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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Power-Mosfet mit Logic-Level geschaltet - wie kann man die Konsequenzen messen?


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Autor: Lexi (Gast)
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Hallo zusammen,

ich habe mal eine Frage.
In einer Schaltung, die schon seit Jahren im Einsatz ist, werden 8 
IRF3710 Mosfets direkt an einem Schieberegister mit 5V geschaltet.

Über die Mosfets werden kleine Auswerfer ausgelöst, die Bauteile vom 
Band schubsen. Eine Schutzdiode (da Elektromagnet) ist jeweils 
vorhanden.

Es gab mit dieser Schaltung nie Probleme, aber wir möchten das ganze 
gerne erweitern und neue Platinen dafür bauen.

Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets, 
weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B.

Aber wie gesagt, schalten sie auch schon bei 5V. Nur - wenn man meinem 
bisherigen Verständnis glauben schenken darf - eben nicht voll durch.

Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann.

Es geht mir darum, einen Versuchsaufbau zu machen, der beweist, dass 
diese Mosfets ~eigentlich~ nicht geeignet sind... oder man einen anderen 
Treiber bräuchte.

Einfach ein Lastwiderstand und dann den fließenden Strom vergleichen mit 
dem, den die Stromquelle liefern könnte?

Wie könnte man hier den Beweis erbringen?

Danke für eure Ideen.

Autor: Horst (Gast)
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Lexi schrieb:
> Einfach ein Lastwiderstand und dann den fließenden Strom vergleichen mit
> dem, den die Stromquelle liefern könnte?

Nein, der Strom ist überall gleich.
Du mißt den Spannungsabfall über dem Mosfet und kannst mit dem Strom die 
Verlustleistung berechnen.
Der er die abführen kann, sollte es kein Problem sein, daß er nicht 
richtig durchgeschaltet ist. Du solltest aber im Datenblatt prüfen, ob 
Du dabei noch in der SOA bist.

Autor: Paul B. (paul_baumann)
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Am Besten ginge das mit einem Speicheroszi. Wenn Du damit zwischen 
Source und Drain mißt, siehst Du den Spannungsabfall über dem Kanal des 
MOSFET und kannst dadurch sehen, wie "weit" er aufgemacht hat. 
Speicheroszi deshalb, weil (wie Du sagtest) der ja nicht mit 
"Dauer-Strich", sondern mit Impulsen angesteuert wird und man sonst 
schnelle Augen bräuchte.

MfG Paul

Autor: Michael B. (laberkopp)
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Lexi schrieb:
> wie man hier den Verlust messen kann.

Wie immer, Strom * Spannung (im durchgeschalteten Moment).

Einfacher wäre es, gleich richtige LL MOSFETs einzubauen.

Lexi schrieb:
> Wie könnte man hier den Beweis erbringen?

Eigentlich reicht für jeden der Elektronik gelernt hat das
Datenblatt.

Da steht UGS=10V und andere Werte sind nicht garantiert.

Autor: Lexi (Gast)
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Hallo zusammen,

danke für die Hinweise - hab's verstanden.

Zum Thema "Datenblatt" und "gleich die richtigen Mosfets nehmen":
Ja - stimme ich voll zu.
Das Problem ist nur, dass hier in dem Laden jemand sitzt, der diese 
Basteleien erfunden hat und jetzt alle mächtig stolz auf ihn sind.
Wenn ich sage "Datenblatt", dann ist die Antwort, dass man in diesem 
Bereich mit Schulwissen nicht weiterkommt und ich mich mal schön an 
Herrn XY halten soll.

Das nervt mich tierisch. Am Ende wird sich daran nicht viel ändern bis 
der Herr mal in den Ruhestand geht.
Auch den Beweis anzutreten dürfte letzlich nix bringen, denn in solchen 
Situation heißt es dann wieder, dass XY halt manchmal kompliziert ist 
und wir lieber alle Fehler weitermachen, damit er keine schlechte Laune 
kriegt.
Alles Fähnlein im Wind hier.

Für mich wäre dennoch wichtig, es zumindest besser gewusst zu haben und 
nicht dazu verdammt zu sein, den Kenntnisstand des Kollegen als meine 
Messlatte ansehen zu müssen. ;)

Vielleicht kennt ihr ja solche Situationen selber.

Also - Spannungsabfall... werde ich morgen messen.

Vielen Dank!

Autor: Horst (Gast)
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Sorry, aber wenn Du wegen solcher Grundlagen hier nachfragen mußt, 
solltest Du vielleicht doch noch etwas Erfahrung sammeln, bevor Du 
anderen Fehler nachweisen willst. Es klingt nicht so, als ob Du Dein 
Anliegen überzeugend vortragen kannst, auch wenn Du vielleicht recht 
hast.

Autor: Lexi (Gast)
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Wie gesagt - irgendwem einen Fehler nachzuweisen bringt eh nix. Also 
lass ich es. Ich will es ja nur für mich selber beweisen.
Mich da hin zu stellen und auf irgendwen zu zeigen wäre nicht meine Art 
;) Erst recht nicht wegen so einem Kinderkram.

Aber wenn die Leute, die mich ausbilden sollen, sagen, dass das 
Datenblatt ja nur wertloses Schulwissen enthält und ich mehr von XY 
lernen kann (Schließlich macht er das schon 40 Jahre und hat Erfahrung), 
dann möchte ich zumindest für mich selber etwas kritischer sein...

Mag ja sein, dass das auch weiterhin so funktionieren wird. Warum auch 
nicht, wenn's ja immer so lief.
Zu wissen, wie man's richtig macht, schadet ja trotzdem nicht. ;)

Autor: Kevin K. (nemon) Benutzerseite
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Wenn du den Spulenstrom halbwegs kennst, dann reicht es, per Tastkopf 
die Spannung über Drain / Source im durchgeschalteten Zustand zu messen. 
Der daraus berechnete Rds(on) sollte halbwegs nah am Dateblattwert sein, 
sonst ist der FET nicht komplett durchgesteuert.

Autor: karadur (Gast)
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Nach Datenblatt schafft der bei 4V Vgs noch 3A.

Typ wahrscheinlich ausgewählt ala "haben wir noch da liegen"

Autor: Wolfgang (Gast)
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Lexi schrieb:
> Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets, ...

Wieviel Strom fließt denn durch deine kleinen Auswerfer?
Ein paar Ampere wird der IRF3710 bei 5V U_GS schon schaffen und du 
willst deine Auswerfer doch wahrscheinlich nicht mit 100kHz PWM 
ansteuern.

> Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann.
Hand auflegen und Auswerfer mal kräftig takten. Wenn`s zu warm wird, 
kann man noch mal drüber nachdenken - sonst so lassen.

Autor: Manfred (Gast)
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Lexi schrieb:
> Das Problem ist nur, dass hier in dem Laden jemand sitzt, der diese
> Basteleien erfunden hat und jetzt alle mächtig stolz auf ihn sind.

Du willst also dem älteren Kollegen ans Knie pissen, keine feine Art.

Horst schrieb:
> Sorry, aber wenn Du wegen solcher Grundlagen hier nachfragen mußt,
> solltest Du vielleicht doch noch etwas Erfahrung sammeln, bevor Du
> anderen Fehler nachweisen willst.

Dem ist wenig hinzuzufügen!

Unabhängig davon wären alle Daten der Schaltung interessant, 
vielleicht ist der nicht vollständig und evtl. auch noch langsam 
gesteuerte FET Teil des Überlebens der Schaltung.

Autor: U. M. (oeletronika)
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Hallo,
> Lexi schrieb:
> In einer Schaltung, die schon seit Jahren im Einsatz ist, werden 8
> IRF3710 Mosfets direkt an einem Schieberegister mit 5V geschaltet.
ist doch soweit alle ok, oder?

> Über die Mosfets werden kleine Auswerfer ausgelöst, die Bauteile vom
> Band schubsen. Eine Schutzdiode (da Elektromagnet) ist jeweils
> vorhanden.
Auch kein Problem, oder? "Kleine Auswerfer" brauchen sicher auch nur 
einen eher kleinen Strom, oder?  Wie groß ist dieser konkret?

> Es gab mit dieser Schaltung nie Probleme, aber wir möchten das ganze
> gerne erweitern und neue Platinen dafür bauen.
> Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets,
> weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B.
Und woher nimmst du diese Erkenntnis?
Hier im Datenblatt steht, dass die Theshold Voltage max. 4V beträgt.
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3710.pdf

Und in den Kennlinien auf S.3 ist zu entnehmen, dass man mit einem 
Logikpegel von ca. 4,5V schon über 10A schalten kann.
Vermutlich haben die kleinen Auswerfer einen weit niedrigeren Strom, 
oder?
Infolge Eigenerwärmung steigt der mögl. Strom sogar noch deutlich an.

> Aber wie gesagt, schalten sie auch schon bei 5V. Nur - wenn man meinem
> bisherigen Verständnis glauben schenken darf - eben nicht voll durch.
Woher hast du dieses Verständnis? Werden die FET heiß?
Ich vermute das die nicht mal handwarm werden.
Auch wenn das R_DSon nicht 23mV ist, sondern wegen der geringeren 
Gatespannung 50...100mV oder noch höher liegt, wird das für die 
Applikation wahrscheinlich nie ein Problem sein.

> Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann.
Wozu? Gibt es ein Indiz dafür, dass dies überhaupt relevant ist?
Spielt es bei der Bauform (TO220) eine Rolle, ob da im Mittel 10mW oder 
20mW oder sogar 50mW verheizt werden?

> Es geht mir darum, einen Versuchsaufbau zu machen, der beweist, dass
> diese Mosfets ~eigentlich~ nicht geeignet sind... oder man einen anderen
> Treiber bräuchte.
Oben schreibst du, dass diese Schaltung in Praxis seit Jahren 
reibungslos funktioniert. Ist dir das als "Versuchsaufbau" nicht gut 
genug?

> Einfach ein Lastwiderstand und dann den fließenden Strom vergleichen mit
> dem, den die Stromquelle liefern könnte?
Wo ist da eine Stromquelle? Und warum sollte über einen Lastwiderstand 
der Strom fließen, "den die Stromquelle liefern könnte"?

> Wie könnte man hier den Beweis erbringen?
Dein Problem scheint zu sein, Probleme zu suchen, wo keine sind.
Außerdem hast du noch einige Defizite im Verständnis von Elektronik und 
der Fähigkeit Datenblätter zu verstehen.

Natürlich kann man einen anderen FET nehmen. Bei einem Neudesign würde 
man besser gleich alles in SMD-Technik ausführen.
Die FET sollten auch nicht unbedingt super schnell sein, es geht ja bloß 
um eher träge Mechanik. Da spart man sich Probleme mit EMV wegen zu 
steiler Schaltflanken.

> Aber wenn die Leute, die mich ausbilden sollen, sagen, dass das
> Datenblatt ja nur wertloses Schulwissen enthält
Das ist natürlich Unsinn. Datenblätter lesen und korrekt interpretieren 
ist eine absolute Notwendigkeit für jeden Elektroniker, ganz besonders 
für Anfänger. Es gibt auch Fälle, wo man mit Erfahrungswissen Parameter 
von Datenblättern interpretiert und sich außerhalb der Spezifikation 
bewegen kann, aber dann muß man wirklich wissen, was man tut. Nur die 
"Maximum Ratings" sollte man aber besser nicht überschreiten.

> und ich mehr von XY
> lernen kann (Schließlich macht er das schon 40 Jahre und hat Erfahrung),
> dann möchte ich zumindest für mich selber etwas kritischer sein...
Warum gehst du nicht zu dem erfahrenden Kollegen und fragst ihn selber 
zu den Bewegründen? Oft ist das sehr viel lehrreicher, weil dabei oft 
noch ganz andere Aspekte zum Vorschein kommen, von denen du noch gar 
keine Ahnung hast, dass es solche überhaupt gibt.
Gruß Öletronika

: Bearbeitet durch User
Autor: Michael B. (laberkopp)
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karadur schrieb:
> Nach Datenblatt schafft der bei 4V Vgs noch 3A.

Nur für Trottel die keine Datenblätter lesen können.

Richtig wäre:

Im Datenblatt gibt es eine Kurve, die zeigt, dass ein bestimmtes 
Exemplar bei 4V Ugs nicht voll durchgeschaltet ist sondern noch im 
Linearbereich verweilt. Bei 0.1V an UDS wird der Strom schon auf 3A 
abgeschnürt, bei 1V und mehr als UDS wird der Strom auf 10A angeschnürt.

Andere Exemplare können das Verhalten auch bei 2.8 oder 5.6V Ugs zeigen, 
denn unter UGS(th) steht diese Schwankungsbreite.

Erst bei eta dem doppelten der Gate-Spannung für den linearen Bereich 
ist der MOSFET voll durchgeschaltet.

Autor: U. M. (oeletronika)
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> Michael B. schrieb:
> karadur schrieb:
>> Nach Datenblatt schafft der bei 4V Vgs noch 3A.
> Nur für Trottel die keine Datenblätter lesen können.
Solche Leute, die ihr Selbstbewußtsein damit aufpäppeln, indem sie 
andere Forenteilnehmer erniedrigen, sind sicher überall sehr beliebt.

> Richtig wäre:
> Im Datenblatt gibt es eine Kurve, die zeigt, dass ein bestimmtes
> Exemplar
Immerhin ist es eine typische Kennlinie. Dass solche Bauelemente aber 
dicht an den minimalen oder maximalen Parametern liegen, ist eher 
untypisch.

> bei 4V Ugs nicht voll durchgeschaltet ist sondern noch im
> Linearbereich verweilt. Bei 0.1V an UDS wird der Strom schon auf 3A
> abgeschnürt, bei 1V und mehr als UDS wird der Strom auf 10A angeschnürt.
> Andere Exemplare können das Verhalten auch bei 2.8 oder 5.6V Ugs zeigen,
Wie kommst du darauf?
Als max. Toleranz für die Thresholdspannung wird nur ein Bereich von 2V 
angegeben, nicht fast 3V.

> denn unter UGS(th) steht diese Schwankungsbreite.
Eben, da steht: min= 2V, max= 4V.  Die UGS(th)von ca. 3,5V in der 
Kennlinie auf S.3 liegt dann auch nur 0,5V unter der maximalen UGS(th) 
und nicht 1,6V wie du oben behauptest!

