1N5817 Schottky Alternative

OP #6086682
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Hallo zusammen,

bisher verbaue ich für eine pure Richtungsweisung die 1N5817. Wegen dem 
geringen Vf bin ich damit auch zufrieden.
Nun bin ich dabei den Vorrat aufzufüllen und schaue mich nach 
Ersatztypen um.

Vishay 10BQ015 scheint die 1N5817 etwas zu übertreffen.
Auch die BAT42W/43W klingt nicht schlecht.

Was ebenfalls in Frage käme, wären Dual-Typen, primär common cathode.
z.B. etwas i.d.A. BAT54C, die schon grenzwärtig bis unterhalb liegt.

Ansonsten alle normalen THT und SMT (bis Baugröße SOD-123/SOT-23).

achja, zur Applikation/Anforderungen:
1.) Kleinsignalaufgaben, nichts anspruchsvolles.
2.) Li-Ion Vbat zum LDO schleusen. Also 3.0-4.2V, im Dauerbetrieb max. 
80mA, peaks bis 250mA.
2.) Vusb zum LDO schleusen, nebenbei Li-Ion laden. Also 5V mit max. 
500mA.

Habt ihr Vorschläge bzw. wie sind euere Typen?
OP #6086699
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Jörg R. schrieb:
> Geht es dabei um einen Verpolungsschutz am Eingang des LDO?
Richtig, unter anderem.
Obwohl es mehr hystorische Gründe hat, die ich mittlerweile nicht mehr 
praktiziere (gleicher Stecker für Li-Ion, Solar, Vusb) am Vin.
So gesehen könnte ich die Diode tatsächlich weglassen :)

> Vielleicht kommt dann eine Lösung mit einem P-Mosfet in Betracht.
Ich konnte mich mit MOSFET's irgendwie nie richtig anfreunden 
(Berechnungsorgien). Mit Transistoren hingegen schon.

Aber ich lass mir gerne unter die Arme greifen, wenn sich so eine 
Schematik für ein Autoswitching 5V USB/ Batterie findet.
Gast #6086713
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Mister A. schrieb:
> Dort versuche ich noch etwas einzusparen

There aint no such thing as a free lunch.

Jede 'Optimierung' in eine Richtungvhat auvh Nachtrile. Je kleiner die 
Uf einer Schottky, um so grösser ist er Sperrstrom.

Ich vermute, du wirst mit SK24A/BAT60 zufrieden sein müssen.

Die www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.2 nennt:

(Schottky-)Dioden niedriger Flußspannung (aber hohem Rückstrom) als 
Germaniumersatz: BAT60A: 0.12V@10mA 0.2V@100mA LL103x: 0,2V@1mA@25°C 
MBRS120, MBRS140: 0,23@30mA@25°C MBRS320, MBRS340: 0,22@50mA@25°C B340F: 
0,2V@10mA@25°C SB320, SB330, SB340: 0,2@10mA@25°C SK24A: 0,13V@10mA; 
0,2@100mA; 0,33@1A, MBRB2515L (0.28V@10A, 200mA Ireverse@100°C)
#6086744
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Mister A. schrieb:
> Obwohl es mehr hystorische Gründe hat...

Du meinst hysterisch, oder?

Mister A. schrieb:
> Ich konnte mich mit MOSFET's irgendwie nie richtig anfreunden
> (Berechnungsorgien).

Eine Berechnungsorgie hast Du nur, wenn Du Verluste im Schaltregler 
mathematisch bestimmen willst, statt experimentell.
Ein Mosfet braucht halt ein bißchen Peripherie. Dafür sind 
Durchlassspannung und Sperrstrom bedeutend niedriger als bei einer 
Schottkydiode.
Gast #6087384
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> Jede 'Optimierung' in eine Richtung hat auvh Nachteile. Je kleiner die
> Uf einer Schottky, um so grösser ist er Sperrstrom.

Die 1N5817 kann 1 Ampere und ist bedrahtet, laut Eröffnungspost werden 
aber nur 250mA benötigt und SMD wäre auch passend.

Da kommt mir die MBR0520 in den Sinn, die auf dem Arduino China-Nano 
verwendet wird. Die ist im Durchlass ein paar mV niedriger und auch im 
Sperrstrom geringer, SOD-123. Meine habe ich 2015 billig vom Chinamann 
bezogen.

Günstiger bekommt man die SS14, ist als DO-214 aber deutlich größer.
Gast #6087546
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Manfred schrieb:
> MBR0520

Jedoch ist deren I_FSM Wert viel niedriger (5,5A, ON Semi).

