Hallo, ich habe aktuell ein Projekt wo ich eine Variable Last bauen will, welche von einem Microcontroller gesteuert werden soll. (Das Projekt dient hauptsächlich dazu mein bescheidenes Wissen zu erweitern und muss nicht realisiert werden). Aktuell bin ich dabei den Analogteil für die Spannungs & Strom Messfunktion zu implementieren und darüberhinaus die Schaltungen für die Dacs zu planen um einen IGBT zu Steuern. Hierbei wollte ich einfach einmal fragen, was ihr von den Schaltungen hält und ob ihr mir ein paar hilfreiche Tips geben könnt. Gerne auf für das später folgende PCB design.(Bei Bedarf kann ich gerne die Schaltungen für den ARM Prozessor und deren Peripherie anfügen, diese sind aber noch im entstehen) Die aktuellen Kenndaten sind Umax 1000V und Imax 100A, wobei ein Pmax von 400Watt angedacht wird. (Der IGBT welcher angesteuert wird ist wahlweiße der SKM9000GA12E4 oder ein Typ mit einer niedrigeren Leckstrom (bin ich erst am bestimmen)
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Felix Georg B. schrieb: > was ihr von den Schaltungen hält Irgendwie unheimlich schwer lesbar, dieser "layoutkompatible" Schaltplan mit seinen viereckigen Kästen. Ich versuche noch, die OPs im zweiten Blatt mental in die übliche "Dreiecksform" umzudenken. Leider stürzt mein Translator im Kopf regelmäßig ab. Auch die SHV05 musste ich erst mal bis hin zum Pinout nachschlagen, weil sie auf Anhieb nicht im entferntesten nach Relais aussehen. Und wie der der Stromsensor im Schaltplan leserlich aussehen kann, findet sich sogar auf der ersten Seite im Datenblatt... > um einen IGBT zu Steuern. Ohne Witz: ich habs versucht, aber ich gebs auf. Wird dieser IGBT letztlich analog angesteuert? Und ist das Ganze hier ein Hardwareregler mit Sollwertvorgabe? Oder soll der eigentliche Stromregler in Software laufen? BTW: warum hast du für +3V3 und +3.3V unterschiedliche Netznamen für das selbe Potential?
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Vielen Dank für die Antwort. Die Symbole werde ich bearbeiten, tut mir leid ich war so hinein vertieft, dass ich an dies gar nicht gedacht habe. (Werde die aktualisierten Schaltungen asop nachreichen) Der IGBT wird analog angesteuert ( Connector J4) Die Regelung passiert eigentlich in Software. Die Netznamen muss ich korrigieren, danke.
Hi Schreibe mal die Bauteilnamen im Klartext in einen Beitrag, dann muss man nicht rätseln wie bei IC8. Zudem verabschiede dich vom Gedanken 100A und beispielsweise 20V. Diese Leistung wirst Du selbst mit Wasserkühlung nicht aus dem Bauteil wegbekommen. Auch 1000V halte ich, im Linearbetrieb nicht für machbar da so ein IGBT-Modul intern meist aus mehreren kleineren Dies bestehen welche im Schaltbetrieb noch harmonieren mögen, aber im Linearbetrieb völlig auseinanderlaufen und eines am Ende nahezu die ganze Last übernehmen wird. Wieviele eingebaut sind kann ich dir leider nicht sagen.
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Ich habe mich schon mal an das anpassen der Schaltzeichen herangewagt, ich hoffe das ist für das erste mal übersichtlicher. Weiterhin habe ich den ADC Analogteil aufgespaltet. Werde Ich machen. Okay schade ich hätte gedacht, dass diese IGBTs dann "gemachted". Aber Danke! Bezüglich der Leistung dachte ich an eine softwaretechnische Abriegelung von 400W (hätte gehofft das dies mit dem IGBT möglich ist?) Wieviel Wärme kann man bei einem derartigen Modul ca Abführen? Hast du da Erfahrung?
