Hallo Leute,
ich suche einen NPN (ideal in SOT23) der >=200MHz und eine Vbe(sat)
<<0,7V hfe > 100 und min 100mA Last verträgt.
Aktuell habe ich die (2N/MMBT/SMBT)3904. Der passt schon fast gut. Nur
ist seine Vbe mit 650-950mV noch recht hoch. Gibt es überhaupt BJTs mit
noch geringerer Spannung? - Nach diesen Parametern kann man nirgends so
richtig suchen - und nach ~30 Datenblättern bin ich recht platt..
Ich brauche die für eine lineare Stromregelung die in <<1µs reagieren
muss..
Trigger schrieb:> Nur ist seine Vbe mit 650-950mV noch recht hoch.
Du solltest vielleicht mal begründen wozu das gut sein soll.
Solche weltfremden Forderungen hegen den Verdacht dass du
nicht weisst was du machst bzw. machen willst.
Trigger schrieb:> Gibt es überhaupt BJTs mit noch geringerer Spannung
Du musst sie nur heissmachen, die UBE ist zwar durch den
Halbleiterprozess bei Silizium physikalisch vorgegeben (Bandlücke) ist
doch extrem variabel, vor allem geht direkt die Temperatur ein.
Alle 50 GradC mehr liegt sie 0.1V tiefer. Und es gibt Transistoren, die
bis 300 GradC funktionieren...
Nur Mut....
Trigger schrieb:> Ich brauche die für eine lineare Stromregelung die in <<1µs reagieren> muss..
Idealerweise SOT23??? Bei 100mA Last??? SOA?
MaWin schrieb:> ...heissmachen... Nur Mut...
YMM:D
Trigger schrieb:> Hallo Leute,>> ich suche einen NPN (ideal in SOT23) der >=200MHz und eine Vbe(sat)> <<0,7V hfe > 100 und min 100mA Last verträgt.> Aktuell habe ich die (2N/MMBT/SMBT)3904. Der passt schon fast gut. Nur> ist seine Vbe mit 650-950mV noch recht hoch. Gibt es überhaupt BJTs mit> noch geringerer Spannung? - Nach diesen Parametern kann man nirgends so> richtig suchen - und nach ~30 Datenblättern bin ich recht platt..>> Ich brauche die für eine lineare Stromregelung die in <<1µs reagieren> muss..
Der 3904 hat eher 0.9 Volt @ 100 mA. Du brauchst einen
Leistungstransistor,
die verstecken sich manchmal im SOT23 Gehäuse.
Der FMMT619 liegt bei etwas unter 0.7 Volt. Die NXP BISS Serie ist noch
etwas besser, der OnSemi NSS4020 schafft 0.65 Volt.
Echte Leistungstransistoren schaffen 0.6 Volt.
Wenn dir das nicht reicht, kannst du mehrere parallel schalten :-)
Oder eine Hilfsspannungsversorgung erfinden.
Trigger schrieb:> Ich brauche die für eine lineare Stromregelung die in <<1µs reagieren> muss..
Schnelle, lineare Stromquellen arbeiten nicht im Sättigungsbereich. Und
warum meinst du, die letzten paar hundert mV einsparen zu müssen? Ist
deine Versorgungsspannung sooo klein? Zumal die Ube nebensächlich ist,
denn das ist ja der Steuereingang. Oder hast du einen Stromspiegel?
Es gab sehr wohl UHF-Transistoren in Germanium, aber darum geht es hier
nixht.
Wenn die Schaltung mit einem 3904 läuft, dann tut sie das auch mit
ziemlich jedem anderen Transistor. Denn der 3904 hat nur eine einzige
besondere Eigenschaft: Er ist billig und überall verfügbar. So gut wie
jeder andere BJT ist ihm elektrische überlegen.
Also, dürfen wir die geheimnisvolle Schaltung jetzt sehen?
Hallo,
Harald W. schrieb:> HildeK schrieb:>>>> Vbe(sat)<<0,7V>> Du brauchst nicht weitersuchen, den gibt es nicht ...>> Doch, als Germaniumtransistor. Aber der schafft keine 200MHz.
