Diode = Transistor

Nein. An einer Dioden fallen 0,7V ab.

An dem Transistor werden mehr Volt abfallen, je nachdem, wie hoch seine 
Gate-Threshold Voltage ist und wie viel Last-Strom fließt.

Wenn man Gate mit Source verbindet, leitet der Transistor gar nicht.

Was dann noch leiten würde, wäre die Body Diode. Aber die wirkt ohnehin 
unabhängig vom Gate und kommt erst zum Tragen, wenn man den Transistor 
falsch herum einbaut.

Tugt1 schrieb:
> am Gate und Drain
> kurzgeschlossen

Nein, denn beim MOSFET ist das Gate durch eine Oxidschicht isoliert.
Man könnte (sollte aber nicht) die Body-Diode verwenden.

Beim J-FET kann man tatsächlich die Gate-Substrat-Strecke als Diode 
verwenden, oft hat diese eine deutlich kleineren Leckstrom, als übliche 
Dioden, was man sich z.B. in besonderen Präzisions-Schaltungen zu Nutze 
macht.

Artikel: https://www.mikrocontroller.net/articles/FET

Tugt1 schrieb:
> Wenn ich ein Transistor zb nKanal Mosfet habe und er am Gate und Drain
> kurzgeschlossen ist, verhält sich dann der Mosfet wie eine Diode?

Jein. Tatsächlich gibt es das bei analogen integrierten Schaltungen und 
hat den Namen "MOS diode". Um wie eine Diode zu wirken, muss das 
Bulk-Potential aber gleich oder niedriger als als die Potentiale an S 
und G=D sein.

Bei einem diskreten MOSFET sind jedoch B und S verbunden. Damit hast du 
in eine Richtung die MOS-Dioden-Charakteristik und in die andere 
Richtung die der Substratdiode (welche Sven und Stefanus bereits erwähnt 
hatten).

Tugt1 schrieb:
> Wenn ich ein Transistor zb nKanal Mosfet habe und er am Gate und Drain
> kurzgeschlossen ist, verhält sich dann der Mosfet wie eine Diode?

Er verhält sich wie eine Z-Diode mit Uz=Ugs.

Stefanus F. schrieb:
> Wenn man Gate mit Source verbindet, leitet der Transistor gar nicht.

Doch, ein Verarmungstyp macht das.

Hier ist ja mal wieder die geballte Fachkompetenz versammelt.

6 Leute, 6 Meinungen, immerhin 1 richtig.

Und das bei so einer einfachen Grundlagenfrage.

>Und welche ist das?
Keine der Antworten ist wirklich falsch. Manchmal wurde etwas aneinander 
vorbeigeredet, manchmal wurde das Verhalten sehr vereinfacht 
beschrieben. Wir sind hier ein Forum und kein Fachbuch.

Das eigentliche Problem ist MaWin. Er ist ein überzeugter Hobbyhalbgott. 
Sehr hochnäsig.

Das siehst Du schon daran, dass er nicht mal in der Lage war, die in 
seinen Augen falschen Aussagen richtig zu stellen oder zu ergänzen.

Tugt1 schrieb:
>>> Threadtitel: Diode = Transistor

Der Titel ist ja eigentlich verwirrend (oder gar falsch): Lediglich in 
einem mir bekannten Fall (der sog. "Spitzendiode") laeßt sich eine 
Diode in einen steuerbaren Schalter mit Verstaerkung verwandeln...

https://www.elektroniknet.de/elektronik/halbleiter/der-transistor-wird-70-149034.html

https://de.wikipedia.org/wiki/Spitzentransistor


Das aber hast Du ja sehr wahrscheinlich gar nicht gemeint - insgesamt 
plaediere ich im Sinne des Sinnes also fuer: "Transistor als Diode?"


> Wenn ich ein Transistor zb nKanal Mosfet habe und er am Gate und Drain
> kurzgeschlossen ist, verhält sich dann der Mosfet wie eine Diode?

Wenn Du statt des Mosfet einen einfachen, gaengigen Bipolartransistor 
nimmst, dann hast Du - ganz ohne etwas kurzzuschließen - eine "BE 
Diode", mit deren Strom Du den Wert des Stromes in der "CE-Diode" 
bestimmen kannst.

Und laeßtt Du noch genug Strom durch die "BE-Diode" fließen (je nach T 
und I zw. 1/10 und 1/50 des gewuenschten Gesamtstroms), kannst Du sogar 
die Vorwaertsspannung der "CE-Diode" auf Werte - je nach Transistor mehr 
oder weniger weit - unterhalb selbiger einer gaengigen Diode bringen.

Auch mit Bipolar-Ts weist diese sogenannte Aktive_Gleichrichtung 
(meist bzw. dimensionierungsabhaengig) geringere Verluste als mit Dioden 
auf.

(Und mit modernen Mosfets evtl. sogar noch weit, weit geringere solche - 
allerdings ohne den Strom dabei durch die sog. Substrat- bzw. 
Body-Diode zu leiten [auch wenn manchmal ein wenig davon - aber 
unabsichtlich - darin landet...].)

Ach ja:

Ich habe durchaus schon Hochstrom-Mosfets als Hochstrom-Dioden 
mißbraucht.
Die konnte ich leichter finden als dementsprechende Dioden, damals. 
Evtl.
war ich nur zu bloede zum richtig suchen, aber sie erfuellen ihren 
Zweck.

Marek N. schrieb:
> Man könnte (sollte aber nicht) die Body-Diode verwenden.

Das ist so nicht generell richtig. Es gibt MOSFETs, bei denen die 
Parameter der Bodydiode im Datenblatt spezifiziert sind und dann 
innerhalb dieser Grenzen auch normal genutzt werden kann und darf.
Beispiele einer Nutzung: Verpolschutz, synchrone Schaltnetzteile jeweils 
bis zum Zuschalten der FETs oder auch als Freilaufdiode in H-Brücken.
Aber das war nicht der Kern der Frage ...

MaWin schrieb:
> Hier ist ja mal wieder die geballte Fachkompetenz versammelt.
>
> 6 Leute, 6 Meinungen, immerhin 1 richtig.
>
> Und das bei so einer einfachen Grundlagenfrage.

Liegt vielleicht auch (wie so oft) an der schwammig formulierten Frage.

Joachim B. schrieb:
> Gedanklich bin ich eher beim Bipolartransistor als beim MOSFET

Die Beschaltung des TO entspricht einer MOS-Diode.

Bei integrierten MOSFETs findet man diese Schaltung. Dort ist oft die 
Voraussetzung gegeben, dass Source u. Bulk nicht miteinander verbunden 
sind.

Bei diskreten MOSFETs ist die Voraussetzung meist nicht erfüllt, so dass 
die Body-Diode die Sperrcharacteristik der MOS-Diode zerstört.

Ich wiederhole hier aber eigentlich nur, was John schon gestern 
beschrieben hat und was wahrscheinlich die Frage des TO beantwortet hat:

Beitrag "Re: Diode = Transistor"

Alle anderen Interpretationsmöglichkeiten der Frage wurden aber ja auch 
schon zu genüge beantwortet.