Suche alternative/bessere Mosfets.

#5682802
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Guten Abend allerseits,

kann mir eventuell jemand weiterhelfen, bei meiner suche nach 
Ersatz-Mosfets aus einem Verstärker?

Die Selben gibt es ja zwar noch, aber das ding ist von 2003 - vieleicht 
gibt es da mittlerweile "bessere" MosFets? Also die einen niedrigeren 
RDSon haben, algemein robuster sind,...besser halt ;-)

und zwar geht es um folgende:
IRFP064N
IRFP640N
IRFP9640



Kann mir da jemand Modele nennen, die ich mir mal anschauen sollte?
Gast #5682875
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David P. schrieb:
> Guten Abend allerseits,
>
> kann mir eventuell jemand weiterhelfen, bei meiner suche nach
> Ersatz-Mosfets aus einem Verstärker?
>
> Die Selben gibt es ja zwar noch, aber das ding ist von 2003 - vieleicht
> gibt es da mittlerweile "bessere" MosFets? Also die einen niedrigeren
> RDSon haben, algemein robuster sind,...besser halt ;-)
>
> und zwar geht es um folgende:
> IRFP064N
> IRFP640N
> IRFP9640
>
>
>
> Kann mir da jemand Modele nennen, die ich mir mal anschauen sollte?

Ein "besserer" RDSon hilft Dir genau gar nix. Und wenn Du die richtigen 
Lautsprecher anschließt - und nicht gleich 3 parallel weil es dann 
lauter ist - dann passt das mit der Robustheit auch.

Also: nimm die die verbaut sind, also die Deiner Liste.

Oder klappere die Hersteller selber nach den Deiner Meinung nach 
"besseren" Teilen ab.
(Firma: privat) #5682979
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Hallo

das Datenblatt des IRFP064N habe ich mir
angesehen.
Darin sind einige Zusammenhänge zu erkennen,
meine ich, die so speziell sind, daß eventuell
daran ein "besserer" ( Vergleichstyp ) MOSFET
unter Eingrenzungen zu finden sein kann.

Es ist hervor zu heben, daß der Rdson des
im Beispiel erwähnten MOSFETs nur einen
Widerstand von 0,009 Ohm aufzuweisen hat.
Weiter ist der AvalancheCurrent mit 70 Ampere
ebenso hoch, wie der kontinuierliche Strom
zwischen Drain und Source, der auch zu 70 Ampere
angegeben ist.
Die hohe Gatekapazität ermöglicht nicht nur
gute Eigenschaften im Linearbetrieb, sondern
gibt auch einen größeren Zeitintevall vor, innerhalb
dessen der Schaltverlauf stattfindet.
Die maximale Verlustleistung von 300 Watt weist
auch darauf hin, daß dieser MOSFET für das
Arbeiten im Bereich großer Verlustleistung
ausgeleg ist.
Damit eignet sich dieser Typ der Eigenschaften
halber gut für Audioanwendungen.

Die Teile sind möglicherweise im Jahr 2003
entwickelt worden sein, doch mit der verbesserten
Methodik in der Herstellung, sind Typen der
gleichen Baureihe aus aktueller Produktion
schon dadurch "besser", daß ihre
produktspezifischen Eigenschaften weniger
Exemplarstreuung unterliegen und die
elektrischen Angaben länger, in engeren Grenzen
eingehalten werden.
Also einfach neu vom gleichen Typen genügt
vielleicht schon?

Ansonsten bleibt da nur aufwendig suchen.
Die Einschränkung, es handele sich um einen
Audio-Typen, kann etwas nützlich sein.
#5682994
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David P. schrieb:
> kann mir eventuell jemand weiterhelfen, bei meiner suche nach
> Ersatz-Mosfets aus einem Verstärker?
>
> Die Selben gibt es ja zwar noch, aber das ding ist von 2003 - vieleicht
> gibt es da mittlerweile "bessere" MosFets? Also die einen niedrigeren
> RDSon haben, algemein robuster sind,...besser halt ;-)

Wenn es ein Verstärker ist, dann bleib besser auf diesen Typen oder
auch Ersatztypen, aber baue keine ein, deren Parameter nicht zu Deinem
Verstärker passen...

Das geht sicher nicht gut...
#5683167
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Jup, ist ein ClassD stüfchen, eine kleine mit 2kw (ext2000)

Gut,also die originalen beibehalten.
Endstufe funktioniert,dachte halt nur dass man da etwas mehr entlocken 
kann wenn man stabilere Mosfets verbaut,sodass ich auf 0.5Ohm 
Anschlussimpdanz runtergehen kann,ohne das die früher oder später 
abraucht. Leiterbahnen verstärken versteht sich von selbst, sowie eine 
aktive TP Filter Kühlung...


