Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik 1N5817 Schottky Alternative


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von Drago S. (mratix)



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Hallo zusammen,

bisher verbaue ich für eine pure Richtungsweisung die 1N5817. Wegen dem 
geringen Vf bin ich damit auch zufrieden.
Nun bin ich dabei den Vorrat aufzufüllen und schaue mich nach 
Ersatztypen um.

Vishay 10BQ015 scheint die 1N5817 etwas zu übertreffen.
Auch die BAT42W/43W klingt nicht schlecht.

Was ebenfalls in Frage käme, wären Dual-Typen, primär common cathode.
z.B. etwas i.d.A. BAT54C, die schon grenzwärtig bis unterhalb liegt.

Ansonsten alle normalen THT und SMT (bis Baugröße SOD-123/SOT-23).

achja, zur Applikation/Anforderungen:
1.) Kleinsignalaufgaben, nichts anspruchsvolles.
2.) Li-Ion Vbat zum LDO schleusen. Also 3.0-4.2V, im Dauerbetrieb max. 
80mA, peaks bis 250mA.
2.) Vusb zum LDO schleusen, nebenbei Li-Ion laden. Also 5V mit max. 
500mA.

Habt ihr Vorschläge bzw. wie sind euere Typen?

von Jörg R. (solar77)


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Mister A. schrieb:
> Nun bin ich dabei den Vorrat aufzufüllen und schaue mich nach
> Ersatztypen um.

Weshalb Ersatztyp wenn die 1N5817 deinen Anforderungen genügt? Sie ist 
doch nicht obsolet.

PS: Ich benutze die auch ganz gerne.

: Bearbeitet durch User
von Drago S. (mratix)


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Naja ich habe viele akkubetriebene Anwendungen, und manchmal sind die 
450mV drop zu viel. Dort versuche ich noch etwas einzusparen.

Die LDO's habe ich schon alle optimiert. Aber auf die Diode kann ich 
leider nicht verzichten :)

: Bearbeitet durch User
von Jörg R. (solar77)


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Mister A. schrieb:
> Naja ich habe viele akkubetriebene Anwendungen, und manchmal sind die
> 450mV drop zu viel. Dort versuche ich noch etwas einzusparen.

Geht es dabei um einen Verpolungsschutz am Eingang des LDO?
Vielleicht kommt dann eine Lösung mit einem P-Mosfet in Betracht.

von Drago S. (mratix)


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Jörg R. schrieb:
> Geht es dabei um einen Verpolungsschutz am Eingang des LDO?
Richtig, unter anderem.
Obwohl es mehr hystorische Gründe hat, die ich mittlerweile nicht mehr 
praktiziere (gleicher Stecker für Li-Ion, Solar, Vusb) am Vin.
So gesehen könnte ich die Diode tatsächlich weglassen :)

> Vielleicht kommt dann eine Lösung mit einem P-Mosfet in Betracht.
Ich konnte mich mit MOSFET's irgendwie nie richtig anfreunden 
(Berechnungsorgien). Mit Transistoren hingegen schon.

Aber ich lass mir gerne unter die Arme greifen, wenn sich so eine 
Schematik für ein Autoswitching 5V USB/ Batterie findet.

von Drago S. (mratix)


Angehängte Dateien:

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Ich hänge mal das Projekt an, um das es sich teilweise handelt.
Sorry dass ich jetzt vom Eingangsthema/Topic abweiche.

D3,D4,D5 sind die betroffenen Kandidaten.
Bitte D2 ignorieren. Das steht ganz gross und dick Attention - Du sollst 
den Akku nicht so laden :)

von MaWin (Gast)


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Mister A. schrieb:
> Dort versuche ich noch etwas einzusparen

There aint no such thing as a free lunch.

Jede 'Optimierung' in eine Richtungvhat auvh Nachtrile. Je kleiner die 
Uf einer Schottky, um so grösser ist er Sperrstrom.

Ich vermute, du wirst mit SK24A/BAT60 zufrieden sein müssen.

Die www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.2 nennt:

(Schottky-)Dioden niedriger Flußspannung (aber hohem Rückstrom) als 
Germaniumersatz: BAT60A: 0.12V@10mA 0.2V@100mA LL103x: 0,2V@1mA@25°C 
MBRS120, MBRS140: 0,23@30mA@25°C MBRS320, MBRS340: 0,22@50mA@25°C B340F: 
0,2V@10mA@25°C SB320, SB330, SB340: 0,2@10mA@25°C SK24A: 0,13V@10mA; 
0,2@100mA; 0,33@1A, MBRB2515L (0.28V@10A, 200mA Ireverse@100°C)

von Sven S. (schrecklicher_sven)


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Mister A. schrieb:
> Obwohl es mehr hystorische Gründe hat...

