 5V schaltet der noch etwas über > 40A. Habe das Diagramm nicht vergrößert, aber schätzungsweise 45A. > Kommt drauf an, ob dir das reicht. Bitte jetzt nicht noch der Dritte, der das Datenblatt nicht verstanden hat. F. F., würdest du einen MOSFET, der in der Schaltung eine Spannung von 100V schaltet, auch als angemesen betrachten, wenn im Datenblatt nur UDSmax von 55V steht, bloss weil das aktuelle Exemplar es scheinbar überlebt ? Wie kommt man dann auf die abstruse Idee, einen MOSFET mit einer Spannung, die nur knapp über der Spannung liegt unter der er sicher AUS ist, durchschalten zu wollen, obwohl im Datenblatt klar und deutlich 10V steht ? Zwischen AUS und AN kommt ja immer noch der lineare Bereich, bis ca. doppelter AUS Spannung.
>Aber um genaues zu sagen, müsste man alle Daten haben. >Der TO, das ist meine Meinung, will doch nur sein an der Uni oder sonst >wo erworbenes (frisches) Wissen, gegen das des "alten Hasens" stellen >und beweisen, dass er nicht die Koryphäe ist, für den ihn alle halten. Oben stehen doch inzwischen alle Daten, nur eben bißchen verstreut. Ansonsten geht die gesamte Diskussion schon wieder am eigentlichen Thema vorbei. Er wollte doch nur bestätigt wissen, daß er mit seiner Annahme richtig liegt, und wie er das verifizieren kann. Grundsätzlich kann man sagen, daß er bei nur 500mA idR. keine größeres Problem sehen wird, aber, da es kein LL-Typ ist, er damit rechnenn sollte (wenn auch nicht extrem wahrscheinlich), daß das eine oder andere Exemplar seine Spezifikation ausreizen könnte, so daß der Mosfet vielleicht doch nicht mehr richtig einschalten könnte - wobei dies bei nur 500mA mit einem 57A-Transistor kaum auffallen dürfte. Und wie man das messen kann, wurde ja auch schon gesagt. Einfach im eingeschalteten Zustand den Spannungsabfall über der D-S-Strecke messen, entweder mit Multimeter, wenn Einschaltung lang genug, oder dann eben mit Oszi.
Michael B. schrieb: > F. F., würdest du einen MOSFET, der in der Schaltung eine Spannung von > 100V schaltet, auch als angemesen betrachten, wenn im Datenblatt nur > UDSmax von 55V steht, bloss weil das aktuelle Exemplar es scheinbar > überlebt ? Habe ich da was übersehen. Muss ich noch mal gucken. Und zu dem Rest, natürlich nicht! Da ich deinen Ausführungen eigentlich immer traue, habe ich das sicher nicht genau genug geschaut. Wo hat Lexi denn was von der Spannung geschrieben? Er hat von einem für den Fet lächerlichen Strom geschrieben, das habe ich gelesen. Schon bei dem Strom, wenn er dann auch noch rechnerisch nachgewiesen wird, könnte man das sicher anders aufbauen. Aber solange das doch funktioniert und das schon lange, wieso sollte man daran was ändern. Mir sind auch schon sehr komische Schaltungen untergekommen, aber wenn sie so funktionieren, warum ändern?
Michael Bertrandt (laberkopp) schrieb: >F. F., würdest du einen MOSFET, der in der Schaltung eine Spannung von >100V schaltet, auch als angemesen betrachten, wenn im Datenblatt nur >UDSmax von 55V steht, bloss weil das aktuelle Exemplar es scheinbar >überlebt ? Im DB des IRF3710 steht aber 100V, nicht 55V. Und hier geht es nicht um eine Grenzwertüberschreitung (zumuindest nicht direkt), sondern um einen evtl. schlechten "Arbeitspunkt" bei einem schlecht ausgewählten Mosfet.
Jens G. schrieb: > Im DB des IRF3710 steht aber 100V, nicht 55V. [ ] Du hast das Beispiel verstanden.
Habe es jetzt gesehen. Oben stehen halt immer die Lügenwerte. Trotzdem weiß ich nicht, mit welcher Spannung der Magnet arbeitet.
Ebenso der "mit dem Multimeter" gemessene Strom, war das der Peak?
Lexi schrieb: > Zum Thema "Datenblatt" und "gleich die richtigen Mosfets nehmen": > Ja - stimme ich voll zu. > Das Problem ist nur, dass hier in dem Laden jemand sitzt, der diese > Basteleien erfunden hat und jetzt alle mächtig stolz auf ihn sind. > Wenn ich sage "Datenblatt", dann ist die Antwort, dass man in diesem > Bereich mit Schulwissen nicht weiterkommt und ich mich mal schön an > Herrn XY halten soll. Also: Such dir einen passenden LL-FET, der am besten billiger und kleiner (Umstieg auf SMD?) als der dicke Brummer ist. Dann geh zu Herrn XY, und frag, was er von einer Design-Anpassung wegen Preis und/oder Gehäuse, keinesfalls wegen amateurhafter Bauteilwahl, hält. Du hättest da schon mal einen Kandidaten rausgesucht, Datenblatt ausgedruckt dabei, und bist eigentlich schon wieder weg und willst nicht soviel seiner wertvollen Zeit stehlen. Evtl. mehrere Vorschlags-Datenblätter mitbringen, um ihm die Illusion zu lassen, dass er der große Entscheider ist.
Auch wenn der Laberkopp anderer Meinung ist. Die max. Gate Threshold Voltage ist mit 4V angegeben. Wenn man die Transferkurve um 0.5V nach Rechts verschiebt und somit den schlechtesten Fall betrachtet, ergibt 1V Erhöhung der Gatespannung immer noch mindestens 10A möglichen Strom. Für den vorgesehenen Einsatz (<1A) also immer ausreichend. Ich hätte auch keinerlei Bedenken die noch vorhandenen 10.000 Stück genauso wie in den letzten Jahren einzusetzen. Bei einem Redesign sieht das natürlich anders aus. Und den Spinnern, die mit Macht ihre Meinung und "Made in China" als dass Maß der Dinge betrachten, sollten schon mal an den China-Wandwarzen lernen wie dort Isolationsabstände definiert werden. Danach bleibt sicher kaum Vertrauen in "Made in China" übrig.
Michael B. schrieb: > Jens G. schrieb: >> Im DB des IRF3710 steht aber 100V, nicht 55V. > > [ ] Du hast das Beispiel verstanden. Es war nur ein Beispiel (erkennbar daran, daß im selben Atemzug auch BC547 und BC337 genannt wurden). Und deshalb mußte die genannte Spannung nicht mit den Bedingungen hier übereinstimmen (ging es doch hier auch nicht primär um die DS-Spannung). Andere Bauteile und Bedingungen (und damit Zahlen) argumentativ zu verwenden, ist ja nicht verboten. Nicht verwirren lassen, genau lesen.
Viel BlaBla steht hier. Der MOS wird im Wiederstandsbereich betrieben. Da die Last nur 0.5 A benoetigt klappt dies. Wenn die Ansteuerschaltung bei High 5V hat aber bei Low nicht ganz auf 0 geht, eher 0.5...0.7, dann waere ein MOS mit niedriger Schwellspannung ohne weitere Schaltungkniffe im worst case ein Fehlgriff.
Dieter schrieb: > Der MOS wird im Wiederstandsbereich betrieben Wenn sich ein FET im Wiederstandsbereich betreiben lässt, ist er kaputt.
> ... Wiederstandsbereich ...
Sowas gibt's nicht.
F. F. schrieb: > Michael B. schrieb: >> Man baut keine Schaltung, in der 60V an einem MOSFET liegen der nach >> Datenblatt 40V aushält, Wo hat der TO etwas von 60V geschrieben? Ich kann das nicht finden. Für mich ist immer noch eines klar, die Schaltung funktioniert, das schon mehrere Jahre ohne Problem (wie der TO selbst zugibt), dann kann sie nicht so schlecht sein. IRLML2502 deckt bei mir viel ab. Nehme ich auch, wenn ich nur ein paar mA schalten will. Denke so wird das auch beim entwickeln der Schaltung gewesen sein. So wie ich den TO verstanden habe, sind keine hunderte Stück, sondern nur eine einzige Schaltung damit gebaut worden. Michael, dann zeige mir doch die Stelle mit den 60V, denn außer bei dir, kann ich sie nicht finden!
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F. F. schrieb: > Wo hat der TO etwas von 60V geschrieben? [ ] Du hast das Beispiel verstanden. Der Zweite übrigens. Immerhin, es gibt auch Leute wie Lektor, die Beispiele verstehen.
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Bearbeitet durch User
Widerstandsbereich, bzw. gesteuerter Widerstand. Siehe MOSFET Grundlagen.
Manche hier hängen sich am Rechtschreibfehler "ie" im Widerstand auf.
Michael B. schrieb: > F. F. schrieb: >> Wo hat der TO etwas von 60V geschrieben? > > [ ] Du hast das Beispiel verstanden. > > Der Zweite übrigens. > > Immerhin, es gibt auch Leute wie Lektor, die Beispiele verstehen. Eigentlich gehe ich mit dir, Michael, immer sehr freundlich um, weil du schon sehr qualifizierte Beiträge schreibst, aber jetzt weiß ich zumindest, dass du hier nicht immer zu Unrecht solch einen Gegenwind erfährst. Du kannst noch 1000 Mal von einem Beispiel schreiben. Hier geht es um eine konkrete Schaltung, für die hier ein paar Werte angegeben wurden. Auch wenn du dich noch so gerne auf die Seite des TOs schlagen willst, ziehe dabei nicht irgendwelche Werte hinzu und sag dann, es war nur ein Beispiel. Die 5V reichen um die geforderte Leistung zu schalten. Der TO misst den Strom mit nem Multimeter und ich gehe davon aus, dass das nicht der Peak war. Alles in allem wissen wir zu wenig von der Schaltungen, auch nicht was der TO wirklich auf dem Kasten hat. Was wir wissen, die Schaltung tut was sie soll und das viele Jahre störungsfrei. Bisher hat niemand behauptet, den Fet mit 5V zu steuern wäre richtig und auch niemand hat, soweit ich alles richtig mitbekommen habe, gesagt, dass es so richtig ist. Jeder hier hat,mehr oder weniger, gesagt, dass es geht. Nicht mehr und nicht weniger. Du aber konstruierst hier, ganz ohne einen Anhaltspunkt, eine Schaltung aus dieser Schaltung, ohne sie überhaupt zu kennen, die völlig außerhalb der Specs betrieben wird. Und falls euch das noch nicht aufgefallen ist, der TO scheint längst weg zu sein. Meiner Meinung nach will hier ein kleiner Pinscher dem großen Hund ins Bein beißen. Er ist sich mit seinem spärlichem Wissen aber so unsicher, dass er hier Rückendeckung sucht.
