Warum kann man einen PNP nicht "falsch" herum anstelle eines PNP verbauen?

https://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0203111.htm

Warum musst du eine Diode in der richtigen Richtung einbauen? Warum 
musst du einen Brückengleichrichter in der richtigen Richtung einbauen?

Und jetzt denk noch drüber nach, warum und wo man in einem Transistor 
zwei Dioden herausmessen kann und was für Auswirkungen das hat.

Michael schrieb:
> Wenn ich z.b. einen BC547 habe in TO92, dann kannich den doch auch von
> unten überkopf einbauen und er funktioniert dennoch.
Aber halt viel schlechter, wei er dann nur eine ganz lausige Verstärkung 
hat.

Corona V. schrieb:
> Bei dem einen fließt der Strom IN die Basis, beim anderen AUS der Basis
Per Definition fließen in jedem Transistor 3 Ströme hinein und heben 
sich dort dann praktischerweise zu Null auf. Man muss dann halt beim 
Vorzeichen gut aufpassen.

Michael schrieb:
> Wenn ich z.b. einen BC547 habe in
> TO92, dann kannich den doch auch von unten überkopf einbauen und er
> funktioniert dennoch. Wieso kann man das dann nicht bei einem PNP?

Was genau willst du nun machen? NPN statt PNP oder bei einem PNP 
Kollektor und Emitter vertauschen? Letzteres funktioniert in der 
Theorie, ist praktisch aber nicht ratsam weil C und E i.d.R. nicht 
symmetrisch sind.

Michael schrieb:
>
> ich farge mich wiesso ich anstelle eines NPN nicht ein PNP-Transistor
> (nur falsch herum) verbauen kann?

Details? Zeig doch mal, wie genau du den Transistor "falsch herum" 
einzubauen gedenkst.

Das hast du nicht zu Ende gedacht. Eine Diode hat nur zwei Anschlüsse, 
die kannst du falsch herum einbauen, so daß sich N- und P-Anschluß 
vertauschen. Aber ein Transistor hat drei Anschlüsse. Bei npn zwei "N" 
und ein "P". Bei pnp aber nur ein "N" und zwei "P". Egal, wie du die 
Anschlüsse vertauschst, du kannst das eine nicht in das andere 
überführen.

> Wenn ich z.b. einen BC547 habe in
> TO92, dann kannich den doch auch von unten überkopf einbauen und er
> funktioniert dennoch.

Ändert denn die Einbaulage etwas am elektrischen Verhalten?

> Wieso kann man das dann nicht bei einem PNP?

Selbstverständlich kannst du auch einen pnp Transistor überkopf 
einbauen.

Hi,
da gibt es seltene Ausnahmen. Invers betreiben und PNP mit NPN 
verwechseln ist zweierlei: Für Inversbetrieb:
Zitat:
"...In diesem Fall wird der Eingangstransistor invers betrieben..."
Standard TTL. 7400.

Seite 151
ISBN 3-921608-31-7

ciao
gustav

Karl B. schrieb:
> Für Inversbetrieb:
> Zitat:
> "...In diesem Fall wird der Eingangstransistor invers betrieben..."
> Standard TTL. 7400.

Der Eingangstransistor eines (Standard) TTL-Gatters wird nicht invers 
betrieben, sondern in Basisschaltung.

> Seite 151
> ISBN 3-921608-31-7

Hab ich nicht zur Hand. Entweder steht da Blödsinn (ist wohl von 
Elektor, da wäre das nicht verwunderlich). Oder du hast aus dem 
Zusammehnag falsch zitiert.

Inversbetrieb macht man üblicherweise, wenn man eine besonders niedrige 
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung erreichen will. Z.B. zum Schalten 
von Signalen.

MaWin schrieb:
> Bei PNP ist offensichtlich + und - vertauscht gegenüber einem NPN.

Und aus genau dieser Erkenntnis heraus möchte TO wissen, warum er ihn 
dann nicht auch mit vertauschten Anschlüssen statt eines NPN verwenden 
kann.

Man kann einen Transistor auch nutzbringend in "verkehrter Richtung" 
betreiben- z. B.  als Oszillator, dies nutzt den "Avalanche-Effekt" (= 
"Lawinendurchbruch- Effekt".
Z- Dioden arbeiten von Hause aus mit diesem Effekt.

Das funktioniert aber nicht mit jedem Transistor, und ist eine 
Spezialanwendung.

Hier ein gutes Beispiel- ein Impulsgenerator.

http://www.kerrywong.com/2014/03/19/bjt-in-reverse-avalanche-mode/

Ich kann mich an einen Bauvorschlag für einen Oszillographen erinnern, 
der damit arbeitete.

Das ist aber sicher eine andere Sache, als das, was der Themenersteller 
meint.

Axel S. schrieb:
> Hab ich nicht zur Hand. Entweder steht da Blödsinn (ist wohl von
> Elektor, da wäre das nicht verwunderlich). Oder du hast aus dem
> Zusammehnag falsch zitiert.

Hi,
noch der Zusammenhang.
Edi M. schrieb:
> Das ist aber sicher eine andere Sache, als das, was der Themenersteller
> meint.

ciao
gustav

Michael schrieb:

> ich farge mich wiesso ich anstelle eines NPN nicht ein PNP-Transistor
> (nur falsch herum) verbauen kann?