Hier noch die Bauteilliste als odt, ich hoffe das passt so?
holger schrieb: > Was sollen die Eingänge des ULN2003 an den IGBT? Das sind Mosfets. Allerdings habe ich nicht geschaut was an dem ULN ei bzw Ausgänge sind. Ich gehe davon aus, dass er mit den Mosfets eine Messbereichsumschaltung realisiert. Felix Georg B. schrieb: > Bezüglich der Leistung dachte ich an eine softwaretechnische Abriegelung > von 400W (hätte gehofft das dies mit dem IGBT möglich ist?) > Wieviel Wärme kann man bei einem derartigen Modul ca Abführen? Hast du > da Erfahrung? Leider habe ich nur mit einem älteren BSM120GT150DN Tripack Siemens Modul ein wenig Erfahrung gesammelt. Bei diesem snd je zwei Dies zu einem Transistor parallelgeschaltet. Zum Glück sind die Dies mit einer relativ weichen silikonartigen und klaren Vergußmasse vergossen so dass man auch die defekten Dies erkennen kann. In Originalkonfiguration mit Parallelschaltung fiel ein (Doppel)Transistor bei, ich meine, etwa 350W aus. Laut Dabla sollten 1250W möglich sein. Nach Abtrennen der Anschlußdrähte des defekten Dies konnte ich den verbliebenen Transistor weiterverwenden. Ein zweiter, per extra OP parallel angesteuerter, Die vergrößerte die mögliche Verlustleistung dann ohne weiteren Ausfall auf 400W. Hatte ich mit ca 7V und 55A getestet.
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IGBTs sind oft nicht gut für den Linear-betrieb geeignet. Sofern man überhaupt eine Kurve findet, erlaubt die SOA nur sehr geringe Leistung bei etwas höherer Spannung. Bei nur 12 V kann es also noch ganz gut gehen - bei 100 V könnte dann aber schon bei deutlich unter 1 A Schluss sein. Da sind MOSFETs in der Regel etwas gutmütiger, aber auch nicht alle geeignet. Die Frage ist weniger die Wärmeabführung, da sind etwa 50% des Angegebenen Leistung ein guter Ansatzpunkt. Das Problem ist die ungleiche interne Verteilung des Stromes bei höherer Spannung - da bekommt die heißeste Ecke dann ggf. den meisten Strom.
@Holger gar nichts den habe ich peinlicher weise Falsch eingefügt... Da gehören die Eingänge und die Ausgänge vertauscht. @Armin X Ja das sollte eine Bereichsauswahl werden, damit ich verschiedene Ströme mit maximaler Auflösung messen kann. Prinzipiell könnten 400W Also möglich sein, wobei dieer Wert natürlich per Software variiert werden kann. (Mein gedanke war experimentell herantasten) @Lurchi Das bedeutet es wäre besser Mosfets zu verwenden, obwohl tritt bei einer internen Parallelschaltung von Mosfets nicht das selbe Problem auf? (Die heißeren leiten besser, durch die erhöhte Elektronenbeweglichkeit?) Also im endefekt wäre ein Single Switch am besten? Eine Andere Frage: Der Dac ist ja ein Low end 32bit Audio DAC. Ist mein Grundgedanke Korrekt, dass dies in meinen Fall ausreicht, da ich keine präzisen Spannungsstufen benötige. Sondern mehr Stufen mit einen Softwaremapping sogar besser sind? Oder übersehe ich etwas und sollte lieber einen Präzisions dac nehmen.
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Armin X. schrieb: > Leider habe ich nur mit einem älteren BSM120GT150DN Tripack Siemens > Modul ein wenig Erfahrung gesammelt. Korrektur Es handelte sich um ein BSM150GT120DN2 https://www.hinkel-elektronik.de/pdf_art/1558.pdf bei dem im Bild ist der rechte Transistor in der früheren Anwendung komplett hochgegangen. Habe ich so ausgebaut. Die "beiden" Linken sind noch intakt. Ob das genauso auf dein Semikron Modul übertragbar ist kann ich leider nicht sagen.