> Erst bei eta dem doppelten der Gate-Spannung für den linearen Bereich
> ist der MOSFET voll durchgeschaltet.
Ja, wenn man einen Strom von 50A schalten wollte, ist das sicher 
relevant. Vermutlich geht es aber nur um paar hundert mA oder 1..2A.
Und da wird der FET allemal funktionieren, wenn man eine Gatespannung 
bis mindestens 4,5V annimmt.

: Bearbeitet durch User
Autor: Paul B. (paul_baumann)
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"Kleiner Auswerfer" gefällt mir. Der könnte auch am Disko-Eingang stehen 
oder im Personalbüro sitzen.
:)
MfG Paul

Autor: karadur (Gast)
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@U.M.
Hallo ich bin schon lange dabei. Ich kann solche Beiträge schon 
einschätzen.

Trotzdem Danke.

@laberkopp: Die Frage war ob eine Ansteuerung mit 5V aus dem 
Schieberegister ein Problem ist. Offensichtlich ja nicht.

Autor: Wolfgang (Gast)
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U. M. schrieb:
> Infolge Eigenerwärmung steigt der mögl. Strom sogar noch deutlich an.

Wenn die kleinen Auswerfer mit ihrem maximalen Duty Cycle betrieben 
werden, dürfte auf Grund der Eigenerwärmung der Strom eher sinken und 
damit die FETs entlasten.

Bleibt immer noch die Frage: WAS schlucken die kleinen Auswerfer?

Autor: Lexi (Gast)
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Hi Wolfgang,

> Wieviel Strom fließt denn durch deine kleinen Auswerfer?
Nicht viel... wenn ich den Strom mit einem Multimeter messe, dann sind 
es knapp unter 500mA. Beim Ein- und Ausschalten evtl. etwas mehr, weil 
die Stößel ja mittels elektromagnet bewegt werden.

> Ein paar Ampere wird der IRF3710 bei 5V U_GS schon schaffen und du
> willst deine Auswerfer doch wahrscheinlich nicht mit 100kHz PWM
> ansteuern.

Eher nicht - dann hätten wir ganz schön viel Ausschuss auf dem Band 
gehabt ;)
Realistisch ist eine Schaltfrequenz (wenn man das so nennen will) von 
0.05Hz an schlechten Tagen.

Autor: Michael B. (laberkopp)
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Lexi schrieb:
> Beim Ein- und Ausschalten evtl. etwas mehr, weil
> die Stößel ja mittels elektromagnet bewegt werden.

Gerade Elektromagneten haben keine Einschaltströme sondern begrenzen 
sie. Sie haben nur eine ggf. problematische Abschaltspannung.

karadur schrieb:
> Die Frage war ob eine Ansteuerung mit 5V aus dem
> Schieberegister ein Problem ist. Offensichtlich ja nicht.

Nein, die Frage war, wie man den Pfuschern wie dir bebringt, daß so eine 
Konstruktion Murks ist, weil sie an den Datenblattvorgaben vorbei geht. 
Man baut keine Schaltung, in der 60V an einem MOSFET liegen der nach 
Datenblatt 40V aushält, selbst wenn DIESES Exemplar das vielleicht 
bisher überlebt, und man baut keine Schaltung, in der ein BC547 250mA 
schalten muss, selbst wenn er bisher überlebt weil im Gehäuse einfach 
derselbe Chip wie beim BC337 ist, aber im Datenblatt steht nur 100mA, 
und so baut man auch keine Schaltung, in der ein nur bei 10V 
spezifiziert durchgeschalteter MOSFET nur mit 5V versorgt wird. Und es 
gibt für solchen Pfusch auch keine Not, LogicLevel MOSFETs sind 
erfunden.

Ja, der Aufbau funktioniert. Das liegt an den verwendeten Exemplaren der 
MOSFETs. Sie funktioniert also vor allem deswegen weil sie eine eher 
typische oder niedrigere UGS(th) haben, selbst wenn die Selektion Zufall 
war.

Wenn nun eines Tages doch einer kaputt geht, und der Reparateur einfach 
denkt "IRF3710 war drin also baue ich einen neuen IRF3710 wieder ein", 
so kann er sein blaues Wunder erleben, wenn er ein Exemplar erwischt, 
das an der oberen Grenze von UGS(th) liegt und daher bei 5V UGS nicht 
mehr 500mA ohne deutlichen Spannungsanfall durchlässt. Was dann ggf. 
heisst, daß der Auswerfer nicht mehr zuverlässig auswirft weil für ihn 
nicht mehr genügend Spannung übrig bleibt.

U. M. schrieb:
>> Andere Exemplare können das Verhalten auch bei 2.8 oder 5.6V Ugs zeigen,
> Wie kommst du darauf?
> Als max. Toleranz für die Thresholdspannung wird nur ein Bereich von 2V
> angegeben, nicht fast 3V.

Durch einfaches Nachdenken.

Wenn die Grenze, unter der der MOSFET zuverlässig sperrt weil er nur 
noch weniger als 250uA durchlässt
VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250μA
eine Schwankungsbreite von 2 bis 4 hat, also 1:2, dann wird die Spannung 
bei der die 4V Kurve im 'typischen' Diagramm ist, auch um 1:2 schwanken 
können, von 0.707*4 bis 2*0.707*4, also real erreicht bei einer 
Gate-Spannung von 2.8 bis 5.6V.

Vor allem sagt UGS(th), daß einige IRF3710 MOSFETs bei 4V eventuell nur 
noch 250uA durchlassen, und eben NICHT 12A wie im 'typischen' Diagramm 
gezeigt.

Manfred schrieb:
> Du willst also dem älteren Kollegen ans Knie pissen, keine feine Art.

So ist Deutschland gross geworden, damals, 1938. Als Wahrheit keine 
Rolle spielte sondern jeder nur tat was ihm der Ältere sagte.
Lexi weiss im Gegensatz zu dir und U.M. schon was UGS(th) und typische 
Kurven im Datenblatt bedeuten, er will nur noch dem altverdienten 
Ingenieur^WPfuscher klar machen, WARUM der IRF3710 eine schlechte Wahl 
ist und man lieber einen LogicLevel MOSFET einbaut. Er hat ein Problem, 
wenn der altverdiente Ingenieur^WPfuscher so ein lernresistenter Bock 
ist wie du, nur auf das eigene hingelogene Ansehen bedacht statt 
begierig auf neue Erkenntnis. Leider haben wir viel zu Viele so wie dich 
in Deutschland.

Autor: karadur (Gast)
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Kann ja sein das ich ein Pfuscher bin, aber die ca. 100.000 Geräte die 
nach meiner Entwicklung gebaut wurden laufen seit vielen Jahren sehr 
zuverlässig.

Autor: Michael B. (laberkopp)
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karadur schrieb:
> Kann ja sein das ich ein Pfuscher bin, aber die ca. 100.000 Geräte
> die
> nach meiner Entwicklung gebaut wurden laufen seit vielen Jahren sehr
> zuverlässig.

Ja, ich wundere mich ja auch dauernd, wieso Leute Made in Germany nicht 
als Warnsymbol verstehen, bei dem Pfusch der von den "haben wir schon 
immer so gemacht Denkfaulen" abgeliefert wird.

In China hingegen ist man wissbegierig und lernt gerne hinzu. Kein 
Wunder, daß manche dort schon weit besser sind als wir hier.

Kein Wunder, daß Deutschland schon längst den Anschluss verloren hat bei 
so viel Faulheit und Bequemlichkeit und lediglich noch Gier nach mehr 
Geld.

Ob Autoproduktion oder eben Elektronik.

Beitrag #5407527 wurde von einem Moderator gelöscht.
Autor: Wolfgang (Gast)
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Michael B. schrieb:
> Ja, ich wundere mich ja auch dauernd, wieso Leute Made in Germany nicht
> als Warnsymbol verstehen ...

Das war der ursprüngliche Sinn von "Made in Germany". Im Vergleich zu 
Pfusch aus anderen Quellen, hat sich tendenziell oft das Gegenteil 
bewiesen.
https://de.wikipedia.org/wiki/Made_in_Germany

Beitrag #5407552 wurde von einem Moderator gelöscht.
Beitrag #5407582 wurde von einem Moderator gelöscht.
Beitrag #5407659 wurde von einem Moderator gelöscht.
Beitrag #5407679 wurde von einem Moderator gelöscht.
Autor: F. F. (foldi)
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Lexi schrieb:
> Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann.

Wieso willst du da was messen? Steht doch alles im Datenblatt.
Du musst dir die Diagramme ansehen. Bei 5V schaltet der noch etwas über 
40A. Habe das Diagramm nicht vergrößert, aber schätzungsweise 45A.
Kommt drauf an, ob dir das reicht.

Autor: F. F. (foldi)
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Lexi schrieb:
> Aber wenn die Leute, die mich ausbilden sollen, sagen, dass das
> Datenblatt ja nur wertloses Schulwissen enthält und ich mehr von XY
> lernen kann (Schließlich macht er das schon 40 Jahre und hat Erfahrung),
> dann möchte ich zumindest für mich selber etwas kritischer sein...

Im Anfang habe ich viele Bauteile ausgemessen und mit dem Datenblatt 
verglichen.
Ausnahmslos alle Bauteile konnten mehr, als im Datenblatt steht.

Dass das keine allgemein gültige Referenz ist, das ist mir klar und den 
Anspruch stelle ich auch nicht. Für mich war es nur Beweis genug, dass 
man "immer die halbe Leistung" nehmen soll, wie von vielen so verkündet 
wird, für mich keine Relevanz mehr hat.
Es hat viel Zeit gebraucht, bis ich die Datenblätter lesen konnte. Auch 
viel lesen (die Bibel/ T&Sch) brachte mich weiter.

Autor: F. F. (foldi)
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Michael B. schrieb:
> Man baut keine Schaltung, in der 60V an einem MOSFET liegen der nach
> Datenblatt 40V aushält,

VDSS = 100V
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3710.pdf

Michael, normalerweise weiß ich, dass du schon sehr genau bist.
Hast du vielleicht ein falsches Datenblatt gehabt?

Da die Schaltung schon viele Jahre ohne Probleme funktioniert, kann das 
alles nicht so verkehrt sein, wie ich finde.
Da der oder eher die Fets sicher parallel geschaltet sind, nur kurz für 
den Ausstoß geschaltet werden, bin ich sicher, dass sie nicht einmal 
warm werden.

Aber um genaues zu sagen, müsste man alle Daten haben.
Der TO, das ist meine Meinung, will doch nur sein an der Uni oder sonst 
wo erworbenes (frisches) Wissen, gegen das des "alten Hasens" stellen 
und beweisen, dass er nicht die Koryphäe ist, für den ihn alle halten.

Ich würde sagen und das geht an den TO, entwickele doch eine eigene 
Schaltung, ohne von der anderen abzugucken und nimm die Gegebenheiten 
(also Magnet, Einschaltdauer usw.), mach dir Gedanken dazu und mache das 
anders. Denn besser geht ja wohl nicht, da diese Schaltung genau das 
tut, was sie soll und wohl schon lange Zeit.
Wenn sie dann genauso lange funktioniert, dann bist du noch nicht 
besser, aber vielleicht billiger gewesen.

: Bearbeitet durch User
Autor: Jens G. (jensig)
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@Michael Bertrandt (laberkopp)

>Ja, ich wundere mich ja auch dauernd, wieso Leute Made in Germany nicht
>als Warnsymbol verstehen, bei dem Pfusch der von den "haben wir schon
>immer so gemacht Denkfaulen" abgeliefert wird.

>In China hingegen ist man wissbegierig und lernt gerne hinzu. Kein
>Wunder, daß manche dort schon weit besser sind als wir hier.

Gewiß, gewiß. Ja, die wissen inzwischen genau, wie man die Lebensdauer 
ihrer Produkte nach Kauf begrenzen können ...

F. Fo (foldi) schrieb:

>Lexi schrieb:
>> Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann.

>Wieso willst du da was messen? Steht doch alles im Datenblatt.
>Du musst dir die Diagramme ansehen. Bei 5V schaltet der noch etwas über
>40A. Habe das Diagramm nicht vergrößert, aber schätzungsweise 45A.
>Kommt drauf an, ob dir das reicht.

Schon wieder ein Falschinformierer ...

>Da der oder eher die Fets sicher parallel geschaltet sind, nur kurz für
>den Ausstoß geschaltet werden, bin ich sicher, dass sie nicht einmal
>warm werden.

Wieso sollen die parallel geschaltet sein?

: Bearbeitet durch User
Autor: Michael B. (laberkopp)
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F. F. schrieb:
> Wieso willst du da was messen? Steht doch alles im Datenblatt.
> Du musst dir die Diagramme ansehen. Bei 5V schaltet der noch etwas über
> 40A. Habe das Diagramm nicht vergrößert, aber schätzungsweise 45A.
> Kommt drauf an, ob dir das reicht.

Bitte jetzt nicht noch der Dritte, der das Datenblatt nicht verstanden 
hat.

F. F., würdest du einen MOSFET, der in der Schaltung eine Spannung von 
100V schaltet, auch als angemesen betrachten, wenn im Datenblatt nur 
UDSmax von 55V steht, bloss weil das aktuelle Exemplar es scheinbar 
überlebt ?

Wie kommt man dann auf die abstruse Idee, einen MOSFET mit einer 
Spannung, die nur knapp über der Spannung liegt unter der er sicher AUS 
ist, durchschalten zu wollen, obwohl im Datenblatt klar und deutlich 10V 
steht ? Zwischen AUS und AN kommt ja immer noch der lineare Bereich, bis 
ca. doppelter AUS Spannung.

Autor: Jens G. (jensig)
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>Aber um genaues zu sagen, müsste man alle Daten haben.
>Der TO, das ist meine Meinung, will doch nur sein an der Uni oder sonst
>wo erworbenes (frisches) Wissen, gegen das des "alten Hasens" stellen
>und beweisen, dass er nicht die Koryphäe ist, für den ihn alle halten.

Oben stehen doch inzwischen alle Daten, nur eben bißchen verstreut.

