Hallo zusammen, ich möchte gerne mit meinem Mikrocontroller größere Lasten per PWM steuern. Nach etwas Recherche bin ich zu obiger Schaltung gelangt, einem Low Side Switch. Aufgebaut auf einer Lochrasterplatine, Datenblätter sind am Ende zu finden. Einen 12V Lüfter (<10W) habe ich so mit einer 20kHz PWM regeln können, auch wenn das EMV technisch nicht mehr wirklich toll aussieht am Oszi. Jetzt wollte ich so auch mal eine Heizung regeln. Daten des Heizdrahtes sind 10A @ 24V. Allerdings raucht mir hier schon ab ca. 50% PWM (1kHz) und 20V Versorgung statt 24V der MOSFET ab. Müsste ca. bei 4A passiert sein. Woher kommt das? Statische Verlustleistung: Der Mosfet hat einen maximalen Rdson von 2,7mOhm ab Vgs > 10V und der Gatetreiber hat 12V. Bei einer maximalen Belastung von 10A ergibt das eine Verlustleistung von 0,27W. Mit der Thermal Resistance, Junction-to-ambient: 62°C/W ergibt das knapp 17°C Temperaturerhöhung. Mit den Schaltverlusten tue ich mir etwas schwer, aber ich befürchte, dass das der Grund ist. Kann mir hier jemand helfen? Ich habe diverse Ansätze gefunden und bin mir einfach unsicher. Mein nächster Ansatz wäre die PWM Frequenz auf ca 1-5 Hz zu setzen, aber da ich nicht mehr sonderlich viele MOSFETs habe, hatte ich kurz auf Input von euch gehofft, bevor mein Vorrat zur Neige geht. Datenblätter sind folgende: Gatetreiber: http://www.ti.com/lit/ds/symlink/ucc37321.pdf N MOSFET: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRL40B215-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5a5945a3335f
Angehängte Dateien:
-
Schaltung.PNG
3,9 KB
Volker schrieb: > Allerdings raucht mir hier schon ab ca. 50% PWM (1kHz) und 20V > Versorgung statt 24V der MOSFET ab. Müsste ca. bei 4A passiert sein. > > Woher kommt das? Nach heftiger Diskussion mit meiner Kristallkugel haben wir uns auf folgendes Szenario geeinigt: Du hast mit den Zuleitungen zum Heizelement eine große Luftspule gebildet, und da der Mosfet mangels Freilaufdiode die in der Luftspule gespeicherte Energie verheizen musste, ist er den Hitzetot gestorben, der Arme.
Ernst? Bei 1kHz bringt eine Luftspule den FET um? Als Zuleitung an einer niederohmigen Widerstandslast? Liegt nahe, weil es die Schaltverluste eher nicht sind, die sind ja von der Anstiegs/Abfallzeit und zudem der Frequenz abhängig, und die ist ja klein. Vorstellen kann ich mir's trotzdem nicht.
Spulen induzieren hohen Spannungen. Ideale spulen mit idealen Schaltvorgängen induzieren unendlich hohe Spannungen. Da du deinem MOSFET einen starken Treiber spendiert hast, hast du einen fast idealen Schalter. Nur verträgt der leider keine hohen Spannungen und du hast keinerlei Gegenmassnahmen in der Schaltung. Wenn er vor dem Kaputt-gehen nicht heiss wurde, kann nur Überspannung die Ausfallursache sein.
Stefanus F. schrieb: > Spulen induzieren hohen Spannungen. Da ist aber keine. Die paar Mikrohenry Zuleitungsinduktivität kann man da vergessen. Es bleibt allerdings zu befürchten, dass man sowas nicht in Ferndiagnose herausfinden wird, sondern es wenigstens mal paar Messungen mit einem Oszi bedarf, dem näher auf den Grund zu gehen. Um den Transistor nicht zu riskieren, würde es ja genügen, wenn der steuernde Controller die PWM nur für kurze Zeit einschaltet - der Trigger des Oszis kann das dann fangen. Wenn es ein Digitaloszi ist, bleibt das Bild danach stehen, bei einem analogen müsste man halt schnell fotografieren. ;)
> Stefanus F. schrieb: >> Spulen induzieren hohen Spannungen. Jörg W. schrieb: > Da ist aber keine. Weisst du wie die Heizung aufgebaut ist?
Jens M. schrieb: > Ernst? > Bei 1kHz bringt eine Luftspule den FET um? Nur der TO weiß, wieviel Meter Durchmesser die hat.