Doch, schafft er, z.B. AF139, AF239...
Kann man auch noch bei ebay günstig kaufen.
Gruß aus Berlin
Michael
Mein Valvo-Buch '69 kennt noch den AF239 mit einer ft von 650/780MHz und
der kann ganze 15mA ;)
Ausserdem musste ich über Rth dreimal nachdenken: 0.75°/mW. Das liegt
mit einem 4 stelligen Faktor neben aktuelleren....
zb AU103 mit 1.5°/W (haha aktueller....)
Das Valvo Buch kennt leider recht wenige und ich deshalb habe ich mir
extra mal zwei,drei andere besorgt, aber die finde ich gerade nicht.
Wie hat man denn in den 60ern einen HF-Leistungsverstärker gebaut? z.B.
50MHz, 1A in 50Ohm.
Sind die AF... alle nur für 10...15mA? oder fehlen meinem Buch nur die
stärkeren?
Grob will ich den Kurzschlussstrom einer Batterie begrenzen - so um 100A
bei einem 15S LiFePo4.
Ich brauche eine möglichst kleine Vbe Stecke, da der Shunt sonst schnell
unangenehm groß wird, also seine Verluste.
Ich habe ähnliches auch schon mit OPs versucht, bin da aber nie auf
einen grünen Nenner gekommen, was die Ansprechzeit angeht.
Da gibt es ein Dokument mit der beschreibung "A comparison between
different LCL architectures
in space power systems" von Antonio Gabriele (Firma Sitael) die das
selbe beschreibt.
Ich ziehe bei meiner Lösung mit dem NPN der über einem Shunt hängt im
Kurzschlussfall die Gatespannung welche durch einen hochohmigen Treiber
angelegt wird etwas weg, so das der FET in den linearen Bereich fällt.
Als FET habe ich den PSMN4R8-100BSE ausgesucht, der ist für den linearen
Modus gemacht worden. Ich plane nachher mehrere dieser Einheiten
parallel zu setzten um die Qualen der FETs auf mehrere zu verteilen -
und da jeder "Strang" seine eigene Grob-Regelung hat, sollte das auch
(mit Streuung) gut zu bewerkstelligen sein.
Dieser "Gate-Dieb" wirkt natürlich nur ein paar µs lang - danach hätte
ich vermutlich plasmaartige Zustände am FET :P Darum ist noch ein µC
dabei, der per differentieller Messung die Eingangsspannung und die
Ausgangsspannung als auch den Ausgangsstrom misst und dann per I²T und
SOA des FETs abschaltet.
Was ich in etwa vor habe, könnte man in teilen dieser Patentschrift
entnehmen:
https://patentimages.storage.googleapis.com/cc/a4/0d/4fdd2ab70bcd10/WO2016147179A1.pdf
Wobei ich echt nicht weiß, warum man normales "Engineering" patentieren
muss. Sowas hab ich (und sicherlich auch viele andere) "früher" schon
bei kleineren Strömen und PFETs gemacht. Ladungspumpen sind ja auch
nichts neues mehr.
buggy schrieb:> Wie hat man denn in den 60ern einen HF-Leistungsverstärker gebaut? z.B.> 50MHz, 1A in 50Ohm.
Mit Röhren. Wobei die wenigsten Leute auf 50MHz senden wollten.
buggy schrieb:> Sind die AF... alle nur für 10...15mA?
Jo. Die wurden für HF in Eingangs-, ZF- und Oszillatorstufen konstruiert
und da brauchts keine hohen Ströme.
Genauso war es überflüssig, für diese Zwecke NPN-Germanium zu benutzen.
Also gab es nur ganz wenige Ge-NPN und die sind alle für NF.
Dem Mikrocontroller würde ich das nicht anvertrauen.
Ich habe soetwas ähnliches auch schon gebaut und mich hat ebenfalls der
grosse Shunt gestört.
Also habe ich den Shunt um den Faktor 10 verkleinert (also ca. 70mV bei
erreichen der Grenze) und dann einen nicht invertierenden OP (ganz
einfache Grundschaltung) die Spannung um diesen Faktor wieder
vergrössert.
