Hallo Zusammen, Ich bin mir eine Mover-Steuerung für den Wohnwagen am bauen, (Truma Mover SE). Nun mache ich eine H-Brücke für die Ansteuerung, die Mosfet werden mit geeigneten Treibern angesteuert: IPB180P04P4L-02. Ich möchte so wenig bauteile wie möglich, heisst auch nur ein Spannungsregler wenn möglich. Meine beiden Fet-Typen (N und P- Kanal) (IPB017N06N3GATMA1,IPB180P04P4L-02) haben unterschiedliche Gate-Source-Spannungen, beide jedoch innerhalb +/- 16V Maximalspannung. Ich brauche maximal um die 120A, d.h. ich brauche beim P-Kanal Fet etwa 3.5V Vgs und beim N-Kanal etwa 5.5V. Meine Frage: Wäre es o.k. wenn ich bei beiden einfach 5.5V anlege? Das ist total im Bereich der beiden Fet, jedoch habe ich gelesen das es schädlich sein kann, die Fet mit hoher Spannung Vgs zu betreiben. Kann da jemand helfen? Vielen Dank, NaClFett
NaClFett schrieb: > jedoch habe ich gelesen das es > schädlich sein kann, die Fet mit hoher Spannung Vgs zu betreiben Wer schreibt denn so einen Mist? Solange du die Werte im Datenblatt nicht überschreitest, kannst du den MOSFet mit der gewünschten Ugs ansteuern. Der MOSFet wird dir danken, denn je höher die Ugs ist, desto niedriger ist sein RdsON und desto kälter bleibt er. Also merke, nicht alles im Internet ist die reine Wahrheit. Bleibe unter den Maximum Ratings und alles ist gut.
Matthias S. schrieb: > Bleibe unter den Maximum Ratings und alles ist gut. Er glaubt aber auch dass bis 120 Ampere alles ganz einfach ist. Da ist aber nix einfach. Und ohne Schaltplan wird das nix.
NaClFett schrieb: > Ich brauche maximal um die 120A, d.h. ich brauche beim P-Kanal Fet etwa > 3.5V Vgs und beim N-Kanal etwa 5.5V. No, damit rauchen dir die FETs bei 120A wahrscheinlich recht schnell ab. Für den nFET brauchst du +10V, für den pFET mindestens -5V (aber -10V wäre deutlich besser). Wie sieht denn dein "geeigneter Treiber" für die Ansteuerung aus?
jo mei schrieb: > Er glaubt aber auch dass bis 120 Ampere alles ganz einfach ist. Davon lese ich nichts - ich gehe also davon aus, das der TE weiss, was er tut. Man muss den Leuten auch mal ein bisschen was zutrauen.
Matthias S. schrieb: > ich gehe also davon aus, das der TE weiss, was > er tut. Man muss den Leuten auch mal ein bisschen was zutrauen. Das glaube ich erst wenn ich die Schaltung gesehen habe. Einfach mal 5V für beide FETs, das sagt gar nichts.
irgendwie ist da der Wurm drinnen: NaClFett schrieb: > Nun mache ich eine H-Brücke für die Ansteuerung, die Mosfet werden mit > geeigneten Treibern angesteuert: IPB180P04P4L-02. Infineon ist nun überhaupt nicht der Meinung, dass das genannte Teil ein Mosfet-Treiber wäre. Insofern wäre der Schaltplan oder zumindest Skizze schon hilfreich.
NaClFett schrieb: > Ich brauche maximal um die 120A, d.h. ich brauche beim P-Kanal Fet etwa > 3.5V Vgs und beim N-Kanal etwa 5.5V. Unsinn. B19> C? EB3 5 ? > CD1D5 B5C9CD1>3 5 ' 9H"[Z# ) =H . $ 9 Urgs, das ist die vom PDF hierher kopierte Zeile mit der Begründung. Du brauchst bei jeden ca. 10 bs 12V und eine 16V Zenerdiode sollte das Gate vor noch höheren Spannungen schützen. Und wo du schon bei den Daten der MOSFETs so daneben liegst, was ist mit: NaClFett schrieb: > Ich brauche maximal um die 120A Ist das jetzt wirklich der Maximalstrom der Motoren beim Anlaufen und Blockieren, also Betriebsspannung/Innenwiderstand, oder bloss der Dauernennstrom ? Die MOSFETs müssen nämlich diesen Anlaufstrom aushalten, sonst sind sie beim ersten Anlaufen kaputt.