Warum sollte man das tun? NPN-Transistoren haben normalerweise
bessere Daten als PNP-Transistoren.

Karl B. schrieb:
> noch der Zusammenhang.
Die Erklärung ist falsch oder zumindest irreführend. Da wird nichts über 
irgendeine BE-Sperrschicht invers betrieben.

Sondern es ist einfach so, dass dann, wenn keiner der Emitter auf GND 
gezogen wird (weil die z.B. auf 5V oder einfach offen sind),  über die 
BC-Diode des Q1 Strom in die Basis vom Q2 fließt und diesen 
durchschaltet.

> dann kannich den doch auch von unten überkopf einbauen und er funktioniert > 
dennoch.

Ein Transistor ist kein mechanisches Bauelement.


mfG

Michael schrieb:
> ich farge mich wiesso ich anstelle eines NPN nicht ein PNP-Transistor
> (nur falsch herum) verbauen kann?

Du kannst. Nur wird das nicht funktionieren.

Du kannst genauso einen Benziner mit Diesel tanken. Wer kann das dir 
verbieten? :)

Elektrofan schrieb:

> Es wird immer deutlicher:
>
> "Wir" brauchen neue Fachkräfte!     SCNR

Genau, das sind ja bekanntlich die Menschen, die genau wissen,
welcher Gegenstand in welchem Fach liegt un die genug Kraft
haben, ihn da rauszuholen.

Lothar M. schrieb:
> Karl B. schrieb:
>> noch der Zusammenhang.
> Die Erklärung ist falsch oder zumindest irreführend. Da wird nichts über
> irgendeine BE-Sperrschicht invers betrieben.

Hi,
genau. Die Überlegung war, dass eben nicht UBE das Kriterium für den 
Schaltvorgang ist, sondern UBC. Bzw. die entsprechenden Ströme. Das ist 
für die Gangelter Anlass den Begriff "invers" in die Beschreibung 
reinzusetzen. Da kommt jetzt ein Korrekturzettel ins Buch rein.

Die ganze Diskussion hier kommt IMHO von dem Zwei-Diodenmodell. 
Transistor
sind keine isoliert unabhängig voneinander wirkenden Dioden, die mal 
sperren mal öffnen, sondern zwei Sperrschichten, die "zusammenwirken".
Die BE-Strecke kann nicht einfach zur BC-Strecke umfunktioniert werden.
Wenn das so wäre, könnte man ja, wie der TO anmerkte, den Transistor 
"umdrehen".
Deswegen tritt man das gelegentlich noch in den Büchern auftauchende 
Dioden- Modell am besten in die Tonne.
Zitat:
"...Hinweis: Das Schaltzeichen mit den beiden gegeneinander geschalteten 
Dioden wird gerne verwendet um den Prinzipaufbau des Transistors 
darzustellen. Die Funktionsweise eines Transistors kann so in der 
Realität aber nicht nachgestellt werden..."
/Zitat
Quelle:
https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm

ciao
gustav

Karl B. schrieb:

> Deswegen tritt man das gelegentlich noch in den Büchern auftauchende
> Dioden- Modell am besten in die Tonne.

Dieses Modell macht aber nach wie vor Sinn zur einfachen Funktions-
kontrolle eines Transistors mit Hilfe eines Ohmmeters.

Karl B. schrieb:
> Quelle:
> https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm

Ich hab mir eben mal dieses ominöse "Elektronik-Kompendium" 
angesehen...und kann nur jeden warnen, seine Kenntnisse daraus beziehen 
zu wollen.
Teilweise wirklich katastrophal falsche Formulierungen....wer schreibt 
so was?

Nur ein Beispiel:
"Mittels einer Hilfsspannung UBE kann der Schwellwert vorab eingestellt 
werden. Dieses Vorgehen wird als Arbeitspunkteinstellung bezeichnet. Um 
diese eingestellte Spannung kann nun der Basisstrom den Kollektorstrom 
steuern."

Also - um eine Spannung herum...kann der Basistrom steuern...Toll, oder?

Maxim B. schrieb:
> Du kannst. Nur wird das nicht funktionieren.
>
> Du kannst genauso einen Benziner mit Diesel tanken. Wer kann das dir
> verbieten? :)

Diese Frage stellt sich so nicht. Er möchte nicht wissen, was er darf, 
sondern ob er kann.
Und das können wir nicht beurteilen; wir können höchstens versprechen, 
ihn nicht zu hindern (was leichtfallen dürfte, denn wie sollten wir 
auch?).

Im Grundsätzlichen stimmt es natürlich: es ist möglich; und verboten ist 
es auch nicht.

Lutz V. schrieb:
> Teilweise wirklich katastrophal falsche Formulierungen....wer schreibt
> so was?
>
> Nur ein Beispiel:
> "Mittels einer Hilfsspannung UBE kann der Schwellwert vorab eingestellt
> werden. Dieses Vorgehen wird als Arbeitspunkteinstellung bezeichnet. Um
> diese eingestellte Spannung kann nun der Basisstrom den Kollektorstrom
> steuern."

Was gefällt Dir daran nicht? Das ist keine physikalische Beschreibung 
sondern so macht man das in der Praxis und es funktioniert. Vielleicht 
etwas unglücklich in der Formulierung.