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@Armin X Spannend (im warsten sinne des Wortes) Dass so dünne Drähte einen solchen Strom Leiten können fasziniert mich immer wieder.. Verstehe ich das richtig, dass das "Substrat" wo die 8 weißen Felder sind jeweils ein IGBT ist? Also insgesammt 6 für eine Full Bridge für 3 Phasen? BZW was ist das weiße Substraht davor? Ich habe den IGBT vor mir liegen, will ihn aber erlich gesagt nicht öffnen um herauszufinden wie dieser intern Aufgebaut ist. ^^
Armin X. schrieb: > holger schrieb: >> Was sollen die Eingänge des ULN2003 an den IGBT? > > habe ich nicht geschaut was an dem ULN ein bzw Ausgänge sind. Der ULN ist sozusagen verkehrt herum, weil nB = Eingang, nC = Ausgang. > Das sind Mosfets. Ich gehe davon aus, dass er mit den Mosfets eine > Messbereichsumschaltung realisiert. Aber das macht man doch nicht so. Die Ausgänge so eines ULN sind dazu da, mehrere mittelkleine Verbraucher parllel beliebig ansteuern zu können - welche aber alle den gleichen GND Bezug aufweisen. Auch wäre das resultierende Gewirr aus Serien- und Parallelschaltungen von Shunts und Kanälen ein ziemlicher Fehlgriff, sogar, wenn das mit der Ansteuerung klappen würde (was es nicht tut - was jemand mit so einem Vorhaben aber ebenso wissen sollte, wie das, daß das Resultat eh ein Fehlgriff wäre). Felix Georg B. schrieb: > @Lurchi > Das bedeutet es wäre besser Mosfets zu verwenden, obwohl tritt bei einer > internen Parallelschaltung von Mosfets nicht das selbe Problem auf? (Die > heißeren leiten besser, durch die erhöhte Elektronenbeweglichkeit?) Nein, je heißer, je höher der R_ON. Leider aber auch: Desto geringer V_GS(th). Daher... > Also im endefekt wäre ein Single Switch am besten? Nein. Mehrere Schalter parallel, jeder mit eigenem OPV. Ohne jegliche Grundlagen geht so etwas auch nicht theoretisch, und der Umfang des fehlenden Wissens wäre am besten didaktisch aufbereitet (chronologisch/thematisch geordnet, weil das eine auf dem anderen aufbaut) aufzunehmen. Dieses jetzt in einem Thread verbessern zu wollen... schwierig, vielleicht sogar kontraproduktiv. Du wirst dabei sicher etwas lernen, aber definitiv besser wäre, die (scheinbar wirklich großteils völlig) fehlenden Grundlagen als geordneten Lehrstoff aufzunehmen, statt alles durcheinander.
Lurchi schrieb: > Die Frage ist weniger die Wärmeabführung, da sind etwa 50% des > Angegebenen Leistung ein guter Ansatzpunkt. Das Problem ist die > ungleiche interne Verteilung des Stromes bei höherer Spannung - da > bekommt die heißeste Ecke dann ggf. den meisten Strom. Bei Mosfets ohne Hersteller-Vermessung der DC-Eigenschaften (ohne die "DC-Linie" in der SOA Grafik, bzw. nur mit einer offensichtlich völlig falschen, die scheinbar unfaßbar viel zuläßt, vor allem auch ohne den "Knick", und scheinbar bis zu VBRDSS linear brauchbar - Unfug also) bleibt man besser unterhalb 1/3 der Sperrspannung, und statt 50% würde ich sogar <= 40% der P_tot ansetzen (bei bester Kühlung), um das auszuschließen. Dann geht es mit jedem Fet. Es gibt besondere "Linear Fets" z.B. von IXYS, die können mehr.
Das Ding wird nie stabil laufen. An dem Opamp, der den IGBT treibt, fehlt jegliche Kompensation. Der arme OpAmp treibt eine riesige Gateladung. Hast du die Schaltung mal simuliert? Ich vermute, dann wären dir da gravierende Mängel aufgefallen. Was macht die Sicherung am Ausgang von U8? Die wird doch niemals kommen. R26 C54 verlangsamen dein Feedback deutlich. Willst du das? Oder ist das garnicht dein Feedback, sondern kommt das aus dem Äther? Dieser dritte Pin zum IGBT sieht zumindest nicht vertrauenserweckend aus.