Bei Verpolschutz-etc. werden oft Schaltungen mit weiteren
Stützelkos angeschlossen, man sollte es zumindest erwähnen.


Sven S. schrieb:
> Mister A. schrieb:
>> Ich konnte mich mit MOSFET's ... nie ... anfreunden
>> (Berechnungsorgien).
>
> Berechnungsorgie ... nur, wenn Du Verluste im Schaltregler
> mathematisch bestimmen willst, statt experimentell.

Genau, aber absolut nicht bei quasistatischer Anwendung.

> Ein Mosfet braucht halt ein bißchen Peripherie.

Auch nicht mehr / weniger als Bipolartransistoren, und bei
dieser Anwendung sogar oftmals weniger.


Mosfets "prinzipiell aus dem Weg zu gehen" kostet Dich echt
diverse Vorteile - und wie gesagt (worauf oben auch Sven schon
hatte hinaus wollen) sind die Gegenargumente eher Vorurteile.

Überleg' Dir das lieber noch mal...
OP #6087728
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Zunächst Danke euch für die ganzen Vorschläge.

Mittlerweile habe ich so um die 40-50 Datenblätter durchgekaut. Dabei 
festgestellt, dass 90% der Angaben pure Wettbewerbsreklame sind, alle 
doch nur mit gleichem Wasser waschen/kochen. In den Details gibt es kaum 
Unterschiede bzw. große Sprünge.

Ergo die 1N5817 ist wirklich gut, preisgünstig und liegt von den Daten 
her ziemlich oben. Da ich sie praktisch schon kenne, bleibt sie weiter 
mein Favorit. Wer etwas mehr If benötigt fährt mit der 1N5818/9 ziemlich 
gut.

Die SK24A, und deren Serie unterhalb, enttäuscht komplett. Die gehört 
aus dem Sinn, der Empfehlung und jeglicher Reklame verbannt.

Herauskristalisiert haben sich noch wenige (bessere?) Typen:
BAT60A
BAT60JFILM
MBR1020

ich habe mir nun eine Probepackung von jeweils 10-20 Stk bestellt um sie 
an das EKG zu hängen und praktisch zu bewerten.

Weiter werde ich nach kleinen small signal (so bis 150mA) Ausschau 
halten. Gut möglich dass dabei noch Typen hervorspringen.

Manfred schrieb:
> Da kommt mir die MBR0520 in den Sinn
Nicht gerade viel besser als die 1N5817.

Manfred schrieb:
> Günstiger bekommt man die SS14, ist als DO-214 aber deutlich größer.
Das ist der Klone der 1N5819, eine Größe über 1N5817. Die habe ich 
sogar, allerdings noch nicht verbaut.
Obwohl die 1N581xW als SMT noch gut halten, sind die SSxx nur Klone 
davon. Allerding gibt es tatsächlich eine eigenständige Serie von 
Vishay, Diotec, ON Semi & Co. Gut möglich dass die etwas besser stehen.

Jörg R. schrieb:
> http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz
Richtig schön erklärt, daraus kann man lernen. Danke Jörg.

> Sven S. schrieb:
> Mosfets "prinzipiell aus dem Weg zu gehen" kostet Dich echt
> diverse Vorteile
Was mich immer störte, war
a) der Aufwand drumherum (Vorwiderstand, Pulldown) und dann die Baugröße 
des MOS.
b) das Überraschungsspiel, nicht geöffnet, bischen geöffnet, ab xxV 
geöffnet.
c) empfindlich wie ein Stasi-Mikro. Schaue oder fasse ihn falsch an, 
schweigt er sich ins Grab oder macht die ganze Schaltung verrückt.
Positiv finde ich allerding die enorme Schaltleistung. Braucht 
keine/kaum Kühlung.

Das gab es bei Transistoren nicht. Unempfindlich, robust und lebt ewig.
Ein kleiner TO-92 fällt kaum auf. Brauchst du ordentlich Dampf, 
Schaltleistung, Verstärkung... bau einen TO-220/TO-3 ein. Wenn er 
brennt, Kühlkörper oder Alu-Stange drauf.
OK die Baugröße ist nicht gerade der Hit. Passt auch nicht in die 
heutige Micro-Welt.

