Avalanche-Diode , stoßspannungsfeste Diode, eine pin-Diode , bei der
durch eine besondere Schrägung des Sperrschichtrandes die
Spannungsfestigkeit der Randzone gegenüber dem Volumen erhöht wird.
Dadurch verteilt sich bei kurzzeitigen Überspannungen der reversible
Lawinendurchbruch auf die ganze Fläche der Kontaktzone, so daß eine
Zerstörung der Diode vermieden wird.
pin-Diode , eine p-n-Diode mit jeweils stark dotierten n- und p-Zonen
und einem dazwischenliegenden eigenleitenden (intrinsic) Gebiet. Durch
die Intrinsic-Zone wird eine sehr hohe Sperrspannung erreicht. Die hoch
dotierten n- und p-Zonen sorgen für ausreichend hohe Ströme in
Durchlaßrichtung. Bei hohen Frequenzen stellt die Intrinsic-Zone einen
regelbaren HF-Widerstand (Varistor-Diode) dar, dessen Größe von dem in
Durchlaßrichtung fließenden Gleichstrom abhängt. Daher wird die
p-i-n-Diode als Abschwächer, Schalter und Modulator im Hochfrequenz- und
Mikrowellenbereich eingesetzt.