Also die "Spule" müsste schon recht groß sein, und/oder der Strom auch, um den Mosfet mittels Einzelüberspannungsimpuls killen zu können, denn der Mosfet verträgt schon einiges an Avalanche-Energy. Eher könnte es zum Problem werden durch die dabei freigesetzte Energy, wenn man das 1kHz schnell macht. D.h., der stirbt dabei nicht einen Überspannungstod, sondern einen Übertemperaturtod.
Stefanus F. schrieb: >> Da ist aber keine. > > Weisst du wie die Heizung aufgebaut ist? Eine Heizung hat in erster Linie die Aufgabe, elektrische in thermische Energie umzuwandeln. Dazu ist es wenig hilfreich, wenn man sie als tollen Elektromagneten aufbaut, der unwahrscheinlich viel Energie in seinem Magnetfeld speichern könnte … Aber wie ich oben schon schrieb, ohne Oszi wird das Kaffesatzleserei.
Volker schrieb: > Allerdings raucht mir hier schon ab ca. 50% PWM (1kHz) und 20V > Versorgung statt 24V der MOSFET ab. Müsste ca. bei 4A passiert sein. Wenn alles richtig angeschlossen ist, müsste dein Aufbau das locker schaffen. Und es müsste schon ein wirklich exotischer Heizungsanschluss sein, wenn es tatsächlich die parasitäre Induktivität sein sollte, die deinen FET killt. Hast du schon mal nachgeprüft, dass die Lastversorgung nicht versehentlich falsch gepolt angeschlossen ist.
Volker schrieb: > Jetzt wollte ich so auch mal eine Heizung regeln. Daten des Heizdrahtes > sind 10A @ 24V. > > Allerdings raucht mir hier schon ab ca. 50% PWM (1kHz) und 20V > Versorgung statt 24V der MOSFET ab. Müsste ca. bei 4A passiert sein. "müsste" reicht hier nicht. Miß den Strom besser. Für welche Temperatur ist dein Heizdraht denn spezifiziert? Kann es sein, daß er im kalten Zustand deutlich niederohmiger ist? Und wie kommst du auf 4A? 10A @ 24V macht 2.4Ω, An 20V wären das 8.33A. Den MOSFET interessiert nicht der Mittelwert.
Angehängte Dateien:
-
VDSS1ms.jpg
140 KB -
VDSS1us.jpg
140 KB -
Heizkreuz.jpg
140 KB
Danke für die Anregungen. Das verwendete Heizelement ist ein Heizkreuz und damit wohl schon als ordentliche Luftspule zu bezeichnen. Die beiden Oszi-Bilder bestätigen eure Hinweise in diese Richtung denke ich. Das Heizkreuz wurde für den Test nur mit 12V und 30% PWM betrieben, aber der MOSFET wurde schon hier recht heiß. Geschätzt ca. 80-100°C Die Oszibilder zeigen die Drain-Source Spannung bei der Zeitbasis 1ms und 1µs. Der MOSFET erreicht immer die Breakdown Voltage von 40V. Das dritte Bild ist das Heizkreuz alleine bei 24V beim Ausschalten. Was würdet ihr mir zur Vermeidung raten? Ist eine Zehner- oder TVS-Diode am MOSFET zu empfehlen oder eher eine Freilaufdiode am Heizkreuz? Mit einer Lösung direkt an meiner Schaltung und nicht an der Last wäre ich etwas flexibler. Wie müsste ich diese auslegen, besonders mit Blick auf die Leistung an der Diode?
Volker schrieb: > Die Oszibilder zeigen die Drain-Source Spannung bei der Zeitbasis 1ms > und 1µs. Der MOSFET erreicht immer die Breakdown Voltage von 40V. Der Fehler ist, dass du da eine PWM Frequenz von 5MHz hast und nicht 20kHz.
Die Diode muss den Spulenstrom halten, weil die Spule eben diesen aufrechthalten will. Also 10A Schottky als Freilauf an die Klemmen in der Nähe des Transistors und fertig. Die Leistung der Diode ist dann auch relativ klein, da ja kleine Spannung an ihr liegt.