Felix Georg B. schrieb: > Verstehe ich das richtig, dass das "Substrat" wo die 8 weißen Felder > sind jeweils ein IGBT ist? Also insgesammt 6 für eine Full Bridge für 3 > Phasen? BZW was ist das weiße Substraht davor? Nicht ganz. Das sind drei Transistoren und drei Dioden. Schaltungstechnisch von außen gesehen. Die Hälfte einer Drehstrombrücke. Je zwei der Transistorsubstrate(die mit den 8 Feldern) sind schaltungstechnisch zusammengefasst, wobei jeder Einzeltransistor noch eine eigene Diode dazu spendiert bekommen hat. Die kleinen Substrate(Dies) darunter. Deinen Semipack musst Du auch nicht unbedingt öffnen. Ich habe auch schon Siemens Duopacks gesehen die mit einem harten, undurchsichtigen Verguß versehen waren. Bis wieviel Leistung Du gehen kannst wirst Du wahrscheinlich experimentell ermitteln müssen. Ggf halt eine Sicherung mit einbauen...
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Könntest du mir bitte einen Tipp / Lektüre geben wie man sonnst profesionell eine Messbereichserweiterung bei der Strommessung realisiert? Würde gerne verstehen was an dem Konzept nicht passt. (Mit auf die Schnautze fallen lerne ich am besten)^^ bezüglich des ULN tut mir leid ich hatte da vorher einen Treiber Ic drinnen, den ich ausgetauscht habe, da der ULN genauso reicht. Die Schaltung habe ich aktuallisiert..(Schnell austauschen geht hald nie gut aus..) Warum steuere ich keine kleinen Verbraucher einzeln mit dem ULN an? Das GND Potential ist ja auch mehr oder minder das selbe oder kann ich diese Rechnung nicht vereinfacht annehmen? [math] Umosfet=Imos*Rmos=100A*400uOhm=0.04Volt [\math] [math] Uoffmax=3*Umosfet=0.04V*3=0.12Volt [\math] Damit sollte ich doch jeden Fet einwandfrei Schalten können. Felix Georg B. schrieb: > @Lurchi > Das bedeutet es wäre besser Mosfets zu verwenden, obwohl tritt bei einer > internen Parallelschaltung von Mosfets nicht das selbe Problem auf? (Die > heißeren leiten besser, durch die erhöhte Elektronenbeweglichkeit?) Nein, je heißer, je höher der R_ON. Leider aber auch: Desto geringer V_GS(th). Daher... Aber wenn VGS fällt dann leitet er ja mehr im linearbetrieb? Muss mir nochmal wiki durchlesen. Wenn du mir allgemein irgendeine Lektüre empfehlen kannst bin ich auch sehr dankbar!
Was soll das eigentlich für ein 0,7mOhm Widerstand sein? Von SMD-Typen kannst Du dich jedenfalls ziemlich Sicher verabschieden. Dafür brauchst Du bei max 100A mit den dann drei aktiven Mosfets viel zu viel Kupfer- und Kühlfläche als das auf einer Platine sinnvoll machbar ist. Der Widerstand 7W und die Transistoren je 4W. Mir hat es letztens einen in einem Werkzeugakku eingelöteten 0,5mOhm Widerstand abgelötet. Bei "nur 50A. Schon mal darüber nachgedacht nur den einen Shunt zu benutzen und dafür die Verstärkung des OPs mittels PGA variabel zu gestalten?
@Kevin K ich muss sagen ich habe sie noch nicht Simuliert, werde den aber gleich nachgehen. Bezüglich den R26 und C54 war mein Gedanke die Hohen Frequenzanteile wegzuschneiden, da meine Regelung eigentlich eher auf der gemütlicheren Seite sein sollte. Meint du die Sicherung am IC8 (den Verstärker)? Hierbei geht der Output zum Gate und der Minus Eingang des OPVs zum Collector. Die Sicherung ist eigentlich zu viel des guten, ich dachte mir nur falls ein Fehlerfall eintritt, dass der Strom über die Surpressordiode und die Sicherung fließt und diese dabei trennt.
Felix Georg B. schrieb: > Hierbei wollte ich einfach einmal fragen, was ihr von den Schaltungen > hält und ob ihr mir ein paar hilfreiche Tips geben könnt. Ich Denke Deine 2N7002 werden das Ausschalten eines Relais nicht überleben, obwohl sie bis zu 60V aushalten. https://www.mikrocontroller.net/articles/Relais_mit_Logik_ansteuern#Schaltstufe_f.C3.BCr_kleine_Lasten mfg KLaus
Ein paar Informationen zu MOSFETs im Linearbetrieb findet man z.B. in Fairchild AN-4161. Die Umschaltung der Shunts braucht in der Regel keinen MOSFET parallel zum kleinsten Shunt, der kann dauerhaft drin bleiben. Ich würde die FETs auch so anordnen, dass der Strom nur durch je einen MOSFET muss. Die zu den größeren Shunts können dann auch kleinere Typen sein. Für den Anfang sollte man sowieso nicht gleich mit so hohen Strömen / Spannungen planen. Für den Anfang reicht auch ein Ausführung bis vielleicht 50 V und 5 A bzw. 100 W. Wenn man den Teil verstanden und einmal durchgemessen hat, kann man über mehr Leistung nachdenken.