Lege ein Poti von Vcc nach Gnd, greife daran die Basisspannung ab (= 
Arbeitspunkt). Es stellt sich ein Basisstrom ein ==> Kollektorstrom (= 
B*Ib). Der Querstrom durch das Poti sollte etwa 5-10 x des Basisstroms 
betragen.

Damit soll ja nicht die Funktionsweise eines Transistors beschriebenen 
werden. Mit theoretischer Physik kommst Du nicht weiter, wenn Du einen 
Verstärker berechnen möchtest. Das macht man wie oben.

Karl B. schrieb:
> Deswegen tritt man das gelegentlich noch in den Büchern auftauchende
> Dioden- Modell am besten in die Tonne.

Harald W. schrieb:
> Dieses Modell macht aber nach wie vor Sinn zur einfachen Funktions-
> kontrolle eines Transistors mit Hilfe eines Ohmmeters.

Genau das !
Schon als Junge habe ich meine Basteltransis so "geprüft". Und tue das 
heute noch, über 55 Jahre später.
Ich schätze, 99% aller defekten Transistoren habe ich so ermittelt.
Diese Vorgehensweise empfiehlt sich bei Geräten mit galvanisch 
gekoppelten Stufen, sowie bei Geräten mit sehr vielen Transistoren und 
Dioden, oft geht das sogar in der Schaltung, also ohne Auslöten, das 
spart sehr viel Zeit.
Üblicherweise reicht der Vergleich mit funktionstüchtigen Exemplaren, 
meist auch Erfahrungswerte.
Es gab gelegentlich (meist HF- Vorstufen-) Transistoren, die 
-wahrscheinlich durch einen Spannungsspitze auf die B/E- Strecke- eine 
Verstärkung von Null hatten, aber die Ohm- Prüfung bestanden- das waren 
aber nur einige Exemplare.

Da Bipolar- Transistoren eben die beiden Strecken B-E und B-C haben, 
kann man -wie in manchen Büchern so genannt- von "Basis- Emitter- Diode" 
und "Basis- Kollektor- Diode" (manchmal Wörter umgekehrt) sprechen, und 
auch so messen.
Achtung: Die Strecke E-C bzw.C-E hat bei Ge- Transistoren einen meßbaren 
Widerstand, den man bewerten muß, am besten per Vergleich mit 
funktionstüchtigen Transis.

Das "Diodenmodell" kommt wahrscheinlich von den ersten Versuchen mit 
Halbleitern- da stellte ein deutscher Wissenschaftler schon in den 20er 
oder 30er Jahren beim Testen mit solchen "Gegeneinander- Dioden"- 
Aufbauten auf EINEM Halbleitermaterial, ähnlich dem Transistor, fest, 
daß der Strom einer Diode den einer anderen Diode steuern kann.
Leider wurde das nicht weiter verfolgt.

Was dann 1948 den Transistor ausmachte, war die spezielle Bahandlung 
EINER Diodenstrecke, durch elektrische Formierung (auch chemische 
Maßnahmen sind bekannt).

Percy N. schrieb:
> Im Grundsätzlichen stimmt es natürlich: es ist möglich; und verboten ist
> es auch nicht.

WIe geschrieben- es kann auch genutzt werden- z. B. Avalanche- 
Oszillator.

Mohandes H. schrieb:
> Was gefällt Dir daran nicht? Das ist keine physikalische Beschreibung
> sondern so macht man das in der Praxis und es funktioniert. Vielleicht
> etwas unglücklich in der Formulierung.

Stimmt- beschiccen formuliert. Aber funktioniert.

Nanny schrieb:
> Davon abgesehen schlage ich zur Klärung des elektronischen Sachverhalts
> vor, das einfach in einem der vielen erhältlichen Schaltungssimulatoren
> zu testen.

Ob ein Simu das hergibt ?
Dazu müßte ein Transistormodell alle Transistoreigenschaften 
berücksichtigen.
Es gibt Transis, die ein Avalanche- Verhalten haben, ein von den 
normalen Meßwerten her nahezu gleicher Typ hat sie nicht.

Mohandes H. schrieb:
> Vielleicht
> etwas unglücklich in der Formulierung.

OK - Du nennst es "unglücklich".
Meine Erfahrung ist jedenfalls, dass es in der Technik schon wichtig 
ist,sich korrekt auszudrücken, um Missverständnisse und 
Miss-Interpretationen zu vermeiden. Man kann einfach nicht den Strom "um 
eine Spannung herum" verändern...

(Ich weiß natürlich, woher diese "unglückliche" Formulierung 
kommt....der Schreiber ist über folgenden Widerspruch gestolpert:
Er schreibt eingangs richtigerweise, dass etwa 0,7V nötig sind, um den 
Transistor zu öffnen....da er aber fälschlicherweise an Stromsteuerung 
glaubt, muss er nun auf Strom-Variation kommen....und das führt dann zu 
diesem Widerspruch. Schlimm ist nur, das er selber diesen Widerspruch 
nicht bemerkt hat.
Dass er außerdem schreibt, unterhalb dieser 0,7V würde kein Strom 
fließen, sei nur mal am Rande erwähnt...).

