Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik IGBT - MOSFET Äquivalent


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von H.Leiter (Gast)


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Hi,

ich bin gerade auf der Suche ach einem IGBT und MOSFET die bzgl. ihrer 
Durchlassverlustleistungen und Durchlasswiderstände ähnlich bis fast 
identisch sind!
Idealerweise vom gleichen Hersteller... Ich habe mich schon die Finger 
Wund gesucht bei Infineon und die Augenen brennen auch schon! Weis 
vielleicht jemand was aus dem "FF"? Vielleicht stell ich mich auch blöd 
an! Ich bin was die Bauteiel angeht nicht wirklich "zuhause"!

Gruß
H.Leiter

von Andreas S. (Firma: Schweigstill IT) (schweigstill) Benutzerseite


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Die Durchlasseigenschaften von IGBT und MOSFET sind natürlich 
grundlegend verschieden, denn sie basieren auf unterschiedlichen 
Funktionsweise. Man kann einen IGBT eher als einen Darlington-Transistor 
mit MOSFET-Eingangsstufe ansehen. Prinzipbedingt fällt also immer eine 
Durchlassspannung von ca. 0,7V an der Kollektor-Emitter-Strippe ab, so 
weit beim Darlington.

von Ingo L. (corrtexx)


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Es gilt beim IGBT statisch Pv = I * Ucesat
Beim MOSFET gilt Pv = I² * Rdson

Somit musst du einfach rechnen => Rds = Uce/I

: Bearbeitet durch User
von ETA (Gast)


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Ingo L. schrieb:
> Somit musst du einfach rechnen => Rds = Uce/I

Nö, wenn, dann muß er rechnen:  V_CE(sat) entspricht R_DS * I

Die Durchlaßspannung (und damit die P_tot) ist aber nur dann so 
vergleichbar, wenn der RMS-Strom durch die Schalter (natürlich gleich 
und) konstant ist.

Außerdem muß man beachten, daß sich beider Schalter Eigenschaften mit 
der Temperatur ändern, und zwar auch noch unterschiedlich. (Am besten 
in den Datenblättern nachsehen.)

Ich fürchte aber, daß sowieso ein Mißverständnis vorliegt.

Obiger Vergleich kann ja, wie auch Andreas schon andeutete:

Andreas S. schrieb:
> Die Durchlasseigenschaften von IGBT und MOSFET sind natürlich
> grundlegend verschieden, denn sie basieren auf unterschiedlichen
> Funktionsweise.

...für diesen einen Betriebspunkt "stimmen". Es müßte also prinzipiell 
schon mal um eine Anwendung mit konstanter Last (und Eingangsspannung, 
natürlich) gehen.

 Nun könnte man z.B. mal zwei Schalter auswählen, und 2 Testschaltungen 
aufbauen. Dann z.B. nach Erreichen der thermischen Equilibria der beiden 
Testschaltungen die Temperatur gemessen werden. Dann noch mal mithilfe 
der Datenblätter durch Interpolation geprüft, ob sich die 
Durchlaßspannungen tatsächlich (m. o. w.) "perfekt" gleichen, etc.

Hast Du überhaupt eine konstante Last (etc.)?

(Denn für variable Lasten gilt: Eine sog. Wirkungsgradkurve - also die 
Verluste über ansteigende Laststrom bzw. Ausgangsleistung aufgetragen - 
wird bei FETs immer anders aussehen, als bei IGBTs. Dahingehend hat eine 
Suche also keinen Sinn.)

Sag doch lieber mal, worum genau es Dir geht. Was soll versorgt werden, 
welche "Nebenziele" und Randbedingungen gibt es?

Sonst träumst Du (nach längerer Suche, irgendwann von Erfolg gekrönt, 2 
Schalter gefunden - jippie!) vielleicht noch Tage davon, die Lösung zu 
haben (bis sich die Wahrheit herausstellt) - obwohl schon die Suche 
keinen Sinn hatte...

MfG

von H.Leiter (Gast)


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Hallo,

mein Grundproblem ist das in LTSpice nur MOSFETs vorhanden sind. Ich 
habe dann eine Schaltung mit MOSFETs aufgebaut und die Schaltung 
getestet. Diese funktioniert soweit. Nach langen hin und her und 
rumstöbern im Internet hatte ich LTSpice Modelle von IXYS gefunden. Habe 
die Bauteile ausgetauscht und nun simuliert sich die Schaltung zu tode 
und es kommt nichts dabei raus?! Deswegen dachte ich mir ich das einfach 
mit dem MOSFET welche eventuell vergleichbare Eigenschaften hat.

Wo finde ich den ordentliche LTSpcie Modelle für einen IGBT der im 1:1 
Austausch für einen MOSFET Funktioniert?!
Alternativ könnte ich doch mit dem Ausgang eines Mosfest einen 
Bipolartransistor ansteuern? Es heist ja immer ein IGBT ist ein MOSFET + 
Bipolartransistor.
Mich interessieren die Schaltverluste, Durchlassverluste und 
Sperrverluste im Haltbleiterschalter!

MFG
H.Leiter

von hinz (Gast)


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von Falk B. (falk)


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@ H.Leiter (Gast)

>mein Grundproblem ist das in LTSpice nur MOSFETs vorhanden sind. Ich
>habe dann eine Schaltung mit MOSFETs aufgebaut und die Schaltung
>getestet. Diese funktioniert soweit. Nach langen hin und her und
>rumstöbern im Internet hatte ich LTSpice Modelle von IXYS gefunden. Habe
>die Bauteile ausgetauscht und nun simuliert sich die Schaltung zu tode
>und es kommt nichts dabei raus?! Deswegen dachte ich mir ich das einfach
>mit dem MOSFET welche eventuell vergleichbare Eigenschaften hat.

Schön, daß du diese "Nebensächlichkeit" auch schon erwähnst.

Siehe Netiquette!!!

>Alternativ könnte ich doch mit dem Ausgang eines Mosfest einen
>Bipolartransistor ansteuern? Es heist ja immer ein IGBT ist ein MOSFET +
>Bipolartransistor.

Nö, das ist eine vereinfachte Darstellung.

>Mich interessieren die Schaltverluste, Durchlassverluste und
>Sperrverluste im Haltbleiterschalter!

Dann besorg dir die passenden IGBT-Modelle! Alles andere ist Unsinn!

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