War es nicht so,dass man bei den Mosfets schauen sollte,das die Gate 
Kapazität nicht höher ist als bei den Originalen Mosfets? Also wenn man 
unbedingt andere FETs verbauen möchte?
#5683246
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David P. schrieb:
> ein ClassD stüfchen, eine kleine mit 2kw....dachte halt nur dass man da etwas 
mehr entlocken
> kann wenn man stabilere Mosfets verbaut,

Ja, das wäre ja toll, wenn man nur stärkere Transistoren einbauen 
bräuchte, damit der Spannungswandler mehr leistet.

David P. schrieb:
> War es nicht so,dass man bei den Mosfets schauen sollte,das die Gate
> Kapazität nicht höher ist als bei den Originalen Mosfets?

Das kommt hin. Moderne Typen bieten bei gleicher Gatekapazität 
nennenswert weniger On-Widerstand und kürzere Schaltzeiten. Weniger 
Widerstand ist immer gut, kürzere Schaltzeiten können gut sein, müssen 
es aber nicht. Da können seltsame Effekte entstehen.
Gast #5683294
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David P. schrieb:
> mehr strom - um eben anstatt mit 1 Ohm gleich mit 0.5Ohm
> anschlussimpedanz rangehen kann

Vergiß es, Du machst nur alles kaputt.
(Kannst dann mir zusenden, aber nur zwecks Recycling.)

Oder informiere Dich erst mal sehr lange sehr gründlich.

(Dann willst Du vermutlich die dazu nötigen Änderungen nicht mehr
vornehmen, weil Dir bewußt wird, daß man dazu besser gleich einen
neuen Verstärker (+neuer Versorgung) aufbaut.

Denn mit Kleinigkeiten ist es hier nicht getan.)

Mach die Originalen rein (wieso, hat Sven gesagt), und bleib mit
der Impedanz im erlaubten Bereich. Amen.
Gast #5683386
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David P. schrieb:
> um eben anstatt mit 1 Ohm gleich mit 0.5Ohm
> anschlussimpedanz rangehen kann

Statt die Ampere hochzuskillen würde ich die Volts hochdrehen.
Gibt auch mehr Watt, aber du hast ein viel besseres Verhältnis 
Rdson+Leiterbahn+LS-Kabel - Verluste zu Wirkleistung...

Bei den "üblichen" Class-D wird die FET-Brücke über IR2104 o.Ä. 
angesteuert. Der geht bis 600 V. Schaltplan durchgehen, was sonst noch 
alles von der Zwischenkreisspannung abhängt, Zwischenkreiselkos z.B., 
und dann das Netzteil maximieren.

Das stärkste Class-D Selbstbauprojekt, das ich bisher gesehen habe, lief 
mit H-Brücken ohne galvanische Trennung an gleichgerichtetem Drehstrom. 
"Eisenfrei" sozusagen :)
#5683466
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Bass-Zapper schrieb:
> Das stärkste Class-D Selbstbauprojekt, das ich bisher gesehen habe, lief
> mit H-Brücken ohne galvanische Trennung an gleichgerichtetem Drehstrom.
> "Eisenfrei" sozusagen :)

Kann man auf DIYaudio regelmäßig verfolgen. Alles oberhalb 1kW übt eine 
unwiderstehliche Faszination auf Anfänger aus, die als erstes mit 4kW 
gleich mal durchstarten wollen. Die gezeigten "erfolgreichen" 
Schaltungen erkennt man daran, dass sie keinerlei Übertemperatur- 
Überstrom- oder sonstige Schutzschaltungen enthalten. Das übernimmt dann 
der Sicherungsautomat.
#5684303
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eine ClassD Endstufe selber bauen? ich glaub soweit bin ich noch lange 
nicht...
die Endstufe liegt halt schon seit über 12 Jahren hier bei mir rum, sind 
noch aus meinen früheren DB Drag Zeiten. Da hatte ich auch über 16Kw 
(gemessen) im Kofferraum sozusagen ... extreme 5+ klasse mit einer Wall, 
fünf 15"er im 4th. Bandpass, und 4 125Ah Batterien + 180A Lima...im 60PS 
Polo



ja Spannung hochnehmen wäre natürlich das optimalste - aber ob die zwei 
Ringkerne das mitmachen? Das ding hat leider nicht mal ein geregeltes 
Netzteil, und nutzt auch keine H Brücke als Fet Treiber :(
ich weiß aber, das der TL494 auch das Netzteil regeln kann, sodass die 
Ausgangsspannung nicht mehr direkt von der Eingangsspannung abhängig 
ist.
Hatte ich schon bei einer anderen Endstufe gesehen mit dem TL494 - ich 
verstehe nur nicht, warum die Hersteller das nicht gleich immer so 
machen?