Ansonsten geht die gesamte Diskussion schon wieder am eigentlichen Thema 
vorbei. Er wollte doch nur bestätigt wissen, daß er mit seiner Annahme 
richtig liegt, und wie er das verifizieren kann.
Grundsätzlich kann man sagen, daß er bei nur 500mA idR. keine größeres 
Problem sehen wird, aber, da es kein LL-Typ ist, er damit rechnenn 
sollte (wenn auch nicht extrem wahrscheinlich), daß das eine oder andere 
Exemplar seine Spezifikation ausreizen könnte, so daß der Mosfet 
vielleicht doch nicht mehr richtig einschalten könnte - wobei dies bei 
nur 500mA mit einem 57A-Transistor kaum auffallen dürfte.
Und wie man das messen kann, wurde ja auch schon gesagt. Einfach im 
eingeschalteten Zustand den Spannungsabfall über der D-S-Strecke messen, 
entweder mit Multimeter, wenn Einschaltung lang genug, oder dann eben 
mit Oszi.

Autor: F. F. (foldi)
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Michael B. schrieb:
> F. F., würdest du einen MOSFET, der in der Schaltung eine Spannung von
> 100V schaltet, auch als angemesen betrachten, wenn im Datenblatt nur
> UDSmax von 55V steht, bloss weil das aktuelle Exemplar es scheinbar
> überlebt ?

Habe ich da was übersehen. Muss ich noch mal gucken.
Und zu dem Rest, natürlich nicht!

Da ich deinen Ausführungen eigentlich immer traue, habe ich das sicher 
nicht genau genug geschaut.

Wo hat Lexi denn was von der Spannung geschrieben? Er hat von einem für 
den Fet lächerlichen Strom geschrieben, das habe ich gelesen.
Schon bei dem Strom, wenn er dann auch noch rechnerisch nachgewiesen 
wird, könnte man das sicher anders aufbauen.
Aber solange das doch funktioniert und das schon lange, wieso sollte man 
daran was ändern.
Mir sind auch schon sehr komische Schaltungen untergekommen, aber wenn 
sie so funktionieren, warum ändern?

Autor: Jens G. (jensig)
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Michael Bertrandt (laberkopp) schrieb:

>F. F., würdest du einen MOSFET, der in der Schaltung eine Spannung von
>100V schaltet, auch als angemesen betrachten, wenn im Datenblatt nur
>UDSmax von 55V steht, bloss weil das aktuelle Exemplar es scheinbar
>überlebt ?

Im DB des IRF3710 steht aber 100V, nicht 55V.
Und hier geht es nicht um eine Grenzwertüberschreitung (zumuindest nicht 
direkt), sondern um einen evtl. schlechten "Arbeitspunkt" bei einem 
schlecht ausgewählten Mosfet.

Autor: Michael B. (laberkopp)
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Jens G. schrieb:
> Im DB des IRF3710 steht aber 100V, nicht 55V.

[ ] Du hast das Beispiel verstanden.

Autor: F. F. (foldi)
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Habe es jetzt gesehen.
Oben stehen halt immer die Lügenwerte.
Trotzdem weiß ich nicht, mit welcher Spannung der Magnet arbeitet.

Autor: F. F. (foldi)
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Ebenso der "mit dem Multimeter" gemessene Strom, war das der Peak?

Autor: Εrnst B. (ernst)
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Lexi schrieb:
> Zum Thema "Datenblatt" und "gleich die richtigen Mosfets nehmen":
> Ja - stimme ich voll zu.
> Das Problem ist nur, dass hier in dem Laden jemand sitzt, der diese
> Basteleien erfunden hat und jetzt alle mächtig stolz auf ihn sind.
> Wenn ich sage "Datenblatt", dann ist die Antwort, dass man in diesem
> Bereich mit Schulwissen nicht weiterkommt und ich mich mal schön an
> Herrn XY halten soll.

Also: Such dir einen passenden LL-FET, der am besten billiger und 
kleiner (Umstieg auf SMD?) als der dicke Brummer ist.

Dann geh zu Herrn XY, und frag, was er von einer Design-Anpassung wegen 
Preis und/oder Gehäuse, keinesfalls wegen amateurhafter Bauteilwahl, 
hält.
Du hättest da schon mal einen Kandidaten rausgesucht, Datenblatt 
ausgedruckt dabei, und bist eigentlich schon wieder weg und willst nicht 
soviel seiner wertvollen Zeit stehlen.

Evtl. mehrere Vorschlags-Datenblätter mitbringen, um ihm die Illusion zu 
lassen, dass er der große Entscheider ist.

Autor: temp (Gast)
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Auch wenn der Laberkopp anderer Meinung ist. Die max. Gate Threshold 
Voltage ist mit 4V angegeben. Wenn man die Transferkurve um 0.5V nach 
Rechts verschiebt und somit den schlechtesten Fall betrachtet, ergibt 1V 
Erhöhung der Gatespannung immer noch mindestens 10A möglichen Strom. Für 
den vorgesehenen Einsatz (<1A) also immer ausreichend. Ich hätte auch 
keinerlei Bedenken die noch vorhandenen 10.000 Stück genauso wie in den 
letzten Jahren einzusetzen. Bei einem Redesign sieht das natürlich 
anders aus.

Und den Spinnern, die mit Macht ihre Meinung und "Made in China" als 
dass Maß der Dinge betrachten, sollten schon mal an den China-Wandwarzen 
lernen wie dort Isolationsabstände definiert werden. Danach bleibt 
sicher kaum Vertrauen in "Made in China" übrig.

Autor: Lektor (Gast)
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Michael B. schrieb:
> Jens G. schrieb:
>> Im DB des IRF3710 steht aber 100V, nicht 55V.
>
> [ ] Du hast das Beispiel verstanden.

Es war nur ein Beispiel (erkennbar daran, daß im selben Atemzug auch 
BC547 und BC337 genannt wurden). Und deshalb mußte die genannte Spannung 
nicht mit den Bedingungen hier übereinstimmen (ging es doch hier auch 
nicht primär um die DS-Spannung). Andere Bauteile und Bedingungen (und 
damit Zahlen) argumentativ zu verwenden, ist ja nicht verboten. Nicht 
verwirren lassen, genau lesen.

Autor: Dieter (Gast)
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Viel BlaBla steht hier.  Der MOS wird im Wiederstandsbereich betrieben. 
Da die Last nur 0.5 A benoetigt klappt dies. Wenn die Ansteuerschaltung 
bei High 5V hat aber bei Low nicht ganz auf 0 geht, eher 0.5...0.7, dann 
waere ein MOS mit niedriger Schwellspannung ohne weitere Schaltungkniffe 
im worst case ein Fehlgriff.

Autor: Manfred (Gast)
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Dieter schrieb:
> Der MOS wird im Wiederstandsbereich betrieben

Wenn sich ein FET im Wiederstandsbereich betreiben lässt, ist er kaputt.

Autor: Jens G. (jensig)
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> ... Wiederstandsbereich ...

Sowas gibt's nicht.

Autor: F. F. (foldi)
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F. F. schrieb:
> Michael B. schrieb:
>> Man baut keine Schaltung, in der 60V an einem MOSFET liegen der nach
>> Datenblatt 40V aushält,

Wo hat der TO etwas von 60V geschrieben?
Ich kann das nicht finden.


Für mich ist immer noch eines klar, die Schaltung funktioniert, das 
schon mehrere Jahre ohne Problem (wie der TO selbst zugibt), dann kann 
sie nicht so schlecht sein.

IRLML2502 deckt bei mir viel ab. Nehme ich auch, wenn ich nur ein paar 
mA schalten will.
Denke so wird das auch beim entwickeln der Schaltung gewesen sein.
So wie ich den TO verstanden habe, sind keine hunderte Stück, sondern 
nur eine einzige Schaltung damit gebaut worden.

Michael, dann zeige mir doch die Stelle mit den 60V, denn außer bei dir, 
kann ich sie nicht finden!

: Bearbeitet durch User
Autor: Michael B. (laberkopp)
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F. F. schrieb:
> Wo hat der TO etwas von 60V geschrieben?

[ ] Du hast das Beispiel verstanden.

Der Zweite übrigens.

Immerhin, es gibt auch Leute wie Lektor, die Beispiele verstehen.

: Bearbeitet durch User
Autor: Dieter (Gast)
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Widerstandsbereich, bzw. gesteuerter Widerstand. Siehe MOSFET 
Grundlagen.

Autor: Alexander S. (esko) Benutzerseite
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Manche hier hängen sich am Rechtschreibfehler "ie" im Widerstand auf.

Autor: F. F. (foldi)
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Michael B. schrieb:
> F. F. schrieb:
>> Wo hat der TO etwas von 60V geschrieben?
>
> [ ] Du hast das Beispiel verstanden.
>
> Der Zweite übrigens.
>
> Immerhin, es gibt auch Leute wie Lektor, die Beispiele verstehen.

Eigentlich gehe ich mit dir, Michael,  immer sehr freundlich um, weil du 
schon sehr qualifizierte Beiträge schreibst, aber jetzt weiß ich 
zumindest, dass du hier nicht immer zu Unrecht solch einen Gegenwind 
erfährst.
Du kannst noch 1000 Mal von einem Beispiel schreiben.
Hier geht es um eine konkrete Schaltung, für die hier ein paar Werte 
angegeben wurden.
Auch wenn du dich noch so gerne auf die Seite des TOs schlagen willst, 
ziehe dabei nicht irgendwelche Werte hinzu und sag dann, es war nur ein 
Beispiel.
Die 5V reichen um die geforderte Leistung zu schalten. Der TO misst den 
Strom mit nem Multimeter und ich gehe davon aus, dass das nicht der Peak 
war. Alles in allem wissen wir zu wenig von der Schaltungen, auch nicht 
was der TO wirklich auf dem Kasten hat. Was wir wissen, die Schaltung 
tut was sie soll und das viele Jahre störungsfrei.
Bisher hat niemand behauptet, den Fet mit 5V zu steuern wäre richtig und 
auch niemand hat, soweit ich alles richtig mitbekommen habe, gesagt, 
dass es so richtig ist. Jeder hier hat,mehr oder weniger, gesagt, dass 
es geht. Nicht mehr und nicht weniger.
Du aber konstruierst hier, ganz ohne einen Anhaltspunkt, eine Schaltung 
aus dieser Schaltung, ohne sie überhaupt zu kennen, die völlig außerhalb 
der Specs betrieben wird.
Und falls euch das noch nicht aufgefallen ist, der TO scheint längst weg 
zu sein.
Meiner Meinung nach will hier ein kleiner Pinscher dem großen Hund ins 
Bein beißen. Er ist sich mit seinem spärlichem Wissen aber so unsicher, 
dass er hier Rückendeckung sucht.

Autor: Axel S. (a-za-z0-9)
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Jens G. schrieb:
> Ansonsten geht die gesamte Diskussion schon wieder am eigentlichen Thema
> vorbei. Er wollte doch nur bestätigt wissen, daß er mit seiner Annahme
> richtig liegt, und wie er das verifizieren kann.

Das ist das Problem. Er liegt richtig, aber verfifizieren kann er das 
nicht. Zumindest nicht mit vertretbarem Aufwand. Denn es geht um 
Statistik. Das Problem ist keinesfalls damit gelöst, die Drain-Source 
Spannung an einem oder 8 oder meinetwegen auch 100 MOSFET zu messen, die 
mit spezifikationsfernen 5V "durchgeschaltet" werden. Denn selbst wenn 
man dabei kein Exemplar finden würde, daß unvertretbar viel Spannung 
verbrät, wüßte man damit immer noch nichts über die MOSFET, die man 
nicht getestet hat.

Der Hersteller andererseits hat gutes Wissen über die Streuung der 
Bauteileigenschaften und gibt eben deswegen die min- und max-Werte 
gewisser Parameter im Datenblatt an.

Man kann jetzt natürlich darauf pokern, daß der Hersteller lieber nach 
unten übertreiben wird und die Bauteile real fast immer besser sein 
werden, als das was das Datenblatt garantiert. Aber dann muß man das 
auch klar ansagen und soll sich nicht auf "Erfahrungswerte" berufen. Das 
ist mindestens unseriös.

Was man tatsächlich tun könnte, ist alle zu verbauenden MOSFET selber zu 
testen und damit genauer (enger) zu spezifizieren als es der Hersteller 
tut. Das wird in vielen Bereichen genau so gemacht, etwa wenn es um 
Paarungen von Bauteilen geht. Beim TO aber wohl nicht.


> Grundsätzlich kann man sagen, daß er bei nur 500mA idR. keine größeres
> Problem sehen wird, aber, da es kein LL-Typ ist, er damit rechnenn
> sollte (wenn auch nicht extrem wahrscheinlich), daß das eine oder andere
> Exemplar seine Spezifikation ausreizen könnte, so daß der Mosfet
> vielleicht doch nicht mehr richtig einschalten könnte - wobei dies bei
> nur 500mA mit einem 57A-Transistor kaum auffallen dürfte.

Das ist überhaupt nicht der Punkt.

Wenn wir mal annehmen, daß der "Auswerfer" ebenfalls an 5V betrieben 
wird, dann hätte die Spule einen ohmschen Widerstand von 10R. Das 
Maximum an Verlustleistung im MOSFET würde dann entstehen, wenn die D-S 
Strecke ebenfalls 10R hätte. Dann würden 250mA fließen und am MOSFET 
würden 2.5V abfallen. Macht eine Verlustleistung von 625mW. Ein TO-220 
Gehäuse wie am IRF3710 kann 625mW relativ problemlos abführen, ohne daß 
dem MOSFET zu heiß wird. Man kann also zumindest schon mal konstatieren, 
daß unter diesen Annahmen der Fehlerfall eines gebratenen MOSFET 
ausgeschlossen werden kann.

Nur reicht das halt nicht. Denn der Auswerfer soll ja was auswerfen. Und 
dazu muß man wissen, ab welchem Strom das auch zuverlässig funktioniert. 
Und hier reicht eine Betrachtung wie bei der Verlustleistung eben nicht 
mehr. Wenn am MOSFET 4V von 5V abfallen, fließen nur noch 100mA statt 
500mA. Die Verlustleistung am MOSFET ist mit 400mW geringer als im worst 
case, aber der Auswerfer wird vermutlich nicht mehr zucken. Die Funktion 
in der Anwendung ist dann nicht gegeben.

Autor: Lektor (Gast)
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F. F. schrieb:
> Meiner Meinung nach will hier ein kleiner Pinscher dem großen Hund ins
> Bein beißen. Er ist sich mit seinem spärlichem Wissen aber so unsicher,
> dass er hier Rückendeckung sucht.

