Wenn ich ein Transistor zb nKanal Mosfet habe und er am Gate und Drain kurzgeschlossen ist, verhält sich dann der Mosfet wie eine Diode?
Nein. An einer Dioden fallen 0,7V ab. An dem Transistor werden mehr Volt abfallen, je nachdem, wie hoch seine Gate-Threshold Voltage ist und wie viel Last-Strom fließt.
Tugt1 schrieb: > am Gate und Drain > kurzgeschlossen Du müsstest Gate und Source verbinden. Ja, dann hast Du eine Diode. Die Daten dieser Diode werden in den Datenblättern extra aufgeführt.
Wenn man Gate mit Source verbindet, leitet der Transistor gar nicht. Was dann noch leiten würde, wäre die Body Diode. Aber die wirkt ohnehin unabhängig vom Gate und kommt erst zum Tragen, wenn man den Transistor falsch herum einbaut.
Tugt1 schrieb: > am Gate und Drain > kurzgeschlossen Nein, denn beim MOSFET ist das Gate durch eine Oxidschicht isoliert. Man könnte (sollte aber nicht) die Body-Diode verwenden. Beim J-FET kann man tatsächlich die Gate-Substrat-Strecke als Diode verwenden, oft hat diese eine deutlich kleineren Leckstrom, als übliche Dioden, was man sich z.B. in besonderen Präzisions-Schaltungen zu Nutze macht. Artikel: https://www.mikrocontroller.net/articles/FET
Tugt1 schrieb: > Wenn ich ein Transistor zb nKanal Mosfet habe und er am Gate und Drain > kurzgeschlossen ist, verhält sich dann der Mosfet wie eine Diode? Jein. Tatsächlich gibt es das bei analogen integrierten Schaltungen und hat den Namen "MOS diode". Um wie eine Diode zu wirken, muss das Bulk-Potential aber gleich oder niedriger als als die Potentiale an S und G=D sein. Bei einem diskreten MOSFET sind jedoch B und S verbunden. Damit hast du in eine Richtung die MOS-Dioden-Charakteristik und in die andere Richtung die der Substratdiode (welche Sven und Stefanus bereits erwähnt hatten).
Tugt1 schrieb: > Wenn ich ein Transistor zb nKanal Mosfet habe und er am Gate und Drain > kurzgeschlossen ist, verhält sich dann der Mosfet wie eine Diode? Er verhält sich wie eine Z-Diode mit Uz=Ugs.
Stefanus F. schrieb: > Wenn man Gate mit Source verbindet, leitet der Transistor gar nicht. Doch, ein Verarmungstyp macht das.
Hier ist ja mal wieder die geballte Fachkompetenz versammelt. 6 Leute, 6 Meinungen, immerhin 1 richtig. Und das bei so einer einfachen Grundlagenfrage.
>Und welche ist das?
Keine der Antworten ist wirklich falsch. Manchmal wurde etwas aneinander
vorbeigeredet, manchmal wurde das Verhalten sehr vereinfacht
beschrieben. Wir sind hier ein Forum und kein Fachbuch.
Das eigentliche Problem ist MaWin. Er ist ein überzeugter Hobbyhalbgott.
Sehr hochnäsig.
Das siehst Du schon daran, dass er nicht mal in der Lage war, die in
seinen Augen falschen Aussagen richtig zu stellen oder zu ergänzen.