Ich hoffe doch sehr, dass Du diesen Beitrag nicht noch verteidigen 
willst...es gibt noch ganz andere Punkte...

Lutz V. schrieb:
> da er aber fälschlicherweise an Stromsteuerung
> glaubt

Beim Bipolar- Transi ?
Nach Ihrer Meinung ist Ib/Ic im Kennlinienfeld... alles Quark ?

Na dann bitte eine Erklärung, wie es Ihrer Meinung nach richtig ist, in 
welchem Fachbuch das anders steht, oder schreiben Sie es.

(

Edi M. schrieb:
> Na dann bitte eine Erklärung, wie es Ihrer Meinung nach richtig ist, in
> welchem Fachbuch das anders steht, oder schreiben Sie es.
>
> (

Zu diesem Thema (Strom- oder Spannungssteuerung ) läuft in diesem Forum 
derzeit eine sehr heftige und umfangreiche Diskussion:
Beitrag "Anfänger frage: Wiederstand in Transitor schaltung warum?"

PS: ich weiß natürlich, dass im Internet viel Schrott steht, weil jeder 
Depp da was reinstellen kann...da aber dieses "Elektronik-Kompendium" 
hier als Referenz angegeben wurde (zweimal), hielt ich eine Warnung für 
angesagt, nicht alles zu glauben, was man da so lesen kann.

Lutz V. schrieb:
> Karl B. schrieb:
>> Quelle:
>> https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm
>
> Ich hab mir eben mal dieses ominöse "Elektronik-Kompendium"
> angesehen...und kann nur jeden warnen ...

Also ich finde dieses Elektronik-Kompendium nicht schlecht. Habe mir 
gerade mal die Erklärung zum Transistor durchgelesen. Ist vielleicht 
etwas populärwissenschaftlich aber praxisorientiert und richtig.

Lutz V. schrieb:
> PS: ich weiß natürlich, dass im Internet viel Schrott steht ...

Stimmt, und alles darf man nicht glauben. Internet ist kein Buch. 
Ziemlich gut ist z.B. der Tietze/Schenk, aber auch eher auf 
elektronischer Ebene als auf physikalischer.

Es gibt eben verschiedene Herangehensweisen an die Materie. Und mit 
Quantenphysik läßt sich kein Transistorverstärker berechnen.

Ich fürchte, Du stehst ziemlich alleine mit Deiner (einseitigen) 
Einstellung. Warum gerade die Strom-Spannungs-Geschichte Dich so aufregt 
verstehe ich nicht. Strom und Spannung bedingen einander.

Lutz V. schrieb:
> aber dieses "Elektronik-Kompendium"
> hier als Referenz angegeben wurde (zweimal), hielt ich eine Warnung für
> angesagt, nicht alles zu glauben, was man da so lesen kann.

Na, dann beglücken Sie doch den Planeten mit dem "richtigen" Wissen.

> Zu diesem Thema (Strom- oder Spannungssteuerung ) läuft in diesem Forum
> derzeit eine sehr heftige und umfangreiche Diskussion..

Hier interessieren nicht andere Diskussionen von Pseudo- Experten.

Wenn Sie eine Fachbuch- Referenz haben, her damit.
Wenn Sie ein eigenes Fachbuch haben, stellen Sie es vor.
Wenn Sie es noch nicht fertig haben, stellen Sie den betreffenden Text 
aus dem Manuskript vor.

Ansonsten... Bye, Bye !!!

(Oder sind Sie etwa der berühmte "Kurt" ? Daran erinnern Ihre Beiträge.
Dann sorry.... dann werden wir Unwissenden uns verschämt in eine andere 
Galaxis verkrümeln...)

Mohandes H. schrieb:
> Strom und Spannung bedingen einander.

???

Lutz V. schrieb:

> "Mittels einer Hilfsspannung UBE kann der Schwellwert vorab eingestellt
> werden. Dieses Vorgehen wird als Arbeitspunkteinstellung bezeichnet. Um
> diese eingestellte Spannung kann nun der Basisstrom den Kollektorstrom
> steuern."

Ja, passt. :-)

Edi M. schrieb:
> Hier interessieren nicht andere Diskussionen von Pseudo- Experten.
>
> Wenn Sie eine Fachbuch- Referenz haben, her damit.
> Wenn Sie ein eigenes Fachbuch haben, stellen Sie es vor.
> Wenn Sie es noch nicht fertig haben, stellen Sie den betreffenden Text
> aus dem Manuskript vor.
>
> Ansonsten... Bye, Bye !!!

Vorschlag: Wenn Sie an einer sachlichen Diskussion kein Interesse haben 
und auch Korrekturen von falschen darstellungen in Veröffentlichungen 
für überflüssig halten (weil sie ja schon alles wissen), überlesen Sie 
meine Beiträge doch einfach.....manchen bringt es vielleicht ja doch 
etwas.

Das wäre jedenfalls besser als in künstlich arrogant/überlegener Manier 
dumme Sprüche abzusondern. Einverstanden?