Jens G. schrieb: > Ansonsten geht die gesamte Diskussion schon wieder am eigentlichen Thema > vorbei. Er wollte doch nur bestätigt wissen, daß er mit seiner Annahme > richtig liegt, und wie er das verifizieren kann. Das ist das Problem. Er liegt richtig, aber verfifizieren kann er das nicht. Zumindest nicht mit vertretbarem Aufwand. Denn es geht um Statistik. Das Problem ist keinesfalls damit gelöst, die Drain-Source Spannung an einem oder 8 oder meinetwegen auch 100 MOSFET zu messen, die mit spezifikationsfernen 5V "durchgeschaltet" werden. Denn selbst wenn man dabei kein Exemplar finden würde, daß unvertretbar viel Spannung verbrät, wüßte man damit immer noch nichts über die MOSFET, die man nicht getestet hat. Der Hersteller andererseits hat gutes Wissen über die Streuung der Bauteileigenschaften und gibt eben deswegen die min- und max-Werte gewisser Parameter im Datenblatt an. Man kann jetzt natürlich darauf pokern, daß der Hersteller lieber nach unten übertreiben wird und die Bauteile real fast immer besser sein werden, als das was das Datenblatt garantiert. Aber dann muß man das auch klar ansagen und soll sich nicht auf "Erfahrungswerte" berufen. Das ist mindestens unseriös. Was man tatsächlich tun könnte, ist alle zu verbauenden MOSFET selber zu testen und damit genauer (enger) zu spezifizieren als es der Hersteller tut. Das wird in vielen Bereichen genau so gemacht, etwa wenn es um Paarungen von Bauteilen geht. Beim TO aber wohl nicht. > Grundsätzlich kann man sagen, daß er bei nur 500mA idR. keine größeres > Problem sehen wird, aber, da es kein LL-Typ ist, er damit rechnenn > sollte (wenn auch nicht extrem wahrscheinlich), daß das eine oder andere > Exemplar seine Spezifikation ausreizen könnte, so daß der Mosfet > vielleicht doch nicht mehr richtig einschalten könnte - wobei dies bei > nur 500mA mit einem 57A-Transistor kaum auffallen dürfte. Das ist überhaupt nicht der Punkt. Wenn wir mal annehmen, daß der "Auswerfer" ebenfalls an 5V betrieben wird, dann hätte die Spule einen ohmschen Widerstand von 10R. Das Maximum an Verlustleistung im MOSFET würde dann entstehen, wenn die D-S Strecke ebenfalls 10R hätte. Dann würden 250mA fließen und am MOSFET würden 2.5V abfallen. Macht eine Verlustleistung von 625mW. Ein TO-220 Gehäuse wie am IRF3710 kann 625mW relativ problemlos abführen, ohne daß dem MOSFET zu heiß wird. Man kann also zumindest schon mal konstatieren, daß unter diesen Annahmen der Fehlerfall eines gebratenen MOSFET ausgeschlossen werden kann. Nur reicht das halt nicht. Denn der Auswerfer soll ja was auswerfen. Und dazu muß man wissen, ab welchem Strom das auch zuverlässig funktioniert. Und hier reicht eine Betrachtung wie bei der Verlustleistung eben nicht mehr. Wenn am MOSFET 4V von 5V abfallen, fließen nur noch 100mA statt 500mA. Die Verlustleistung am MOSFET ist mit 400mW geringer als im worst case, aber der Auswerfer wird vermutlich nicht mehr zucken. Die Funktion in der Anwendung ist dann nicht gegeben.
F. F. schrieb: > Meiner Meinung nach will hier ein kleiner Pinscher dem großen Hund ins > Bein beißen. Er ist sich mit seinem spärlichem Wissen aber so unsicher, > dass er hier Rückendeckung sucht. Aber Du kennst Dich aus, hast wirklich den vollen Durchblick? Es nervt ziemlich, wie leicht und daher oft anderen (sogar völlig unbekannten) Menschen irgendwelche unlautere Absichten unterstellt, bzw. in deren Absichten mindestens Anteile von Unlauterkeit hineininterpretiert werden. Meine Mutter (Gott hab sie selig) pflegte in ähnlichen Fällen zu sagen: "Du solltest nicht von Dir auf andere schließen." Ich bitte um Verzeihung - aber mir gefällt das einfach nicht. @Lexi ist mit seiner / ihrer Meinung im Recht, fachmännisches Schaltungsdesign ist das nicht. Und da es ihm / ihr scheinbar reicht, das Wissen darüber mit einer Nachfrage hier abgesichert zu haben, gibt es nichts zu "deuten".
Auf dem Smartphone mit der Autoergaenzung uebersieht man leicht was.Woerter mit Wieder... sind haeufiger wie Wider... .
Es ist auch moeglich, dass angedacht war auf 12 oder 24 V gehen zu koennen, falls EMV Gruende dies erfordern. Als es aber so funktionierte, es so beliess. Vor vielen Jahren waren MOS mit LL nicht so einfach zu beschaffen, wie heutzutage.
F. F. schrieb: > Und falls euch das noch nicht aufgefallen ist, > der TO scheint längst weg zu sein. Er hat ja bekommen, was er befürchtet hat: Er sieht an diesem Thread deutlich, daß er mit Wissen keine Chance gegen Dumme hat. Du und karadur und Wolfgang und U.M., ihr seid Herr XY. Ihr verteidigt bis auf's Blut euer Unwissen, um bloss keine eigenen Gedankenfehler zugeben zu müssen. Euch sind haarstäubende Verbiegungen nicht zu schade, Hauptsache ihr habt das Wissen plattgeredet. Logisch, es ist viel einfacher, nicht zu Wissen, als zu Lernen. Es ist viel einfacher, zu Pfuschen, als seriös zu Entwickeln. Da habt ihr noch viel Energie übrig, um euren Schwachsinn zu Verteidigen und gegen jeden vorzugehen, der es bereits besser weiss. Fachlich ist klar, daß man bei 5V Ansteuerspannung keinen MOSFET einsetzt, der nur für 10V Ansteuerspannung spezifiziert ist. Das ist genau so klar, wie [Vorsicht Beispiel:] man keinen mit 55V UDSmax im Datenblatt spezifizierten Transistor eine Spannung von 100V schalten lässt, selbst wenn das aktuelle Exemplar es überlebt. Es gibt auch keine Not, einen IRF3710 zu verwenden, es gibt genügend LogicLevel MOSFETs. Ein IRLML0100 zu 1/3 des Preises schaltet die 500mA problemlos, und wäre automatenbestückbar. Vermutlich ist das im Kapitalismus der einzige Weg: Wie Ernst B.. vorgeschlagen hat, was Billigeres anbieten, was den Job auch tut (und das sogar mal nach Datenblatt). Und nun, ihr Pfuscher, haut in die Tasten, noch 100 Beiträge warum euer Pfusch das einzig Richtige ist.
Ainen gudden! Lexi schrieb: > wenn man meinem bisherigen Verständnis glauben schenken darf - eben > nicht voll durch. Nach Fig.1 im Datenblatt wird der MOSFET mit einer Ugs von 5V ab einer Uds von 3V zur Stromquelle. Er hat an diesem Punkt einen Rds von 0,03 Ohm. Wahrscheinlich hat dein Kollege sich für eure Anwendungen einen Universaltyp ausgeguckt. Dwianea hirnschaden
Die Threshold-Spannung (und damit das Risiko) steigt bei niedrigerer Temperatur. Wie niedrig ist dei Ambient-Temp. im worst case?
Michael, wenn du mich meinst, dann sag das klar. [Vosicht, richtig lesen] Ich habe nichts dazu gesagt, dass das Konzept richtig ist!!! Es ist Murks, aber der Murks funktioniert schon lange und deshalb braucht man es nicht zu ändern. Das war im Kern meine Aussage. Es handelt sich immer noch um nur eine Schaltung. Ein Einzelexemplar So wie "Lektor" drauf angesprungen ist und "Lexi" doch sehr ähnlich klingt, könnte das der TO im Tarnmantel sein. Aber das ist natürlich völlig unmöglich, weil das doch gegen die Forenregeln verstieße. Michael, weiß zwar nicht was du nimmst, aber nimm weniger.
Selbst wenn der Kasten mit der Schaltung leer wäre, würde man ihn öffnen, so würde ich es erst bei einer Störung feststellen. Solange etwas über Jahre gut funktioniert und ich die Funktion nicht verbessern wollte, würde ich mir keine Gedanken über diese Schaltung machen. Wer ist denn schlimmer, der TO oder Herr XY? Für mich eindeutig der TO. Er sucht nach dem kleinsten Haar in der Suppe, weil er Herrn XY nicht leiden kann und es ihn wurmt, dass ein langjähriger Mitarbeiter so ein hohes Ansehen genießt, obwohl er in seinen Augen ein Stümper ist. Ob er das tatsächlich ist, wissen wir nicht. Schon die Suche nach einem Fehler, den Herr XY gemacht hat (immerhin ein Fehler mit Funktion und ohne Ausfälle), finde ich ehrlich gesagt (es ist meine persönliche Meinung) viel schlimmer als den falschen Fet zu benutzen.
Michael, hast du nie ein anderes Bauteil genommen, vielleicht sogar ohne zu rechnen, weil es schnell gehen musste und dir aber klar war, dass das so klappen wird?