MaWin schrieb: > Hier ist ja mal wieder die geballte Fachkompetenz versammelt. > Oh toll, da darf ein Betrag von mir nicht fehlen! JesperK schrieb: > Das eigentliche Problem ist MaWin. Er ist ein überzeugter Hobbyhalbgott. > Sehr hochnäsig. > Was wäre denn die andere Version? Profivollgott, Elektronikorakel, Universalgelehrter, Leasinggott. Sei doch froh, daß er hier etwas beiträgt. Man könnte ebensogut großohrig, qietschknieig, schwabbelbauchig, langhalsig oder spreizfüßig sein. Lasse ihn doch sein, wie er ist. Hier sind wieder die Antworten länger als die einleitende Fragestellung, was die Bemühungsbereitschaft der antwortenden herausstellt. mfG
Tugt1 schrieb: >>> Threadtitel: Diode = Transistor Der Titel ist ja eigentlich verwirrend (oder gar falsch): Lediglich in einem mir bekannten Fall (der sog. "Spitzendiode") laeßt sich eine Diode in einen steuerbaren Schalter mit Verstaerkung verwandeln... https://www.elektroniknet.de/elektronik/halbleiter/der-transistor-wird-70-149034.html https://de.wikipedia.org/wiki/Spitzentransistor Das aber hast Du ja sehr wahrscheinlich gar nicht gemeint - insgesamt plaediere ich im Sinne des Sinnes also fuer: "Transistor als Diode?" > Wenn ich ein Transistor zb nKanal Mosfet habe und er am Gate und Drain > kurzgeschlossen ist, verhält sich dann der Mosfet wie eine Diode? Wenn Du statt des Mosfet einen einfachen, gaengigen Bipolartransistor nimmst, dann hast Du - ganz ohne etwas kurzzuschließen - eine "BE Diode", mit deren Strom Du den Wert des Stromes in der "CE-Diode" bestimmen kannst. Und laeßtt Du noch genug Strom durch die "BE-Diode" fließen (je nach T und I zw. 1/10 und 1/50 des gewuenschten Gesamtstroms), kannst Du sogar die Vorwaertsspannung der "CE-Diode" auf Werte - je nach Transistor mehr oder weniger weit - unterhalb selbiger einer gaengigen Diode bringen. Auch mit Bipolar-Ts weist diese sogenannte Aktive_Gleichrichtung (meist bzw. dimensionierungsabhaengig) geringere Verluste als mit Dioden auf. (Und mit modernen Mosfets evtl. sogar noch weit, weit geringere solche - allerdings ohne den Strom dabei durch die sog. Substrat- bzw. Body-Diode zu leiten [auch wenn manchmal ein wenig davon - aber unabsichtlich - darin landet...].)
Ach ja: Ich habe durchaus schon Hochstrom-Mosfets als Hochstrom-Dioden mißbraucht. Die konnte ich leichter finden als dementsprechende Dioden, damals. Evtl. war ich nur zu bloede zum richtig suchen, aber sie erfuellen ihren Zweck.
Marek N. schrieb: > Man könnte (sollte aber nicht) die Body-Diode verwenden. Das ist so nicht generell richtig. Es gibt MOSFETs, bei denen die Parameter der Bodydiode im Datenblatt spezifiziert sind und dann innerhalb dieser Grenzen auch normal genutzt werden kann und darf. Beispiele einer Nutzung: Verpolschutz, synchrone Schaltnetzteile jeweils bis zum Zuschalten der FETs oder auch als Freilaufdiode in H-Brücken. Aber das war nicht der Kern der Frage ...
Tugt1 schrieb: > Transistor zb nKanal Mosfet MOSFET ist halt doof wenn er nicht benannt wird, selbstsperrend, selbst leitend? Anreicherungstyp, Verarmungstyp? Wer so undifferiert fragt der trollt oder hat keinen Plan. https://www.youtube.com/watch?v=E0kHm67ZUtg&vl=de https://www.youtube.com/watch?v=1hSzn1OUm4c
MaWin schrieb: > Hier ist ja mal wieder die geballte Fachkompetenz versammelt. > > 6 Leute, 6 Meinungen, immerhin 1 richtig. > > Und das bei so einer einfachen Grundlagenfrage. Liegt vielleicht auch (wie so oft) an der schwammig formulierten Frage.