Aber Du kennst Dich aus, hast wirklich den vollen Durchblick?

Es nervt ziemlich, wie leicht und daher oft anderen (sogar völlig 
unbekannten) Menschen irgendwelche unlautere Absichten unterstellt, bzw. 
in deren Absichten mindestens Anteile von Unlauterkeit 
hineininterpretiert werden.

Meine Mutter (Gott hab sie selig) pflegte in ähnlichen Fällen zu sagen:
"Du solltest nicht von Dir auf andere schließen."

Ich bitte um Verzeihung - aber mir gefällt das einfach nicht.

@Lexi ist mit seiner / ihrer Meinung im Recht, fachmännisches 
Schaltungsdesign ist das nicht. Und da es ihm / ihr scheinbar reicht, 
das Wissen darüber mit einer Nachfrage hier abgesichert zu haben, gibt 
es nichts zu "deuten".

Autor: Dieter (Gast)
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Auf dem Smartphone mit der Autoergaenzung uebersieht man leicht 
was.Woerter mit Wieder... sind haeufiger wie Wider... .

Autor: Dieter (Gast)
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Es ist auch moeglich, dass angedacht war auf 12 oder 24 V gehen zu 
koennen, falls EMV Gruende dies erfordern. Als es aber so funktionierte, 
es so beliess.
Vor vielen Jahren waren MOS mit LL nicht so einfach zu beschaffen, wie 
heutzutage.

Autor: Michael B. (laberkopp)
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F. F. schrieb:
> Und falls euch das noch nicht aufgefallen ist,
> der TO scheint längst weg zu sein.

Er hat ja bekommen, was er befürchtet hat:

Er sieht an diesem Thread deutlich,
daß er mit Wissen keine Chance gegen Dumme hat.

Du und karadur und Wolfgang und U.M., ihr seid Herr XY.
Ihr verteidigt bis auf's Blut euer Unwissen,
um bloss keine eigenen Gedankenfehler zugeben zu müssen.
Euch sind haarstäubende Verbiegungen nicht zu schade,
Hauptsache ihr habt das Wissen plattgeredet.

Logisch, es ist viel einfacher, nicht zu Wissen, als zu Lernen.
Es ist viel einfacher, zu Pfuschen, als seriös zu Entwickeln.
Da habt ihr noch viel Energie übrig, um euren Schwachsinn zu
Verteidigen und gegen jeden vorzugehen, der es bereits besser
weiss.

Fachlich ist klar, daß man bei 5V Ansteuerspannung keinen
MOSFET einsetzt, der nur für 10V Ansteuerspannung spezifiziert
ist.
Das ist genau so klar, wie [Vorsicht Beispiel:] man keinen
mit 55V UDSmax im Datenblatt spezifizierten Transistor
eine Spannung von 100V schalten lässt, selbst wenn das
aktuelle Exemplar es überlebt.

Es gibt auch keine Not, einen IRF3710 zu verwenden, es gibt
genügend LogicLevel MOSFETs. Ein IRLML0100 zu 1/3 des Preises
schaltet die 500mA problemlos, und wäre automatenbestückbar.

Vermutlich ist das im Kapitalismus der einzige Weg: Wie
Ernst B.. vorgeschlagen hat, was Billigeres anbieten,
was den Job auch tut (und das sogar mal nach Datenblatt).

Und nun, ihr Pfuscher, haut in die Tasten, noch 100 Beiträge
warum euer Pfusch das einzig Richtige ist.

Autor: Hirnschaden, H. (Firma: Happy Computing MDK Inc.) (hirnschaden)
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Ainen gudden!

Lexi schrieb:
> wenn man meinem bisherigen Verständnis glauben schenken darf - eben
> nicht voll durch.

Nach Fig.1 im Datenblatt wird der MOSFET mit einer Ugs von 5V ab einer 
Uds von 3V zur Stromquelle. Er hat an diesem Punkt einen Rds von 0,03 
Ohm.

Wahrscheinlich hat dein Kollege sich für eure Anwendungen einen 
Universaltyp ausgeguckt.

Dwianea
hirnschaden

Autor: Mr MOSFET (Gast)
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Die Threshold-Spannung (und damit das Risiko) steigt bei niedrigerer 
Temperatur. Wie niedrig ist dei Ambient-Temp. im worst case?

Autor: F. F. (foldi)
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Michael, wenn du mich meinst, dann sag das klar.
[Vosicht, richtig lesen] Ich habe nichts dazu gesagt, dass das Konzept 
richtig ist!!!
Es ist Murks, aber der Murks funktioniert schon lange und deshalb 
braucht man es nicht zu ändern.
Das war im Kern meine Aussage.
Es handelt sich immer noch um nur eine Schaltung.
Ein Einzelexemplar
So wie "Lektor" drauf angesprungen ist und "Lexi" doch sehr ähnlich 
klingt, könnte das der TO im Tarnmantel sein. Aber das ist natürlich 
völlig unmöglich, weil das doch gegen die Forenregeln verstieße.
Michael, weiß zwar nicht was du nimmst, aber nimm weniger.

Autor: F. F. (foldi)
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Selbst wenn der Kasten mit der Schaltung leer wäre, würde man ihn 
öffnen, so würde ich es erst bei einer Störung feststellen.
Solange etwas über Jahre gut funktioniert und ich die Funktion nicht 
verbessern wollte, würde ich mir keine Gedanken über diese Schaltung 
machen.
Wer ist denn schlimmer, der TO oder Herr XY?
Für mich eindeutig der TO.
Er sucht nach dem kleinsten Haar in der Suppe, weil er Herrn XY nicht 
leiden kann und es ihn wurmt, dass ein langjähriger Mitarbeiter so ein 
hohes Ansehen genießt, obwohl er in seinen Augen ein Stümper ist.

Ob er das tatsächlich ist, wissen wir nicht.
Schon die Suche nach einem Fehler, den Herr XY gemacht hat (immerhin ein 
Fehler mit Funktion und ohne Ausfälle), finde ich ehrlich gesagt (es ist 
meine persönliche Meinung) viel schlimmer als den falschen Fet zu 
benutzen.

Autor: F. F. (foldi)
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Michael, hast du nie ein anderes Bauteil genommen, vielleicht sogar ohne 
zu rechnen, weil es schnell gehen musste und dir aber klar war, dass das 
so klappen wird?

Autor: Michael B. (laberkopp)
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F. F. schrieb:
> Es handelt sich immer noch um nur eine Schaltung.
> Ein Einzelexemplar

Nein, lies den Originalartikel richtig (ich weiss, das ist heute nicht 
mehr in Mode, plappern ist angesagt), man möchte davon nun mehr bauen.

Lexi schrieb:
> gerne erweitern und neue Platinen dafür bauen


Weiter so foldi, 3 hast du schon, es fehlen nur noch 97 Ausreden für den 
Pfusch.

Autor: F. F. (foldi)
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Hast recht, das hatte ich so nicht mehr im Kopf.
Dann ist doch alles klar und einfach.
Der TO baut das neu und vernünftig auf und kann dann gleich den Murks 
mit beseitigen.
Problem gelöst.

Autor: Falk B. (falk)
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@Lexi (Gast)

>In einer Schaltung, die schon seit Jahren im Einsatz ist, werden 8
>IRF3710 Mosfets direkt an einem Schieberegister mit 5V geschaltet.

Hmm, ein 23mOhm MOSFET, der 57A schalten kann.

>Über die Mosfets werden kleine Auswerfer ausgelöst, die Bauteile vom
>Band schubsen. Eine Schutzdiode (da Elektromagnet) ist jeweils
>vorhanden.

>> Wieviel Strom fließt denn durch deine kleinen Auswerfer?
>Nicht viel... wenn ich den Strom mit einem Multimeter messe, dann sind
>es knapp unter 500mA. Beim Ein- und Ausschalten evtl. etwas mehr, weil
>die Stößel ja mittels elektromagnet bewegt werden.

Dafür braucht man nicht mal diskrete MOSFETs, ein ULN2803 reicht hier 
locker, zumal die Elektromagneten mit nur sehr kleinem Tastverhältnis 
angesteuert werden.

>Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets,
>weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B.

Eben.

>Aber wie gesagt, schalten sie auch schon bei 5V. Nur - wenn man meinem
>bisherigen Verständnis glauben schenken darf - eben nicht voll durch.

Ist halt eine gute Portion Glück dabei.

https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage

>Die Frage wäre nun, wie man hier den Verlust messen kann.

Wozu? Das ist albern.

>Es geht mir darum, einen Versuchsaufbau zu machen, der beweist, dass
>diese Mosfets ~eigentlich~ nicht geeignet sind... oder man einen anderen
>Treiber bräuchte.

Ist genauso unmöglich wie die Leute, die ohne Helm Moped fahren und nix 
passiert. Im Einzelfall geht sowas immer gut. Nur wenn die Statistik und 
der Extremfall relevant werden, sieht es anders aus.

>Wie könnte man hier den Beweis erbringen?

Laß den Schwachsinn und bau Logic Level MOSFETs ein und fertig.
Denn die schalten bei 5V GARANTIERT das, was im Datenblatt steht. Und da 
der Deutsche immer so papiergeil ist, sollte das mehr Überzeugungskraft 
haben als ein Experiment, das sowieso nur begrenzte Statistik enthält.

Autor: Lexi (Gast)
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Hallo Leute,

danke für eure vielen Beiträge.
Um den Ball mal ein bisschen ausrollen zu lassen:

Ich habe eine neue Schaltung vorgestellt (ohne mit dem Finger auf 
irgendwen zu zeigen oder gar meine Meinung zu der alten zu sagen).

Herr XY hat den Schaltplan genommen, ist damit zum Abteilungsleiter und 
hat ihm klar gemacht, dass ich der Falsche für den Job bin, weil ich 
sein Beharren auf die IRF3710 ignoriert habe und er es nicht einsieht, 
dass sein Wissen und seine Erfahrung hier von den Studenten in Frage 
gestellt wird.

Er "nimmt das jetzt selber in die Hand".

Und nochmal ganz generell. Es ging nie darum, irgendwem ans Bein zu 
pinklen oder irgendwem Fehler nachzuweisen.
Es ging lediglich darum, bereits gemachte Fehler nicht weiter 
fortzuführen.
Es ging auch darum, die Meinung/Aussage des Kollegen nicht zwangsläufig 
als Anhang 5a der Bibel zu anzusehen.

Ich weiß, ich bin hier der Lehrling. Trotzdem darf ich hinterfragen oder 
in Frage stellen. Meinetwegen ganz für mich allein, wobei ich eine 
Diskussion mit Wissensaustausch und sachlichen Argumenten bevorzugen 
würde.

Wie auch immer - es bleibt dabei, wie es sich einige hier im Thread 
ebenso wünschen.
Es hat immer funktioniert, also machen wir es weiterhin falsch.

Trotzdem Danke an alle für die Diskussion um Vgs und Vgs(th), deren 
möglichen Auswirkungen und die Vorschläge zu alternativen Fets.

Genießt die Sonne,

Lex

PS: Nein, ich bin nicht Lektor...

Autor: Lexi (Gast)
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Falk B. schrieb:
>>Wie könnte man hier den Beweis erbringen?
>
> Laß den Schwachsinn und bau Logic Level MOSFETs ein und fertig.

Ja - genau darum ging es ja. Ich hätte gerne, aber das Wissen meiner 
Vorgesetzten ist einfach zu groß, als das ich mit fachlich richtigen 
Hinweisen da irgendwie weiter käme. ;)

Autor: F. F. (foldi)
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Schön dass du das noch einmal richtig erklärt hast.
Dann ist das alles ganz anders zu sehen.
Schnell weg da!

Autor: Falk B. (falk)
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@Lexi (Gast)

>Herr XY hat den Schaltplan genommen, ist damit zum Abteilungsleiter und
>hat ihm klar gemacht, dass ich der Falsche für den Job bin, weil ich
>sein Beharren auf die IRF3710 ignoriert habe und er es nicht einsieht,
>dass sein Wissen und seine Erfahrung hier von den Studenten in Frage
>gestellt wird.

Hehe ;-)

>Er "nimmt das jetzt selber in die Hand".

Jaja, die beleidigte Leberwurst. Willkommen in der Realität. Ich hoffe 
du lernst die Lektion. Es geht hier nicht wirklich um Technik sondern 
Psychologie + eine Prise Politik. Dort laufen die Dinge GANZ anders. Die 
Logik und "Wahrheit" darfst, nein MUSST, du dabei komplett vergessen.

>Es ging lediglich darum, bereits gemachte Fehler nicht weiter
>fortzuführen.

Eigentlich eine löbliche Einstellung und bei Leuten mit Charakter und 
der Fähigkeit zur Selbstreflektion kein Problem.

>Es ging auch darum, die Meinung/Aussage des Kollegen nicht zwangsläufig
>als Anhang 5a der Bibel zu anzusehen.

Meinungen gibt es wie Sand am Meer. Jeder Depp hat zu jedem sinnlosen 
Thema eine. Was in der Technik zählt sind belastbare Argumente. Aber 
siehe oben . . .

>Ich weiß, ich bin hier der Lehrling. Trotzdem darf ich hinterfragen oder
>in Frage stellen.

Richtig. Es ist sogar dein Pflicht! Denn das hirnlose Nachbeten 
"endgültiger Wahrheiten" ist, naja, hirnlos. Das überlassen wir dann 
doch lieber der Religion des Friedens . . .

>Es hat immer funktioniert, also machen wir es weiterhin falsch.

Auch das ist eine Erkenntnis. Gab mal nen schönen Satz in "Matrix 
reloaded"

"Nobody cares how it works as long as it works."

Bei den Hobbytauchern gab es auch mal so zwei Zitate.

"What works, works" Shek Exley
"Compliancy kills" Richard Pyle

https://en.wikipedia.org/wiki/Sheck_Exley
https://en.wikipedia.org/wiki/Richard_Pyle

Ich bin ja auch ein recht großer Pragmatiker, aber ein WENIG Theorie 
sollte man dann und wann schon beachten, auch wenn es im Einzelfall 
scheinbar auch ohne funktioniert!

Autor: karadur (Gast)
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Ein Abteilungsleiter wird keine Neuentwicklung ( kostet Geld und Zeit ) 
erlauben wenn es eine existierende, funktionierende Lösung ( egal wie 
gut oder schlecht ) gibt.