F. F. schrieb: > Es handelt sich immer noch um nur eine Schaltung. > Ein Einzelexemplar Nein, lies den Originalartikel richtig (ich weiss, das ist heute nicht mehr in Mode, plappern ist angesagt), man möchte davon nun mehr bauen. Lexi schrieb: > gerne erweitern und neue Platinen dafür bauen Weiter so foldi, 3 hast du schon, es fehlen nur noch 97 Ausreden für den Pfusch.
Hast recht, das hatte ich so nicht mehr im Kopf. Dann ist doch alles klar und einfach. Der TO baut das neu und vernünftig auf und kann dann gleich den Murks mit beseitigen. Problem gelöst.
@Lexi (Gast) >In einer Schaltung, die schon seit Jahren im Einsatz ist, werden 8 >IRF3710 Mosfets direkt an einem Schieberegister mit 5V geschaltet. Hmm, ein 23mOhm MOSFET, der 57A schalten kann. >Über die Mosfets werden kleine Auswerfer ausgelöst, die Bauteile vom >Band schubsen. Eine Schutzdiode (da Elektromagnet) ist jeweils >vorhanden. >> Wieviel Strom fließt denn durch deine kleinen Auswerfer? >Nicht viel... wenn ich den Strom mit einem Multimeter messe, dann sind >es knapp unter 500mA. Beim Ein- und Ausschalten evtl. etwas mehr, weil >die Stößel ja mittels elektromagnet bewegt werden. Dafür braucht man nicht mal diskrete MOSFETs, ein ULN2803 reicht hier locker, zumal die Elektromagneten mit nur sehr kleinem Tastverhältnis angesteuert werden. >Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets, >weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B. Eben. >Aber wie gesagt, schalten sie auch schon bei 5V. Nur - wenn man meinem >bisherigen Verständnis glauben schenken darf - eben nicht voll durch. Ist halt eine gute Portion Glück dabei. https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage >Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann. Wozu? Das ist albern. >Es geht mir darum, einen Versuchsaufbau zu machen, der beweist, dass >diese Mosfets ~eigentlich~ nicht geeignet sind... oder man einen anderen >Treiber bräuchte. Ist genauso unmöglich wie die Leute, die ohne Helm Moped fahren und nix passiert. Im Einzelfall geht sowas immer gut. Nur wenn die Statistik und der Extremfall relevant werden, sieht es anders aus. >Wie könnte man hier den Beweis erbringen? Laß den Schwachsinn und bau Logic Level MOSFETs ein und fertig. Denn die schalten bei 5V GARANTIERT das, was im Datenblatt steht. Und da der Deutsche immer so papiergeil ist, sollte das mehr Überzeugungskraft haben als ein Experiment, das sowieso nur begrenzte Statistik enthält.
Hallo Leute, danke für eure vielen Beiträge. Um den Ball mal ein bisschen ausrollen zu lassen: Ich habe eine neue Schaltung vorgestellt (ohne mit dem Finger auf irgendwen zu zeigen oder gar meine Meinung zu der alten zu sagen). Herr XY hat den Schaltplan genommen, ist damit zum Abteilungsleiter und hat ihm klar gemacht, dass ich der Falsche für den Job bin, weil ich sein Beharren auf die IRF3710 ignoriert habe und er es nicht einsieht, dass sein Wissen und seine Erfahrung hier von den Studenten in Frage gestellt wird. Er "nimmt das jetzt selber in die Hand". Und nochmal ganz generell. Es ging nie darum, irgendwem ans Bein zu pinklen oder irgendwem Fehler nachzuweisen. Es ging lediglich darum, bereits gemachte Fehler nicht weiter fortzuführen. Es ging auch darum, die Meinung/Aussage des Kollegen nicht zwangsläufig als Anhang 5a der Bibel zu anzusehen. Ich weiß, ich bin hier der Lehrling. Trotzdem darf ich hinterfragen oder in Frage stellen. Meinetwegen ganz für mich allein, wobei ich eine Diskussion mit Wissensaustausch und sachlichen Argumenten bevorzugen würde. Wie auch immer - es bleibt dabei, wie es sich einige hier im Thread ebenso wünschen. Es hat immer funktioniert, also machen wir es weiterhin falsch. Trotzdem Danke an alle für die Diskussion um Vgs und Vgs(th), deren möglichen Auswirkungen und die Vorschläge zu alternativen Fets. Genießt die Sonne, Lex PS: Nein, ich bin nicht Lektor...
Falk B. schrieb: >>Wie könnte man hier den Beweis erbringen? > > Laß den Schwachsinn und bau Logic Level MOSFETs ein und fertig. Ja - genau darum ging es ja. Ich hätte gerne, aber das Wissen meiner Vorgesetzten ist einfach zu groß, als das ich mit fachlich richtigen Hinweisen da irgendwie weiter käme. ;)
Schön dass du das noch einmal richtig erklärt hast. Dann ist das alles ganz anders zu sehen. Schnell weg da!
@Lexi (Gast) >Herr XY hat den Schaltplan genommen, ist damit zum Abteilungsleiter und >hat ihm klar gemacht, dass ich der Falsche für den Job bin, weil ich >sein Beharren auf die IRF3710 ignoriert habe und er es nicht einsieht, >dass sein Wissen und seine Erfahrung hier von den Studenten in Frage >gestellt wird. Hehe ;-) >Er "nimmt das jetzt selber in die Hand". Jaja, die beleidigte Leberwurst. Willkommen in der Realität. Ich hoffe du lernst die Lektion. Es geht hier nicht wirklich um Technik sondern Psychologie + eine Prise Politik. Dort laufen die Dinge GANZ anders. Die Logik und "Wahrheit" darfst, nein MUSST, du dabei komplett vergessen. >Es ging lediglich darum, bereits gemachte Fehler nicht weiter >fortzuführen. Eigentlich eine löbliche Einstellung und bei Leuten mit Charakter und der Fähigkeit zur Selbstreflektion kein Problem. >Es ging auch darum, die Meinung/Aussage des Kollegen nicht zwangsläufig >als Anhang 5a der Bibel zu anzusehen. Meinungen gibt es wie Sand am Meer. Jeder Depp hat zu jedem sinnlosen Thema eine. Was in der Technik zählt sind belastbare Argumente. Aber siehe oben . . . >Ich weiß, ich bin hier der Lehrling. Trotzdem darf ich hinterfragen oder >in Frage stellen. Richtig. Es ist sogar dein Pflicht! Denn das hirnlose Nachbeten "endgültiger Wahrheiten" ist, naja, hirnlos. Das überlassen wir dann doch lieber der Religion des Friedens . . . >Es hat immer funktioniert, also machen wir es weiterhin falsch. Auch das ist eine Erkenntnis. Gab mal nen schönen Satz in "Matrix reloaded" "Nobody cares how it works as long as it works." Bei den Hobbytauchern gab es auch mal so zwei Zitate. "What works, works" Shek Exley "Compliancy kills" Richard Pyle https://en.wikipedia.org/wiki/Sheck_Exley https://en.wikipedia.org/wiki/Richard_Pyle Ich bin ja auch ein recht großer Pragmatiker, aber ein WENIG Theorie sollte man dann und wann schon beachten, auch wenn es im Einzelfall scheinbar auch ohne funktioniert!
Ein Abteilungsleiter wird keine Neuentwicklung ( kostet Geld und Zeit ) erlauben wenn es eine existierende, funktionierende Lösung ( egal wie gut oder schlecht ) gibt.
@ karadur (Gast) >Ein Abteilungsleiter wird keine Neuentwicklung ( kostet Geld und Zeit ) >erlauben wenn es eine existierende, funktionierende Lösung ( egal wie >gut oder schlecht ) gibt. Sicher, das wäre auch Unsinn. Aber wenn man einen Fehler drin findet, den man durch Wechseln von Komponenten leicht beheben kann bzw. die Funktionssicherheit erhöht, sollte man das tun.
Ainen gudden! Lexi schrieb: > Ja - genau darum ging es ja. Ich hätte gerne, aber das Wissen meiner > Vorgesetzten ist einfach zu groß, als das ich mit fachlich richtigen > Hinweisen da irgendwie weiter käme. ;) Genau... Lexi schrieb: > Trotzdem Danke an alle für die Diskussion um Vgs und Vgs(th), deren > möglichen Auswirkungen und die Vorschläge zu alternativen Fets. ..nach Fig.3 ändert sich Id bei einem Ugs von 5 Volt und einer Tj zwischen 25 und 175 Grad von 45 auf 55 Ampere. Dwianea hirnschaden
@ Falk Aber wenn man einen Fehler drin findet, den man durch Wechseln von Komponenten leicht beheben kann bzw. die Funktionssicherheit erhöht, sollte man das tun. Dem wird hier auch keiner widersprechen.
Es koennen aber ganz einfache Gruende dem entgegen gestanden haben, die zunaechst nicht akzeptabel erscheinen. Wenn zur Reparatur die MOS immer im Vorrat gehalten werden sollen, wird man bestrebt sein statt 2+ verschiedene MOS zu verbauen, nur auf einen Typ zu beschraenken und in Kauf zu nehmen, dass es fuer viele andere Schaltungen eigentlich bessere MOS gaebe. Nach Murphy faellt so ein Teil nur aus zu Umstaenden und Zeitfenstern, man dieses gerade nicht sofort wieder bewchaffbar ist. Und daraus laesst sich bereits guter Stil ableiten. Man schlaegt LL MOS vor und schraenkt dies gleich ein, nur wenn Herr X und ich einen aehnlich universellen langzeitversorgbaren LL Typen finden wuerden, ansosten bleibt es beim Design.
karadur schrieb: > Aber wenn man einen Fehler drin findet, > den man durch Wechseln von Komponenten leicht beheben kann bzw. die > Funktionssicherheit erhöht, sollte man das tun. > > Dem wird hier auch keiner widersprechen. Doch, du selbst: karadur schrieb: > @laberkopp: Die Frage war ob eine Ansteuerung mit 5V aus dem > Schieberegister ein Problem ist. Offensichtlich ja nicht. Aber was interessiert dich dein Geschwätz von gestern...