Du meinst hysterisch, oder?

Mister A. schrieb:
> Ich konnte mich mit MOSFET's irgendwie nie richtig anfreunden
> (Berechnungsorgien).

Eine Berechnungsorgie hast Du nur, wenn Du Verluste im Schaltregler 
mathematisch bestimmen willst, statt experimentell.
Ein Mosfet braucht halt ein bißchen Peripherie. Dafür sind 
Durchlassspannung und Sperrstrom bedeutend niedriger als bei einer 
Schottkydiode.

von Jörg R. (solar77)


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Mister A. schrieb:
>> Vielleicht kommt dann eine Lösung mit einem P-Mosfet in Betracht.
> Ich konnte mich mit MOSFET's irgendwie nie richtig anfreunden
> (Berechnungsorgien). Mit Transistoren hingegen schon.

http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz

von Manfred (Gast)


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> Jede 'Optimierung' in eine Richtung hat auvh Nachteile. Je kleiner die
> Uf einer Schottky, um so grösser ist er Sperrstrom.

Die 1N5817 kann 1 Ampere und ist bedrahtet, laut Eröffnungspost werden 
aber nur 250mA benötigt und SMD wäre auch passend.

Da kommt mir die MBR0520 in den Sinn, die auf dem Arduino China-Nano 
verwendet wird. Die ist im Durchlass ein paar mV niedriger und auch im 
Sperrstrom geringer, SOD-123. Meine habe ich 2015 billig vom Chinamann 
bezogen.

Günstiger bekommt man die SS14, ist als DO-214 aber deutlich größer.

von fetty (Gast)


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Manfred schrieb:
> MBR0520

Jedoch ist deren I_FSM Wert viel niedriger (5,5A, ON Semi).

Bei Verpolschutz-etc. werden oft Schaltungen mit weiteren
Stützelkos angeschlossen, man sollte es zumindest erwähnen.


Sven S. schrieb:
> Mister A. schrieb:
>> Ich konnte mich mit MOSFET's ... nie ... anfreunden
>> (Berechnungsorgien).
>
> Berechnungsorgie ... nur, wenn Du Verluste im Schaltregler
> mathematisch bestimmen willst, statt experimentell.

Genau, aber absolut nicht bei quasistatischer Anwendung.

> Ein Mosfet braucht halt ein bißchen Peripherie.

Auch nicht mehr / weniger als Bipolartransistoren, und bei
dieser Anwendung sogar oftmals weniger.


Mosfets "prinzipiell aus dem Weg zu gehen" kostet Dich echt
diverse Vorteile - und wie gesagt (worauf oben auch Sven schon
hatte hinaus wollen) sind die Gegenargumente eher Vorurteile.

Überleg' Dir das lieber noch mal...

von Drago S. (mratix)


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Zunächst Danke euch für die ganzen Vorschläge.

Mittlerweile habe ich so um die 40-50 Datenblätter durchgekaut. Dabei 
festgestellt, dass 90% der Angaben pure Wettbewerbsreklame sind, alle 
doch nur mit gleichem Wasser waschen/kochen. In den Details gibt es kaum 
Unterschiede bzw. große Sprünge.

Ergo die 1N5817 ist wirklich gut, preisgünstig und liegt von den Daten 
her ziemlich oben. Da ich sie praktisch schon kenne, bleibt sie weiter 
mein Favorit. Wer etwas mehr If benötigt fährt mit der 1N5818/9 ziemlich 
gut.

Die SK24A, und deren Serie unterhalb, enttäuscht komplett. Die gehört 
aus dem Sinn, der Empfehlung und jeglicher Reklame verbannt.

Herauskristalisiert haben sich noch wenige (bessere?) Typen:
BAT60A
BAT60JFILM
MBR1020

ich habe mir nun eine Probepackung von jeweils 10-20 Stk bestellt um sie 
an das EKG zu hängen und praktisch zu bewerten.

Weiter werde ich nach kleinen small signal (so bis 150mA) Ausschau 
halten. Gut möglich dass dabei noch Typen hervorspringen.

Manfred schrieb:
> Da kommt mir die MBR0520 in den Sinn
Nicht gerade viel besser als die 1N5817.