Autor: Falk B. (falk)
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@ karadur (Gast)

>Ein Abteilungsleiter wird keine Neuentwicklung ( kostet Geld und Zeit )
>erlauben wenn es eine existierende, funktionierende Lösung ( egal wie
>gut oder schlecht ) gibt.

Sicher, das wäre auch Unsinn. Aber wenn man einen Fehler drin findet, 
den man durch Wechseln von Komponenten leicht beheben kann bzw. die 
Funktionssicherheit erhöht, sollte man das tun.

Autor: Hirnschaden, H. (Firma: Happy Computing MDK Inc.) (hirnschaden)
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Ainen gudden!

Lexi schrieb:
> Ja - genau darum ging es ja. Ich hätte gerne, aber das Wissen meiner
> Vorgesetzten ist einfach zu groß, als das ich mit fachlich richtigen
> Hinweisen da irgendwie weiter käme. ;)

Genau...

Lexi schrieb:
> Trotzdem Danke an alle für die Diskussion um Vgs und Vgs(th), deren
> möglichen Auswirkungen und die Vorschläge zu alternativen Fets.

..nach Fig.3 ändert sich Id bei einem Ugs von 5 Volt und einer Tj 
zwischen 25 und 175 Grad von 45 auf 55 Ampere.

Dwianea
hirnschaden

Autor: karadur (Gast)
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@ Falk

Aber wenn man einen Fehler drin findet,
den man durch Wechseln von Komponenten leicht beheben kann bzw. die
Funktionssicherheit erhöht, sollte man das tun.


Dem wird hier auch keiner widersprechen.

Autor: Dieter (Gast)
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Es koennen aber ganz einfache Gruende dem entgegen gestanden haben, die 
zunaechst nicht akzeptabel erscheinen.
Wenn zur Reparatur die MOS immer im Vorrat gehalten werden sollen, wird 
man bestrebt sein statt 2+ verschiedene MOS zu verbauen, nur auf einen 
Typ zu beschraenken und in Kauf zu nehmen, dass es fuer viele andere 
Schaltungen eigentlich bessere MOS gaebe.

Nach Murphy faellt so ein Teil nur aus zu Umstaenden und Zeitfenstern, 
man dieses gerade nicht sofort wieder bewchaffbar ist.

Und daraus laesst sich bereits guter Stil ableiten. Man schlaegt LL MOS 
vor und schraenkt dies gleich ein, nur wenn Herr X und ich einen 
aehnlich universellen langzeitversorgbaren LL Typen finden wuerden, 
ansosten bleibt es beim Design.

Autor: Michael B. (laberkopp)
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karadur schrieb:
> Aber wenn man einen Fehler drin findet,
> den man durch Wechseln von Komponenten leicht beheben kann bzw. die
> Funktionssicherheit erhöht, sollte man das tun.
>
> Dem wird hier auch keiner widersprechen.

Doch, du selbst:

karadur schrieb:
> @laberkopp: Die Frage war ob eine Ansteuerung mit 5V aus dem
> Schieberegister ein Problem ist. Offensichtlich ja nicht.

Aber was interessiert dich dein Geschwätz von gestern...

Autor: karadur (Gast)
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Das LL besser wäre habe ich nicht bestritten.

Autor: Hirnschaden, H. (Firma: Happy Computing MDK Inc.) (hirnschaden)
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Ainen gudden!

Manfred schrieb:
> Du willst also dem älteren Kollegen ans Knie pissen, keine feine Art.

Daß Jungspunde alles besser wissen ist völlig normal. Sie haben eben nur 
ihr Schulwissen und konnten noch keine Erfahrungen sammeln um 
Zusammenhänge die im Studium nicht vermittelt wurden oder nicht 
vermittelt werden können zu begreifen.

Das hat allerdings den Vorteil daß man auch als alter Sack mal wieder 
über den Tellerrand schauen muß. 🐴

Dwianea
hirnschaden

Autor: michael_ (Gast)
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karadur schrieb:
> @ Falk
>
> Aber wenn man einen Fehler drin findet,
> den man durch Wechseln von Komponenten leicht beheben kann bzw. die
> Funktionssicherheit erhöht, sollte man das tun.
>
> Dem wird hier auch keiner widersprechen.

Doch, ich!
Wieso Fehler?

Der schlaue Entwickler Lehrling hat ja noch nicht mal alle 
Randbedingungen genannt.
Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin.

Und welche Bausteine sind das "Schieberegister".

Bei Maschinen ist die Spannung 24V.
Lexi, dann nenn erst mal deinen vorgeschlagenen Typ!

100V LL-FET, da wird es recht einsam.
Und einen für 45V würde ich da niemals einbauen.

Und ein LL macht Null, Null.. Sinn.
Es ist egal, ob da 0,05V oder 0,5V DS abfallen.

Früher hat so eine Schaltung mit einem Darlington funktioniert.
Wie war da doch gleich die CE-Spannung?

Lexi schrieb:
> Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets,
> weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B.

Wie kommst du für so eine Anwendung drauf? Das sind doch keine BUZ... 
mehr.

Ich würde auch so einen IRF nehmen, bzw. habe ihn in solchen Schaltungen 
genommen, wo es die LL kaum außerhalb von Datenblättern gab.
Und oh Wunder, es hat und tut noch funktionieren.

Dieter schrieb:
> Wenn zur Reparatur die MOS immer im Vorrat gehalten werden sollen, wird
> man bestrebt sein statt 2+ verschiedene MOS zu verbauen, nur auf einen
> Typ zu beschraenken und in Kauf zu nehmen, dass es fuer viele andere
> Schaltungen eigentlich bessere MOS gaebe.

Richtig.
Er ist robust und kann auch abseits in der Pampa vom Elektriker 
gewechselt werden. Die Vorratshaltung vereinfacht sich.

Autor: Falk B. (falk)
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@michael_ (Gast)

>> Dem wird hier auch keiner widersprechen.

>Doch, ich!
>Wieso Fehler?

>Der schlaue Entwickler Lehrling hat ja noch nicht mal alle
>Randbedingungen genannt.

Die du genausowenig kennst wie der Rest der Leute hier.

>Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin.

Das weißt du schlicht nicht. Fehl- und Überdimensionierungen gibt es 
nicht nur in diesem Forum, auch in der Industrie. Da redet nur keiner 
drüber 8-0

>Und welche Bausteine sind das "Schieberegister".

>Bei Maschinen ist die Spannung 24V.

Jaja, Logikgatter mit 24V. Dream on. Selbst die ollen 4000er laufen 
bestenfalls mit 18V, real eher mit 10-15V.

>100V LL-FET, da wird es recht einsam.

Wollen wir wetten, daß die 100V nicht mal ansatzweise gebraucht werden? 
Der OP schrieb was von E-Magneten mit ca. 0,5A. Ich tippe mal auf 24V.
Der Originale MOSFET hat 23mOhm bei 57A Schaltvermögen. Sehr sinnvolle 
Wahl. Man fährt ja auch mit dem T34 zum Brötchen holen . . .

>Und ein LL macht Null, Null.. Sinn.

Null, Null.. Sinn macht vor allem den Gefasel und deine Spekulation.

>> Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets,
>> weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B.

>Wie kommst du für so eine Anwendung drauf? Das sind doch keine BUZ...
>mehr.

Weil die meisten normalen MOSFETs mit 10-12V U_GS spezifiziert betrieben 
werden.

>Er ist robust und kann auch abseits in der Pampa vom Elektriker
>gewechselt werden. Die Vorratshaltung vereinfacht sich.

Wer sagt denn, daß die Platine in großen Stückzahlen weltweit im Einsatz 
ist? Vielleicht ist es eine einmalige Platine, die nur in einer einzigen 
Maschine vor Ort sitzt?

Aber Hauptsache geschwätzt . . .

Autor: Jack (Gast)
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Ich verstehe das Kindergarten-Geschrei nicht. Logic-Level ist eine 
Marketing-Phrase. Es gibt eine semi-technische Definition von LL, die 
quantitativ nichts taugt: V_GS(th) muss niedrig genug sein, damit der 
MOSFET direkt mit einem Logiksignal angesteuert werden kann.

ANgesteuert, nicht notwendigerweise DURCHgesteuert. Wie weit 
angesteuert? Nicht definiert. Bei welchem Logiksignal? Nirgendwo 
allgemein anerkannt definiert.

Beim IRF3710 hatte die zuständige Marketing-Abteilung keine Lust oder 
keinen Bedarf Logic-Level drauf zu schreiben (obwohl es an einer Stelle 
im DB angedeutet wird).

Der IRF3710 wäre sicher nicht der beste LL MOSFET auf dem Markt, aber 
das ist nur eine Frage wie dreist das Marketing sein möchte. Wenn das 
Marketing kalte Füße bekommt, dann kommt so etwas raus wie beim 
PHP28NQ15T von  NXP/Nexperia. Da hatte des Marketing nur den Mut ihn als 
"Standard Level MOSFET" zu bezeichnen. Eine genauso sinnlose Bezeichnung 
wie "Logic Level".

Wer eine Schaltung danach beurteilt, ob die verwendeten Bauteile mit 
einer Marketing-Phrase wie "Logic Level" oder "Standard Level" beworben 
werden der weiß nicht, was er tut, denn die Phrasen garantieren gar 
nichts.

Autor: Lexi (Gast)
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michael_ schrieb:
> Doch, ich!
> Wieso Fehler?
>
> Der schlaue Entwickler Lehrling hat ja noch nicht mal alle
> Randbedingungen genannt.
> Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin.

Ahoi,

ich schlage vor, wir nehmen jetzt mal ein bisschen den Fuß vom Gas. 
Schließlich sind wir doch schon längst auf dem Parkplatz angekommen.

Meine Ausgangsfrage drehte sich ja garnicht darum, einen geeigneteren 
FET zu identifizieren, sondern nur darum herauszufinden, dass der 
jetzige FET nicht das A&O ist, weil er meiner Meinung nach unzureichend 
geschaltet wird.
Wie und ob man das messen kann, wurde bereits geklärt.
Bis dahin war die Frage nach den Strömen und Spannungen ja noch nichtmal 
relevant - die kam erst im Laufe der Zeit dazu, als Vorschläge für 
andere Mosfets gemacht wurden bzw. die IRF3710 plötzlich verteidigt 
wurden.

Aber ich bin gern bereit, diese Randparameter noch zu nennen, damit alle 
ihren Frieden finden... Falk hat schon ziemlich richtig getippt ;)

a) Es geht um eine Platine, die intern in der Firma verwendet wird. Kein 
Verkaufsprodukt. Derzeit haben wir ca. 20 Stück davon verbaut.
Die Anforderung ist:
 - Es sollen nicht nur Hebel zum Auswerfen geschaltet werden, sondern 
auch Magnetventile für Druckluft zum wegpusten.
 - Es sollen 10 weitere Bänder mit dem Trennsystem ausgestattet werden 
(eine Platine pro Band)

b) In der gesamten Anlage wird mit 24V gearbeitet. Diese Spannung können 
wir so ziemlich überall abgreifen. Zum Beispiel für die Magnet-Auswerfer 
oder auch bald die Magnetventile.

c) Teile vorhalten / Kosten sparen. Guter Gedanke, aber darum geht es 
hier nicht. Das Argument ansich ist vielleicht nicht von der Hand zu 
weisen, aber im Vergleich zum 3710 kosten andere Mosfets nun auch nicht 
die Welt.
Und wir sind hier eine kleine, interne Bastelbude mit einem Fundus der 
bis in eine Zeit zurückreicht, als man zum Licht einschalten noch 
Schutzhandschuhe brauchte. ;)
Ich hoffe sehr, dass die mir nie den Auftrag geben, die Werkstatt 
aufzuräumen. Das könnte mit einer Kündigung enden...


Also, schließen wir die Akte.
Es bleibt eh beim alten Zeug, geändert wird nix, Vorschläge waren nicht 
gewünscht.
Im Nachhinein ist es mir ganz recht so. Unter den gegebenen Bedingungen 
weiß ich ganz genau, was passieren wird, wenn mal EINMAL ein Teil in der 
falschen Kiste landet. In der Vergangenheit war die Erklärung immer, 
dass die Hochgeschwindigkeitskamera angeblich nichts erkannt hat.
Hätte ich die Schaltung nun gebaut, dann wäre AUF JEDEN FALL die 
Schaltung des Azubis schuld. :)))

Also was solls. In spätestens einer Stunde mache ich mir mein Bier auf 
und wende Rinderhüfte auf dem Grill. Insofern ein erfolgreicher Tag ;)

Lg, Alex

Autor: Jens G. (jensig)
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>Ich verstehe das Kindergarten-Geschrei nicht. Logic-Level ist eine
>Marketing-Phrase. Es gibt eine semi-technische Definition von LL, die
>quantitativ nichts taugt: V_GS(th) muss niedrig genug sein, damit der
>MOSFET direkt mit einem Logiksignal angesteuert werden kann.

Nein. Es sollte mindestens ein max Rds_on bei einem/mehreren bestimmten 
"Logic Level" im DB spezifiziert worden sein, was wohl hoffentlich auch 
so ist, wenn da von LogigLevel die Rede ist.

>ANgesteuert, nicht notwendigerweise DURCHgesteuert. Wie weit
>angesteuert? Nicht definiert. Bei welchem Logiksignal? Nirgendwo
>allgemein anerkannt definiert.

Doch, im DB.

>Beim IRF3710 hatte die zuständige Marketing-Abteilung keine Lust oder
>keinen Bedarf Logic-Level drauf zu schreiben (obwohl es an einer Stelle
>im DB angedeutet wird).

Wo wird denn da sowas angedeutet? Ich finde da das Wörtchen "Level" oder 
"Logic" überhaupt nicht in Bezug auf Ugs.

>Der IRF3710 wäre sicher nicht der beste LL MOSFET auf dem Markt, aber
>das ist nur eine Frage wie dreist das Marketing sein möchte. Wenn das

Der IRF3710 ist nun mal kein LL-Typ, da er zwar typ. bei 5V schon 
ziemlich niederohmig durchschaltet, aber eben nicht garantiert.

>Marketing kalte Füße bekommt, dann kommt so etwas raus wie beim
>PHP28NQ15T von  NXP/Nexperia. Da hatte des Marketing nur den Mut ihn als
>"Standard Level MOSFET" zu bezeichnen. Eine genauso sinnlose Bezeichnung
>wie "Logic Level".