Motor mit 120A (sicher mit PWM) mit P / N MOSFet Brücke zu steuern ist keine gute Idee. Du musst schliesslich FETs wählen die erheblich mehr Srtom Aushalten als die 120A. Einen P-Fet mit ausreichend geringen RDSon und Stromtragfähigkeit zu bekommen ist schwer. Daher nimmt fast Jeder da 2 N-Fets und steuert das mit einem leistungsstarken Treiber IC der mit Bootstrap arbeitet an. Z.B. in der IR Reihe von IOR gibt es passende Teile. Die Verdrahtung das nächste Problem, wirst Platinen mit Dickkupfer brauchen. Auch EMV etc und Layout ist nicht ohne.
Matthias S. schrieb: > ich gehe also davon aus, das der TE weiss, was er tut. .... ohne zu wissen was beim TO/TE wirklich abgeht ....
jo mei schrieb: > .... ohne zu wissen was beim TO/TE wirklich abgeht .... Das weiß man doch schon, seit mal liest, daß er die 120A über die "korrekte" Gatespannung einstellen will...;-) Der Mann steht bezüglich der Elektronik ganz am Anfang. Und wie fast immer geht es auch in diesem Fall wieder um dreistellige Ampere, und natürlich ne Vollbrücke...
Beitrag #6412675 wurde von einem Moderator gelöscht.
Erstickt dran schrieb im Beitrag #6412675: > Wie wär's, sich mal die Datenblätter der o.g. Mosfet zu laden und die > Ausgangskennlinie STAUNEND anzusehen? Willst du damit andeuten, dass die FETs mit den Ansteuerspannungen, die der TO genannt hat, funktionieren könnten? Dann sorry: du hast keine Ahnung. Mit der Ansteuerung, die der TO genannt hat, werden die Teile sehr wahrscheinlich abrauchen. Das ist keine Häme sondern Hilfestellung für jemanden, der offenbar nicht weiß, wie Kennlinien zu interpretieren sind.
Beitrag #6412693 wurde von einem Moderator gelöscht.
Erstickt dran schrieb im Beitrag #6412693: > Anbei die relevante Kennlinie. Jetzt kannst Du Deine "Ahnung" > ausspielen... Ja, man sieht deutlich, das die Fets das erste Einschalten nicht überleben werden.
Beitrag #6412711 wurde von einem Moderator gelöscht.
Erstickt dran schrieb im Beitrag #6412693: > Anbei die relevante Kennlinie. Jetzt kannst Du Deine "Ahnung" > ausspielen... Gerne doch. Das ist die Ausganskennlinie des pFET, zu dem der TO meinte, dass V_GS=-3,5V ausreichen. Schon in dieser typischen Kennlinie reicht das nicht: bei -3,5V am Gate und 120A müsste der FET nach dieser Kennlinie 0,7V*120A=84W wegheizen. Selbst mit großer Kühlfläche hat der FET eine Eigenerwärmung von 84W*40K/W - das Teil explodiert schon beim ersten Anschalten. Dazu kommt: die Kennline gilt für eine Chiptemperatur von 25° - da der Chip und seine Umgebung sich stark aufheizen, werden die Bedingungen schlechter. Dazu kommt weiterhin, dass das die typische Kennlinie für ein V_GS_thres=1,7V ist. Die tatsächliche Kennlinie kann aber auch ein 0,5V schlechteres V_GS_thres haben. Dann musst du bei einer Ansteuerung mit -3,5V nicht die typische Kennlinie betrachten sondern die, die 0,5V schlechter liegt (also die bei -3V). Keine Chance damit annähernd 100A zu schalten, der Chip explodiert sofort. Für den TO relevant ist der Paramter, der in der Tabelle des Datenblatts als RDS(on) garantiert ist. Beim pFET gibt es einen Eintrag, der für ein VGS von -4,5V spezifiziert ist. Deshalb habe ich dem TO oben folgendes beschrieben: Achim S. schrieb: > Für den nFET brauchst du +10V, für den pFET mindestens -5V (aber -10V > wäre deutlich besser). Mit den -4,5V am Gate hätte der pFET noch eine statische Verlustleistung von bis zu (120A)^2*3,9mOhm = 56W. Mit den -10V am Gate hätte der FET noch eine statische Verlustleistung von 34W. Für einen Anfänger immer noch schwer in den Griff zu kriegen, aber wenigstens liegt das im Bereich des machbaren (anders als die im Eröffnungsthread genannten Werte). Erstickt dran schrieb im Beitrag #6412711: > Die nächste Dummsau... Komm mal wieder runter und krieg dich ein. Wenn du dich wie ein vernünftiger Mensch unterhalten willst, dann können wir diskutieren. Wenn du nur irgendeinen Frust loswerden willst, dann such dir jemand anderen.