Das LL besser wäre habe ich nicht bestritten.
Ainen gudden! Manfred schrieb: > Du willst also dem älteren Kollegen ans Knie pissen, keine feine Art. Daß Jungspunde alles besser wissen ist völlig normal. Sie haben eben nur ihr Schulwissen und konnten noch keine Erfahrungen sammeln um Zusammenhänge die im Studium nicht vermittelt wurden oder nicht vermittelt werden können zu begreifen. Das hat allerdings den Vorteil daß man auch als alter Sack mal wieder über den Tellerrand schauen muß. ? Dwianea hirnschaden
karadur schrieb: > @ Falk > > Aber wenn man einen Fehler drin findet, > den man durch Wechseln von Komponenten leicht beheben kann bzw. die > Funktionssicherheit erhöht, sollte man das tun. > > Dem wird hier auch keiner widersprechen. Doch, ich! Wieso Fehler? Der schlaue Entwickler Lehrling hat ja noch nicht mal alle Randbedingungen genannt. Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin. Und welche Bausteine sind das "Schieberegister". Bei Maschinen ist die Spannung 24V. Lexi, dann nenn erst mal deinen vorgeschlagenen Typ! 100V LL-FET, da wird es recht einsam. Und einen für 45V würde ich da niemals einbauen. Und ein LL macht Null, Null.. Sinn. Es ist egal, ob da 0,05V oder 0,5V DS abfallen. Früher hat so eine Schaltung mit einem Darlington funktioniert. Wie war da doch gleich die CE-Spannung? Lexi schrieb: > Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets, > weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B. Wie kommst du für so eine Anwendung drauf? Das sind doch keine BUZ... mehr. Ich würde auch so einen IRF nehmen, bzw. habe ihn in solchen Schaltungen genommen, wo es die LL kaum außerhalb von Datenblättern gab. Und oh Wunder, es hat und tut noch funktionieren. Dieter schrieb: > Wenn zur Reparatur die MOS immer im Vorrat gehalten werden sollen, wird > man bestrebt sein statt 2+ verschiedene MOS zu verbauen, nur auf einen > Typ zu beschraenken und in Kauf zu nehmen, dass es fuer viele andere > Schaltungen eigentlich bessere MOS gaebe. Richtig. Er ist robust und kann auch abseits in der Pampa vom Elektriker gewechselt werden. Die Vorratshaltung vereinfacht sich.
@michael_ (Gast) >> Dem wird hier auch keiner widersprechen. >Doch, ich! >Wieso Fehler? >Der schlaue Entwickler Lehrling hat ja noch nicht mal alle >Randbedingungen genannt. Die du genausowenig kennst wie der Rest der Leute hier. >Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin. Das weißt du schlicht nicht. Fehl- und Überdimensionierungen gibt es nicht nur in diesem Forum, auch in der Industrie. Da redet nur keiner drüber 8-0 >Und welche Bausteine sind das "Schieberegister". >Bei Maschinen ist die Spannung 24V. Jaja, Logikgatter mit 24V. Dream on. Selbst die ollen 4000er laufen bestenfalls mit 18V, real eher mit 10-15V. >100V LL-FET, da wird es recht einsam. Wollen wir wetten, daß die 100V nicht mal ansatzweise gebraucht werden? Der OP schrieb was von E-Magneten mit ca. 0,5A. Ich tippe mal auf 24V. Der Originale MOSFET hat 23mOhm bei 57A Schaltvermögen. Sehr sinnvolle Wahl. Man fährt ja auch mit dem T34 zum Brötchen holen . . . >Und ein LL macht Null, Null.. Sinn. Null, Null.. Sinn macht vor allem den Gefasel und deine Spekulation. >> Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets, >> weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B. >Wie kommst du für so eine Anwendung drauf? Das sind doch keine BUZ... >mehr. Weil die meisten normalen MOSFETs mit 10-12V U_GS spezifiziert betrieben werden. >Er ist robust und kann auch abseits in der Pampa vom Elektriker >gewechselt werden. Die Vorratshaltung vereinfacht sich. Wer sagt denn, daß die Platine in großen Stückzahlen weltweit im Einsatz ist? Vielleicht ist es eine einmalige Platine, die nur in einer einzigen Maschine vor Ort sitzt? Aber Hauptsache geschwätzt . . .
Ich verstehe das Kindergarten-Geschrei nicht. Logic-Level ist eine Marketing-Phrase. Es gibt eine semi-technische Definition von LL, die quantitativ nichts taugt: V_GS(th) muss niedrig genug sein, damit der MOSFET direkt mit einem Logiksignal angesteuert werden kann. ANgesteuert, nicht notwendigerweise DURCHgesteuert. Wie weit angesteuert? Nicht definiert. Bei welchem Logiksignal? Nirgendwo allgemein anerkannt definiert. Beim IRF3710 hatte die zuständige Marketing-Abteilung keine Lust oder keinen Bedarf Logic-Level drauf zu schreiben (obwohl es an einer Stelle im DB angedeutet wird). Der IRF3710 wäre sicher nicht der beste LL MOSFET auf dem Markt, aber das ist nur eine Frage wie dreist das Marketing sein möchte. Wenn das Marketing kalte Füße bekommt, dann kommt so etwas raus wie beim PHP28NQ15T von NXP/Nexperia. Da hatte des Marketing nur den Mut ihn als "Standard Level MOSFET" zu bezeichnen. Eine genauso sinnlose Bezeichnung wie "Logic Level". Wer eine Schaltung danach beurteilt, ob die verwendeten Bauteile mit einer Marketing-Phrase wie "Logic Level" oder "Standard Level" beworben werden der weiß nicht, was er tut, denn die Phrasen garantieren gar nichts.
michael_ schrieb: > Doch, ich! > Wieso Fehler? > > Der schlaue Entwickler Lehrling hat ja noch nicht mal alle > Randbedingungen genannt. > Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin. Ahoi, ich schlage vor, wir nehmen jetzt mal ein bisschen den Fuß vom Gas. Schließlich sind wir doch schon längst auf dem Parkplatz angekommen. Meine Ausgangsfrage drehte sich ja garnicht darum, einen geeigneteren FET zu identifizieren, sondern nur darum herauszufinden, dass der jetzige FET nicht das A&O ist, weil er meiner Meinung nach unzureichend geschaltet wird. Wie und ob man das messen kann, wurde bereits geklärt. Bis dahin war die Frage nach den Strömen und Spannungen ja noch nichtmal relevant - die kam erst im Laufe der Zeit dazu, als Vorschläge für andere Mosfets gemacht wurden bzw. die IRF3710 plötzlich verteidigt wurden. Aber ich bin gern bereit, diese Randparameter noch zu nennen, damit alle ihren Frieden finden... Falk hat schon ziemlich richtig getippt ;) a) Es geht um eine Platine, die intern in der Firma verwendet wird. Kein Verkaufsprodukt. Derzeit haben wir ca. 20 Stück davon verbaut. Die Anforderung ist: - Es sollen nicht nur Hebel zum Auswerfen geschaltet werden, sondern auch Magnetventile für Druckluft zum wegpusten. - Es sollen 10 weitere Bänder mit dem Trennsystem ausgestattet werden (eine Platine pro Band) b) In der gesamten Anlage wird mit 24V gearbeitet. Diese Spannung können wir so ziemlich überall abgreifen. Zum Beispiel für die Magnet-Auswerfer oder auch bald die Magnetventile. c) Teile vorhalten / Kosten sparen. Guter Gedanke, aber darum geht es hier nicht. Das Argument ansich ist vielleicht nicht von der Hand zu weisen, aber im Vergleich zum 3710 kosten andere Mosfets nun auch nicht die Welt. Und wir sind hier eine kleine, interne Bastelbude mit einem Fundus der bis in eine Zeit zurückreicht, als man zum Licht einschalten noch Schutzhandschuhe brauchte. ;) Ich hoffe sehr, dass die mir nie den Auftrag geben, die Werkstatt aufzuräumen. Das könnte mit einer Kündigung enden... Also, schließen wir die Akte. Es bleibt eh beim alten Zeug, geändert wird nix, Vorschläge waren nicht gewünscht. Im Nachhinein ist es mir ganz recht so. Unter den gegebenen Bedingungen weiß ich ganz genau, was passieren wird, wenn mal EINMAL ein Teil in der falschen Kiste landet. In der Vergangenheit war die Erklärung immer, dass die Hochgeschwindigkeitskamera angeblich nichts erkannt hat. Hätte ich die Schaltung nun gebaut, dann wäre AUF JEDEN FALL die Schaltung des Azubis schuld. :))) Also was solls. In spätestens einer Stunde mache ich mir mein Bier auf und wende Rinderhüfte auf dem Grill. Insofern ein erfolgreicher Tag ;) Lg, Alex
>Ich verstehe das Kindergarten-Geschrei nicht. Logic-Level ist eine >Marketing-Phrase. Es gibt eine semi-technische Definition von LL, die >quantitativ nichts taugt: V_GS(th) muss niedrig genug sein, damit der >MOSFET direkt mit einem Logiksignal angesteuert werden kann. Nein. Es sollte mindestens ein max Rds_on bei einem/mehreren bestimmten "Logic Level" im DB spezifiziert worden sein, was wohl hoffentlich auch so ist, wenn da von LogigLevel die Rede ist. >ANgesteuert, nicht notwendigerweise DURCHgesteuert. Wie weit >angesteuert? Nicht definiert. Bei welchem Logiksignal? Nirgendwo >allgemein anerkannt definiert. Doch, im DB. >Beim IRF3710 hatte die zuständige Marketing-Abteilung keine Lust oder >keinen Bedarf Logic-Level drauf zu schreiben (obwohl es an einer Stelle >im DB angedeutet wird). Wo wird denn da sowas angedeutet? Ich finde da das Wörtchen "Level" oder "Logic" überhaupt nicht in Bezug auf Ugs. >Der IRF3710 wäre sicher nicht der beste LL MOSFET auf dem Markt, aber >das ist nur eine Frage wie dreist das Marketing sein möchte. Wenn das Der IRF3710 ist nun mal kein LL-Typ, da er zwar typ. bei 5V schon ziemlich niederohmig durchschaltet, aber eben nicht garantiert. >Marketing kalte Füße bekommt, dann kommt so etwas raus wie beim >PHP28NQ15T von NXP/Nexperia. Da hatte des Marketing nur den Mut ihn als >"Standard Level MOSFET" zu bezeichnen. Eine genauso sinnlose Bezeichnung >wie "Logic Level". "Standard Level" zu erwähnen ist zwar in der Tat total sinnlos, aber egal ob Mut oder nicht, es ist von den Daten her einfach kein LL. Da muß das Marketing keinen Mut haben, da der Fall bei diesem Typen klar ist. >Wer eine Schaltung danach beurteilt, ob die verwendeten Bauteile mit >einer Marketing-Phrase wie "Logic Level" oder "Standard Level" beworben >werden der weiß nicht, was er tut, denn die Phrasen garantieren gar >nichts. Sagt ja auch gar keiner. Man schaut sich eben die Daten an, um das zu beurteilen. Aber wenn LL oder gar LLL drauf steht, dann stimmt das dann schon idR. Aber Du wolltest Dich ja hier nur mal bißchen auslassen ...