Die Mosfets (IRFP064N) werden eine einfache Treiberschaltung angesteuert 
- 1 NPN Transistor + PullUp Widerstand...wenn ich das richtig deute- ich 
denke wenn man daraus schon mal eine gegentakt-treiberstufe baut, die 
Deadtime anpasst, sollte es doch auch schon etwas bringen, oder?

Aber wie kann ich da die Spannung erhöhen? Sind die Ringkerne nicht so 
schon kurz vor der Sättigung? die Hersteller werden doch da bestimmt 
nicht soviel Reserven eingebaut haben?
#5684318
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Deine Bedenken teile ich hier uneingeschränkt. Ich habe mich mal 
eingehend mit einer Harman Kardon Auto-Endstufe rumgeschlagen und diese 
soweit modifiziert, dass sie (hoffentlich) nicht wieder ausfällt. Fazit: 
Vor allem die Spannungswandler rund um den TL494 sind in meinen Augen 
vom Ansatz her Schrott. Ausfälle werden haufenweise in Netz berichtet, 
egal von welchem Hersteller - das Konzept wird überall immer wieder 
kritiklos ohne Änderungen kopiert.
Sieh es einmal so: Dein booster ist in der Originalbestückung 
abgeraucht. Die Chance dass Du  mit einer "besseren" Bestückung etwas 
dauerhaft Sicheres erschaffst, geht gegen Null. Es bleibt der Ersatz mit 
Originalteilen und die Hoffnung dass es nicht gleich wieder kracht.
just my 2 cent
(Firma: matzetronics) #5684423
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David P. schrieb:
> IRFP640N
> IRFP9640

Die Dinger hatte ich gerade in einem Class-D Subwoofer von JBL und habe 
mal ein wenig nach Ersatz gesucht. Es gibt aber vor allem für den 
IRF9640 so gut wie keinen bezahlbaren, besseren Typ in TO220, der die 
hohe Versorgung von hier etwa +/- 100V verträgt.
Die Verwendung von P-Kanal MOSFets deutet aber im Allgemeinen auf ein 
Sparkonzept hin, weil die besseren Class-D eher mit 'nur N-Kanal' 
arbeiten und richtige Gatetreiber einsetzen.
(Firma: matzetronics) #5684436
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Matthias S. schrieb:
> ie Verwendung von P-Kanal MOSFets deutet aber im Allgemeinen auf ein
> Sparkonzept hin, weil die besseren Class-D eher mit 'nur N-Kanal'
> arbeiten und richtige Gatetreiber einsetzen.

Darauf deutete auch die Lösung von JBL hin, die für die Highside, also 
den P-Kanal MOSFet, zwei IRF9640 parallel geschaltet hatten, um mit dem 
IRF640 in der Lowside wenigstens etwas gleichzuziehen.
#5684484
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Ich hatte  für die irf640N die 19n20 gefunden,und für die irf9640 die 
12p20

Die sehen auch in etwa gleich aus von den Werten,wobei die Rose und Fall 
time bei den Alternativen Mosfets etwas länger waren wenn ich mich Recht 
entsinne


Und das EXT2000 Board von mir ist von 2003,wer weiß wie lange es das 
schon mit dem schaltkonzept so gibt,vieleicht war es damals noch nen 
sehr hoher Aufwand mit nur N-Fets zu arbeiten?


Aber das man zwei P FETs und 1 N FET auf Schaltungen vorfindet,gibts 
auch heute noch...auf Grafikkarten z.B.
Da wird pro spannungsRail ein N FET und 2 P FETs eingesetzt.s spricht 
doch nix dagegen das so zu machen wenns doch gut funktioniert
(Firma: matzetronics) #5685738
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David P. schrieb:
> Da wird pro spannungsRail ein N FET und 2 P FETs eingesetzt.s spricht
> doch nix dagegen das so zu machen wenns doch gut funktioniert

Man hat einfach zu viele Vorteile, wenn man es schafft, nur N-Kanal zu 
verwenden. Die haben immer exakt die gleichen Anstiegs- und Abfallzeiten 
und sind auch leistungsmässig praktisch identisch. Die Verluste teilen 
sich gleichmässig auf. Dank der heutigen Gatetreiber ist das auch von 
den Kosten her günstig und es vereinfacht auch noch die Lagerhaltung.

Grafikkarten sind noch mal was ganz anderes als Class-D 
Leistungsendstufen.

Dieter schrieb:
> so dass
> der Treiber nicht belastet wird, und eine seperate Endstufe ansteuern.

MOSFet werden immer leistungslos angesteuert, die einzige Leistung 
fliesst beim Laden und Entladen des Gate. Man gewinnt also nichts, wenn 
der vorhandene Treiber sowieso die Gatekapazität zügig laden/entladen 
kann und kräftig genug ist, um den Millereffekt zu überfahren. Das 
erwarte ich aber von allen Konstruktionen, die sich am Markt tummeln.

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