Na da habe ich ja den Nagel auf den Kopf getroffen. Mehr Bestätigung als
von "Erstickt dran" geht eigentlich kaum mehr...;-)
Der Typ will nicht weniger, als ernsthaft eine Anfrage verteidigen zum
Thema 120A, ein Mosfet, und nahe dem Einschnürbereich...ich glaube es
nicht. In einem Punkt hat er demnach zu 100% recht:
Erstickt dran schrieb im Beitrag #6412711:
> Das wird immer schlimmer hier.
Viel Spaß noch mit ihm!
Beitrag #6412735 wurde von einem Moderator gelöscht.
Beitrag #6412738 wurde von einem Moderator gelöscht.
Aber nochmal kurz zum Thema: der TO wählt die genannten Spannungen nicht etwa für eine geringe Ansteuerleistung, oder weil er keine höhere Gatespannung hat. Er wählt sie, weil er annimmt, ein Mosfet würde bei z.B. 10V Ugs stark belastet... Sowas nennt man schlicht "Ganz am Anfang stehen". Hoffentlich gibt es nicht weitere cholerische Anfälle zu dieser simplen Wahrheit.
aus der Gebrauchsanweisung des Antriebes: > Der Stromverbrauch des Movers beträgt bei maximaler Steigung und maximalem > Gewicht bis zu max. 120 A. Hiermit ist offensichtlich der Betriebsstrom und keinesfalls der Anlaufstrom gemeint. Das System ist mit einer 125A Sicherung abgesichert. Über die Kennlinie der Sicherung hüllt sich der Hersteller leider in Schweigen. Schaut man sich andere Sicherungen mit 125A Betriebsstrom an, findet man Abschaltzeiten von 0,5s bei Strömen von 1000A, 5s bei Strömen von 500A und über bis zu 2000s bei Strömen von 200A. Bei dieser Absicherung gehe ich von deutlich höheren Anlaufströmen des Systems unter ungünstigen Bedingungen oder im Blockierfall aus. Ich folge hier der weiter oben genannten Empfehlung, jeweils 2 Stück der Mosfets parallel zu schalten ( ich bin etwas paranoid und würde jeweils 3 nehmen ) in verbindung mit einem entsprechend leistungsstarken Treiber. Grüße Mario
Erstickt dran schrieb im Beitrag #6412735:
> Du legst Deine Ansichten dar und ich habe die meinen.
Und Du meinst, Deine Ansicht, das der TE einen viel zu schwachen
FET nehmen soll ist für Ihn hifreich?
Mario P. schrieb: > Ich > folge hier der weiter oben genannten Empfehlung, jeweils 2 Stück der > Mosfets parallel zu schalten ( ich bin etwas paranoid und würde jeweils > 3 nehmen ) in verbindung mit einem entsprechend leistungsstarken > Treiber. Das hatte ich sowieso vor, danke trotzdem. Wie ist es denn mit dem Rds, halbiert sich dieser im Falle einer Parallelschaltung bzw. verkleinert er sich?