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michael_ schrieb: > Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin. > 100V LL-FET, da wird es recht einsam. Es wurde schon ein passender genannt, du warst wohl zu faul zu lesen. Jack schrieb: > Der IRF3710 wäre sicher nicht der beste LL MOSFET auf dem Markt Er ist gar kein LL MOSFET. Das hat auch nichts mit Marketing zu tun. Er wird vor Auslieferung schlicht und einfach nicht bei einer LL Spannung (meist 4.5V) getestet, also ist nicht garantiert wie er sich dabei verhält. Erwartbar ist er im linearen Bereich.
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@Jack (Gast) >Ich verstehe das Kindergarten-Geschrei nicht. Logic-Level ist eine >Marketing-Phrase. Hier ausnahmsweise mal nicht. >quantitativ nichts taugt: V_GS(th) muss niedrig genug sein, damit der >MOSFET direkt mit einem Logiksignal angesteuert werden kann. >ANgesteuert, nicht notwendigerweise DURCHgesteuert. Doch, DURCHgesteuert! > Wie weit >angesteuert? Nicht definiert. Bei welchem Logiksignal? Nirgendwo >allgemein anerkannt definiert. Doch, im Datenblatt des MOSFETs. Und die Werte werden auch bei JEDEM Exemplar automatisch gemessen und sind damit garantiert.
@ Jens G. (jensig)
>Der IRF3710 ist nun mal kein LL-Typ,
Doch, wenn man 4000er Logik mit 15V betreibt ;-)
Falk B. schrieb: > Jaja, Logikgatter mit 24V. Dream on. Selbst die ollen 4000er laufen > bestenfalls mit 18V, real eher mit 10-15V. Eins ist mal klar: Nur weil DU keine 24V Logikgatter kennst, bedeutet das noch lange nicht, daß es solche nicht gibt! Außerdem ging es nicht um die davor liegende Logik, bei 24V am Gate machen auch den meisten Nicht-LL Fets dicke Backen.
Jack schrieb: > Ich verstehe das Kindergarten-Geschrei nicht. Logic-Level ist eine > Marketing-Phrase. Es gibt eine semi-technische Definition von LL, die > quantitativ nichts taugt: V_GS(th) muss niedrig genug sein, damit der > MOSFET direkt mit einem Logiksignal angesteuert werden kann. Das stimmt nicht so ganz. Es gibt zwar keine allgemein verbindliche Definition, was "logic level" genau bedeutet. Praktisch läuft es darauf hinaus, daß R_ds_on bei einer U_gs von deutlich unter 10V spezifiziert ist. Typisch bei 4.5V, was 5V Nennspannung abzüglich ein bißchen Toleranz entspricht. Einige noch neuere MOSFET sind sogar für den Betrieb an 3.3V Logik, dann typisch für U_gs=2.7V spezifiziert. Und diese Spezifikation ist absolut verläßlich und weit mehr als Marketinggeschrei.
Viei Wind um nichts. TO bekam einen Weg aufgezeigt, wie er das Thema ansprechen kann und einen Kollegen mitnehmen kann. Den richtigen Abstand hat er, wenn er sagt, er grillt jetzt lieber, und es ist nicht so wichtig, dass es als non plus ultra angenommen wird. Und wenn er dann auch noch die ko-Kriterien seines Vorschlages offen mit auf den Tisch legt, dann gibt es fuer beide Seiten keinen Gesichtsverlust und ein erfahrener Kollege erkennt, dass mitgedacht wird. Ee soll aber nicht die Entwicklung dahin gehen, dass man sich aufgibt und nicht mehr einbringt.
Lexi schrieb: > Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets, > weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B. > > Aber wie gesagt, schalten sie auch schon bei 5V. Nur - wenn man meinem > bisherigen Verständnis glauben schenken darf - eben nicht voll durch. Das ist sicher so. Übrigens schaltet absolut kein MOSFET "voll durch", jedenfalls nicht bis zu dem Moment, ab dem er dauerhaft unbrauchbar ist... Die Sache ist einfach die, inwieweit es in der Schaltung stört, dass er nicht "voll durchschaltet". Solange die Funktion der Schaltung trotzdem sicher gewährleistet ist, ist eigentlich schonmal alles gut. Man könnte dann maximal eine gewisse Ineffizienz in der Energiebilanz bemeckern. Ob und wie sehr das stört, hängt von der Anwendung ab. Mehr noch: Möglicherweise ist es auch gerade die parasitäre Funktion als nicht mehr unerheblicher "Vorwiderstand", die die Anwendung überhaupt erst wie gewünscht funktionieren läßt... Du musst noch sehr viel lernen...
@Lexi: Such dir einen anderen Job. Nicht wegen den falschen Fets, sondern wegen dem allgemeinen Umgang mit deinem Kollegen. Es gibt verdammt viele verdammt gute ältere Ingenieure, von denen man verdammt viel lernen kann, und das ganz ohne "haben wir schon immer so gemacht" oder irgendwelches Alters-Respektsgehudel, sondern in Diskussionen auf Augenhöhe. Man sieht die verfügbare Bandbreite sehr gut an den bisherigen Antworten hier...
Hirnschaden, H. schrieb: > Manfred schrieb: >> Du willst also dem älteren Kollegen ans Knie pissen, keine feine Art. > Daß Jungspunde alles besser wissen ist völlig normal. ... In der Realität lässt man ein paar Erfahrene in der Gruppe, sonst kommt niemals ein Ergebnis hinten raus. > Das hat allerdings den Vorteil daß man auch als alter Sack mal wieder > über den Tellerrand schauen muß. ? Vollkommen richtig. Mich haben Lehrlinge dazu gezwungen, mich mit der Theorie von Schaltungen zu befassen, "die ich schon immer so gemacht habe".
> Michael B. schrieb: Außer sinnlos Leute mit Rundumschlag zu beleidigen, kommt da wohl nix gescheites mehr. > Wenn die Grenze, unter der der MOSFET zuverlässig sperrt weil er nur > noch weniger als 250uA durchlässt > VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250μA > eine Schwankungsbreite von 2 bis 4 hat, also 1:2, dann wird die Spannung > bei der die 4V Kurve im 'typischen' Diagramm ist, auch um 1:2 schwanken > können, von 0.707*4 bis 2*0.707*4, also real erreicht bei einer > Gate-Spannung von 2.8 bis 5.6V. Sehr merkwürdige Betrachtung. Da wird eben mal einfach so ein Faktor eingeführt, obwohl doch die Parameter ganz klar im Datenblatt stehen. Das zum Thema "Trottel die keine Datenblätter lesen können"! Und das war ja nicht die einzige Fehleistung in der ganzen Diskussion. Z.B. ist die Behauptung blanker Unsinn, dass der FET nach Datenblatt zwingend mit 10V anzusteuern ist. Wo bitte steht das konkret. Es gibt ein paar Parameter, die für ein U_GS =10V angegeben sind. Aber wozu sind dann deiner Meinung nach die Kennlinien mit U_gs von 3,5...16V im Datenblatt auf S.3 in 3 Kennlinienfeldern? > Vor allem sagt UGS(th), daß einige IRF3710 MOSFETs bei 4V eventuell nur > noch 250uA durchlassen, und eben NICHT 12A wie im 'typischen' Diagramm > gezeigt. Und es geht immer noch nur um 500mA und die Gatespannung wird über 4,5V liegen. Aber solchen Sachverhalt wird eine so unfehlbare Person, die Chinaqualität pauschal für anstebenswert hält und Datenblätter nach gusto interpretiert, natürlich für höchst dramatisch halten. Mehr ist dazu nicht mehr zu sagen! ..... plonk
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Falk B. schrieb: >>Der schlaue Entwickler Lehrling hat ja noch nicht mal alle >>Randbedingungen genannt. > > Die du genausowenig kennst wie der Rest der Leute hier. Ich will es aber wissen! Falk B. schrieb: >>Bei Maschinen ist die Spannung 24V. > > Jaja, Logikgatter mit 24V. Dream on. Selbst die ollen 4000er laufen > bestenfalls mit 18V, real eher mit 10-15V. Den Unterschied zwischen Rohspannung und der Elektronikspannung kennst du aber? Falk B. schrieb: >>100V LL-FET, da wird es recht einsam. > > Wollen wir wetten, daß die 100V nicht mal ansatzweise gebraucht werden? > Der OP schrieb was von E-Magneten mit ca. 0,5A. Ich tippe mal auf 24V. Eben, bei 24V nimmt man mindestens 100V Typen. Gehts noch? Bisher habe ich Achtung vor deinem Wissen und Kenntnissen gehabt. Leider nun nicht mehr! Falk B. schrieb: >>Bei Maschinen ist die Spannung 24V. > > Jaja, Logikgatter mit 24V. Dream on. Selbst die ollen 4000er laufen > bestenfalls mit 18V, real eher mit 10-15V. Falk B. schrieb: > Wollen wir wetten, daß die 100V nicht mal ansatzweise gebraucht werden? > Der OP schrieb was von E-Magneten mit ca. 0,5A. Ich tippe mal auf 24V. > Der Originale MOSFET hat 23mOhm bei 57A Schaltvermögen. Sehr sinnvolle > Wahl. Man fährt ja auch mit dem T34 zum Brötchen holen . . . > >>Und ein LL macht Null, Null.. Sinn. > > Null, Null.. Sinn macht vor allem den Gefasel und deine Spekulation. Siehe auch hier! Lexi schrieb: > michael_ schrieb: >> Doch, ich! >> Wieso Fehler? >> >> Der schlaue Entwickler Lehrling hat ja noch nicht mal alle >> Randbedingungen genannt. >> Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin. > > Ahoi, > > ich schlage vor, wir nehmen jetzt mal ein bisschen den Fuß vom Gas. > Schließlich sind wir doch schon längst auf dem Parkplatz angekommen. Nein! Du bist Lehrling und hast gar keine Nummer! Wenn du mal Ausbider, Konstrukteur, Meister ... bist, kannst du mitbestimmen. Es gibt eben Sachen, wo du noch nicht genug Kenntnis hast. Irgend ein Marketinggeschrei von LL reicht da nicht. Michael B. schrieb: > michael_ schrieb: >> Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin. >> 100V LL-FET, da wird es recht einsam. > > Es wurde schon ein passender genannt, du warst wohl zu faul zu lesen. Klar bin ich faul. Aber nenn mir doch die Stelle und den Typ und den Preis! Lexi schrieb: > Also was solls. In spätestens einer Stunde mache ich mir mein Bier auf > und wende Rinderhüfte auf dem Grill. Insofern ein erfolgreicher Tag ;) > > Lg, Alex Besserwissender Troll. Sicher hast du keine Zukunft in dieser Firma.