@Armin X Die widerstände sollen eigentlich nicht auf die Platine kommen (habe sie nur zum besseren Verständniss eingezeichnet. Hierbei wollte ich Hochleistungs Shunts nehmen. Die höheren Werte sollen sowieso nur für kleine Ströme benutzt werden. Bezüglich den Mosfets gebe ich dir recht, wobei ich angedacht habe diese auf massive Kupferblöcke zu löten um die Wärme abzutransportieren und den Strom "ohne Verluste" zu leiten. >Schon mal darüber nachgedacht nur den einen Shunt zu benutzen und dafür >die Verstärkung des OPs mittels PGA variabel zu gestalten? Das Passiert ja sowieso zusätzlich,da mein ADC einen PGA integriert hat, ich wollte nur mit den Widerständen ein breites Spektrum abdecken. &Danke für die Substrat/Die erklärung
@Klaus R Seltsam in dem Chinesischen Datenblatt ist bei dem Relais eine Freilaufdiode integriert. Bei dem Original was ich verlinkt habe nicht! Du hast recht ohne Freilaufdiode wird das bitter enden. @ Lurchi Vielen Dank, Das werde ich mir morgen in ruhe Durchlesen! >Die Umschaltung der Shunts braucht in der Regel keinen MOSFET parallel >zum kleinsten Shunt, der kann dauerhaft drin bleiben. >Ich würde die FETs auch so anordnen, dass der Strom nur durch je einen >MOSFET muss. Die zu den größeren Shunts können dann auch kleinere Typen >sein. Okay das ist wiklich eine um einiges inteligentere Lösung. Werde ich einplanen. Das ich für den Anfang kleiner beginnen sollte ist leider schon klar, ich dachte mir nur, warum nicht einmal bauen für alle Fälle. (Die unmögliche Eierlegendewollmilchsau bauen) Darüberhinaus will der IGBT schon die ganze Zeit wieder einen Einsatz finden ^^
Felix Georg B. schrieb: > Die höheren Werte sollen sowieso nur für kleine Ströme benutzt werden. > Bezüglich den Mosfets gebe ich dir recht, wobei ich angedacht habe diese > auf massive Kupferblöcke zu löten um die Wärme abzutransportieren und > den Strom "ohne Verluste" zu leiten. Verwechsle Kupferblock nicht einfach mit Kühlkörper. Du brauchst auch (Kühl)Fläche. @All Was spricht eigentlich gegen mehrere Transistoren mit je eigenem höherohmig angepasstem Shunt. Deren Messwerte könnte man dann einerseits auf den jeweiligen AnsteuerOP rückführen. Mittels zusätzlichem Widerstand(10k)alle Messwerte zusammenführen und dem PGA des ADC zuführen. So könnte man doch auch über eine Zu- bzw Abschaltung mehrerer Transistoren eine Bereichsumschaltung realisieren. In Software sollte das doch so schwer nicht zu realisieren gehen wenn die Regelung auch dort gemacht werden soll. Hab hier eine alte analoge Senke, umschaltbar 5A / 50A. Im kleinen Bereich werden 8, im großen Bereich ca 80 Transistoren beheizt.