Volker schrieb: > Das verwendete Heizelement ist ein Heizkreuz und damit wohl schon als > ordentliche Luftspule zu bezeichnen. Viel Energie kann die in ihrem Magnetfeld trotzdem nicht speichern, und so extrem hoch ist deine Ansteuerfrequenz ja auch nicht. > Die beiden Oszi-Bilder bestätigen > eure Hinweise in diese Richtung denke ich. Was mich am linken Bild stört, sind die „ausgemalten“ Rechtecke. Das ist doch eine hochfrequente Schwingung, oder? Jedenfalls keine PWM mit 1 kHz.
Volker schrieb: > st eine Zehner- oder TVS-Diode > am MOSFET zu empfehlen Damit kannst du dann die Schutzdiode verheizen Volker schrieb: > oder eher eine Freilaufdiode am Heizkreuz Freilaufdiode wäre bei induktiven Lasten das Mittel der Wahl. Volker schrieb: > Die beiden Oszi-Bilder bestätigen > eure Hinweise in diese Richtung denke ich. Denke ich nicht. Eine Induktionsspitze würde ein mal je PWM-Puls auftreten. In deiner ersten Messung sieht man, dass du eine PWM mit 1kHz versuchst. Du hast aber während der gesamten Off-Phase ein Spannungsgezackere im Bereich mehrerer MHz. Überprüfe mal dein Netzteil, das die Heizung versorgt.
Bitte Messung mit Oszi an Gate vom Fet und am Pin 2 = In und Pin 3 = ENBL vom ucc
ACDC (Gast) schrieb: >Volker schrieb: >> Die Oszibilder zeigen die Drain-Source Spannung bei der Zeitbasis 1ms >> und 1µs. Der MOSFET erreicht immer die Breakdown Voltage von 40V. >Der Fehler ist, dass du da eine PWM Frequenz von 5MHz hast und nicht >20kHz. Genau so ist das. Der TO "übertaktet" seinen Mosfet, ohne daß er es offensichtlich merkt. Damit bekommt man ohne weitere Vorkehrungen jeden 0815-Mosfet gebraten. Prüfe also die Ansteuerschaltung.
:
Bearbeitet durch User
Leistungsfähige Gate-Treiber können ihren Zweck natürlich nur erfüllen, wenn auch deren Versorgung den Strom liefern kann und dies ist in der Schaltung vom TE nicht der Fall. Direkt an den VDD gehört ein 100uF low esr Elko plus 1uF Kerko, letzerer wegen dem DC-Derating mindestens 25V. Siehe auch Datenblatt Fig. 25/26, sozusagen als "Beweis". Natürlich kommt es darauf an, woher die 12V kommen und was da noch dran hängt. Oder man schaltet gleich noch eine Schottky-Diode rein, damit die Energie der Stützkondensatoren dem Gate-Treiber vollständig zur Verfügung steht, egal was sonst noch an die 12V verdrahtet ist. Suppressordiode wurde oben schon genannt, richtig! Vermutlich stirbt der Mosfet an Überspannung. Messen lässt sich diese mit normalen Mitteln meist nicht. Die Suppressordiode gehört einfach hin und basta. Natürlich schadet ein Elko/Kerko direkt am Lastausgang/24V nicht... Schon aus Gründen der EMI gehört an jeden Schaltausgang ein Filter, im einfachsten Fall wenigstens ein Kerko mit 1-100nF. 10A ist ja kein hoher Strom, warum eigentlich ein solcher Mosfet Prügel ? Das hat nur Nachteile. Lieber ein paar Milliohm RDSon mehr und nur 1/4 der Gateladung bzw Kapazität und dadurch weniger Schaltverluste und weniger Störungen durch irre Gate-Ströme. Niemand sonst baut für 10A einen 150A Mosfet ein, schon gar nicht bei PWM.
Angehängte Dateien:
-
VDSS1us.jpg
140 KB
Jörg W. schrieb: > so extrem hoch ist deine Ansteuerfrequenz ja auch nicht. Ich finde das schon extrem. Ich schlage eine Verringerung der Frequenz auf 0,1Hz vor. Weitere Maßnahmen sind nicht nötig.
Sven S. schrieb: > eine Verringerung der Frequenz auf 0,1Hz Nachdem ich "Heizkreuz" gegugelt habe, erhöhe ich die Frequenz auf 10Hz, wegen fehlender thermischer Trägheit.