Mohandes H. schrieb:
> Also ich finde dieses Elektronik-Kompendium nicht schlecht. Habe mir
> gerade mal die Erklärung zum Transistor durchgelesen. Ist vielleicht
> etwas populärwissenschaftlich aber praxisorientiert und richtig.
>
>
> Ich fürchte, Du stehst ziemlich alleine mit Deiner (einseitigen)
> Einstellung. Warum gerade die Strom-Spannungs-Geschichte Dich so aufregt
> verstehe ich nicht. Strom und Spannung bedingen einander.

Weißt Du, was zu einer - für Dich vielleicht auch hilfreichen - 
sachlichen Diskussion führen würde? Wenn Du einfach mal fragen würdest, 
welche Passagen denn meiner Meinung nach falsch dargestellt sind.
Schade - aber das interessiert Dich ja gar nicht, Du bist ja der 
Meinung, alles sei richtig.
Und wozu noch dazu lernen....
(Wenn Du wüsstest, wie alt ich bin und wie ich heute immer noch dazu 
lernen will und kann!!)

Lutz V. schrieb:
> Wenn Du einfach mal fragen würdest, welche Passagen denn meiner Meinung
> nach falsch dargestellt sind. Schade - aber das interessiert Dich ja gar
> nicht ...

Da vertust Du Dich! Du hast doch oben das mit dem Basis-Spannungsteiler 
zitiert, deswegen beziehe ich mich natürlich auf das.

Schreib doch mal in 2-3 Sätzen, warum diese Betrachtungsweise falsch 
ist.

Wie geschrieben, es gibt verschiedene Herangehensweisen oder 
Betrachtungen um die Funktion eines Transistors zu erläutern: die 
physikalische (mit der man aber keine Schaltung berechnen kann) und die 
technische (die zwar notwendigerweise auf Vereinfachungen basiert, aber 
zum Ziel in der Praxis führt).

Warum siehst Du diese beiden Theorien als Gegensatz?

Ich gehe mal davon aus, daß Du Dich in der Physik auskennst. Dann weißt 
Du auch, daß man Licht sowohl als Welle als auch als Korpuskel sehen 
kann. Das eine erklärt z.B. Interferenzerscheinungen, das andere den 
Photoeffekt. Aber nicht umgekehrt! Trotzdem widersprechen sich beide 
Theorien nicht. Und irgendwann findet man vielleicht eine 3. Theorie zum 
Licht die beide vereint.

Lutz V. schrieb:
> Wenn Du wüsstest, wie alt ich bin und wie ich heute immer noch dazu
> lernen will und kann!!

Ja, wie schon Egon gestern schrieb: in so einem Forum weiß man nie wen 
man vor sich hat. Vom Psychopathen bis zum Professor ist potentiell 
alles drin. Aber man liest sich.

Alter ist nicht so wichtig, aber die Neugier und die Lust am 
weiterlernen sollte immer da sein!

Lutz V. schrieb:

> Vorschlag: Wenn Sie an einer sachlichen Diskussion kein Interesse haben
> und auch Korrekturen von falschen darstellungen in Veröffentlichungen
> für überflüssig halten (weil sie ja schon alles wissen), überlesen Sie
> meine Beiträge doch einfach.....manchen bringt es vielleicht ja doch
> etwas.

Sie stellen hier NICHTS dar. Sie bestreiten etwas (die Stromsteuerung 
eines Bipolaren Transis), gehen jedoch auf kein Argument ein.

Z. B. die Frage, warum diese Transis ein Ib/Ic- Teil im 4- Quadranten- 
Kennlinienfeld haben.
Ist eine einfache Frage.

Nochmal:
Wenn Sie eine Fachbuch- Referenz haben, her damit.
Wenn Sie ein eigenes Fachbuch haben, stellen Sie es vor.
Wenn Sie es noch nicht fertig haben, stellen Sie den betreffenden Text
aus dem Manuskript vor.

> Wenn Du wüsstest, wie alt ich bin und wie ich heute immer noch dazu
> lernen will und kann!!

Ja- Lernen Sie !
Lernen Sie Argumentation, Rhetorik, schriftliche Darstellung von 
Sachverhalten, mathematische/ technische Beweisführung, usw.

Hier im Forum darf man sich duzen. Wer penetrant herumsiezt, der wird 
gern als überheblich angesehen.

Wenn ihr so eine Ichunduundmüllerskuhdiskussion um persönliche 
Befindlichkeiten führen wollt, dann macht das doch per PN.

Ich bin auf jeden Fall bisher mit dem Stromverstärkungsmodell bisher 
jedes Mal ans Ziel gekommen. Und habe den Eindruck, dass gerade die 
immer fest an irgendwelchen Spannungen festhalten (zB. bei der 
Versorgung von LED oder der Abschaltung von Induktivitäten oder der 
BE:Spannung eines Transistors, oder...), die die Sache mit dem Strom, 
der so eine Spannung erst erzeugt, nicht kapiert haben.

Michael schrieb:
> Wenn ich z.b. einen BC547 habe in
> TO92, dann kannich den doch auch von unten überkopf einbauen und er
> funktioniert dennoch. Wieso kann man das dann nicht bei einem PNP?

Das liegt an der Schwerkraft...

Michael schrieb:

> ich farge mich wiesso ich anstelle eines NPN nicht ein PNP-Transistor
> (nur falsch herum) verbauen kann?