Manfred schrieb:
> Günstiger bekommt man die SS14, ist als DO-214 aber deutlich größer.
Das ist der Klone der 1N5819, eine Größe über 1N5817. Die habe ich 
sogar, allerdings noch nicht verbaut.
Obwohl die 1N581xW als SMT noch gut halten, sind die SSxx nur Klone 
davon. Allerding gibt es tatsächlich eine eigenständige Serie von 
Vishay, Diotec, ON Semi & Co. Gut möglich dass die etwas besser stehen.

Jörg R. schrieb:
> http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz
Richtig schön erklärt, daraus kann man lernen. Danke Jörg.

> Sven S. schrieb:
> Mosfets "prinzipiell aus dem Weg zu gehen" kostet Dich echt
> diverse Vorteile
Was mich immer störte, war
a) der Aufwand drumherum (Vorwiderstand, Pulldown) und dann die Baugröße 
des MOS.
b) das Überraschungsspiel, nicht geöffnet, bischen geöffnet, ab xxV 
geöffnet.
c) empfindlich wie ein Stasi-Mikro. Schaue oder fasse ihn falsch an, 
schweigt er sich ins Grab oder macht die ganze Schaltung verrückt.
Positiv finde ich allerding die enorme Schaltleistung. Braucht 
keine/kaum Kühlung.

Das gab es bei Transistoren nicht. Unempfindlich, robust und lebt ewig.
Ein kleiner TO-92 fällt kaum auf. Brauchst du ordentlich Dampf, 
Schaltleistung, Verstärkung... bau einen TO-220/TO-3 ein. Wenn er 
brennt, Kühlkörper oder Alu-Stange drauf.
OK die Baugröße ist nicht gerade der Hit. Passt auch nicht in die 
heutige Micro-Welt.

> Überleg' Dir das lieber noch mal...
Ich habe eh schon zum Spielen über die Weihnachtferien ein kleines PCB 
zusammengemalt. Sind auf dem Weg. Vorgesenhen sind MOSFETs, allerdings 
mit Fallback auf Transistoren :)

: Bearbeitet durch User
von Wolfgang (Gast)


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Mister A. schrieb:
> Ich konnte mich mit MOSFET's irgendwie nie richtig anfreunden
> (Berechnungsorgien). Mit Transistoren hingegen schon.

Was meinst du, wofür das "T" in "MOSFET" steht? ;-)

Mister A. schrieb:
> bisher verbaue ich für eine pure Richtungsweisung die 1N5817. Wegen dem
> geringen Vf bin ich damit auch zufrieden.

I_R ist dir egal?

von Drago S. (mratix)


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Wolfgang schrieb:
> Was meinst du, wofür das "T" in "MOSFET" steht? ;-)
Transistor v2.0

> I_R ist dir egal?
Soweit ja. Wenn das Wasser meint, den Wasserfall hinaufließen zu müssen.

Manfred schrieb:
> Da kommt mir die MBR0520 in den Sinn
ops, stimmt. Die hat nur 80uA.
Das habe ich gar nicht in Betracht gezogen.

: Bearbeitet durch User
von Drago S. (mratix)


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1
BAT60B,#W5    3A 10V Schottky SMD Diode, Ir 15uA, Vf 0.38V@100mA, Vf 0.5@500mA, Vf 0.6V@1A, Ptot 350mW      SOD-323    LCSC C22638    0,035 
2
BAT60JFILM,#60  3A 10V Schottky SMD Diode, Ir 1-150uA, Vf 0.28V@10mA, Vf 0.35V@100mA, Vf 0.53@1A, Ptot 310mW    SOD-323    LCSC C133103  0,047  
3
MBR0520,#R2    0.5A 20V Schottky SMD Diode, Ir 80uA, Vf 0.45V@0.5A, Pd 410mW                    SOD-123    LCSC C77335    0,022 
4
B5817W,#SJ     1A 20V Schottky SMD Diode, Ir 1mA, Vf 0.45V@1A, Pd 250mW                      SOD-123     LCSC C122853   0,0112 
5
MBRS120T3G,SBRS8120T3G,#B12,#IR12   1A 20V Schottky SMD Diode, Ir 1-10mA, Vf 0.35@0.5A, Vf 0.42@1A          DO-214AA/SMB  LCSC  C38049  0,09 
6
MBR1020VL,#RL   0.5A 20V Schottky SMD Diode, Ir 0.6-15mA, Vf 0.275V@0.1A, Vf 0.315V@0.5A, Vf 0.34V@1A, Trr 12.4ns  SOD-123F  LCSC C191986  0,045 
7
SK22A,SK23A,SK24A   2A 20/30/40V Schottky SMD Diode, Ir 0.5-10mA, Vf 0.55V@2A                    SOD-123F  LCSC  C212825  0,078 

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