Angehängte Dateien:
-
Vdss1msNEU.jpg
120 KB
Hallo nochmal, zuerst mal peinlicher Fehler. Ich hatte die 24V vorne am Netzteil abgegriffen und der Ausgang ist auf 3A begrenzt. Jetzt bin ich am hinteren Anschluss, der kann 30A und plötzlich ändert sich auch (oh Wunder) das Bild am Oszi. Die letzten drei Pulse auf dem Bild sind dann denke ich wie erwartet mit dem Überschwinger durch Abschalten der induktiven Last zu erklären -> Freilaufdiode/Suppressordiode. Die hochfrequenten "Balken" links im Bild nach dem Ausschalten der Last kommen durch den Breakdown des MOSFETs zu Stande? Die Anmerkung zur MOSFET Wahl kann ich nachvollziehen. Ich hatte mich da zu sehr auf den Rdson versteift und werde bei Gelegenheit nach einer Alternative suchen.
Außer einer Freilaufdiode könnte auch ein Snubber helfen. https://de.wikipedia.org/wiki/Snubber Den kannst du dann über den FET anschalten, damit er die Spannungsspitzen ein bisschen reduziert. Trotzdem nicht wirklich ganz klar, warum das bisschen Induktivität so viel Energie speichern soll, dass das einem fetten FET gefährlich wird.
Ich habe keine Diode zur Hand und muss erst welche bestellen. Wenn ich das Heizkreuz frisch mit Spannung versorge, dann habe ich erst nur Impulse mit dem Überschwinger beim Ausschalten und der MOSFET bleibt kühl. Sobald die Schaltung einige Sekunden in Betrieb ist, dann häufen sich die hochfrequenten Balken und er wird wieder warm und ich schalte ab.
Dann solltest du klären, was da zu dieser HF-Schwingung führt. Das ist alles andere als normal. Passiert das auch, wenn du das Heizelement direkt an die Versorgung klemmst? Passiert das auch, wenn du den FET dauerhaft durchschaltest?
Ich vermute mal, das die Regelung des NT durch das ständige ein/aus der doch recht großen Last etwas aus dem Tritt kommt.
Willi S. (ws1955) schrieb:
>Ein Wunder, dass der 40V Mosfet die 56V HF überhaupt aushält.
Avalanche-Betrieb. Die Mosfets wirken bei Überspannung eben wie eine
Z-Diode (in dem Fall bei um die 56V), und halten dabei die im DB
angegebene Avalanche-Energy aus. Man kann das auch als regulär nutzbaren
Betrieb betrachten, solange man sich an die Noten (lt. DB) hält.
Willi S. schrieb: > Ein Wunder, dass der 40V Mosfet die 56V HF überhaupt aushält. Warum? Infineon wirbt mit >> Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ==> Datenblatt ab Seite 6 + IRF Appnote zu Repeated Avalance ... Muss schon eine sehr potente Heiz-Induktivität sein, wenn sie die D-S Strecke per Überspannung schmelzen will... Foto vom Aufbau wäre hilfreich, ich vermute eher ein Problem mit der Ansteuerung. (ellenlange Gate/GND-Leitungen, keine Kondensatoren am Treiber usw.)
:
Bearbeitet durch User
Danke für die Anregungen und allgemein alle Kommentare zum Thema. Ich werde im nächsten Schritt eine Freilaufdiode einbauen und dann ein Update geben. Lieferung erst Anfang nächster Woche...
Εrnst B. schrieb: > Foto vom Aufbau wäre hilfreich, ich vermute eher ein Problem mit der > Ansteuerung Das hat sich doch nun geklärt. Sein Netzteil konnte den Strom nicht liefern und deshalb ist nicht nur die Spannung an der Last, sondern auch die Gatespannung ständig fluktuiert (anscheinend im MHz-Bereich, muß ein tolles Netzteil sein). Damit war der MOSFET praktisch immer am ein- und ausschalten, was die Schaltverluste natürlich beträchtlich erhöht. Wie ein Vorredner schon sagte, ist es sinnvoll, zusätzlich zu den regulären Abblockkondensatoren am Gate-Treiber auch noch eine Diode vorzusehen, damit die Energie in den Kondensatoren auch ausschließlich für den Gatetreiber bereitsteht und nicht in die Last fließen kann. Im Idealfall verwendet man eine separate Versorgung für den Steuerkreis.