Viel interessanter wäre es m.E. ob man eine Röhre falsch herum als
"Komplementärröhre" verwenden kann. :-)

Haben wir immer noch Corona-Ferien? :D


Michael schrieb:
> Hallo,
>
> ich farge mich wiesso ich anstelle eines NPN nicht ein PNP-Transistor
> (nur falsch herum) verbauen kann? Wenn ich z.b. einen BC547 habe in
> TO92, dann kannich den doch auch von unten überkopf einbauen und er
> funktioniert dennoch. Wieso kann man das dann nicht bei einem PNP?

Mal Spass beiseite. Schau dir mal die Physik dahinter an. Einen ein NPN, 
bei dem man Emitter und Collector vertauscht hat, funktioniert dann ganz 
anders. Je nach deinem Kenntnisstand ist hier eine kurze Antwort 
hilfreich oder wir müssen ganz schön weit ausholen. Weißt du z.B. warum 
man zu einem Transistor auch sagen kann, dass es ein 
Elektronen-Verarscher ist?

Lothar M. schrieb:
> Hier im Forum darf man sich duzen. Wer penetrant herumsiezt, der wird
> gern als überheblich angesehen.

Sorry... ich habe einst die "Höflichkeitform" gelernt, und wende sie 
immer an. Ausnahmslos.
Andererseits- eigene Erfahrung aus persönlicheren Diskussionen : Eine 
sehr gegensätzliche Meinung beim Duzen bringt mehr als nur Ablehnung 
ein, manchmal regelrechten Haß. DAs muß ich mir nicht geben.

michael_ schrieb:
> Dann schau mal auf seine Internetseite.
> Er spricht dort mit Niemanden, der ihn nicht mit Sie anspricht.

Ich schreibe dort in der "Ich- Form", und diskutiere nicht, ich zitiere 
aber gelegentlich aus Forendiskussionen, in denen ich in der "Sie- Form" 
schreibe.

michael_ schrieb:
> Es gibt eben immer mal wieder seltsame Menschen.

OK... kann ich mit leben.
:-)

Harald W. schrieb:
> Viel interessanter wäre es m.E. ob man eine Röhre falsch herum als
> "Komplementärröhre" verwenden kann. :-)

Radio Eriwan: "Im Prinzip ja !".

Von der Polung her geht's eher nicht, wenn man die Elektronen "mit 
büschen mehr Spannung überredet", von der Anode zur Kathode zu 
springen... war's das für die Lampe.
:-|

Aber- es geht schaltungstechnisch, man kann die Anode als Eingang 
verwenden, und Steuergitter als Ausgang, "inverted Triode".

Ein hier recht bekannter Elektronik- Feund nutzt dies zur Direktkopplung 
von Stufen- im Prinzip Gleichspannungsverstärker, und vergleicht das 
auch mit der Komplementärschaltung.

Damit kann man recht niedrohmige Ausgänge realisieren:
https://www.wumpus-gollum-forum.de/forum/thread.php?board=58&thread=318

Gibt eine interessante Schaltung mit einem Huufen parallelgeschalteter
Klein- Trioden, da wird dann niederohmig -wirklich niederohmig- auf 
einen üblichen Lautsprecher ausgekoppelt, also eine "eisenlose 
Endstufe", neudeutsch "OTL- Stage".
http://diyaudioprojects.com/mirror/members.aol.com/sbench102/inverted.html

Edi M. schrieb:
> Sorry... ich habe einst die "Höflichkeitform" gelernt, und wende sie
> immer an. Ausnahmslos.

Man sagt auch Höflichkeitsfloskel. Den Respekt mit dem ich anderen 
gegenüber trete hat nichts mit Du oder Sie zu tun.

(Und wenn ich nur 2 Beiträge von gestern lese, dann frage ich mich schon 
wieso es offensichtlich - auch beim Sie - am Respekt mangelt).

Michael schrieb:
> Hallo,
>
> ich farge mich wiesso ich anstelle eines NPN nicht ein PNP-Transistor
> (nur falsch herum) verbauen kann? Wenn ich z.b. einen BC547 habe in
> TO92, dann kannich den doch auch von unten überkopf einbauen und er
> funktioniert dennoch. Wieso kann man das dann nicht bei einem PNP?

Nun, mach doch mal einen Selbstversuch:
Deine Lebensmittel umgekehrt durch den Körper laufen zu lassen (ja, 
unten rein und oben raus). Wenn das gut klappt, ist der Nobelpreis 
sicher, wenn nicht, bist Du um eine Erkenntnis reicher.

Old-Papa

Old P. schrieb:
> Nun, mach doch mal einen Selbstversuch:
> Deine Lebensmittel umgekehrt durch den Körper laufen zu lassen (ja,
> unten rein und oben raus). Wenn das gut klappt, ist der Nobelpreis
> sicher, wenn nicht, bist Du um eine Erkenntnis reicher.

hey du kannst ja witzig und bildhaft logisch erklären!

Das Beispiel brachte ich auch schon mal :)

Edi M. schrieb:
> Von der Polung her geht's eher nicht, wenn man die Elektronen "mit
> büschen mehr Spannung überredet", von der Anode zur Kathode zu
> springen... war's das für die Lampe.

nun ja klar kann man mit genug Spannung Elektronen aus dem Anodenblech 
reissen nur das wird dann nicht lange existieren!
Immerhin spart man dann die Heizung der Kathode!