Damit dann auf die Basis des Gate-Diebes.
Den SOA Schutz habe ich aber mit AD534 (oder wars AD634, nicht mehr
sicher) Analogmultiplizierer realisiert. Ein Mikocontroller wäre mit
ziemlicher Sicherheit zu langsam. Überprüft habe ich das aber nicht. Den
Multiplizierer hatte ich schon da, daher war das naheliegend...
buggy schrieb:> Wie hat man denn in den 60ern einen HF-Leistungsverstärker gebaut? z.B.> 50MHz, 1A in 50Ohm.
Mit Röhren.
Trigger schrieb:> Grob will ich den Kurzschlussstrom einer Batterie begrenzen - so um 100A> Ich ziehe bei meiner Lösung mit dem NPN der über einem Shunt hängt im> Kurzschlussfall die Gatespannung welche durch einen hochohmigen Treiber> angelegt wird etwas weg, so das der FET in den linearen Bereich fällt.
Das ist bei 100A aber tödlich. Der muss abschalten. Und zwar
schlagartig. Eine simple Strombegrenzungsschaltung
1
|
2
--R--+------|I
3
| |S
4
>|------+
5
E| |
6
| Rshunt
7
| |
8
GND -+-------+
tut es dafür also sowieso nicht, die grillt den MOSFET.
Entweder ein FlopFlop das vom uC eingeschaltdt wird und von der
Überstromerkennung abgeschaltet
1
+----+ |
2
----|S Q|--|I
3
| | |S
4
+--|R | |
5
| +----+ |
6
| |
7
+-----------+
8
|
9
Rshunt
10
|
11
GND
oder wie es die überstromerkennenden MOSFET Gate Treiber machen ein
MonoFlop das nach Überstrom eine gewisse Zeit abschaltet vor dem
nächsten Versuch.
buggy schrieb:> Den SOA Schutz habe ich aber mit AD534 (oder wars AD634, nicht mehr> sicher) Analogmultiplizierer realisiert.
Das klingt interessant! Hättest du ein paar mehr Infos für mich?
buggy schrieb:> lso habe ich den Shunt um den Faktor 10 verkleinert (also ca. 70mV bei> erreichen der Grenze) und dann einen nicht invertierenden OP (ganz> einfache Grundschaltung) die Spannung um diesen Faktor wieder> vergrössert.> Damit dann auf die Basis des Gate-Diebes.
Ja, ich schrob ja, das habe ich das auch versucht, aber die OPs sind
einfach viel zu langsam und die schwebenden Potentiale sind auch nicht
so ganz ohne. Aber wie gesagt, da bin ich nicht der einzige, wie man aus
dem Dokument von Sitael entnehmen kann.
Trigger schrieb:> Grob will ich den Kurzschlussstrom einer Batterie begrenzen - so um 100A> bei einem 15S LiFePo4.
Für sowas gibt es fertige ICs, z.B. TPS2493PW.
Die Ansprechspannung am Sensewiderstand beträgt ~25mV.
Trigger schrieb:> Grob will ich den Kurzschlussstrom einer Batterie begrenzen - so um 100A> bei einem 15S LiFePo4.
Das geht auch anders.
> Ich brauche eine möglichst kleine Vbe Stecke, da der Shunt sonst schnell> unangenehm groß wird, also seine Verluste.
Nö. Das ist die Triviallösung.
> Ich habe ähnliches auch schon mit OPs versucht, bin da aber nie auf> einen grünen Nenner gekommen, was die Ansprechzeit angeht.
Das ist dein spezifisches Problem. Man kann das schon mit einem OPV
ausreichend schnell machen. Eigentlich reicht ein Komparator, denn als
nix anderes soll dein Transistor arbeiten. Dann kann man auch mit einem
kleineren Shunt arbeiten.
> Ich ziehe bei meiner Lösung mit dem NPN der über einem Shunt hängt im> Kurzschlussfall die Gatespannung welche durch einen hochohmigen Treiber> angelegt wird etwas weg, so das der FET in den linearen Bereich fällt.