Jens G. schrieb: > Willi S. (ws1955) schrieb: > >>Ein Wunder, dass der 40V Mosfet die 56V HF überhaupt aushält. > > Avalanche-Betrieb. Die Mosfets wirken bei Überspannung eben wie eine > Z-Diode (in dem Fall bei um die 56V), und halten dabei die im DB > angegebene Avalanche-Energy aus. Man kann das auch als regulär nutzbaren > Betrieb betrachten, solange man sich an die Noten (lt. DB) hält. Danke! Man wird älter als ne Kuh und lernt immer noch dazu... Die Schwingung muss irgendwie weg, durch was auch immer. Anscheinend stirbt der Mosfet letztlich doch den HITZE-Tod. Bei 56V müssten es über 200°C auf dem Chip sein, aber nicht lange...
Εrnst B. schrieb: > Foto vom Aufbau wäre hilfreich, ich vermute eher ein Problem mit der > Ansteuerung. (ellenlange Gate/GND-Leitungen, keine Kondensatoren am > Treiber usw.) Genau! Denn über den Aufbau wurde auch noch garnicht gesprochen. Neben dem oben genannten ist auch wichtig, wie der Leistungspfad verdrahtet ist bzw. ob der GND von Ansteuerung und Last sich auch sternförmig an der Source des MOSFETs treffen.
... genau deshalb wäre ein Photo sicherlich aufschlußreicher :-)
Der Gesamtaufbau ist schwierig aufs Bild zu bekommen. Ich bin über das Wochenende nicht zu Hause, aber Anfang der Woche schaue ich, was ich da machen kann. Gate-Treiber und Heizung haben getrennte Netzteile, GND verbunden. Der Gate-Treiber immer 12V und die Heizung testweise zwischen 12V und 24V. Die Schaltung aus Post Nr.1 ist recht kompakt auf einer Lochrasterplatine untergebracht (8x12). Mal schauen, ob der Avalanche Effekt mit der Freilaufdiode komplett verschwindet. Zusätzlich werde ich die Frequenz der PWM auf 10Hz setzen und möglichst alle Leitungen kürzen. Update dann wahrscheinlich am Dienstag.
Volker schrieb: > Gate-Treiber und Heizung haben getrennte Netzteile, GND verbunden. Die wesentliche Frage ist: wo verbunden? Können Spannugsabfälle an der GND-Leitung Potenzialunterschiede erzeugen, die die Ansteuerung des MOSFET beeinflussen? Wie schon geschrieben: die Verbindung sollten an der Source des MOSFEts sein. Zu den Spannungsabfällen: hier geht es in erster Linie nicht um Spannungen auf Grund der ohmschen Widerstände der Leitungen, sondern um die Induktivität der Leitungen. Hier kann ein schneller Gate-Treiber sogar eine negative Wirkung haben: die Leitungsinduktivität erzeugt einen höheren Spannungsabfall. Je nach Layout kann das Durchschalten des MOSFETs eine Gegenkopplung bewirken und die Ansteuerung des MOSFETs behindern, d.h. "abwürgen".
Angehängte Dateien:
-
aufbau.jpg
300 KB -
pcb_top_text.jpg
250 KB -
pcb_back_text.jpg
380 KB -
oszi.jpg
210 KB
Mein größtes Problem war/ist wohl wie viele von euch ja auch gesagt haben die Ground Führung. Ich habe mal Bilder des Aufbaus und meiner kleinen Platine gemacht. Die Grüne Leitung ist das PWM Signal vom Mikrocontroller. Das untere Netzteil steht konstant auf 12V. Oben bis 24V. Zusätzlich ein Bild des aktuellen Drain Source Spannungsverlaufs. Ursprünglich war unter anderem der Ground meines Mikrocontrollers mit dem Netzteil verbunden und nicht mit der Platine. Allein das hat das Signal so weit verbessert, dass selbst bei 24V Betriebsspannung der Heizung kein Avalanche Effekt mehr aufgetreten ist und der MOSFET absolut kalt bleibt. Vorher ist der Avalanche Effekt trotz Freilaufdiode ab ca. 16V Betriebsspannung der Heizung passiert. Spannungsspitzen bis knapp unter 50V treten noch sporadisch auf, wobei ich gehofft hatte, dass diese mit der Freilaufdiode komplett verschwinden. Der Ground der beiden Netzteile ist aktuell ja noch nicht ideal, da die Verbindung nicht in der Nähe des Source, sondern an den Netzteilen direkt stattfindet. Das werde ich jetzt noch anpassen.
Volker schrieb: > Zusätzlich ein Bild des aktuellen Drain Source Spannungsverlaufs. Herzlichen Glückwunsch! So würde ich mir ein PWM-Signal auch vorstellen.