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@U. M. (oeletronika) >Z.B. ist die Behauptung blanker Unsinn, dass der FET nach Datenblatt >zwingend mit 10V anzusteuern ist. Wo bitte steht das konkret. Das muss man, wenn man die GARANTIERTEN R_DS_ON Werte sicher erreichen will. >Es gibt ein paar Parameter, die für ein U_GS =10V angegeben sind. >Aber wozu sind dann deiner Meinung nach die Kennlinien mit U_gs von >3,5...16V im Datenblatt auf S.3 in 3 Kennlinienfeldern? Zur Volksbelustigung. Im Ernst. Sie sind mal sicher NICHT dafür gedacht, daß naseweise Hobbybastler mit ungesundem Halbwissen daraus irgendwelche Heilsversprechen und Schmalspuransteuerungen ableiten sollen. >> Vor allem sagt UGS(th), daß einige IRF3710 MOSFETs bei 4V eventuell nur >> noch 250uA durchlassen, und eben NICHT 12A wie im 'typischen' Diagramm >> gezeigt. So siehts aus, auch wenn diese Exemplare rein statistisch eher selten sind. >Und es geht immer noch nur um 500mA und die Gatespannung wird über 4,5V >liegen. Ja und? Dann nimm doch mal die Kennlinie und veschiebe sie auf 4V, siehe Anhang. OK, da kann der MOSFET noch ca. 2A schalten, aber schön ist das nicht.
michael_ schrieb: > Du bist Lehrling und hast gar keine Nummer! > Wenn du mal Ausbider, Konstrukteur, Meister ... bist, kannst du > mitbestimmen. > Es gibt eben Sachen, wo du noch nicht genug Kenntnis hast. > Irgend ein Marketinggeschrei von LL reicht da nicht. Du machst mir Angst. Es gibt wirklich noch mehr Leute von dem Kaliber. Schade eigentlich... Tja, aber wie wir an Deinen Postings erkennen können, hat halt jeder so seine Macken. Du liest die Fragestellung nicht richtig, nimmst einfach irgendwelche wild spekulierten Werte als Basis für Deine Aussagen (die gleichzeitg zum Gesetz ernannt werden), bist zu faul um ein paar Beiträge hochzuscrollen und erwartest, dass man extra für Dich nochmal die alternativen FETs auflistet, beschimpfst Leute mit anderer Meinung als Troll,... ... und ich bin eben Azubi und habe nix zu sagen. Aber selbst dann habe ich ein Gehirn welches schon so weit entwickelt ist, dass es selber denken kann. Es kann experimentieren, Schlüsse aus Fehlschlägen ziehen, dazulernen und sogar die Tiraden von verbohrten und sturren Leuten wie Dir ausfiltern. > Sicher hast du keine Zukunft in dieser Firma. Klar... Azubis, die von Dir lernen sollen, auch nicht.
Michael B. schrieb: > Jack schrieb: >> Der IRF3710 wäre sicher nicht der beste LL MOSFET auf dem Markt > > Er ist gar kein LL MOSFET. Das hat auch nichts mit Marketing zu tun. Er > wird vor Auslieferung schlicht und einfach nicht bei einer LL Spannung > (meist 4.5V) getestet, Dann hast du das Datenblatt nicht gelesen. Der ist bis 3,5 V runter charakterisiert. Aber abgesehen davon, das ist doch mein Punkt. Man könnte den technisch unverändert als LL verkaufen, wenn sich IRF nur die Mühe machen würde. Ein bisschen Geduld und Spucke und der wäre plötzlich auf dem Papier auch ein LL. Aber da du dich so auskennst, was ist denn die allgemeine quantitative Definition einer "LL Spannung"? Der Witz ist doch, das ist eben nicht allgemein spezifiziert. Ein Hersteller der hin geht und sagt 1,8 V ist genau so im Recht, bzw. Unrecht, wie einer der sagt 4,5 V. Das ist alles nur scheiß Marketing. Das gleiche gilt für R_DS(on). Mehr als qualitative Aussagen ("klein", "niedrig") gibt es in nicht in der Definition. Axel S. schrieb: > Das stimmt nicht so ganz. Es gibt zwar keine allgemein verbindliche > Definition, was "logic level" genau bedeutet. Eben, deshalb ist dieses ganze Geschrei, dass dort unbedingt ein als LL bezeichneter MOSFET rein MUSS völlig hirnrissig. Weil LL quantitativ nichts aussagt. > Praktisch läuft es darauf > hinaus, daß R_ds_on bei einer U_gs von deutlich unter 10V *spezifiziert* > ist. Typisch bei 4.5V, was 5V Nennspannung abzüglich ein bißchen > Toleranz entspricht. Einige noch neuere MOSFET sind sogar für den > Betrieb an 3.3V Logik, dann typisch für U_gs=2.7V spezifiziert. Genau, Hersteller definierten LL je nach Situation anders. Was also soll dieses Geschrei vom Weltuntergang wenn irgendwo kein als LL bezeichneter MOSFET drin ist, der trotzdem mit einem Logikpegel angesteuert wird? Als ob das ein Verbrechen ist und die Schaltung per Definition nicht funktionieren darf. > Und diese Spezifikation ist absolut verläßlich und weit mehr als > Marketinggeschrei. Die sind genauso gut oder schlecht wie die des IRF3710.
Jack schrieb: > Dann hast du das Datenblatt nicht gelesen. Der ist bis 3,5 V runter > charakterisiert. Bitte, wenn man keine Datenblätter lesen kann, einfach die Füsse still halten. Jack schrieb: > Aber da du dich so auskennst, was ist denn die allgemeine quantitative > Definition einer "LL Spannung"? Der Witz ist doch, das ist eben nicht > allgemein spezifiziert. Ein Hersteller der hin geht und sagt 1,8 V Nein, LogicLevel ist mit 4.5V Ansteuerspannung definiert und erfüllt. Die anderen, mit 2.5 bzw. 2.7V oder gar 1.8V, sind "mehr als Logic Level". Manche verwenden die Bezeichnung LLL Low Logic Level, bei anderen muss sich der Kunde die Mühe machen ins Datenblatt zu gucken. Relevant sind NUR die bei RDSon genannten Gate-Spannungen.
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Hallo, naja, ich hatte mal einen Kollegen mit dem ich prinzipiell sehr gut klar kam. Wenn ich dann mal was beim Chef erreichen wollte bin ich zu ihm, habe ihm beim Kaffee erklärt warum und wieso das gut wäre. 2 Tage später nahm er mich dann mit zum Chef rein, setzte sich hin und sagte: ICH habe da mal eine Idee... Ich habe den Kollegen gleich mitgebracht, weil der das ja realisieren könnte... Damit muß man eben leben können, meine Ziele in der Sache habe ich letztlich ja erreicht und das war mir wichtig. Auch die anderen kannten ja den Kollegen und seine Eigenarten und haben nur gegrinst wenn er mit "seiner" nächsten Idee kam. Gruß aus Berlin Michael
Jack schrieb: > Axel S. schrieb: >> Das stimmt nicht so ganz. Es gibt zwar keine allgemein verbindliche >> Definition, was "logic level" genau bedeutet. > > Eben, deshalb ist dieses ganze Geschrei, dass dort unbedingt ein als LL > bezeichneter MOSFET rein MUSS völlig hirnrissig. Weil LL quantitativ > nichts aussagt. Das biegst du dir so zurecht, um dein Argument halten zu können. Ich kann das nicht nachvollziehen. >> Praktisch läuft es darauf >> hinaus, daß R_ds_on bei einer U_gs von deutlich unter 10V *spezifiziert* >> ist. Typisch bei 4.5V, was 5V Nennspannung abzüglich ein bißchen >> Toleranz entspricht. Einige noch neuere MOSFET sind sogar für den >> Betrieb an 3.3V Logik, dann typisch für U_gs=2.7V spezifiziert. > > Genau, Hersteller definierten LL je nach Situation anders. Die allgemein akzeptierte, wenn auch nirgendwo verbindlich festgeschriebene Definition von "logic level MOSFET" ist ein MOSFET, für den ein R_ds_on bei 5V oder weniger U_gs spezifiziert ist. Und zwar spezifiziert mit einem Maximum und einem typischen Wert. Ein Diagramm allein für typische Werte zählt hier nicht. Ein Diagramm mit einem Toleranzband würde zählen, das findet man aber extrem selten. Und jetzt zeige mir bitte ein Datenblatt, in dem ein MOSFET als logic level beworben wird, bei dem diese Spezifikation fehlt. Wirst du nicht finden. Gibts nicht. > Was also soll > dieses Geschrei vom Weltuntergang wenn irgendwo kein als LL bezeichneter > MOSFET drin ist, der trotzdem mit einem Logikpegel angesteuert wird? Wie gesagt, das bastelst du dir so zurecht, um dein krudes Argument nicht dahin werfen zu müssen, wo es hingehört (auf den Müll). Wenn ein MOSFET mit 5V Logik angesteuert wird, muß der R_ds_on für 5V oder weniger spezifiziert sein. Das ist im allgemeinen Sprachgebrauch "logic level" und das wurde gefordert.