Kein gute Idee. Wenn schon, dann hart abschalten und eine minimale
Ausschaltzeit einhalten, vielleicht 100ms. Dann wieder einschalten.
> Als FET habe ich den PSMN4R8-100BSE ausgesucht, der ist für den linearen> Modus gemacht worden. Ich plane nachher mehrere dieser Einheiten> parallel zu setzten um die Qualen der FETs auf mehrere zu verteilen -
Wozu? Was bringt der Linearbetrieb mit 100A?
> Dieser "Gate-Dieb" wirkt natürlich nur ein paar µs lang - danach hätte> ich vermutlich plasmaartige Zustände am FET :P Darum ist noch ein µC> dabei, der per differentieller Messung die Eingangsspannung und die> Ausgangsspannung als auch den Ausgangsstrom misst und dann per I²T und> SOA des FETs abschaltet.
Schöner Bastlermurks.
> Wobei ich echt nicht weiß, warum man normales "Engineering" patentieren> muss.
Weil die Kapitalisten maximalen Profit draus ziehen wollen oder einfach
dem Mitbewerber ein Bein stellen wollen.
buggy schrieb:> Wie hat man denn in den 60ern einen HF-Leistungsverstärker gebaut? z.B.> 50MHz, 1A in 50Ohm.> Sind die AF... alle nur für 10...15mA? oder fehlen meinem Buch nur die> stärkeren?
Vielleicht so: http://www.zl1bjq.co.nz/qqeo6p3.html
Meines Wissens nach, wurden bis in die 80-er hinein UHF-Sender mit TWTs
wie Klystrons etc. gebaut.
Trigger schrieb:> Das klingt interessant! Hättest du ein paar mehr Infos für mich?
Uff... Das ist glaube ich schon mehr als 20 Jahre her, Details weiss ich
nicht mehr.
Die Schaltung arbeitet wie MaWin auch vorgeschlagen hat mit einer Art
"Flip-Flop", was aber ganz simpel nur aus einem Transistor in
Selbsthaltung besteht.
Der Abgriff vom Shunt knipst (verstärkt durch den OP) die Selbsthaltung
aus, ebenso der Ausgang des Multiplizierers.
Das war ein "wired-or", welches die beiden Signale zusammenführte. Ich
glaube mich zu errinnern, dass ich da irgendwas mit Dioden (1n4148 zum
verodern) genommen habe, da irgendwas nicht ging/falsch lief, ohne die
Dioden.
Abgeschaltet wird bei Überstrom, durch den Shunt erkannt, oder bei
"Über-Leistung", errechnet aus der Spannung über dem Transistor x Strom
durch ihn.
Der OP war Feld-Wald-Audio-Typ (würde vermuten ein NE5534 oder
NJM/RC/.../4558) und der Multiplizierer eben ein AD534 oder 634.
Die Schaltung läuft heute noch, nur habe ich die nach 1..2 Jahren im
Gartenhaus vergossen, da sie anfing zu rotten. Heute sieht man da nur
noch die Kappe des Multiplizierers sowie 8stk. parallele FETs und deren
Treier-Päärchen.
Die ersten FETs habe ich zweimal tauschen müssen (waren zuerst nur 4).
Deshalb nur halb vergossen.
Den Typ der FETs bekomm ich nicht mal mehr ansatzweise hin, ich kann
nachsehen wenn ich das nächste mal dort bin.
Aber ob ich drandenke.... Scheint aber auch nicht wichtig für dich zu
sein, da du ja schon welche ausgewählt hast.
Die Parametrische Suche bei den Herstellern/Versänden hilft sicher
schneller weiter, als auf irgend einen aus dem Internet zu warten ;)
Zusammengestellt habe ich diese Schaltung aus Appnotes und Datenblättern
von Analog Devices. Ich glaube, die Grudlagen waren ein
Audio-Power-Meter und ein Transistor in Selbsthaltung.
Trigger schrieb:> Grob will ich den Kurzschlussstrom einer Batterie begrenzen - so um 100A> bei einem 15S LiFePo4.> Ich brauche eine möglichst kleine Vbe Stecke, da der Shunt sonst schnell> unangenehm groß wird, also seine Verluste.