Mohandes H. schrieb:
> Wie geschrieben, es gibt verschiedene Herangehensweisen oder
> Betrachtungen um die Funktion eines Transistors zu erläutern: die
> physikalische (mit der man aber keine Schaltung berechnen kann) und die
> technische (die zwar notwendigerweise auf Vereinfachungen basiert, aber
> zum Ziel in der Praxis führt).
>
> Warum siehst Du diese beiden Theorien als Gegensatz?

Ganz im Gegenteil - ich sehe das nicht als Gegensatz (wenn das so 
rübergekommen ist, hab ich mich nicht klar genug ausgedrückt).

Wir müssen bei so einer Diskussion nur sauber trennen zwischen (a) den 
unstrittigen physikalischen Gegebenheiten des "nackten" Transistors und 
(b) den praktisch-erprobten Methoden bei der Berechnung und beim Entwurf 
von Schaltungen auf der Basis dieser Wirkungsprinzipien.

Im übrigen habe ich schon mal hingewiesen auf die Diskussion zum Thema 
Strom- oder Spannungssteuerung hier in diesem Forum:
Beitrag "Anfänger frage: Wiederstand in Transitor schaltung warum?"

Weil dort einige meinten, ich würde da was ganz neues erfinden wollen, 
habe ich einige Dokumente herausragender US-Universitäten und eines 
international renommierten Transistor-Entwicklers (Barrie Gilbert) 
beigefügt.

Abschließend will ich noch mal etwas wiederholen: Man befindet sich im 
Irrtum, wen man meint, dass man z.B. beim Entwurf einer 
Emitter-Verstärkerstufe von stromverstärkenden Eigenschaften des 
Transistors Gebrauch machen würde (Deine Worte: "Vereinfachung,....die 
zum Ziel in der Praxis führt").
Direkte Frage dazu an Dich: An welcher Stelle beim Entwurf einer solchen 
Stufe berücksichtigst Du denn die stromsteuernden Eigenschaften?

Wir beide werden genau die gleichen Schritte durchführen:
Ic-Vorgabe, Wahl von Rc und Re, Dimensionierung des Spannungstelers (mit 
Vorgabe Ube). Und bei der möglichst genauen Berechnung des Teilers 
berücksichtigen wir natürlich die Tatsache, dass ein Ib fließt - na und?
Heißt das, dass Ib eine steuernde Wirkung hat? Wenn der Teilerstrom 
deutlich größer gewählt wird als 10*Ib, kannst Du - ohne größeren Fehler 
- sogar Ib vergessen bei der Berechnung.

Genau wie beim OPV mit Transistor-Eingang. Da fließt auch ein Basistrom, 
der aber praktisch immer vernachlässigt wird - und für jeden ist es 
selbstverständlich, dass der OPV als spannungsgesteuert behandelt 
wird...sehen die "Stromsteuerungs-Verfechter" da gar keinen Widerspruch?

Das genau ist der Grund, warum ich nicht verstehe, dass manche so auf 
Stromsteuerung beharren:
* Erstens ist es physikalisch falsch (kann man beweisen), und
* Zweitens wird das auch gar nicht "vereinfachend" 
benutzt/berücksichtigt beim Schaltungsentwurf (ganz im Gegenteil zu Ube 
- siehe z.B. Stromspiegel).

Verstehst Du jetzt, was ich meine?

Lutz V. schrieb:
> * Erstens ist es physikalisch falsch (kann man beweisen)

die Physik kann fast nichts beweisen!
(Kleinstes teilbares Teilchen?)

Die Physik erklärt uns das das Weltall expandiert und man bis kurz vor 
dem Urknall auf 100.000 Jahre zurückrechnen kann und weiter?
Da existierte angeblich unsere Physik aus Raum und Zeit noch nicht!

Unser Matheprof, genauer er war Physiker hatte bei Formelerweiterungen 
mit einer "geschickten" 1 auch immer was bewiesen. Man kann weniger 
gebildeten Menschen mit Mathe sogar beweisen das 1 = 0 ist, spätestens 
bei Berechnungen mit 1/0 und 1/8 (die liegende 8)

Beweise sind immer zweifelhaft -> siehe Statistik

Edi M. schrieb:
> Z. B. die Frage, warum diese Transis ein Ib/Ic- Teil im 4- Quadranten-
> Kennlinienfeld haben.
> Ist eine einfache Frage.

Diese einfache Frage will ich gerne beantworten:
Soll das denn etwa ein ernsthafter Nachweis für Stromsteuerung sein?
Niemand besteitet doch die Existenz von Ib und die (nahezu) 
Proportionalität zwischen Ib und Ic. Diese Kennlinie ist doch weiter 
nichts als die graphische Darstellung von Ic=f(Ib).
Das ist aber doch weiter nichts als eine mathematische Gleichung und 
darf nicht automatisch als Wirkung=f(Ursache) interpretiert werden.

Der Zusammenhang ist ganz einfach und kann in jedem Buch, das die 
Ebers-Moll-Beziehungen (oder verbessert: Gummel-Poon) wiedergibt, 
nachgelesen werden:

Der Strom Ie hängt exponenetiell von Ube ab und teilt sich auf in Ic und 
Ib. Deshalb: Sowohl der Strom Ic als auch der Strom Ib haben ebenfalls 
exponentiellen Verlauf, aber eben jeweils mit einem konstanten 
Vorfaktor, der bei Ic eben B-mal größer ist. Das ist alles!