Michael U. schrieb: > 2 Tage später nahm er mich dann mit zum Chef rein, setzte sich hin und > sagte: ICH habe da mal eine Idee... ... und Dir damit einen großen Gefallen getan. Denn nachdem Du zwei Tage dem Chef nichts gesagt hast, hattest Du ja offensichtlich Angst, dass Deine Idee nicht gut ankommt, und der Chef dann ein schlechtes Bild von Dir bekommt. Also hat er das auf sich genommen. Aber gut zu sehen, dass Du ihm immer noch deswegen dankbar bist.
michael_ schrieb: > Nein! > Du bist Lehrling und hast gar keine Nummer! > Wenn du mal Ausbider, Konstrukteur, Meister ... bist, kannst du > mitbestimmen. > Es gibt eben Sachen, wo du noch nicht genug Kenntnis hast. > Irgend ein Marketinggeschrei von LL reicht da nicht. Ach du meine Güte, das ist genau die Art von Mitarbeitern die man absolut nicht vor sich haben will. Irgendwann mal die Lehre gemacht und seither die Hochnässigkeit an der Decke oben da ja man "erfahren" ist. Ich hatte als Student mehrmals solche Leute vor mir deren einzige Qualifikation die war, etwas jahrelang so gemacht zu haben und "etabliert" zu sein. Wenn jemand seine Konstruktion nicht verteidigen kann (und darauf verweisen "dass es so funktioniert" ist definitiv nicht genug!) dann lässt das sehr an seiner Kompetenz zweifeln. Der Vorteil ist, dass man solche Leute einigermassen gut manipulieren kann. Es reicht wenn man Ihnen vormacht sie seien die Besten und Grössten, dann sind sie meistens zufrieden. Dass der FET nicht geeignet ist wurde bereits mehrfach dargelegt. Dass es trotzdem in den meisten Fällen funktionieren wird hat niemand angezweifelt, Garantie gibt es dafür aber eben keine und es ist eben ein Murks. Murks funktioniert oft, man sollte es aber eben trotzdem vermeiden.
Hallo, > Falk B. schrieb: > Ja und? Dann nimm doch mal die Kennlinie und veschiebe sie auf 4V, siehe > Anhang. OK, da kann der MOSFET noch ca. 2A schalten, aber schön ist das > nicht. Was ist den daran unschön? Welche Rolle spielt hier Schönheit, wenn es um Funktion geht? Ist subjektive Schönheit eine plausible Begründung für üblen Pfusch, wie es hier vielfach behauptet wurde? Wen interessiert es, dass diese Schaltung keine 10A zuverlässig schalten kann, wo doch noch nicht mal 1A zu schalten ist? Womöglich hat diese Ansteuerung eben gerade weger der knappen Gatespannung auch einige Vorteile (z.B. geringere Dynamik -> wenig EMV-Probleme). Mit der roten Linie in der Grafik erbringst du doch gerade den Beweis, dass die ca. 500mA des "kleinen Auswerfers" oder Magnetventils an 24V zuverlässig geschaltet werden können (auch Worst Case mit U_th ca 4V). Allen Leuten, die behaupten, dass dies nicht garantiert werden kann, zeigst du damit das Gegenteil, oder nicht? Wer will da nun immer noch behaupten, dass diese Ansteuerung nicht zuverlässig funktionieren kann? Nach Aussagen des TO funktioniert es immerhin seit Jahren zuverlässig. Behauptungen mit angenommenen Parametern, die deutlich außerhalb der vom Hersteller garantierten Werte liegen sind doch keine Diskussionsgrundlage. Genauso ist es hier doch paktisch ohne Relevanz, dass der FET unter Umständen nicht einen Strom von 10A oder mehr schalten kann. Auch wenn der R_DSon nicht 23mOhm sondern paar hundert mOhm oder sogar 1...2 Ohm wäre, ist das im konkreten Fall kein Problem, weil die Spule dann immer noch mind. 23V bekommt, oder nicht? Man kann die Nutzung diese FET für den konkreten Zweck aus verschiedene Gründen "nicht schön" finden, auch z.B. weil der FET bei Strom und Spannung überdimensioniert ist und eine sehr große Bauform hat, die umständlich zu bestücken und evtl. vibrationsgefährdet ist. Überdimensionierung ist aber eigentlich gar kein techn. Manko. Wegen höherer Kosten muß man auch nicht jammern. Alle Bedenken und Schönheitsargumente sind doch völlig egal, wenn die Lösung praktikabel ist und zuverlässig funktioniert. Alles darüber hinaus halte ich für reine Bürokratie und Prinzipienreiterei. Absolute 100%ige Zuverlässigkeit gibt es eh nicht. Am Ende erfolgt die Anwendung auch nur innerhab der Firma. Da wäre eine 100%ige Endkontrolle der Schaltung eh die übliche Verfahrensweise. Selbst wenn dabei festgestellt werden würde, dass ein FET nicht zuverlässig schaltet (wegen Defekt oder extremer Parmeter), würde dieser erkannt und ausgewechelt werden. Gruß Öletronika
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@U. M. (oeletronika) >> Anhang. OK, da kann der MOSFET noch ca. 2A schalten, aber schön ist das >> nicht. >Was ist den daran unschön? Weil man einen 57A MOSFET aus Dummheit oder Faulheit auf Kante näht! >Welche Rolle spielt hier Schönheit, wenn es >um Funktion geht? Eben, es geht um SOLIDE Funktion! Und SINNVOLLE Bauteildimensionierung incl. Ansteuerung. >Womöglich hat diese Ansteuerung eben gerade weger der knappen >Gatespannung auch einige Vorteile (z.B. geringere Dynamik -> wenig >EMV-Probleme). Mein Gott, welche albernen Argumente willst du noch an den Haaren herbei ziehen? >Mit der roten Linie in der Grafik erbringst du doch gerade den Beweis, >dass die ca. 500mA des "kleinen Auswerfers" oder Magnetventils an 24V >zuverlässig geschaltet werden können (auch Worst Case mit U_th ca 4V). Ja. Aber Das ist ungefähr so, wie wenn man mit einem LKW einen Bollerwagen zieht, weil man nur einen Zwirnsfaden als Zugseil hat! >Allen Leuten, die behaupten, dass dies nicht garantiert werden kann, >zeigst du damit das Gegenteil, Ja. >Wer will da nun immer noch behaupten, dass diese Ansteuerung nicht >zuverlässig funktionieren kann? Sie ist trotzdem nicht wirklich sinnvoll. IM Schaltbetrieb steuert man einen Transistor solide an und nicht auf Kante. Punkt. >Nach Aussagen des TO funktioniert es immerhin seit Jahren zuverlässig. So wie die Leute, die ohne Helm Moped fahren. Statistik und so. >Auch wenn der R_DSon nicht 23mOhm sondern paar hundert mOhm oder sogar >1...2 Ohm wäre, ist das im konkreten Fall kein Problem, weil die Spule >dann immer noch mind. 23V bekommt, oder nicht? Stimmt. >Alle Bedenken und Schönheitsargumente sind doch völlig egal, wenn die >Lösung praktikabel ist und zuverlässig funktioniert. >Alles darüber hinaus halte ich für reine Bürokratie und >Prinzipienreiterei. Absolute 100%ige Zuverlässigkeit gibt es eh nicht. Jaja, die Billigausrede schlechthin. Schluckst du die auch, wenn deine Werkstatt an deinem Auto mal wieder gemurkst hat?
