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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Mosfet-Problem


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Autor: Ingo (Gast)
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Ich möchte mit dem P-Mosfet CSD25310Q2 3.3V schalten. Im Lowpower-Mode 
sollen gewisse verbraucher getrennt werden.

Anbei ein Screenshot mit der Schaltung. Mein Problem ist aktuell nun das 
am Pin PWR_SAVE entweder 0.3 oder 3.3V ankommen. Sind dort 0.3V, kann 
ich an TP6 eine Spannung von 3.3V messen, ist der Pin PWR_SAVE 3.3V, 
messe ich eine Spannung von rund 2.4V, erwarte aber 0V

Wo könnte das Problem liegen?


Vielen Dank,
Ingo

Autor: Axel S. (a-za-z0-9)
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Ingo schrieb:
> ist der Pin PWR_SAVE 3.3V,
> messe ich eine Spannung von rund 2.4V, erwarte aber 0V
>
> Wo könnte das Problem liegen?

Hast du vielleicht Drain und Source des MOSFET vertauscht?
Wie hochohmig mißt du? Was passiert, wenn du einen Verbraucher
von TP6 nach GND schaltest?

Beitrag #5904871 wurde vom Autor gelöscht.
Autor: Michel M. (elec-deniel)
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hilft vielleicht weiter :-)
Beitrag "P-Mosfet mit µC schalten"

Autor: Michael M. (michaelm)
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1. Welche Spannung liegt an S des FET?

2. Wie groß sind die Spannungen am G ggü. S in den Schaltzuständen?

3. Wozu dient R1?

: Bearbeitet durch User
Autor: Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)
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Wenn der MOSFet ein durchgeschlagenes Gate hat, kann ein kleiner 
Leckstrom schon dazu führen, das R2 nicht mehr ausreicht, das Gate auf 
Sourcelevel zu ziehen.
Das kann man leicht prüfen, indem man PWR_SAVE ganz abklemmt und dann 
mal hochohmig über R2 misst (sollte ja gegen 0 gehen).

: Bearbeitet durch User
Autor: Ingo (Gast)
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1.) An S liegt je nach Zustand eine Spannung von 2.5-3.3V
Die Schaltspannung PWR_SAVE ist die selbe, also wie S

3.) R1 ist nicht Bestückt. Er ist eine Option falls  Q2 nicht zum 
Einsatz kommt.

Autor: edzh (Gast)
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R2 -> 10k
R4 -> 1k
R1 -> nicht bestückt
C1 -> nicht bestückt, kann sowieso komplett raus

Q2 gegen einen 3,3V-Logic-Level-P-Kanal-MOSFET tauschen.

PWR_SAVE händisch gegen Masse ziehen / offen lassen.

+3V3_SYS messen.

Autor: Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)
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Ingo schrieb:
> Die Schaltspannung PWR_SAVE ist die selbe, also wie S

Wenn das der Fall wäre, kann das nicht funktionieren. Geht PWR_SAVE 
gegen 0, wird der MOSFet leitend und damit steigt TP6 wieder an. Wenn 
TP6 und PWR_Save also verbunden sind, wird sich ein halbleitender 
Zustand einstellen. Sind die Signale gegeneinander verzögert, ergibt 
sich ein selbstschwingendes System :-)

Autor: Ingo (Gast)
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Matthias S. schrieb:
> Wenn das der Fall wäre, kann das nicht funktionieren. Geht PWR_SAVE
> gegen 0, wird der MOSFet leitend und damit steigt TP6 wieder an. Wenn
> TP6 und PWR_Save also verbunden sind, wird sich ein halbleitender
> Zustand einstellen. Sind die Signale gegeneinander verzögert, ergibt
> sich ein selbstschwingendes System :-)
Nein, das war nicht so gemeint

an S liegt V+
an D liegt TP6

PWR_SAVE liegt entweder an V+ oder 0. Der Steuernde MCU hängt an V+, 
somit ist die Spannung an S die selbe wie V+ (in Volt 2-3.3V)


edzh schrieb:
> R2 -> 10k
> R4 -> 1k
> R1 -> nicht bestückt
> C1 -> nicht bestückt, kann sowieso komplett raus


Das braucht man erst garnicht versuchen, denn

R2+R4 = 11k, 3.3V/11'000Ohm = ganze 300uA verlust.

Autor: edzh (Gast)
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Ingo schrieb:
> Das braucht man erst garnicht versuchen, denn
>
> R2+R4 = 11k, 3.3V/11'000Ohm = ganze 300uA verlust.


Nicht im Low-Power-Modus.

Autor: edzh (Gast)
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Ingo schrieb:
> Das braucht man erst garnicht versuchen, denn
>
> R2+R4 = 11k, 3.3V/11'000Ohm = ganze 300uA verlust.


1. War diese Anforderung bis jetzt nicht bekannt (Strom-Reduktion auch 
im Nicht-Low-Power-Modus).
2. Werden Sie mit so hochohmigen Widerständen nicht glücklich (nur 
mathematisch).
3. War es ein Tipp, um den funktionalen Fehler Ihrer Schaltung 
einzukreisen.

Autor: MaWin (Gast)
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Ingo schrieb:
> Wo könnte das Problem liegen?

Wie kommt man auf die Idee, einen PMOSFET mit dem Drain an plus zu legen 
?

Da leitet er doch immer, über die eingebaute Diode, sieht man auch in 
dinem Schaltplan deutlich.

Die DNP Bauteile dürfen natürlich nicht drin sein.

Ansonsten frage ich mich, wie man diesen winzigen Chip erfolgreich 
einlöten will.

Autor: edzh (Gast)
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Wurde C1 zufälligerweise bestückt?

Wie belastbar sind die 2,4V im Off-Mode?

Autor: edzh (Gast)
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Ich dachte, +3V3_SYS soll der geschaltete AUSGANG von Q2 sein???
Falls nein, dann ist der MOSFET verdreht (Drain / Source)
und im gezeigten Fall ein "schaltbarer" Verpolschutz.

Ansonsten bitte mal Schaltpläne von links nach rechts zeichnen
und im ersten Post die Situation sauber erklären.

Autor: Ingo (Gast)
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edzh schrieb:
> Wurde C1 zufälligerweise bestückt?
>
> Wie belastbar sind die 2,4V im Off-Mode?

Nein, C1 ist nicht bestückt.

Zumindest die 3mA die die Verbraucher ziehen. Mehr müsste ich Probieren.



Anbei nochmal ein grösserer Ausschnitt der Schaltung.

Im Betriebsmodus steuert der MCU (650uA) den Mosfet an, somit erhalten 
die nachfolgenden Sensoren und IC die Versorgung 3V3_SYS (der 
Durschschnittliche Strom beträgt 3mA) + Alfällige angeschlossene 
Erweiterungsboards.

Im Low Power Mode schaltet der Mosfet ab, und der Spannungsregler 
schaltet auf Bypass (+3V3 MCU wird nun die Batterispannung 3.2-2.5V) und 
der MCU geht in den Sleep (3-5uA).

Ist die Schaltung als Batteriemodell im Einsatz ist Q2/R2/R4 bestückt. 
Ist die Schaltung verkabelt, ist nur R1 bestückt. (und noch andere 
Bauteile). So kann für zwei Versionen das selbe Design verwendet werden.


3V3_MCU = "Eingang"
3V3_SYS = "Ausgang"

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