> Überleg' Dir das lieber noch mal...
Ich habe eh schon zum Spielen über die Weihnachtferien ein kleines PCB 
zusammengemalt. Sind auf dem Weg. Vorgesenhen sind MOSFETs, allerdings 
mit Fallback auf Transistoren :)
OP #6087841
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1
BAT60B,#W5    3A 10V Schottky SMD Diode, Ir 15uA, Vf 0.38V@100mA, Vf 0.5@500mA, Vf 0.6V@1A, Ptot 350mW      SOD-323    LCSC C22638    0,035 
2
BAT60JFILM,#60  3A 10V Schottky SMD Diode, Ir 1-150uA, Vf 0.28V@10mA, Vf 0.35V@100mA, Vf 0.53@1A, Ptot 310mW    SOD-323    LCSC C133103  0,047  
3
MBR0520,#R2    0.5A 20V Schottky SMD Diode, Ir 80uA, Vf 0.45V@0.5A, Pd 410mW                    SOD-123    LCSC C77335    0,022 
4
B5817W,#SJ     1A 20V Schottky SMD Diode, Ir 1mA, Vf 0.45V@1A, Pd 250mW                      SOD-123     LCSC C122853   0,0112 
5
MBRS120T3G,SBRS8120T3G,#B12,#IR12   1A 20V Schottky SMD Diode, Ir 1-10mA, Vf 0.35@0.5A, Vf 0.42@1A          DO-214AA/SMB  LCSC  C38049  0,09 
6
MBR1020VL,#RL   0.5A 20V Schottky SMD Diode, Ir 0.6-15mA, Vf 0.275V@0.1A, Vf 0.315V@0.5A, Vf 0.34V@1A, Trr 12.4ns  SOD-123F  LCSC C191986  0,045 
7
SK22A,SK23A,SK24A   2A 20/30/40V Schottky SMD Diode, Ir 0.5-10mA, Vf 0.55V@2A                    SOD-123F  LCSC  C212825  0,078 
Gast #7087433
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DIE HIER, DIE ISSES!!!
SCHOTTKY-DIODE mit Vf (bei 25°C) von 0,095 V bei 0,1 A; von 0,15 V bei 1
A, gibt es sowas überhaupt???
YEEEPPP: PMEG2010BEA von nexperia / NXP (Mega-Schottky) mit 20V und 1A
Belastbarkeit! Den Rest, siehe .pdf
Bezugsquellen:
1.) 1-200 Stück für 0,10€ (PMEG4010 40V, 1A) = 20€ +5€: Reichelt,
Deutschland
2.) 200 Stück PMRG 2010 für 10€ + 6€:
https://www.ebay.de/itm/393601721481?ssPageName=STRK%3AMEBIDX%3AIT&_trksid=p2060353.m2749.l2649
aus Polen!

Ich nutze dieses Bauelement in den Taschenrechnern von Hewlett Packard
der Classic-Serie HP 35, 45, 55, 65/67 als Ersatz für den gern
korrodierten Umschaltkontakt der Lade- und Akkuspannung!
Angehängte Dateien:
Gast #7087469
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Schß!!!
IHR HABT RECHT, bitte meinen ursprünglichen Beitrag löschen!
>>>In dem von Dir angehängten Datenblatt lese ich von einem V_f 0.28V
(typisch) bis 0.33V (maximal) bei I_f von 100mA.
Wo liest Du was von 0,095V bei 0,1A?<<<
Ich lese jetzt, ernüchtert durch eure Hinweise, im Diagram auch eine Vf
= 0,095V BEI 0,1 MILLIAMPERE!!!!
Mist, ich hätte die  Daten der Tabelle zusätzlich beachten sollen. Das
kommt dann raus, wenn man über Gebühr diese uneinheitlichen
datenblätter.pdf's im Internet über den Läppi 'auswertet'. So ein
Scheiß, und ich dachte, ich hätte die eierlegende Wollmilchsau der
pn-Übergänge als hot carrier-Diode gefunden. MIST!

>>>Ich nutze dieses Bauelement in den Taschenrechnern von Hewlett Packard
der Classic-Serie HP 35, 45, 55, 65/67 als Ersatz für den gern
korrodierten Umschaltkontakt der Lade- und Akkuspannung!<<<
Jetzt ja nicht mehr.  :-))) Ich habe auch gleich die Bestellung
widerrufen!
Dann bleibe ich für meine Zwecke bei diesem Typ Schottky-Diode hier (den
habe ich WIRKLICH schon verbaut): SL43-E3-57T Diode Schottky  4A 30V
SMD-DO214!!!

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