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Felix Georg B. schrieb: > Darüberhinaus will der IGBT schon die ganze Zeit wieder einen Einsatz > finden ^^ Warum versuchst du dann nicht einfach, erstmal ein kleines Brötchen zu backen, und dann erst die Brotfabrik zu bauen? Mach doch mal einen Regelkreis mit dem IGBT und dem uC, dann siehst du schon, dass du dir eine Softwareregelung für so eine elektronische Last gleich mal aus dem Haar schminken kannst. Oder andersrum: wenn du da den 7 Ohm Widerstand zur Strommessung grade mal nicht kurzgeschlossen hast und einer will da 10A durchknüppeln, dann gute Nacht. Bis die Software da was ausrichten kann, ist wegen der Überspannung schon die Siliziumschmelze eingetreten... Mein Tipp an dieser Stelle: du bist nicht der erste, der ein Rad bauen will. Sieh dir andere Konstruktionen an. Verstehe, was die machen, analysiere, wie sie es machen, bau sie nach und lerne dabei. Armin X. schrieb: > In Software sollte das doch so schwer nicht zu realisieren gehen wenn > die Regelung auch dort gemacht werden soll. Ja klar, und beim Debuggen sollte der Regler schnell nachregeln und bleibt auf dem Breakpoint stehen. Oder kurz: viel Spaß bei der Inbetriebnahme so eines Konstrukts (wenn es denn grundsätzlich schnell genug wäre).
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naja prinzipiell kann man diesen auch gleich mit Wasserkühlen, dann ware das Problem gegessen. (Ps die Wasserkühler hätte ich alle selber cnc gefräst, fals disbezüglich Fragen aufkommen) Der Ansatz ist eine Überlegung wert! Ohaa da waren die Transistoren wohl gerade im Ausverkauf ^^
IGBTs sind linear in der Regel noch schlechter als MOSFETs. Von daher wird das große IGBT Modul vermutlich nicht wirklich viel weiter helfen. Getrennte Zweige für große und kleine Ströme sind möglich. Allerdings hat man dann bei den kleinen Strömen auch nur einige wenige Transistoren aktiv. Die Umschaltung der shunts würde erlauben auch bei kleinem Strom und hoher Spannung mehr Transistoren zu nutzen. In der Regel dürfte aber ein Umschaltung in 2 Stufen ausreichen - für sehr kleine Ströme reicht dann 1 Transistor.
Felix Georg B. schrieb: > was ihr von den Schaltungen hält Haltet. Welche Schaltung ? Ein Haufen abgekippter Bauelemente. Du glaubst doch nicht ernsthaft, dass jemand nun alle Namen von allen Leitungen zusammensucht um eine Ahnung zu bekommen was wie verschaltet wetden soll ? Was die Gate der IPT004N03L am ULN machen ist unklar. Was die IPT überhaupt machen sollen ist unklar, IGBT sind es jedenfalls nicht. Einweggleichrichtung am Netzteil ist ungünstig, erfordert grosse Elkos, deine erscheinen zu klein, wobei der Strombedarf unbekannt ist. Dafür am Spannungsreglerausgang ein ganzer Zoo. Welchen Sinn hat dort ein Elko, welchen Sinn 1.5nF ? Die Spannungsangaben (15V am 7812, 28V am 7824) sind zu klein, vor allem bei den kleinen Elkos nach Einweggleichrichtung, beachte +/-10% Netzspannungstoleranz, aber jeiner weiss ja welche Trsfospannung anliegt. Grundlagen: http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.9
MaWin schrieb: > Dafür am Spannungsreglerausgang ein ganzer Zoo. > Welchen Sinn hat dort ein Elko, welchen Sinn 1.5nF ? Er hat wohl gelesen, daß so eine Kombination extrem breiten Frequenzbereich abdeckt - was zwar stimmt, aber übertrieben. (Außerdem heutzutage mit Kerko bzw. MLCC lösbar.) Am einfachsten ist es, statt solcher "Universalbaugruppen" (die auch schaden können) ins jew. Datenblatt des Reglers zu sehen, oder falls mal nicht dort, in den gesonderten AppNotes (Applikationshinweisen). Such' Dir mal einige Datenblätter von "normalen" und auch Low-Drop Spannungsreglern heraus, und dann suche nach Threads dazu. Diese riesigen Elkos (obwohl in vielen "Bastelschaltungen" als Vorlage zu sehen) bringen Dir kaum etwas, und ebensowenig der 1,5nF C. Die restlichen beiden sehen erst mal besser aus. (Nach Prüfung, ob sie den Anforderungen des jew. Reglers im Datenblatt (Kapazität min/max; ESR min/max) auch entsprechen, könnte das vielleicht gehen.)
