nichtinvertierender Transistorschalter

Mit einem Transistor sehe ich da jetzt auch kein Problem? Ein P-FET 
würde invers funktionieren.

Wenn ich einen PNP nehme, dann invertiert er ja (Schaltsignal 0V -> µC 
ein):

                    |</ +5V
Schaltsignal  --Rb--|
                    |\ zum µC Vdd

Es soll genau umgekehrt sein.

Also muss ich einen npn nehemen. Aber den kann ich ja nicht als 
high-side schalter verwenden...


Ich habe aber mal gelernt, der Basisstrom darf nicht durch den 
Lastwiderstand fließen:

                    |/ +5V
Schaltsignal  --Rb--|
                    |>\ zum µC Vdd


Und stattdessen den µC fest mit +5V zu verbinden während sein GND 
geschaltet wird ist vermutlich nicht sinnvoll. Damit hatte ich 
jedenfalls schonmal Probleme, da es interne GND Verbindungen im µC 
gibt..

Kollektorschaltung.

Npn Transistor:
Basis direkt ohne Widerstand an uC Ausgang.
Collektor an dieselbe Ub wie uC.
Emmitter an Last und Last an Masse.

Das ist nichtinvertierend. Gibt der uC HI aus, ist die Last aktiv.


Edit.
Ich les grad, der uC soll ja die Last sein. Ok.

GND schalten würde ich auch nicht machen das geht meistens in die Hose. 
Ein NPN high side geht schon ist halt nicht ganz so cool der 
Spannungsabfall wird vermutlich relativ hoch, würde jetzt mal so 0,5-1V 
schätzen.

Was spricht gegen einen integrierten high side switch? Sowas für USB 
beispielsweise.

> mit nur einem Transistor lösen?

Gemogelt:
Nimm einen IRLML6402 und klemm einen Single-Inverter 74AHC(T)1G davor.

Das ist ein p-FET und genau als High-Side-Switch gedacht.

Mani W. schrieb:

> Gnd schalten ist fast immer auch tödlich, so etwas macht man nicht
> in der Elektronik!

Open/GND-Schalter sind absolut üblich, genau wie N-Ch-Mosfets nach GND.

Nop schrieb:
> Open/GND-Schalter sind absolut üblich, genau wie N-Ch-Mosfets nach GND.

Ja, aber du willst nicht deinem µC GND wegnehmen. Im KFZ Bereich ist es 
sogar verboten low side irgendwas zu schalten.

Wenn man von irgendwas Power schalten will macht man das high side damit 
alle GNDs verbunden bleiben. Open-Drain und ähnliches nimmt man für 
Siganle aber nicht für die Versorgung.

> Open/GND-Schalter sind absolut üblich, genau wie N-Ch-Mosfets nach GND.

In brummenden Taschenlampen vielleicht.

Sven S. schrieb:
> Warum nicht? Das wird schon immer so gemacht.

Ich dachte, weil dann n icht genau definiert ist, wie groß der 
Basis-Emitterstrom ist, da komplett von der Last abhängig (zumindest, 
wenn ich keinen zusätzlichen Basiswiderstand einbaue).

Guest schrieb:
> Ein NPN high side geht schon ist halt nicht ganz so cool der
> Spannungsabfall wird vermutlich relativ hoch, würde jetzt mal so 0,5-1V
> schätzen.

Warum sollte denn der Spannungsabfall so hoch sein? Ich dachte wenn der 
Collector-Emitterstrom im Rahmen des durch die Stromverstärkung 
vorgegebenen Maximums ist, ist Vce nahezu 0 Ohm und damit praktisch kein 
Spannungsverlust.

Bezüglich GND eines µC schalten: ja, ist mir klar. Den Fehler habe ich 
ganz am Anfang auch mal gemacht.

Guest schrieb:

> Ja, aber du willst nicht deinem µC GND wegnehmen.

Solange da nichts an ein Metallgehäuse angeschlossen ist, spielt es 
keine Rolle, wo man einen Stromkreis unterbricht.

> Im KFZ Bereich ist es
> sogar verboten low side irgendwas zu schalten.

Zurecht, weil die Karosserie an GND liegt und daher GND an allen 
möglichen Ecken anliegt, so daß GND-Schaltung im Endprodukt nicht 
unbedingt wie gedacht funktionieren würde.

> Wenn man von irgendwas Power schalten will macht man das high side damit
> alle GNDs verbunden bleiben.

Ein N-Ch-Mosfet als low-side ist durchaus üblich als Lastschalter.

Mani W. schrieb:

> Beispiele???

Jeder N-Ch als LS, was eine der Hauptanwendungen dafür ist. So üblich, 
daß es sich sogar in einem Artikel hier auf der Webseite findet:

"Eine typische Anwendung ist z. B. ein Low-Side Schalter: Source an GND, 
Drain an die Last, Ansteuerung des N-Kanal FETs mit 12V gleichbedeutend 
mit 12V ÜBER den Source = GND Potential."

https://www.mikrocontroller.net/articles/FET

... allerdings würde ich auch nicht auf einem Board NUR dem µC seinen 
GND wegnehmen, die komplette Peripherie aber verbunden lassen.

Mani W. schrieb:

> So einen Blödsinn wie den von Dir dargebrachten hab ich in den
> letzen 20 Jahren nicht lesen und hören müssen!

Kann ich auch nichts zu, wenn Du nie begriffen hast, wieso man in einem 
Metallauto mit GND überall keinen GND schaltet.

Mani W. schrieb:

> Also, keinen Gnd schalten!
>
> Sind wir uns da jetzt einig?

Jedenfalls im Auto und anderen Umgebungen, wo GND an jeder Ecke liegt 
und u.U. über jede Schraube zur Schaltung gelangen kann.

Mani W. schrieb:

> Ja! Ok und sorry für das Mißverständnis!

Hat sich dann ja schnell aufgeklärt, alles gut. :-)

>> Ein NPN high side geht schon ist halt nicht ganz so cool der
>> Spannungsabfall wird vermutlich relativ hoch, würde jetzt mal so 0,5-1V
>> schätzen.
>
> Warum sollte denn der Spannungsabfall so hoch sein? Ich dachte wenn der
> Collector-Emitterstrom im Rahmen des durch die Stromverstärkung
> vorgegebenen Maximums ist, ist Vce nahezu 0 Ohm und damit praktisch kein
> Spannungsverlust.

Der Spannungsabfall kommt durch die zu geringe Basisspannung - am 
Emitter wird immer eine um Ube (die o.g. 0.5-1V) geringere Spannung sein 
als an der Basis (sonst fließt kein Basisstrom).

klingt völlig logisch. Das war mir aber bislang gar nicht klar...

Danke euch allen für die Hilfe!
Bin wieder einen Schritt weiter.