U. M. schrieb: > Mit der roten Linie in der Grafik erbringst du doch gerade den Beweis, > dass die ca. 500mA des "kleinen Auswerfers" oder Magnetventils an 24V > zuverlässig geschaltet werden können Das Wörtchen "typical" unterhalb der Grafik ist wieder unwichtig? Wie definiert man durchgeschaltet? Für gewöhnlich: U. M. schrieb: > Auch wenn der R_DSon nicht 23mOhm sondern paar hundert mOhm oder sogar > 1...2 Ohm wäre, ist das im konkreten Fall kein Problem, weil die Spule > dann immer noch mind. 23V bekommt, oder nicht? Der R(DS)_ON (...so schreibt man das übrigens. :-) wird bei bestimmten (festgelegten) V_GE spezifiziert. Als durchgeschaltet gilt ein FET also, wenn man ihn mit jener/n GE-Spannung(en) betreibt. Ja, man kann in gewissen Grenzen auch niedrigere oder auch höhere V_GE anwenden. Jedoch verläßt man bei stärkerer Erniedrigung (hier der Fall) irgendwo den Bereich nicht nur des sicheren "durchgeschaltet-seins", sondern des "durchgeschaltet-seins" überhaupt... U. M. schrieb: > subjektive Schönheit Subjektiv? Das sehe ich anders. Sogar, wenn man das nachweisen könnte (daß also jeder IRF3710 in dieser Schaltung (welche natürlich ebenfalls mit BE mit eigenen Toleranzbereichen... etc.), wäre es fachlich falsch. Es gibt doch gar keinen Grund, da längerfristig "herumzustreiten". Ob der Altingenieur nun ein Pfuscher oder ein Genie ist, kann man auch nicht sagen. Vielleicht leistet er ja allgemein fantastisches ... (#) Er mag diese Schaltung ja vielleicht aus eben diesem Grund, daß es halt ein Einzelstück ist (und vorerst bleiben sollte), "so zusammengewürfelt" haben - oder aber völlig davon überzeugt sein... man weiß es nicht. Jedoch ist sie weder ein fachliches Glanzstück (Falk: "schön"), noch ohne Not nachahmungswürdig - egal, wie lange sie schon funktioniert. Was ich mit "fachlich" und Falk mit "schön" meine/t, ist ja dasselbe. "Fachlich schön" (beides vereinigt) ist das, was man die Azubis lehren soll (u. hoffentlich auch lehrt - als Autodidakt weiß ich's nicht genau). Nämlich Schaltungen zu entwickeln, welche auch unter allen Umständen zuverlässig funktionieren. Das ist gar nicht all zu schwierig, bei der verfügbaren Auswahl. Oder doch? Ich habe gar nichts gegen Überdimensionierung und/oder EMV-Optimierung - so lange sie diesen Grundsätzen nicht (indirekt) in die Quere kommt. Und wie Falk schon schrieb, ist es schon witzig, diesen "Brummer" (#) (ansonsten alle Specs weit oberhalb) gerade hier "am Grat" zu nutzen. Dazu kann man (spätestens seit der praktisch universellen Verfügbarkeit) aber schlicht auch einen etwas stromtragfähigeren bzw. spannungsfesteren LL oder gar LLL/ULL Typen verwenden. Nachtrag bzgl. EMV: Daß es dem Erbauer hauptsächlich darum gegangen sei, ist abwegig. Wiederum wär das auch anders erreichbar, bzw. ist es wg. d. Ansteuerung mit hochohmigem Treiber auch mit LL-Typ kaum problematisch. (# Die Anstrengungen zwecks Nachweis der Genialität des Erbauers, nur um seine Mosfet-Wahl zu rechtfertigen, sind schon irgendwie witzig... weit wahrscheinlicher als ein gewaltiger Genius führte wohl ein Spritzer Unfähigkeit zu dieser Schaltung. Sorry.) @Lexi weiß, daß die "alte" Schaltung verbesserungswürdig ist. Ich denke, daß sie das auch dann wäre, wenn der IRF3710 gerade noch ("sicher" :-) weit genug aufgesteuert werden könnte. (Vermutlich nicht als einziger.) Auch das Argument mit der Beschaffbarkeit / Vorhaltung ist nonsens. Ob des Bauteilparadieses interessiert mich ohne Not (*) nicht weiter, ob das vielleicht auch so geht, weil der Fet noch genug Strom durch läßt, und der Spannungsfall noch genügend klein, und daher auch die Verluste nicht ins Gewicht fielen... denn richtig geht es besser. * Diese Bauteil-Not kann ich hier im Thread (Beschreibung der Umstände) nirgend entdecken - also, "Good Practice" oder "Machbarkeitsstudie"? :) Das war imho die wichtigste Thematik im Thread.(!) Jetzt halte ich die Schnauze, sonst hält man mich noch für einen Autor.
Lexi schrieb: > michael_ schrieb: >> Du bist Lehrling und hast gar keine Nummer! >> Wenn du mal Ausbider, Konstrukteur, Meister ... bist, kannst du >> mitbestimmen. >> Es gibt eben Sachen, wo du noch nicht genug Kenntnis hast. >> Irgend ein Marketinggeschrei von LL reicht da nicht. > > Du machst mir Angst. Es gibt wirklich noch mehr Leute von dem Kaliber. > Schade eigentlich... Ohne Angst kein Respekt. Als junger FA hatte ich auch mal was ähnliches. Zum Glück hat der Mitarbeiter sehr vorsichtig in dem anderen Betriebsteil angerufen. Zu meinem Glück, wie ich erfahren mußte. Lexi schrieb: > Tja, aber wie wir an Deinen Postings erkennen können, hat halt jeder so > seine Macken. Du liest die Fragestellung nicht richtig, nimmst einfach > irgendwelche wild spekulierten Werte als Basis für Deine Aussagen (die > gleichzeitg zum Gesetz ernannt werden), bist zu faul um ein paar > Beiträge hochzuscrollen und erwartest, dass man extra für Dich nochmal > die alternativen FETs auflistet, beschimpfst Leute mit anderer Meinung > als Troll,... Klar bin ich faul, tu mir den Gefallen! Nenne nochmal den Typ! Wie definierst du eigentlich LL? Es sollte doch TTL kompatibel sein. Bei heutigen C-MOS kommen bei High 4,4V raus. Das erfüllt der genannte MOS sicher. Lexi schrieb: > ... und ich bin eben Azubi und habe nix zu sagen. > > Aber selbst dann habe ich ein Gehirn welches schon so weit entwickelt > ist, dass es selber denken kann. Es kann experimentieren, Schlüsse aus > Fehlschlägen ziehen, dazulernen und sogar die Tiraden von verbohrten und > sturren Leuten wie Dir ausfiltern. Klar kann dein Gehirn selber denken. Aber die Welt ist groß und andere Gehirne haben viel, viel mehr Wissen und Erfahrung! aölsdjf schrieb: > Dass der FET nicht geeignet ist wurde bereits mehrfach dargelegt. Dass > es trotzdem in den meisten Fällen funktionieren wird hat niemand > angezweifelt, Garantie gibt es dafür aber eben keine und es ist eben ein > Murks. Murks funktioniert oft, man sollte es aber eben trotzdem > vermeiden. Nur weil mehrere Leute das sagen, muß es nicht richtig sein. Lexi sagt es nicht, dann nenn du mir einen 100V MOS mit LL !
michael_ schrieb: > Lexi sagt es nicht, dann nenn du mir einen 100V MOS mit LL ! Diese Taktik läßt sich leicht aushebeln. Distri Nr. 1: https://www.mouser.de/Search/Refine.aspx?N=1323043&Keyword=logic+level+mosfet&Ns=Pricing%7C0 Das Leerzeichen Abstand vor dem "!" hilft auch nichts, und wie gesagt könnte ich auch Distris 2 bis X so verlinken. Vielleicht muß man ja wirklich unhöflich werden, um diese recht sinnfreie Diskussion endlich zu beenden. So extrem offen pflege ich für gewöhnlich nicht zu sein - doch ist es wohl alternativlos: michael_ schrieb: > Lexi schrieb: >> Du machst mir Angst. Es gibt wirklich noch mehr Leute von >> dem Kaliber. Schade eigentlich... > > Ohne Angst kein Respekt. Völliger Unsinn - das hast Du gänzlich falsch verstanden. Da kann ich allerdings gerne behilflich sein, das zu ändern. Ich beschränke das aber auf Erwachsene, Kindererziehung außen vor. Respekt ist eine besondere Form bzw. Steigerung von "Achtung". Der Achtung, welcher man halt vor auf diverse Weise überlegenen Menschen hat - welchen man dann häufig auch nacheifern will. Respekt ist deshalb etwas, was man m. o. w. bewußt entwickelt, bzw. jemandem schenkt, der ihn auf gewisse Weise verdient hat. Er ist also grundsätzlich rein positiv, im Gegensatz zur Angst. Böse Zufälle oder sehr komplex bedingte negative Folgen außen vor. Angst hingegen ist eine starke (auch körperliche) unwillkürliche Reaktion auf eine m. o. w. direkte Bedrohung. Sie ist instinktiv bedingt, entsteht schon bei Gefährdung von Besitz (*) bis hin zur ganz direkten Lebensgefahr. Positiv ist dabei allein die stark verringerte Reaktionszeit in lebensgefährlichen Situationen, und auch, daß durch sie manchmal unvernünftige (sozial bedingte) Verhaltensweisen ausgehebelt werden können, welche sich in der Situation negativ ausgewirkt hätten. Damit aber genug zu komplexeren Verwicklungen. Denn ansonsten ist Angst oft der Auslöser für diverses Negatives. Hier im speziellen - und das ganz objektiv betrachtet - scheint exakt Angst das Problem des "Altingenieurs" (und auch eures - seiner "Angst-Symphatisanten") zu sein. Diese meine Theorie/ Unterstellung ist zwar, wie angedeutet, recht offen - vielleicht sogar übertrieben unhöflich. Doch hat sie weit breitere (sicherere) Grundlage, als der Vorwurf an @Lexi, er habe keinen Respekt (und - auch witzig - "keine Ahnung"... wo er doch bezüglich der Thematik, die er auch wirklich einbrachte, ganz offensichtlich völlig im Recht ist). Bitte hört also endlich auf, vor lauter "Wir sind die etablierten, alten Hasen - und Du hast die Schnauze zu halten! DU nimmst uns unsere Spitzenposition und unser Renommee nicht weg, Du junger Hüpfer!" ...die Tatsachen fast nach Belieben zu verbiegen. (Sei es nun in Bezug auf seine "wahren Absichten" - dazu äußerte ich mich oben schon mehr als eindeutig: Beitrag "Re: Power-Mosfet mit Logic-Level geschaltet - wie kann man die Konsequenzen messen?" Oder bzgl. fachlich korrekter Bauteilauswahl / -dimensionierung, wo er doch genau das tut, was man ihn (hoffentlich) auch lehrte. Und auch das Datenblatt exakt richtig interpretierte.) Bitte (!). Denn das will er gar nicht - sondern nur das gelernte richtig anwenden. Und dazu ist er auf dem richtigen Weg. Es ist das einzig Richtige, die neuen Schaltungen nach bestem Wissen und Gewissen (also fachlich korrekt, und ohne solch unnötige "Kunststückchen") zu konstruieren. Ob er das in der Firma durchsetzen kann, ist zwar fraglich - aber trotzdem braucht man ihm keinen vom Pferd zu erzählen, nur, weil er alles richtig machen will - und sich hier vergewissert. Nochmals: Bitte, hört auf damit.
Falk B. schrieb: > Ja und? Dann nimm doch mal die Kennlinie und veschiebe sie auf 4V, siehe > Anhang. OK, da kann der MOSFET noch ca. 2A schalten, aber schön ist das > nicht. Für 500mA wirds immer noch reichen und für einen Faktor 4 Reserve auch noch.
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