Hallo Forum, ich hätte mal eine Frage zum ESD Schutz bei mosfets. Auf einer Platine habe ich 12 IRF5210 die jeweils einen LED Scheinwerfer ein oder ausschalten sollen. Die Schweinwerfer werden über 3 polige Steckverbinder mit dem Steuergerät verbunden. Auch wenn elektrische Kontakte eigentlich nicht berührt werden können, frage ich mich, ob man die Schaltausgänge ggf. gegen ESD sichern sollte. Oder ist es nur das Gate eines mosfets, was so empfindlich auf ESD reagiert? Das wäre in meinem Fall sogar schon mit einer TVS Diode versehen... nur halt die Schaltausgänge, die ja mit Drain des P-Fets verbunden sind, nicht. Freue mich über eure GEdanken dazu. LG, Marv
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Marvin schrieb: > Auch wenn elektrische Kontakte eigentlich nicht berührt werden können, > frage ich mich, ob man die Schaltausgänge ggf. gegen ESD sichern sollte. Nicht wirklich. Die Drain-Source Strecke von MOSFETs reagiert bei Überspannung wie eine Supressordiode. Wenn die Energie begrenzt ist, geht da nix kaputt. > Oder ist es nur das Gate eines mosfets, was so empfindlich auf ESD > reagiert? Im Prinzip ja.
Marvin schrieb: > Auf einer Platine habe ich 12 IRF5210 die jeweils einen LED Scheinwerfer > ein oder ausschalten sollen. Wenn da nur alle paar Sekunden mal geschaltet werden soll, dann kannst du zusätzlich zur TVS-Diode ja noch einen recht "hochohmigen" Widerstand vors Gate klemmen, dann fällt schon einiges an Energie des ESD-Impulses am Widerstand an und muss nicht im Gate gespeichert werden.
Marvin schrieb: > Oder ist es nur das Gate eines mosfets, was so empfindlich auf ESD > reagiert? Bei diesem Transistor ist nur das Gate ungeschützt. Die Source-Drain Strecke hat eine parasitäre Zenerdiode, die für normale Fälle reichen sollte. Die Gate Kapazität ist allerdings so hoch, dass du da schon mit böser Absicht ran gehen musst, um den Transistor zu zerstören. Durch einfaches Berühren wird da nichts passieren und du hast wohl nciht vor, an das gate eine lange offene Leitung anzuschließen, oder?
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