Anstatt deine (und schlimmer: unsere) Zeit mit der Suche nach einem
Wunderbauteil zu verschwenden, solltest du besser deine Kenntnisse in
analoger Schaltungstechnik vertiefen.
DC-Signale weit unterhalb der U_be kann man hervorragend mit bipolaren
Transistoren verstärken, wenn man zwei Transistoren zu einem
Differenzverstärker kombiniert.
> Ich habe ähnliches auch schon mit OPs versucht, bin da aber nie auf> einen grünen Nenner gekommen, was die Ansprechzeit angeht.
Klar. Bevor man einen Marathon laufen kann, muß man erstmal den
aufrechten Gang erlernen. Du bist anscheinend noch beim Krabbeln.
Echt mal. Keinerlei Kenntnisse in Schaltungstechnik, aber mit 100A
hantieren wollen? So wird das nichts.
Achja, die Daten ganz vergessen:
Ursprünglich gebaut um 4 parallele 120Ah Batterien zu schützen bzw die
Verkabelung und vorallem das Holz-Haus aussenrum.
Rechnerisch eingestellt auf 75A Abschaltstrom. Mangels Messmittel konnte
ich den tatsächlichen Strom damals nicht messen. Mein Ziel war aber
erreicht, die Kabel schmorten nicht ab bei Kurzschluss.
Ich denke, dass da ganz erhebliche Toleranzen reinfunken und das
irgendwo zwischen 50A und 100A auslöst.
Von dem Gerät gehe ich dann über Feinsicherungen im Bereich von 0.5A bis
10A an die jeweiligen Verbraucher.
Ausserdem fällt mir noch ein:
In dem Telefunken Laborbuch aus irgendwann 70er-80er (blau, kleiner als
A5, ca. 5cmm dick) und in den hellblauen Siemens-Halske Büchern (A5, ca.
3cm dick) hatte ich auch Elektronische Sicherungen gefunden. und vor
kurzem glaube ich im Netz auf elektronik-kompendium.
Axel S. schrieb:> Echt mal. Keinerlei Kenntnisse in Schaltungstechnik, aber mit 100A> hantieren wollen? So wird das nichts.
Echt mal. Keinerlei Umgangsformen oder Anstand, aber mit Menschen
hantieren wollen. So wird das nichts.
Michael U. schrieb:> Harald W. schrieb:>>>> Vbe(sat)<<0,7V>> Doch, als Germaniumtransistor. Aber der schafft keine 200MHz.> Doch, schafft er, z.B. AF139, AF239...
Ich hätte doch vorher mal ins Datenblatt sehen sollen. Mea culpa.
Allerdings macht es sicherlich keinen Sinn, heutzutage neue Schal-
tungen mit derart alten Transistoren zu entwickeln.
Joachim B. schrieb:> echt nicht, was ist mit AF Transistoren, OK PNP aber stört doch nicht.
Naja, Germanium war nicht mein erster Gedanke, gebe ich zu. Auch schon
deshalb, weil ich seit bestimmt 4 Jahrzehnten keinen mehr in der Hand
hatte.
Dass die überhaupt noch gefertigt werden?
Joachim B. schrieb:> was ist mit AF Transistoren, OK PNP aber stört doch nicht.
Doch, hier taugen GE Transis nicht:
* Die Dinger kann man kaum als hochsperrend bezeichnen, der Leckstrom
ist beträchtlich.
* Keiner kann 100mA vertragen geschweige denn steuern.
* Die Dinger (vor allem AF116/117) leiden schwer an Tin Whiskers, sie
sind nicht neu zu bekommen und NOS taugt wg. der Tin Whiskers nicht.
Ein schneller Komparator ist hier die moderne und richtige Wahl - oder
eben ein Durchflusssensor a là LEM oder Allegro. Für 100A sind sicher
die LEMs eine gute Wahl und es ist kein Shunt nötig.