Volker schrieb: > Spannungsspitzen bis knapp unter 50V treten noch sporadisch auf Ich denke die treten immer auf, werden aber von der Samplingrate ab und an verschluckt. Es könnte sein, das die vom Netzteil kommen, weil da erst stark Leistung nachgelegt wird und "digital" ist die Last auf einmal weg. Manche Netzteile können das, manche nicht.
Jens M. schrieb: > Es könnte sein, das die vom Netzteil kommen, Ist das nicht sogar wahrscheinlich? Käme die Spannungspitze durch Abschalten der induktiven Last, dann müsste das ja die Diode abfangen?
Volker schrieb: > Ist das nicht sogar wahrscheinlich? Käme die Spannungspitze durch > Abschalten der induktiven Last, dann müsste das ja die Diode abfangen? Die Spitze durch die induktiven Eigenschaften der Last werden durch die Freilaufdiode abgefangen. Die Spitze durch die parasitäre Induktivität der Zuleitung vom Netzteil aber nicht. Dagegen hilft ein Kondensator, der an deinem Schalter zwischen 24V und GND montiert wird.
Achim S. schrieb: > Dagegen hilft ein Kondensator, der an deinem Schalter zwischen 24V und > GND montiert wird. Sinnvollerweise ein kompletter Snubber: Kondensator und Widerstand in Reihe. Ein Kondensator speichert lediglich Energie, liefert sie aber danach in den (Schwing-)Kreis zurück. Mit dem Widerstand in Reihe wird dagegen Energie „vernichtet“ (also in Wärme umgesetzt). Ich würde mit 10 Ω und 10 oder 100 nF ins Rennen gehen.
Angehängte Dateien:
-
pcb_back_text.png
1,3 MB
Volker schrieb: > Ich habe mal Bilder des Aufbaus und meiner kleinen Platine gemacht. Ist hoffentlich nur eine Kleinigkeit - sieht man auch nicht so genau auf deinem Bild - ist die Diode und die Drahtbrücke auch (ordentlich) angelötet? (rote Kreise)
Jörg W. schrieb: > Ich würde mit 10 Ω und 10 oder 100 nF ins Rennen gehen. Ein Snubber in der Versorgungsleitung? An den Kontakten des Schalters wäre er denkbar - aber da ist er nicht nötig, da bereits die alternative Freilaufdiode wirkt. In der Versorgungsleitung (also zwischen 24V und GND) gehört aus meiner Sicht ein deutlich größerer Kondensator (der die Spannung lokal stabilisiert und der die Schaltflanken auf den Zuleitungen entschärft. Ein ganz klein bisschen Dämpfung darf der dann haben (und bringen viele Kondensatoren über ihren ESR von Haus aus mit). Aber 10Ohm wären bei den hier geschalteten Strömen (10A) viel zu hoch - damit stiege die Spannung trotz Snubber weiter über die Durchbruchschwelle des FET.
Achim S. schrieb: > Ein Snubber in der Versorgungsleitung? Nein, natürlich nicht. :-) > An den Kontakten des Schalters wäre er denkbar - aber da ist er nicht > nötig, da bereits die alternative Freilaufdiode wirkt. … oder eben nicht, es sind ja noch Spannungsspitzen zu sehen. Die Freilaufdiode hilft nur gegen die Lastinduktivität, der Snubber über Drain-Source hilft gegen alle möglichen Peaks. Aber OK, die Versorgung hinreichend niederimpedant abzublocken, gehört genauso mit dazu.
:
Bearbeitet durch Moderator
Jörg W. schrieb: > … oder eben nicht, es sind ja noch Spannungsspitzen zu sehen. Die Freilaufdiode lässt garantiert keine Vorwärtspannungen von >25V zu, wie sie in der Messung zu sehen sind. Wenn die Freilaufdiode wirkt (wenn sie nicht falsch angeschlossen ist oder eine kalte Lötstelle hat), dann kommt diese Spitze nicht aus dem Lastkreis. Sie kann aber durchaus aus aus der Induktivität der Zuleitung stammen. Nach dem Bild zu schätzen vielleicht 50cm Leitung mit größenordnungsmäßig 500nH Induktivität. Die Spitze dieser Induktivität sieht die Freilaufdiode nicht, darauf hat sie keinen Einfluss. Das ergibt ein paar Dutzend µJ, die irgendwo hin müssen. Mit einem Kondensator im zweistelligen µF-Bereich oder größer lässt sich das gut wegpacken.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.