NaClFett schrieb: > Wie ist es denn mit dem Rds, > halbiert sich dieser im Falle einer Parallelschaltung bzw. verkleinert > er sich? Klar: das gilt bei jeder Parallelschaltung (egal ob Widerstände oder MOSFETs). Der Gesamtwiderstand der Schaltung wird kleiner als die Einzelwiderstände. Gleichzeitig steigt bei der Parallelschaltung die Anforderung an deinen Treiber, weil er ein Mehrfaches der Last zu treiben hat. Und hier lässt dein Eröffnungsbeitrag leider noch vermuten, dass du ein weiteres Problem bekommen kannst. Du kannst den pFET-Treiber nicht ohne weiteres aus einer reduzierten Versorgung treiben, der pFET-Treiber muss bis an die Versorgung der Last hochkommen. Deshalb wäre es wirklich sinnvoll, wenn du mal einen Schaltplan zeigst (wie schon mehrfach vorgeschlagen wurde).
Achim S. schrieb: > Deshalb wäre es wirklich sinnvoll, wenn du mal einen Schaltplan zeigst > (wie schon mehrfach vorgeschlagen wurde). Er HAT keinen. Nur irgendwo mal H-Brücke gehört. Über shoot through, ground bounce, Rückspeisung, weiss er vermutlich auch noch nichts. Es wird noch ein langer Weg bis zu Motorcontrollern a la Curtis.
MaWin schrieb: > Nur irgendwo mal H-Brücke gehört. Genau so ist es. Und das läuft hier ständig so. Nachweislich das erste Mal einen Mosfet in der Hand, aber nun soll es gleich ne Brücke mit 120A sein. Im Prinzip fehlt diesmal nur, daß die mit 100KHz takten soll. Aber das kommt sicher noch, denn so einen Mover wird man ja kaum nur mit Vollgas betreiben wollen.
Vorschlag zur Güte - Polwender als Handschalter und Curtis Controller als Regler :-P Gibts in jedem Golfcaddy so. Die Curtis sind mittlerweile billig als China Klone zu kaufen.
Paule, Bademeister schrieb: > Genau so ist es. Und das läuft hier ständig so. Nachweislich das erste > Mal einen Mosfet in der Hand, aber nun soll es gleich ne Brücke mit 120A > sein. Weiter oben wurde aber gesagt: Matthias S. schrieb: > Man muss den Leuten auch mal ein bisschen was zutrauen. Also das Problem ist doch völlig klar durchdacht und schon gelöst, es fehlt doch nur noch die Realisierung. Kann hier zugemacht werden.
jo mei schrieb: > Also das Problem ist doch völlig klar durchdacht und schon gelöst ...aber sowas von schon gelöst... Mir kann es ja eigentlich egal sein. Solange der TO vorm Anschluss ne Schutzbrille auf hat, und der Feuerlöscher griffbereit ist. Ach ja, und schreckhaft sollte er nicht sein. Auch bezüglich plötzlich mit Vollgas losfahrender Wohnwagen...
Paule, Bademeister schrieb: > Auch bezüglich plötzlich mit Vollgas losfahrender Wohnwagen... Sind ja nur 2 PS, die da unterwegs sind. Aber stimmt schon: mit 2 PS wurden früher auch schon Kutschen gezogen. Recht schmissig, wenn nötig :-o Matthias S. schrieb: > Polwender als Handschalter und Curtis Controller als Regler Das dürfte wohl die schnellste und einfachste Art sein. Und im Rückblick sogar garantiert die Billigste.
NaClFett schrieb: > Wie ist es denn mit dem Rds, > halbiert sich dieser im Falle einer Parallelschaltung bzw. verkleinert > er sich? Ja tut er. Wenn du aber die FETs nicht schnell genug schaltest, werden sie dir schon im Zuschaltmoment abrauchen. Da muss auch der SOA passen, und der muss bei einem einzelnen FET erfüllt sein, da sich diese Belastung wegen Toleranzen nicht parallelisieren lassen...