Matthias S. schrieb:> Doch, hier taugen GE Transis nicht:
OK vermutlich ist das Konzept vom TO schon broken by Design
Trigger schrieb:> Ich brauche die für eine lineare Stromregelung die in <<1µs reagieren> muss..Falk B. schrieb:> Schöner Bastlermurks.
dito und das braucht keinen NPN mit kleiner Vbe
Es geht auch mit NPN schnell und kleinen Shunts, muss halt noch etwas
Elektronik dabei sein.
Das Problem, eine schnelle Strombegrenzung/Überstromabschaltung zu
realisieren, hatte ich auch schon mehrfach. Will man wirklich schnell
sein, dann ist ein Bipolartransistor, den man mit der Shuntspannung
aufsteuert, und der dann am Gate zieht, die beste Lösung.
Reaktionszeiten von 50 ns bekommt man so hin. Beim Bipolartransistor
sucht man nach etwa 1A, 20-60V, >200 MHz. Der braucht dann aber noch
einen Widerstand im Emitter und vor der Basis, damit diese Regelung im
Kurzschlussfall nicht übel zu schwingen anfängt.
Hat man etwas mehr Zeit, kann man einen Komparator nehmen, dahinter ein
latchendes Zeitglied, und damit geht man auf den Inhibit des
Transistortreibers. Als Komparator sollte man allerdings nicht den
Standard-LM339 nehmen, der ist zu lahm. Eher tauglich ist sowas wie der
MCP6561 mit 50 ns Reaktionszeit. Wenn man den Transistor für 1-10 ms
wegschaltet, sollte das in den meisten Fällen ausreichen.
Transistortreiber (Low side, Verzögerung 10-150 ns) finden sich viele.
Einfach mal schauen. 250 ns Reaktionszeit sind realisierbar.
Der Shunt ist dann noch mal eine häßliche Sache zum Dimensionieren. Je
kleiner man ihn macht, und je kleiner die Abschaltspannung dann ist,
desto mehr Mühe muss man sich geben, die ganzen Störungen
herauszufiltern und desto langsamer wird es. Aus dem Bauch heraus würde
ich aber nicht unter 50 mV gehen.
Matthias S. schrieb:> Doch, hier taugen GE Transis nicht:>> * Die Dinger kann man kaum als hochsperrend bezeichnen, der Leckstrom> ist beträchtlich.
Interessiert hier nicht.
> * Keiner kann 100mA vertragen geschweige denn steuern.
Schau dich mal in den Russen-Datenblättern um.
> * Die Dinger (vor allem AF116/117) leiden schwer an Tin Whiskers, sie> sind nicht neu zu bekommen und NOS taugt wg. der Tin Whiskers nicht.
Hast du noch mehr Horror-Geschichten?
Joachim B. schrieb:> HildeK schrieb:>> Du brauchst nicht weitersuchen, den gibt es nicht .>> echt nicht, was ist mit AF Transistoren, OK PNP aber stört doch nicht.> Es gibt keinen Grund PNP zu meiden!
Meinst du NPN zu meiden?
Das frag ich mich auch.
Der TO hat keinen blassen Dunst von Elektronik.
michael_ schrieb:> Meinst du NPN zu meiden?
oder so, er sucht ja NPN also meidet er PNP
und ich antworte, es gibt keinen Grund PNP zu meiden, sowie es keinen
Grund gibt NPN zu meiden und auch keinen Grund gibt das die Vbe stört!
Es gehört "nur"
Joachim B. schrieb:> muss halt noch etwas> Elektronik dabei sein.michael_ schrieb:> Der TO hat keinen blassen Dunst von Elektronik.
das muss ich auch denken wie auch Andere!
michael_ schrieb:>> * Keiner kann 100mA vertragen geschweige denn steuern.>> Schau dich mal in den Russen-Datenblättern um.
Erstens haben wir hier von der AF Serie geredet und zweitens würde ich
sicher niemals irgendwelche Transistoren aus Russland verbauen. Ich
denke mal, das das für den TE auch gilt.