Milliohm-Meßwiderstände mit VFets parallel "ausschalten" und diese dann noch in Reihe ist schon sehr "innovativ" und wenig langzeitstabil. Und das soll eine Meßschaltung sein? Die bewährte Bereichsumschaltung von Amperemetern sieht anders aus. Relais werden doch schon woanders verwendet, warum nicht hierfür?
@Lothar M. >Warum versuchst du dann nicht einfach, erstmal ein kleines Brötchen zu backen, und dann erst die Brotfabrik zu bauen? Da hast du ziemlich sicher recht, ich werde glaube ich wirklich einmal die Schaltung im kleinstmaßstab bauen und mir anschauen... >Oder andersrum: wenn du da den 7 Ohm Widerstand zur Strommessung grade mal nicht kurzgeschlossen Naja wenn ich von einem Softwarefehler ausgehe. Ja dann ist die Messbrücke nicht optimal und eine auftrennung in mehrere Transistoren wäre wieder vorteilhaft.. Ich sehe es ein ^^ @Mawin >Was die Gate der IPT004N03L am ULN machen ist unklar. Was die IPT >überhaupt machen sollen ist unklar, IGBT sind es jedenfalls nicht. Ich will den ULN verwenden die Gates der Mosfets anzusteuern. Da ich nicht schnell schalten muss (da ich immer schalten will wenn kein Strom fließt) dachte ich mir, dass dieser Ansteuerung ausreicht. Wie wäre diese besser realisiert? Realisieren wollte ich mit den Mosfets (Habe ich diese einmal IGBT genannt?), eine Bereichsumschaltung für die Strommessung. Lurchi hat mir an dieser Stelle schon einen besseren Ansatz vermittelt. >Welche Schaltung ? Ein Haufen abgekippter Bauelemente. Du glaubst doch nicht ernsthaft, dass jemand nun alle Namen von allen Leitungen zusammensucht um eine Ahnung zu bekommen was wie verschaltet wetden soll ? Wie kann ich sie dir lesbarer machen? Auch damit lerne ich, wenn du mir sagst wie ich die Schaltung besser zeichne. >Einweggleichrichtung am Netzteil ist ungünstig, erfordert grosse Elkos, deine erscheinen zu klein, wobei der Strombedarf unbekannt ist. Dafür am Spannungsreglerausgang ein ganzer Zoo. Welchen Sinn hat dort ein Elko, welchen Sinn 1.5nF ? Die Eingangselkos sind wirklich zu klein! Gerechnet mit Q=C*U und vereinfachter konstanter Stromentnahme. Danke diesbezüglich. Der Gedanke mit den mehreren Kondensatoren in der Versorgung war wie @ccp es schrieb übertrieben. & Ich werde mir die App Notes anschauen! Danke. >Die Spannungsangaben (15V am 7812, 28V am 7824) sind zu klein, vor allem bei den kleinen Elkos nach Einweggleichrichtung, beachte +/-10% Netzspannungstoleranz, aber jeiner weiss ja welche Trsfospannung anliegt. Ja ich habe die Trafospannungen nicht angegeben, das ist ein Fehler den ich in der Schaltung beheben sollte, wieviel Volt sollte ich bei den Linearregler min Aufschlagen? (Reichen 3 bis5 Volt)? Laut Datenblatt sind die Bereiche doch legitim? (Abgesehen jetzt von dem Voltage drop, durch den zu kleinen eingangs Elko) @Werner H Warum ist die Schaltung nicht langzeitstabil? Ja mit deiner Hilfe kann es eine werden ^^ Wie würdest du dies realisieren? Ich habe von Relais abstand genommen, weil ich mir dachte, dass Mosfets eine höhere Lebensdauer erreichen. Was scheinbar falsch ist.... Prinzipiell könnte man mehrere Relais nehmen und dann den gewünschten Shunt durchschalten, was eigentlich auch eine bessere Lösung ist.
So eine Last baut man mit einem Array von binaeren widerstanden, welche mit Mosfet geschaltet werden. Mit nur 8 Widerstanden erreicht man 8 Bit aufloesung. Fuer die Standardanwendungen werden wahrscheinlich 12 Widerstaende genuegen. Wichtig dabei ist, die Mosfets nur schalten zu lassen.
Felix Georg B. schrieb: > wieviel Volt sollte ich bei den Linearregler min Aufschlagen Lies einfach die schon angebotenen Grundlagen MaWin schrieb: > Grundlagen: http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.9
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