Hallo, Ich baue eine H-Brücke und habe nun einen Treiber gefunden. Dieser Treiber ist ein Low-Side Treiber, MIC4452YM, kann ich den für meine H-Brücke benutzen, ich habe ja nicht nur Low-Side FET da dran. Vielen Dank, NaClFett
NaClFett schrieb: > Dieser > Treiber ist ein Low-Side Treiber, MIC4452YM, kann ich den für meine > H-Brücke benutzen, ich habe ja nicht nur Low-Side FET da dran. Für Low-Side kann man den benutzen. Für High-Side auch. Dann braucht man nur galvanisch getrennte Spannungsversorgung und Steuersignal. Oder wie ein Tutor zu einem Lösungsvorschlag für eine Übungsaufgabe mal meinte: "Kann man so machen. Dann musst du hier nur noch P=NP beweisen, dann bist du fertig." Aber ernsthaft, es geht schon irgendwie, aber sinnvoll ist es nicht. Es gibt Halbbrückentreiber und sogar H-Brückentreiber, die alles Nötige (insbesondere auch Sicherheitsschaltungen) schon im Chip haben. Für eine Halbbrücke fällt mir ganz spontan der IR2104 ein. Es gibt aber auch viele andere (und wahrscheinlich bessere).
Zum Einlesen hilft der Artikel: https://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber Und eine Übersicht gibt es in der dritten Tabelle von https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-Übersicht#Mosfet-Treiber Du brauchst zwei Halbbrücken oder einen Vollbrückentreiber.
NaClFett schrieb: > Ich baue eine H-Brücke Bitte für diese eine H-Brücke nicht jeden Tag einen neuen Thread anfangen!
Ich habe mich für den Treiber HIP4082 entschieden, das Application Block Diagram zeigt mir nun eine H-Brücke mit 4 N-Channel FET. Meine H-Brücke besteht jedoch aus 2 N-Channel und 2 p-CHannel, muss ich diese nun alle in N-Channel wechseln? Im Anhang findet ihr mein Schema.
Hier wurden anscheinend zwei Themen zusammengeführt. Vielleicht wäre es gut, das kenntlich zu machen. NaClFett schrieb: > Ich habe mich für den Treiber HIP4082 entschieden, das Application Block > Diagram zeigt mir nun eine H-Brücke mit 4 N-Channel FET. Das ist üblich, weil N-Kanal-FET im Allgemeinen bessere elektrische Eigenschaften haben. Darauf sind auch die Treiber ausgelegt. Nicht wegen der elektrischen Eigenschaften, sondern wegen der Beschaltung. Ich kann mich auch spontan täuschen, aber P-Kanal-FET kann man mit einem normalen Treiber nicht immer oder nicht so einfach ansteuern. Also besser viermal N-Kanal nehmen. So macht es fast jeder.
NaClFett schrieb: > Ich habe mich für den Treiber HIP4082 entschieden, Kritisches Ding. Muss man beherrschen können. > das Application Block > Diagram zeigt mir nun eine H-Brücke mit 4 N-Channel FET. Meine H-Brücke > besteht jedoch aus 2 N-Channel und 2 p-CHannel, muss ich diese nun alle > in N-Channel wechseln? Natürlich. Und es ist besser so.
Michael B. schrieb: > Kritisches Ding. Muss man beherrschen können. Was würdest du denn Vorschlagen?
Angehängte Dateien:
-
PN-MOSFET1.png
24 KB
NaClFett schrieb: > ..... Meine H-Brücke > besteht jedoch aus 2 N-Channel und 2 p-CHannel, muss ich diese nun alle > in N-Channel wechseln? > > Im Anhang findet ihr mein Schema. Das zeigt uns, dass dein Wissen deutlich ausbaufähig ist. Deine Gate-Ansteuerung für N und P ist verbunden und GND bezogen. Der P-Channel wird aber auf V+ bezogen angesteuert (Bild).
Bernd K. schrieb: > Das zeigt uns, dass dein Wissen deutlich ausbaufähig ist. > Deine Gate-Ansteuerung für N und P ist verbunden und GND bezogen. > Der P-Channel wird aber auf V+ bezogen angesteuert (Bild). Ja, mein Wissen ist ausbaufähig. Wo soll denn das GND bezogen sein?