"Standard Level" zu erwähnen ist zwar in der Tat total sinnlos, aber 
egal ob Mut oder nicht, es ist von den Daten her einfach kein LL. Da muß 
das Marketing keinen Mut haben, da der Fall bei diesem Typen klar ist.

>Wer eine Schaltung danach beurteilt, ob die verwendeten Bauteile mit
>einer Marketing-Phrase wie "Logic Level" oder "Standard Level" beworben
>werden der weiß nicht, was er tut, denn die Phrasen garantieren gar
>nichts.

Sagt ja auch gar keiner. Man schaut sich eben die Daten an, um das zu 
beurteilen. Aber wenn LL oder gar LLL drauf steht, dann stimmt das dann 
schon idR.

Aber Du wolltest Dich ja hier nur mal bißchen auslassen ...

: Bearbeitet durch User
Autor: Michael B. (laberkopp)
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michael_ schrieb:
> Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin.
> 100V LL-FET, da wird es recht einsam.

Es wurde schon ein passender genannt, du warst wohl zu faul zu lesen.

Jack schrieb:
> Der IRF3710 wäre sicher nicht der beste LL MOSFET auf dem Markt

Er ist gar kein LL MOSFET. Das hat auch nichts mit Marketing zu tun. Er 
wird vor Auslieferung schlicht und einfach nicht bei einer LL Spannung 
(meist 4.5V) getestet, also ist nicht garantiert wie er sich dabei 
verhält. Erwartbar ist er im linearen Bereich.

: Bearbeitet durch User
Autor: Falk B. (falk)
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@Jack (Gast)

>Ich verstehe das Kindergarten-Geschrei nicht. Logic-Level ist eine
>Marketing-Phrase.

Hier ausnahmsweise mal nicht.

>quantitativ nichts taugt: V_GS(th) muss niedrig genug sein, damit der
>MOSFET direkt mit einem Logiksignal angesteuert werden kann.

>ANgesteuert, nicht notwendigerweise DURCHgesteuert.

Doch, DURCHgesteuert!

> Wie weit
>angesteuert? Nicht definiert. Bei welchem Logiksignal? Nirgendwo
>allgemein anerkannt definiert.

Doch, im Datenblatt des MOSFETs. Und die Werte werden auch bei JEDEM 
Exemplar automatisch gemessen und sind damit garantiert.

Autor: Falk B. (falk)
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@ Jens G. (jensig)

>Der IRF3710 ist nun mal kein LL-Typ,

Doch, wenn man 4000er Logik mit 15V betreibt ;-)

Autor: schlucki (Gast)
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Falk B. schrieb:
> Jaja, Logikgatter mit 24V. Dream on. Selbst die ollen 4000er laufen
> bestenfalls mit 18V, real eher mit 10-15V.

Eins ist mal klar: Nur weil DU keine 24V Logikgatter kennst, bedeutet 
das noch lange nicht, daß es solche nicht gibt!
Außerdem ging es nicht um die davor liegende Logik, bei 24V am Gate 
machen auch den meisten Nicht-LL Fets dicke Backen.

Autor: Axel S. (a-za-z0-9)
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Jack schrieb:
> Ich verstehe das Kindergarten-Geschrei nicht. Logic-Level ist eine
> Marketing-Phrase. Es gibt eine semi-technische Definition von LL, die
> quantitativ nichts taugt: V_GS(th) muss niedrig genug sein, damit der
> MOSFET direkt mit einem Logiksignal angesteuert werden kann.

Das stimmt nicht so ganz. Es gibt zwar keine allgemein verbindliche 
Definition, was "logic level" genau bedeutet. Praktisch läuft es darauf 
hinaus, daß R_ds_on bei einer U_gs von deutlich unter 10V spezifiziert 
ist. Typisch bei 4.5V, was 5V Nennspannung abzüglich ein bißchen 
Toleranz entspricht. Einige noch neuere MOSFET sind sogar für den 
Betrieb an 3.3V Logik, dann typisch für U_gs=2.7V spezifiziert.

Und diese Spezifikation ist absolut verläßlich und weit mehr als 
Marketinggeschrei.

Autor: Dieter (Gast)
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Viei Wind um nichts. TO bekam einen Weg aufgezeigt, wie er das Thema 
ansprechen kann und einen Kollegen mitnehmen kann.

Den richtigen Abstand hat er, wenn er sagt, er grillt jetzt lieber, und 
es ist nicht so wichtig, dass es als non plus ultra angenommen wird. Und 
wenn er dann auch noch die ko-Kriterien seines Vorschlages offen mit auf 
den Tisch legt, dann gibt es fuer beide Seiten keinen Gesichtsverlust 
und ein erfahrener Kollege erkennt, dass mitgedacht wird. Ee soll aber 
nicht die Entwicklung dahin gehen, dass man sich aufgibt und nicht mehr 
einbringt.

Autor: c-hater (Gast)
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Lexi schrieb:

> Eigentlich handelt es sich bei den IRF3710 ja nicht um LL Mosfets,
> weshalb sie eine höhere Gatespannung benötigen... 8-12V, z.B.
>
> Aber wie gesagt, schalten sie auch schon bei 5V. Nur - wenn man meinem
> bisherigen Verständnis glauben schenken darf - eben nicht voll durch.

Das ist sicher so. Übrigens schaltet absolut kein MOSFET "voll durch", 
jedenfalls nicht bis zu dem Moment, ab dem er dauerhaft unbrauchbar 
ist...

Die Sache ist einfach die, inwieweit es in der Schaltung stört, dass er 
nicht "voll durchschaltet". Solange die Funktion der Schaltung trotzdem 
sicher gewährleistet ist,  ist eigentlich schonmal alles gut. Man könnte 
dann maximal eine gewisse Ineffizienz in der Energiebilanz bemeckern. Ob 
und wie sehr das stört, hängt von der Anwendung ab.
Mehr noch: Möglicherweise ist es auch gerade die parasitäre Funktion als 
nicht mehr unerheblicher "Vorwiderstand", die die Anwendung überhaupt 
erst wie gewünscht funktionieren läßt...

Du musst noch sehr viel lernen...

Autor: xttx (Gast)
Datum:

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@Lexi:

Such dir einen anderen Job. Nicht wegen den falschen Fets, sondern wegen 
dem allgemeinen Umgang mit deinem Kollegen. Es gibt verdammt viele 
verdammt gute ältere Ingenieure, von denen man verdammt viel lernen 
kann, und das ganz ohne "haben wir schon immer so gemacht" oder 
irgendwelches Alters-Respektsgehudel, sondern in Diskussionen auf 
Augenhöhe.

Man sieht die verfügbare Bandbreite sehr gut an den bisherigen Antworten 
hier...

Autor: Manfred (Gast)
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Hirnschaden, H. schrieb:
> Manfred schrieb:
>> Du willst also dem älteren Kollegen ans Knie pissen, keine feine Art.
> Daß Jungspunde alles besser wissen ist völlig normal. ...

In der Realität lässt man ein paar Erfahrene in der Gruppe, sonst kommt 
niemals ein Ergebnis hinten raus.

> Das hat allerdings den Vorteil daß man auch als alter Sack mal wieder
> über den Tellerrand schauen muß. 🐴

Vollkommen richtig. Mich haben Lehrlinge dazu gezwungen, mich mit der 
Theorie von Schaltungen zu befassen, "die ich schon immer so gemacht 
habe".

Autor: U. M. (oeletronika)
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> Michael B. schrieb:
Außer sinnlos Leute mit Rundumschlag zu beleidigen, kommt da wohl nix 
gescheites mehr.
> Wenn die Grenze, unter der der MOSFET zuverlässig sperrt weil er nur
> noch weniger als 250uA durchlässt
> VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250μA
> eine Schwankungsbreite von 2 bis 4 hat, also 1:2, dann wird die Spannung
> bei der die 4V Kurve im 'typischen' Diagramm ist, auch um 1:2 schwanken
> können, von 0.707*4 bis 2*0.707*4, also real erreicht bei einer
> Gate-Spannung von 2.8 bis 5.6V.
Sehr merkwürdige Betrachtung. Da wird eben mal einfach so ein Faktor 
eingeführt, obwohl doch die Parameter ganz klar im Datenblatt stehen.
Das zum Thema "Trottel die keine Datenblätter lesen können"!
Und das war ja nicht die einzige Fehleistung in der ganzen Diskussion.

Z.B. ist die Behauptung blanker Unsinn, dass der FET nach Datenblatt 
zwingend mit 10V anzusteuern ist. Wo bitte steht das konkret.
Es gibt ein paar Parameter, die für ein U_GS =10V angegeben sind.
Aber wozu sind dann deiner Meinung nach die Kennlinien mit U_gs von 
3,5...16V im Datenblatt auf S.3 in 3 Kennlinienfeldern?

> Vor allem sagt UGS(th), daß einige IRF3710 MOSFETs bei 4V eventuell nur
> noch 250uA durchlassen, und eben NICHT 12A wie im 'typischen' Diagramm
> gezeigt.
Und es geht immer noch nur um 500mA und die Gatespannung wird über 4,5V 
liegen. Aber solchen Sachverhalt wird eine so unfehlbare Person, die 
Chinaqualität pauschal für anstebenswert hält und Datenblätter nach 
gusto interpretiert, natürlich für höchst dramatisch halten.

Mehr ist dazu nicht mehr zu sagen!
..... plonk

: Bearbeitet durch User
Autor: michael_ (Gast)
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Falk B. schrieb:
>>Der schlaue Entwickler Lehrling hat ja noch nicht mal alle
>>Randbedingungen genannt.
>
> Die du genausowenig kennst wie der Rest der Leute hier.

Ich will es aber wissen!

Falk B. schrieb:
>>Bei Maschinen ist die Spannung 24V.
>
> Jaja, Logikgatter mit 24V. Dream on. Selbst die ollen 4000er laufen
> bestenfalls mit 18V, real eher mit 10-15V.

Den Unterschied zwischen Rohspannung und der Elektronikspannung kennst 
du aber?

Falk B. schrieb:
>>100V LL-FET, da wird es recht einsam.
>
> Wollen wir wetten, daß die 100V nicht mal ansatzweise gebraucht werden?
> Der OP schrieb was von E-Magneten mit ca. 0,5A. Ich tippe mal auf 24V.

Eben, bei 24V nimmt man mindestens 100V Typen.
Gehts noch?
Bisher habe ich Achtung vor deinem Wissen und Kenntnissen gehabt.
Leider nun nicht mehr!

Falk B. schrieb:
>>Bei Maschinen ist die Spannung 24V.
>
> Jaja, Logikgatter mit 24V. Dream on. Selbst die ollen 4000er laufen
> bestenfalls mit 18V, real eher mit 10-15V.

Falk B. schrieb:
> Wollen wir wetten, daß die 100V nicht mal ansatzweise gebraucht werden?
> Der OP schrieb was von E-Magneten mit ca. 0,5A. Ich tippe mal auf 24V.
> Der Originale MOSFET hat 23mOhm bei 57A Schaltvermögen. Sehr sinnvolle
> Wahl. Man fährt ja auch mit dem T34 zum Brötchen holen . . .
>
>>Und ein LL macht Null, Null.. Sinn.
>
> Null, Null.. Sinn macht vor allem den Gefasel und deine Spekulation.

Siehe auch hier!

Lexi schrieb:
> michael_ schrieb:
>> Doch, ich!
>> Wieso Fehler?
>>
>> Der schlaue Entwickler Lehrling hat ja noch nicht mal alle
>> Randbedingungen genannt.
>> Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin.
>
> Ahoi,
>
> ich schlage vor, wir nehmen jetzt mal ein bisschen den Fuß vom Gas.
> Schließlich sind wir doch schon längst auf dem Parkplatz angekommen.

Nein!
Du bist Lehrling und hast gar keine Nummer!
Wenn du mal Ausbider, Konstrukteur, Meister ... bist, kannst du 
mitbestimmen.
Es gibt eben Sachen, wo du noch nicht genug Kenntnis hast.
Irgend ein Marketinggeschrei von LL reicht da nicht.

Michael B. schrieb:
> michael_ schrieb:
>> Der 100V-FET ist da sicher nicht umsonst drin.
>> 100V LL-FET, da wird es recht einsam.
>
> Es wurde schon ein passender genannt, du warst wohl zu faul zu lesen.

Klar bin ich faul.
Aber nenn mir doch die Stelle und den Typ und den Preis!

Lexi schrieb:
> Also was solls. In spätestens einer Stunde mache ich mir mein Bier auf
> und wende Rinderhüfte auf dem Grill. Insofern ein erfolgreicher Tag ;)
>
> Lg, Alex

Besserwissender Troll.
Sicher hast du keine Zukunft in dieser Firma.

Autor: Falk B. (falk)
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@U. M. (oeletronika)

>Z.B. ist die Behauptung blanker Unsinn, dass der FET nach Datenblatt
>zwingend mit 10V anzusteuern ist. Wo bitte steht das konkret.

Das muss man, wenn man die GARANTIERTEN R_DS_ON Werte sicher erreichen 
will.

>Es gibt ein paar Parameter, die für ein U_GS =10V angegeben sind.
>Aber wozu sind dann deiner Meinung nach die Kennlinien mit U_gs von
>3,5...16V im Datenblatt auf S.3 in 3 Kennlinienfeldern?

Zur Volksbelustigung. Im Ernst. Sie sind mal sicher NICHT dafür gedacht, 
daß naseweise Hobbybastler mit ungesundem Halbwissen daraus irgendwelche 
Heilsversprechen und Schmalspuransteuerungen ableiten sollen.

>> Vor allem sagt UGS(th), daß einige IRF3710 MOSFETs bei 4V eventuell nur
>> noch 250uA durchlassen, und eben NICHT 12A wie im 'typischen' Diagramm
>> gezeigt.

So siehts aus, auch wenn diese Exemplare rein statistisch eher selten 
sind.

>Und es geht immer noch nur um 500mA und die Gatespannung wird über 4,5V
>liegen.

Ja und? Dann nimm doch mal die Kennlinie und veschiebe sie auf 4V, siehe 
Anhang. OK, da kann der MOSFET noch ca. 2A schalten, aber schön ist das 
nicht.