Sicher weiss ich, das es z.B. AC und AD Transistoren mit 100mA und mehr
Kollektorstrom gibt, aber davon ist nicht die Rede gewesen. Überhaupt
ist die Diskussion um Ge-Transistoren sinnlos und eine Schnapsidee von
einem der oberen Beiträge gewesen.
michael_ schrieb:>> * Die Dinger (vor allem AF116/117) leiden schwer an Tin Whiskers, sie>> sind nicht neu zu bekommen und NOS taugt wg. der Tin Whiskers nicht.>> Hast du noch mehr Horror-Geschichten?
Kein Horror, sondern Realität. Google mal nach AF117...
Jörg B. schrieb:> Der Shunt ist dann noch mal eine häßliche Sache zum Dimensionieren. Je> kleiner man ihn macht, und je kleiner die Abschaltspannung dann ist,> desto mehr Mühe muss man sich geben, die ganzen Störungen> herauszufiltern und desto langsamer wird es.
Für die oben genannten Überwachungs-ICs ist das egal. Diese ICs benutzen
4-Leiteranschluß, d.h. haben 2 Senseingänge. Damit sind wenige mV
überhaupt kein Problem.
Praktisch ist auch, daß man gleich einen Ausgang für die Strommessung
hat.
Leute, dieser Thread ist dermaßen albern. Ichr schlagt euch hier die
Köppe ein beim Vergleich irgendwelcher Uralt-Germanen ohne auch nur
einmal darüber nachzudenken, ob die Frage des TE nach so einem
Transistor überhaupt sinnvoll ist.
Tip: ist sie nicht.
Man muß die Überstromerkennung beileibe nicht so aufbauen, daß man mit
einem einzelnen Transistor die Spannung am Shunt auswertet und beim
Erreichen von U_be abregelt bzw. abschaltet.
Wenn man nicht gleich zu einen geeigneten Spezial-IC oder einem
schnellen Komparator greifen will, reicht es auch, einfach zwei
Transistoren zu verwenden. Eine Anregung liefert die Schaltung im
Beitrag "Re: Konstantstromquelle weniger als 0,5V Spannungsabfall"
Die kann man wahlweise als Stromspiegel mit Nachbrenner ansehen. Oder
als Differenzverstärker, der aber nicht an den Basen, sondern an den
Emittern gesteuert wird. Im Beispiel wird die Spannung am Shunt auf 50mV
geregelt. Bei 100A gibt das zwar immer noch 5W, aber das erscheint mir
zumindest handhabbar. Besser als die 70W bei 0.7V allemal. Wenn die
Schaltung nicht schnell genug sein sollte, kann man den rechten
Transistor des Stromspiegels auch in eine Kaskode einfügen. Dann hat er
eine konstante U_ce und parasitäre Kapazitäten fallen raus.
Axel S. schrieb:> reicht es auch, einfach zwei> Transistoren zu verwenden...
Bleibt noch die Frage, ob das auch mit russischen
PNP-Germaniumtransistoren geht.
Axel S. schrieb:> Leute, dieser Thread ist dermaßen albern. Ichr schlagt euch hier die> Köppe ein beim Vergleich irgendwelcher Uralt-Germanen ohne auch nur> einmal darüber nachzudenken, ob die Frage des TE nach so einem> Transistor überhaupt sinnvoll ist.>> Tip: ist sie nicht.
Wo du Recht hast, hast du Recht!
Axel S. schrieb:> ob die Frage des TE nach so einem> Transistor überhaupt sinnvoll ist.>> Tip: ist sie nicht.michael_ schrieb:> Wo du Recht hast, hast du Recht!
hihi es wurde alles gesagt, nur noch nicht von Jedem :)
Matthias S. schrieb:> zweitens würde ich sicher niemals irgendwelche Transistoren aus> Russland verbauen.
Genau. In denen werden nämlich kleine Spionagesender versteckt. :-)
Harald W. schrieb:> Matthias S. schrieb:>>> zweitens würde ich sicher niemals irgendwelche Transistoren aus>> Russland verbauen.>> Genau. In denen werden nämlich kleine Spionagesender versteckt. :-)
Ja, und zwar noch in guter alter Röhrentechnik!