NaClFett schrieb: > Bernd K. schrieb: >> Das zeigt uns, dass dein Wissen deutlich ausbaufähig ist. >> Deine Gate-Ansteuerung für N und P ist verbunden und GND bezogen. >> Der P-Channel wird aber auf V+ bezogen angesteuert (Bild). > > Ja, mein Wissen ist ausbaufähig. Nö. Es bedarf eines dringenden Aufbaus von wissen bevor Du zum Ausbau desselben schreiten kannst. > > Wo soll denn das GND bezogen sein? Was soll dieser Satz bedeuten? Der ergibt weder inhaltlich noch sonst wie einen Sinn... Zu dem HIP4082: Wenn Du - was ich sehr bezweifle - das Datenblatt und all die Appnotes dazu gelesen hast und auch verstanden hast - dann kann(!) der eine brauchbare Wahl für H-Brücken sein. Allerdings nicht für die FETs die Du vorschlägst, denn dazu treibt der zuwenig Strom in die Gates.... Mit anderen Worten: der ist keine gute Wahl für die von dir genannten und massiv parallel geschaltete FETs, die 0,75A max. Strom aus dem Gate führt dazu das die Abschaltung viel zu langsam erfolgt und Dir die FETs abbrennen. Langer Rede kurzer Sinn: vergiß es, die 120A sind noch gefühlte 4 Nummern zuviel für Deine Ahnungslosigkeit.
MiWi schrieb: > Was soll dieser Satz bedeuten? Der ergibt weder inhaltlich noch sonst > wie einen Sinn... Angenommen man kann Deutsch und hat den zusammenhang verstanden macht der sehr wohl Sinn. Dennoch spielt das in diesem Fall keine Rolle weil du dich über mich erhebst und hier den Besserwisser raushängst. Ja, ich habe keine Ahnung, aber dein Gelaber bringt niemandem ausser deinem Ego was.
NaClFett (Gast) >MiWi schrieb: >> Was soll dieser Satz bedeuten? Der ergibt weder inhaltlich noch sonst >> wie einen Sinn... >Angenommen man kann Deutsch und hat den zusammenhang verstanden macht >der sehr wohl Sinn. Dennoch spielt das in diesem Fall keine Rolle Ja, aber MiWi kann kein deutsch, sonst hätte er sich den fehlenden Bindestrich dazu denken können. Aber Dein Satz ist eben auch kein Deutsch, denn ohne diesen Bindestrich ergibt er wirklich eine merkwürdige Konstellation ...
NaClFett schrieb: > Wo soll denn das GND bezogen sein? ich dachte ich kann deutsch, aber ich lese nur Kopfkissen, oder was für ein Bezug hat GND, vor allem zu was? Mir fehlt der Kontext! Klar kann ich mir was aus dem vorigen Geschreibsel was reimen, aber das bleibt nur was Zusammengereimtes! so gebt mir wieder das obligatorische MINUS :) Ich weiss rumhacken ist Mist, aber wie soll man sonst darauf reagieren wenn andere glauben sie würden verständlich schreiben?
NaClFett schrieb: > Ich habe mich für den Treiber HIP4082 entschieden Reicht allein leider auch nicht, denn der erzeugt die Gatespannung der oberen Mosfets nur per Bootstrapping. Wenn ich es richtig verstehe, brauchst du aber 100% Einschaltzeit? Das klappt so nicht, gegebenenfalls brauchst du noch einen kleinen zusätzlichen DC/DC-Wandler mit potentialfreiem Ausgang. Oder zumindest einen invertierenden Wandler. Habe jetzt nicht genauer ins DB geschaut, aber normalerweise kann man derartigen Bootstrap-Treibern auch eine solche Hilfsspannung spendieren. Aber wie schon gesagt, das ist leider alles meilenweit von dem entfernt, das du mal eben angehen kannst. Ein entsprechender Versuch würde dich nur teuer zu stehen kommen. Man beginnt solche ersten Gehversuche mit EINEM Mosfet, und vielleicht 5A. Nicht mit ner Vollbrücke und 120A.
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