Autor: Lexi (Gast)
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michael_ schrieb:
> Du bist Lehrling und hast gar keine Nummer!
> Wenn du mal Ausbider, Konstrukteur, Meister ... bist, kannst du
> mitbestimmen.
> Es gibt eben Sachen, wo du noch nicht genug Kenntnis hast.
> Irgend ein Marketinggeschrei von LL reicht da nicht.

Du machst mir Angst. Es gibt wirklich noch mehr Leute von dem Kaliber. 
Schade eigentlich...

Tja, aber wie wir an Deinen Postings erkennen können, hat halt jeder so 
seine Macken. Du liest die Fragestellung nicht richtig, nimmst einfach 
irgendwelche wild spekulierten Werte als Basis für Deine Aussagen (die 
gleichzeitg zum Gesetz ernannt werden), bist zu faul um ein paar 
Beiträge hochzuscrollen und erwartest, dass man extra für Dich nochmal 
die alternativen FETs auflistet, beschimpfst Leute mit anderer Meinung 
als Troll,...

... und ich bin eben Azubi und habe nix zu sagen.

Aber selbst dann habe ich ein Gehirn welches schon so weit entwickelt 
ist, dass es selber denken kann. Es kann experimentieren, Schlüsse aus 
Fehlschlägen ziehen, dazulernen und sogar die Tiraden von verbohrten und 
sturren Leuten wie Dir ausfiltern.

> Sicher hast du keine Zukunft in dieser Firma.

Klar... Azubis, die von Dir lernen sollen, auch nicht.

Autor: Jack (Gast)
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Michael B. schrieb:
> Jack schrieb:
>> Der IRF3710 wäre sicher nicht der beste LL MOSFET auf dem Markt
>
> Er ist gar kein LL MOSFET. Das hat auch nichts mit Marketing zu tun. Er
> wird vor Auslieferung schlicht und einfach nicht bei einer LL Spannung
> (meist 4.5V) getestet,

Dann hast du das Datenblatt nicht gelesen. Der ist bis 3,5 V runter 
charakterisiert. Aber abgesehen davon, das ist doch mein Punkt. Man 
könnte den technisch unverändert als LL verkaufen, wenn sich IRF nur die 
Mühe machen würde. Ein bisschen Geduld und Spucke und der wäre plötzlich 
auf dem Papier auch ein LL.

Aber da du dich so auskennst, was ist denn die allgemeine quantitative 
Definition einer "LL Spannung"? Der Witz ist doch, das ist eben nicht 
allgemein spezifiziert. Ein Hersteller der hin geht und sagt 1,8 V ist 
genau so im Recht, bzw. Unrecht, wie einer der sagt 4,5 V. Das ist alles 
nur scheiß Marketing. Das gleiche gilt für R_DS(on). Mehr als 
qualitative Aussagen ("klein", "niedrig") gibt es in nicht in der 
Definition.


Axel S. schrieb:
> Das stimmt nicht so ganz. Es gibt zwar keine allgemein verbindliche
> Definition, was "logic level" genau bedeutet.

Eben, deshalb ist dieses ganze Geschrei, dass dort unbedingt ein als LL 
bezeichneter MOSFET rein MUSS völlig hirnrissig. Weil LL quantitativ 
nichts aussagt.

> Praktisch läuft es darauf
> hinaus, daß R_ds_on bei einer U_gs von deutlich unter 10V *spezifiziert*
> ist. Typisch bei 4.5V, was 5V Nennspannung abzüglich ein bißchen
> Toleranz entspricht. Einige noch neuere MOSFET sind sogar für den
> Betrieb an 3.3V Logik, dann typisch für U_gs=2.7V spezifiziert.

Genau, Hersteller definierten LL je nach Situation anders. Was also soll 
dieses Geschrei vom Weltuntergang wenn irgendwo kein als LL bezeichneter 
MOSFET drin ist, der trotzdem mit einem Logikpegel angesteuert wird? Als 
ob das ein Verbrechen ist und die Schaltung per Definition nicht 
funktionieren darf.

> Und diese Spezifikation ist absolut verläßlich und weit mehr als
> Marketinggeschrei.

Die sind genauso gut oder schlecht wie die des IRF3710.

Autor: Michael B. (laberkopp)
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Jack schrieb:
> Dann hast du das Datenblatt nicht gelesen. Der ist bis 3,5 V runter
> charakterisiert.

Bitte, wenn man keine Datenblätter lesen kann,
einfach die Füsse still halten.

Jack schrieb:
> Aber da du dich so auskennst, was ist denn die allgemeine quantitative
> Definition einer "LL Spannung"? Der Witz ist doch, das ist eben nicht
> allgemein spezifiziert. Ein Hersteller der hin geht und sagt 1,8 V

Nein, LogicLevel ist mit 4.5V Ansteuerspannung definiert und erfüllt.

Die anderen, mit 2.5 bzw. 2.7V oder gar 1.8V, sind "mehr als Logic 
Level". Manche verwenden die Bezeichnung LLL Low Logic Level, bei 
anderen muss sich der Kunde die Mühe machen ins Datenblatt zu gucken.

Relevant sind NUR die bei RDSon genannten Gate-Spannungen.

: Bearbeitet durch User
Autor: Michael U. (amiga)
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Hallo,

naja, ich hatte mal einen Kollegen mit dem ich prinzipiell sehr gut klar 
kam.
Wenn ich dann mal was beim Chef erreichen wollte bin ich zu ihm, habe 
ihm beim Kaffee erklärt warum und wieso das gut wäre.

2 Tage später nahm er mich dann mit zum Chef rein, setzte sich hin und 
sagte: ICH habe da mal eine Idee...
Ich habe den Kollegen gleich mitgebracht, weil der das ja realisieren 
könnte...

Damit muß man eben leben können, meine Ziele in der Sache habe ich 
letztlich ja erreicht und das war mir wichtig.
Auch die anderen kannten ja den Kollegen und seine Eigenarten und haben 
nur gegrinst wenn er mit "seiner" nächsten Idee kam.

Gruß aus Berlin
Michael

Autor: Axel S. (a-za-z0-9)
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Jack schrieb:
> Axel S. schrieb:
>> Das stimmt nicht so ganz. Es gibt zwar keine allgemein verbindliche
>> Definition, was "logic level" genau bedeutet.
>
> Eben, deshalb ist dieses ganze Geschrei, dass dort unbedingt ein als LL
> bezeichneter MOSFET rein MUSS völlig hirnrissig. Weil LL quantitativ
> nichts aussagt.

Das biegst du dir so zurecht, um dein Argument halten zu können. Ich 
kann das nicht nachvollziehen.

>> Praktisch läuft es darauf
>> hinaus, daß R_ds_on bei einer U_gs von deutlich unter 10V *spezifiziert*
>> ist. Typisch bei 4.5V, was 5V Nennspannung abzüglich ein bißchen
>> Toleranz entspricht. Einige noch neuere MOSFET sind sogar für den
>> Betrieb an 3.3V Logik, dann typisch für U_gs=2.7V spezifiziert.
>
> Genau, Hersteller definierten LL je nach Situation anders.

Die allgemein akzeptierte, wenn auch nirgendwo verbindlich 
festgeschriebene Definition von "logic level MOSFET" ist ein MOSFET, für 
den ein R_ds_on bei 5V oder weniger U_gs spezifiziert ist. Und zwar 
spezifiziert mit einem Maximum und einem typischen Wert. Ein Diagramm 
allein für typische Werte zählt hier nicht. Ein Diagramm mit einem 
Toleranzband würde zählen, das findet man aber extrem selten.

Und jetzt zeige mir bitte ein Datenblatt, in dem ein MOSFET als logic 
level beworben wird, bei dem diese Spezifikation fehlt. Wirst du nicht 
finden. Gibts nicht.

> Was also soll
> dieses Geschrei vom Weltuntergang wenn irgendwo kein als LL bezeichneter
> MOSFET drin ist, der trotzdem mit einem Logikpegel angesteuert wird?

Wie gesagt, das bastelst du dir so zurecht, um dein krudes Argument 
nicht dahin werfen zu müssen, wo es hingehört (auf den Müll). Wenn ein 
MOSFET mit 5V Logik angesteuert wird, muß der R_ds_on für 5V oder 
weniger spezifiziert sein. Das ist im allgemeinen Sprachgebrauch 
"logic level" und das wurde gefordert.

Autor: Karl (Gast)
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Michael U. schrieb:
> 2 Tage später nahm er mich dann mit zum Chef rein, setzte sich hin und
> sagte: ICH habe da mal eine Idee...

... und Dir damit einen großen Gefallen getan. Denn nachdem Du zwei Tage 
dem Chef nichts gesagt hast, hattest Du ja offensichtlich Angst, dass 
Deine Idee nicht gut ankommt, und der Chef dann ein schlechtes Bild von 
Dir bekommt. Also hat er das auf sich genommen.

Aber gut zu sehen, dass Du ihm immer noch deswegen dankbar bist.

Autor: aölsdjf (Gast)
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michael_ schrieb:
> Nein!
> Du bist Lehrling und hast gar keine Nummer!
> Wenn du mal Ausbider, Konstrukteur, Meister ... bist, kannst du
> mitbestimmen.
> Es gibt eben Sachen, wo du noch nicht genug Kenntnis hast.
> Irgend ein Marketinggeschrei von LL reicht da nicht.

Ach du meine Güte, das ist genau die Art von Mitarbeitern die man 
absolut nicht vor sich haben will. Irgendwann mal die Lehre gemacht und 
seither die Hochnässigkeit an der Decke oben da ja man "erfahren" ist. 
Ich hatte als Student mehrmals solche Leute vor mir deren einzige 
Qualifikation die war, etwas jahrelang so gemacht zu haben und 
"etabliert" zu sein. Wenn jemand seine Konstruktion nicht verteidigen 
kann (und darauf verweisen "dass es so funktioniert" ist definitiv nicht 
genug!) dann lässt das sehr an seiner Kompetenz zweifeln. Der Vorteil 
ist, dass man solche Leute einigermassen gut manipulieren kann. Es 
reicht wenn man Ihnen vormacht sie seien die Besten und Grössten, dann 
sind sie meistens zufrieden.

Dass der FET nicht geeignet ist wurde bereits mehrfach dargelegt. Dass 
es trotzdem in den meisten Fällen funktionieren wird hat niemand 
angezweifelt, Garantie gibt es dafür aber eben keine und es ist eben ein 
Murks. Murks funktioniert oft, man sollte es aber eben trotzdem 
vermeiden.

Autor: U. M. (oeletronika)
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Hallo,
> Falk B. schrieb:
> Ja und? Dann nimm doch mal die Kennlinie und veschiebe sie auf 4V, siehe
> Anhang. OK, da kann der MOSFET noch ca. 2A schalten, aber schön ist das
> nicht.
Was ist den daran unschön? Welche Rolle spielt hier Schönheit, wenn es 
um Funktion geht?

Ist subjektive Schönheit eine plausible Begründung für üblen Pfusch, wie 
es hier vielfach behauptet wurde?
Wen interessiert es, dass diese Schaltung keine 10A zuverlässig schalten 
kann, wo doch noch nicht mal 1A zu schalten ist?

Womöglich hat diese Ansteuerung eben gerade weger der knappen 
Gatespannung auch einige Vorteile (z.B. geringere Dynamik -> wenig 
EMV-Probleme).

Mit der roten Linie in der Grafik erbringst du doch gerade den Beweis, 
dass die ca. 500mA des "kleinen Auswerfers" oder Magnetventils an 24V 
zuverlässig geschaltet werden können (auch Worst Case mit U_th ca 4V).
Allen Leuten, die behaupten, dass dies nicht garantiert werden kann, 
zeigst du damit das Gegenteil, oder nicht?
Wer will da nun immer noch behaupten, dass diese Ansteuerung nicht 
zuverlässig funktionieren kann?
Nach Aussagen des TO funktioniert es immerhin seit Jahren zuverlässig.

Behauptungen mit angenommenen Parametern, die deutlich außerhalb der vom 
Hersteller garantierten Werte liegen sind doch keine 
Diskussionsgrundlage.
Genauso ist es hier doch paktisch ohne Relevanz, dass der FET unter 
Umständen nicht einen Strom von 10A oder mehr schalten kann.

Auch wenn der R_DSon nicht 23mOhm sondern paar hundert mOhm oder sogar 
1...2 Ohm wäre, ist das im konkreten Fall kein Problem, weil die Spule 
dann immer noch mind. 23V bekommt, oder nicht?

Man kann die Nutzung diese FET für den konkreten Zweck aus verschiedene 
Gründen "nicht schön" finden, auch z.B. weil der FET bei Strom und 
Spannung überdimensioniert ist und eine sehr große Bauform hat, die 
umständlich zu bestücken und evtl. vibrationsgefährdet ist.
Überdimensionierung ist aber eigentlich gar kein techn. Manko.
Wegen höherer Kosten muß man auch nicht jammern.

Alle Bedenken und Schönheitsargumente sind doch völlig egal, wenn die 
Lösung praktikabel ist und zuverlässig funktioniert.
Alles darüber hinaus halte ich für reine Bürokratie und 
Prinzipienreiterei. Absolute 100%ige Zuverlässigkeit gibt es eh nicht.

Am Ende erfolgt die Anwendung auch nur innerhab der Firma.
Da wäre eine 100%ige Endkontrolle der Schaltung eh die übliche 
Verfahrensweise. Selbst wenn dabei festgestellt werden würde, dass ein 
FET nicht zuverlässig schaltet (wegen Defekt oder extremer Parmeter), 
würde dieser erkannt und ausgewechelt werden.
Gruß Öletronika

: Bearbeitet durch User
Autor: Falk B. (falk)
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@U. M. (oeletronika)

>> Anhang. OK, da kann der MOSFET noch ca. 2A schalten, aber schön ist das
>> nicht.

>Was ist den daran unschön?

Weil man einen 57A MOSFET aus Dummheit oder Faulheit auf Kante näht!

>Welche Rolle spielt hier Schönheit, wenn es
>um Funktion geht?

Eben, es geht um SOLIDE Funktion! Und SINNVOLLE Bauteildimensionierung 
incl. Ansteuerung.

>Womöglich hat diese Ansteuerung eben gerade weger der knappen
>Gatespannung auch einige Vorteile (z.B. geringere Dynamik -> wenig
>EMV-Probleme).