Stefanus F. schrieb: > Wenn man Gate mit Source verbindet, leitet der Transistor gar nicht. > Was dann noch leiten würde, wäre die Body Diode. Ja, das war die Idee. Wenn der TE ohnehin nur eine Diode will, dann kann er auch gleich die Body-Diode nehmen. Die hat dann immerhin den Vorteil, daß sie in den Datenblättern spezifiziert ist. Und sie sperrt auch richtig in Sperrichtung. Marek N. schrieb: > Man könnte (sollte aber nicht) die Body-Diode verwenden. Warum sollte man das nicht? In vielen Schaltungen wird die Body Diode durchaus absichtlich verwendet. Als Freilaufdiode in H-Brücken. Oder zumindest zeitweise bei einem Synchrongleichrichter oder Verpolschutz. Was dem TE wohl vorschwebte, war die Variante, einen Bipolartransistor als "Diode" zu verwenden, indem man B und C verbindet und E als den zweiten "Dioden"-Anschluß verwendet. Tatsächlich gibt es drei Möglichkeiten, einen Bipolartransistor als Diode zu verwenden: 1. man verwendet B und C. Dann kriegt man eine vergleichsweise hochsperrende Diode mit geringer Steilheit im Durchlaßbereich. 2. man verwendet B und E. Diese Diode verträgt nur wenig Sperrspannung (max. ~7V) und und ist auch wenig steil. 3. wie oben: B+C verbinden vs. E. Auch diese Diode verträgt nur wenig Sperrspannung, ist dafür aber im Durchlaßbereich steiler als die anderen beiden Varianten und verträgt auch einen höheren Maximalstrom. Solche "Dioden" sieht man öfter in integrierten Schaltungen, klassisch z.B. im Stromspiegel. Im Prinzip geht Variante 3. mit einem MOSFET auch. Auch hier wäre die Sperrspannung begrenzt (durch die max. erlaubte Gate-Source Spannung), allerdings liegt der MOSFET-"Diode" in Sperrichtung ja die Body-Diode parallel. Deswegen gibt es gar keine nennenswerte Sperrspannung. Und für die meisten MOSFET wird die Durchlaßspannung dieser Diode auch ungewöhnlich hoch sein.
Joachim B. schrieb: > Wer so undifferiert fragt der trollt oder hat keinen Plan. hmmm ist immer noch keine Antwort. getrollt oder ohne Plan? um welchen MOSFET soll es eigentlich gehen? und wie passt das isolierte Gate da rein um Diode zu spielen? Gedanklich bin ich eher beim Bipolartransistor als beim MOSFET, Body Diode mal aussen vogelassen.
Joachim B. schrieb: > Gedanklich bin ich eher beim Bipolartransistor als beim MOSFET Die Beschaltung des TO entspricht einer MOS-Diode. Bei integrierten MOSFETs findet man diese Schaltung. Dort ist oft die Voraussetzung gegeben, dass Source u. Bulk nicht miteinander verbunden sind. Bei diskreten MOSFETs ist die Voraussetzung meist nicht erfüllt, so dass die Body-Diode die Sperrcharacteristik der MOS-Diode zerstört. Ich wiederhole hier aber eigentlich nur, was John schon gestern beschrieben hat und was wahrscheinlich die Frage des TO beantwortet hat: Beitrag "Re: Diode = Transistor" Alle anderen Interpretationsmöglichkeiten der Frage wurden aber ja auch schon zu genüge beantwortet.
SpongeBob schrieb: > Liegt vielleicht auch (wie so oft) an der schwammig formulierten Frage. Genau so ist es. Der TE beschäftigt sich gerade mit Mosfet-Stromspiegeln. Um die dafür in Frage kommenden Schaltungen besser zu verstehen, fragt er sich, welche Eigenschaften der durch das Verbinden von Gate und Drain eines Mosfets gebildete Zweipol hat. Hier gibt es mehr Informationen zum Thema: https://de.wikipedia.org/wiki/Stromspiegel#Schaltung_mit_MOSFETs
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