Mein Gott, welche albernen Argumente willst du noch an den Haaren herbei 
ziehen?

>Mit der roten Linie in der Grafik erbringst du doch gerade den Beweis,
>dass die ca. 500mA des "kleinen Auswerfers" oder Magnetventils an 24V
>zuverlässig geschaltet werden können (auch Worst Case mit U_th ca 4V).

Ja. Aber Das ist ungefähr so, wie wenn man mit einem LKW einen 
Bollerwagen zieht, weil man nur einen Zwirnsfaden als Zugseil hat!

>Allen Leuten, die behaupten, dass dies nicht garantiert werden kann,
>zeigst du damit das Gegenteil,

Ja.

>Wer will da nun immer noch behaupten, dass diese Ansteuerung nicht
>zuverlässig funktionieren kann?

Sie ist trotzdem nicht wirklich sinnvoll. IM Schaltbetrieb steuert man 
einen Transistor solide an und nicht auf Kante. Punkt.

>Nach Aussagen des TO funktioniert es immerhin seit Jahren zuverlässig.

So wie die Leute, die ohne Helm Moped fahren. Statistik und so.

>Auch wenn der R_DSon nicht 23mOhm sondern paar hundert mOhm oder sogar
>1...2 Ohm wäre, ist das im konkreten Fall kein Problem, weil die Spule
>dann immer noch mind. 23V bekommt, oder nicht?

Stimmt.

>Alle Bedenken und Schönheitsargumente sind doch völlig egal, wenn die
>Lösung praktikabel ist und zuverlässig funktioniert.

>Alles darüber hinaus halte ich für reine Bürokratie und
>Prinzipienreiterei. Absolute 100%ige Zuverlässigkeit gibt es eh nicht.

Jaja, die Billigausrede schlechthin. Schluckst du die auch, wenn deine 
Werkstatt an deinem Auto mal wieder gemurkst hat?

Autor: Lektor (Gast)
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U. M. schrieb:
> Mit der roten Linie in der Grafik erbringst du doch gerade den Beweis,
> dass die ca. 500mA des "kleinen Auswerfers" oder Magnetventils an 24V
> zuverlässig geschaltet werden können

Das Wörtchen "typical" unterhalb der Grafik ist wieder unwichtig?

Wie definiert man durchgeschaltet? Für gewöhnlich:

U. M. schrieb:
> Auch wenn der R_DSon nicht 23mOhm sondern paar hundert mOhm oder sogar
> 1...2 Ohm wäre, ist das im konkreten Fall kein Problem, weil die Spule
> dann immer noch mind. 23V bekommt, oder nicht?

Der R(DS)_ON (...so schreibt man das übrigens. :-) wird bei bestimmten
(festgelegten) V_GE spezifiziert. Als durchgeschaltet gilt ein FET also,
wenn man ihn mit jener/n GE-Spannung(en) betreibt.

Ja, man kann in gewissen Grenzen auch niedrigere oder auch höhere V_GE 
anwenden. Jedoch verläßt man bei stärkerer Erniedrigung (hier der 
Fall) irgendwo den Bereich nicht nur des sicheren 
"durchgeschaltet-seins",
sondern des "durchgeschaltet-seins" überhaupt...

U. M. schrieb:
> subjektive Schönheit

Subjektiv? Das sehe ich anders. Sogar, wenn man das nachweisen könnte
(daß also jeder IRF3710 in dieser Schaltung (welche natürlich ebenfalls
mit BE mit eigenen Toleranzbereichen... etc.), wäre es fachlich falsch.

Es gibt doch gar keinen Grund, da längerfristig "herumzustreiten". Ob
der Altingenieur nun ein Pfuscher oder ein Genie ist, kann man auch
nicht sagen. Vielleicht leistet er ja allgemein fantastisches ... (#)

Er mag diese Schaltung ja vielleicht aus eben diesem Grund, daß es halt
ein Einzelstück ist (und vorerst bleiben sollte), "so zusammengewürfelt"
haben - oder aber völlig davon überzeugt sein... man weiß es nicht.

Jedoch ist sie weder ein fachliches Glanzstück (Falk: "schön"), noch
ohne Not nachahmungswürdig - egal, wie lange sie schon funktioniert.
Was ich mit "fachlich" und Falk mit "schön" meine/t, ist ja dasselbe.

"Fachlich schön" (beides vereinigt) ist das, was man die Azubis lehren
soll (u. hoffentlich auch lehrt - als Autodidakt weiß ich's nicht 
genau).

Nämlich Schaltungen zu entwickeln, welche auch unter allen Umständen
zuverlässig funktionieren. Das ist gar nicht all zu schwierig, bei der
verfügbaren Auswahl. Oder doch?

Ich habe gar nichts gegen Überdimensionierung und/oder EMV-Optimierung
- so lange sie diesen Grundsätzen nicht (indirekt) in die Quere kommt.
Und wie Falk schon schrieb, ist es schon witzig, diesen "Brummer" (#)
(ansonsten alle Specs weit oberhalb) gerade hier "am Grat" zu nutzen.

Dazu kann man (spätestens seit der praktisch universellen Verfügbarkeit)
aber schlicht auch einen etwas stromtragfähigeren bzw. spannungsfesteren
LL oder gar LLL/ULL Typen verwenden.

Nachtrag bzgl. EMV: Daß es dem Erbauer hauptsächlich darum gegangen sei,
ist abwegig. Wiederum wär das auch anders erreichbar, bzw. ist es wg. d.
Ansteuerung mit hochohmigem Treiber auch mit LL-Typ kaum problematisch.

(# Die Anstrengungen zwecks Nachweis der Genialität des Erbauers, nur
um seine Mosfet-Wahl zu rechtfertigen, sind schon irgendwie witzig...
weit wahrscheinlicher als ein gewaltiger Genius führte wohl ein Spritzer
Unfähigkeit zu dieser Schaltung. Sorry.)

@Lexi weiß, daß die "alte" Schaltung verbesserungswürdig ist. Ich denke,
daß sie das auch dann wäre, wenn der IRF3710 gerade noch ("sicher" :-)
weit genug aufgesteuert werden könnte. (Vermutlich nicht als einziger.)

Auch das Argument mit der Beschaffbarkeit / Vorhaltung ist nonsens.
Ob des Bauteilparadieses interessiert mich ohne Not (*) nicht weiter,
ob das vielleicht auch so geht, weil der Fet noch genug Strom durch
läßt, und der Spannungsfall noch genügend klein, und daher auch die
Verluste nicht ins Gewicht fielen... denn richtig geht es besser.

* Diese Bauteil-Not kann ich hier im Thread (Beschreibung der Umstände)
nirgend entdecken - also, "Good Practice" oder "Machbarkeitsstudie"? :)

Das war imho die wichtigste Thematik im Thread.(!)

Jetzt halte ich die Schnauze, sonst hält man mich noch für einen Autor.

Autor: michael_ (Gast)
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Lexi schrieb:
> michael_ schrieb:
>> Du bist Lehrling und hast gar keine Nummer!
>> Wenn du mal Ausbider, Konstrukteur, Meister ... bist, kannst du
>> mitbestimmen.
>> Es gibt eben Sachen, wo du noch nicht genug Kenntnis hast.
>> Irgend ein Marketinggeschrei von LL reicht da nicht.
>
> Du machst mir Angst. Es gibt wirklich noch mehr Leute von dem Kaliber.
> Schade eigentlich...

Ohne Angst kein Respekt.
Als junger FA hatte ich auch mal was ähnliches.
Zum Glück hat der Mitarbeiter sehr vorsichtig in dem anderen 
Betriebsteil angerufen.
Zu meinem Glück, wie ich erfahren mußte.

Lexi schrieb:
> Tja, aber wie wir an Deinen Postings erkennen können, hat halt jeder so
> seine Macken. Du liest die Fragestellung nicht richtig, nimmst einfach
> irgendwelche wild spekulierten Werte als Basis für Deine Aussagen (die
> gleichzeitg zum Gesetz ernannt werden), bist zu faul um ein paar
> Beiträge hochzuscrollen und erwartest, dass man extra für Dich nochmal
> die alternativen FETs auflistet, beschimpfst Leute mit anderer Meinung
> als Troll,...

Klar bin ich faul, tu mir den Gefallen! Nenne nochmal den Typ!
Wie definierst du eigentlich LL?

Es sollte doch TTL kompatibel sein.
Bei heutigen C-MOS kommen bei High 4,4V raus.
Das erfüllt der genannte MOS sicher.

Lexi schrieb:
> ... und ich bin eben Azubi und habe nix zu sagen.
>
> Aber selbst dann habe ich ein Gehirn welches schon so weit entwickelt
> ist, dass es selber denken kann. Es kann experimentieren, Schlüsse aus
> Fehlschlägen ziehen, dazulernen und sogar die Tiraden von verbohrten und
> sturren Leuten wie Dir ausfiltern.

Klar kann dein Gehirn selber denken.
Aber die Welt ist groß und andere Gehirne haben viel, viel mehr Wissen 
und Erfahrung!

aölsdjf schrieb:
> Dass der FET nicht geeignet ist wurde bereits mehrfach dargelegt. Dass
> es trotzdem in den meisten Fällen funktionieren wird hat niemand
> angezweifelt, Garantie gibt es dafür aber eben keine und es ist eben ein
> Murks. Murks funktioniert oft, man sollte es aber eben trotzdem
> vermeiden.

Nur weil mehrere Leute das sagen, muß es nicht richtig sein.

Lexi sagt es nicht, dann nenn du mir einen 100V MOS mit LL !

Autor: Lektor (Gast)
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michael_ schrieb:
> Lexi sagt es nicht, dann nenn du mir einen 100V MOS mit LL !

Diese Taktik läßt sich leicht aushebeln. Distri Nr. 1:

https://www.mouser.de/Search/Refine.aspx?N=1323043&Keyword=logic+level+mosfet&Ns=Pricing%7C0

Das Leerzeichen Abstand vor dem "!" hilft auch nichts, und wie
gesagt könnte ich auch Distris 2 bis X so verlinken.

Vielleicht muß man ja wirklich unhöflich werden, um diese recht
sinnfreie Diskussion endlich zu beenden. So extrem offen pflege
ich für gewöhnlich nicht zu sein - doch ist es wohl alternativlos:

michael_ schrieb:
> Lexi schrieb:
>> Du machst mir Angst. Es gibt wirklich noch mehr Leute von
>> dem Kaliber. Schade eigentlich...
>
> Ohne Angst kein Respekt.

Völliger Unsinn - das hast Du gänzlich falsch verstanden. Da
kann ich allerdings gerne behilflich sein, das zu ändern. Ich
beschränke das aber auf Erwachsene, Kindererziehung außen vor.

Respekt ist eine besondere Form bzw. Steigerung von "Achtung".
Der Achtung, welcher man halt vor auf diverse Weise überlegenen
Menschen hat - welchen man dann häufig auch nacheifern will.

Respekt ist deshalb etwas, was man m. o. w. bewußt entwickelt,
bzw. jemandem schenkt, der ihn auf gewisse Weise verdient hat.
Er ist also grundsätzlich rein positiv, im Gegensatz zur Angst.
Böse Zufälle oder sehr komplex bedingte negative Folgen außen vor.

Angst hingegen ist eine starke (auch körperliche) unwillkürliche
Reaktion auf eine m. o. w. direkte Bedrohung. Sie ist instinktiv
bedingt, entsteht schon bei Gefährdung von Besitz (*) bis hin zur
ganz direkten Lebensgefahr.

Positiv ist dabei allein die stark verringerte Reaktionszeit in
lebensgefährlichen Situationen, und auch, daß durch sie manchmal
unvernünftige (sozial bedingte) Verhaltensweisen ausgehebelt
werden können, welche sich in der Situation negativ ausgewirkt
hätten. Damit aber genug zu komplexeren Verwicklungen.

Denn ansonsten ist Angst oft der Auslöser für diverses Negatives.
Hier im speziellen - und das ganz objektiv betrachtet - scheint
exakt Angst das Problem des "Altingenieurs" (und auch eures -
seiner "Angst-Symphatisanten") zu sein.

Diese meine Theorie/ Unterstellung ist zwar, wie angedeutet, recht
offen - vielleicht sogar übertrieben unhöflich. Doch hat sie weit
breitere (sicherere) Grundlage, als der Vorwurf an @Lexi, er habe
keinen Respekt (und - auch witzig - "keine Ahnung"... wo er doch
bezüglich der Thematik, die er auch wirklich einbrachte, ganz
offensichtlich völlig im Recht ist).

Bitte hört also endlich auf, vor lauter "Wir sind die etablierten,
alten Hasen - und Du hast die Schnauze zu halten! DU nimmst uns
unsere Spitzenposition und unser Renommee nicht weg, Du junger
Hüpfer!" ...die Tatsachen fast nach Belieben zu verbiegen.

(Sei es nun in Bezug auf seine "wahren Absichten" - dazu äußerte
ich mich oben schon mehr als eindeutig:

Beitrag "Re: Power-Mosfet mit Logic-Level geschaltet - wie kann man die Konsequenzen messen?"

Oder bzgl. fachlich korrekter Bauteilauswahl / -dimensionierung,
wo er doch genau das tut, was man ihn (hoffentlich) auch lehrte.
Und auch das Datenblatt exakt richtig interpretierte.) Bitte (!).

Denn das will er gar nicht - sondern nur das gelernte richtig
anwenden. Und dazu ist er auf dem richtigen Weg. Es ist das einzig
Richtige, die neuen Schaltungen nach bestem Wissen und Gewissen
(also fachlich korrekt, und ohne solch unnötige "Kunststückchen")
zu konstruieren.

Ob er das in der Firma durchsetzen kann, ist zwar fraglich - aber
trotzdem braucht man ihm keinen vom Pferd zu erzählen, nur, weil
er alles richtig machen will - und sich hier vergewissert.

Nochmals: Bitte, hört auf damit.

Autor: W.Ashierlos (Gast)
Datum:

Bewertung
-1 lesenswert
nicht lesenswert
Falk B. schrieb:
> Ja und? Dann nimm doch mal die Kennlinie und veschiebe sie auf 4V, siehe
> Anhang. OK, da kann der MOSFET noch ca. 2A schalten, aber schön ist das
> nicht.

Für 500mA wirds immer noch reichen und für einen Faktor 4 Reserve auch 
noch.

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