Weiere konkrete sachliche Fragen versuche ich gerne zu beantworten.

Old P. schrieb:
>
> mach doch mal einen Selbstversuch:
> Deine Lebensmittel umgekehrt durch den Körper laufen zu lassen
> (ja, unten rein und oben raus).

Das wird aber nur mit importierten Lebensmitteln funktionieren.

:
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:
:

ObJoke:

Frau steht am Gemüsestand vor den Gurken.

Verkäufer: "Kann ich Ihnen helfen?"
Sie: "Warum sind die Gurken so teuer?"
Verkäufer: "Das sind importierte Gurken."
Sie: ???
Verkäufer: "Die werden eingeführt."
Sie (erleichtert): "Ach so. Ich wollte sie essen."

Axel S. schrieb:
> Verkäufer: "Die werden eingeführt."

http://witze.net/z%C3%A4pfchen-witze

Lutz V. schrieb:
> Diese einfache Frage will ich gerne beantworten:
> Soll das denn etwa ein ernsthafter Nachweis für Stromsteuerung sein?
> Niemand besteitet doch die Existenz von Ib und die (nahezu)
> Proportionalität zwischen Ib und Ic. Diese Kennlinie ist doch weiter
> nichts als die graphische Darstellung von Ic=f(Ib).
> Das ist aber doch weiter nichts als eine mathematische Gleichung und
> darf nicht automatisch als Wirkung=f(Ursache) interpretiert werden.

Es ist nicht irgendeine mathematische Gleichung.
Es ist die mathematische Darstellung eines physikalischen Sachverhalts.

Für die Krabbelgruppe schreibt man:
Ich speise einen Strom an der Basis ein, und steuere einen zweiten 
Stromkreis, in welchem dann ein höherer Strom fließt.
Beide Stromkreise mögen einen gemeinsamen Bezugspunkt haben, das ändert 
aber nichts an der Stromverstärkung Ib -> Ic.

Kann man also -wie einst zu Zeiten der allerersten Transis- mit 2 
Batterien, einem Vorwiderstand und 2 Strommessern beweisen.

Spannungssteuerung würde im normalen technischen Kontext bedeuten, daß 
allein das Verhandensein einer Spannung -ohne Strom, es wird keine 
Eingangsleistung erbracht- den Transi- Ausgangsstromkreis zu diesem 
Strom bringt. Das klappt mit Röhre und FET, das geht bis hin zu 
ELektrometerröhren, ein nahezu unmeßbar hoher Eingangswiderstand, kein 
meßbarer Steuerstrom, und die Lampen reagieren, aber das geht eben nicht 
mit dem normalen Bipolartransi.
Daß sich Elektronen zum Steuergitter bewegen müssen... ja, das ist ein 
Strom, aber das ist eben in nahezu unmeßbaren Bereichen.

Welche Spannung auch immer vorhanden sein wird- es muß der zum 
Ausgangsstrom nötige Steuerstrom fließen können. Sonst kann man mit dem 
Transi nix anfangen.

> Das ist aber doch weiter nichts als eine mathematische Gleichung und
> darf nicht automatisch als Wirkung=f(Ursache) interpretiert werden.

Doch. Tritt Hund auf Schwanz (von Null auf geschätzt 1 Kg) -> Wuffi 
beißt (Beißkraft 700 Kg )- Aua. Verstärkung 700.
Wirkung -> Ursache.

Die Abhängigkeit vom Strom ist eben so wichtig, daß man dies im 4- 
Quadranten- Kennlinienfeld festhält, aber die dazugehörige Spannung ist 
ja auch ablesbar, und auf einen Blick ist erkennbar, welche Größe hier 
mehr bewirkt, also entscheidend ist.

Übrigens berechnet und stellt man ja Arbeitspunkte üblicherweise nach 
dem Strom- die Änderung der Vorspannung ist wesentlich unpraktischer zu 
messen.

Edi M. schrieb:
> Für die Krabbelgruppe schreibt man:
> Ich speise einen Strom an der Basis ein, und steuere einen zweiten
> Stromkreis, in welchem dann ein höherer Strom fließt.

OK - ich gebe auf. Ich habe den Eindruck, dass Du nichts dazu lernen 
willst.
Vier kurze Bemerkungen:
1) Du befindest Dich im Widerspruch zu allen detaillierten und seriösen 
Veröffentlichungen zum Thema (primär US-Universitäten und international 
renommierten Fachleuten).
2.) Dein Beitrag enthält nur Behauptungen, dass es so sei - ohne eine 
einzige Erklärung/Erläuerung.
3.) Hast Du wirklich keine Probleme bei der Vorstellung, dass z.B. die 
Erhöhung des Basisstroms um 2 Ladungsträger dann 500 neue Ladungsträger 
aus dem Emitter freisetzen müssten (angenommen: B=250)? Hast Du darüber 
mal nachgedacht?
4.) Für Spannungssteuerung gibt es etliche Nachweise und Indizien sowohl 
theoretischer als auch messtechnischer Art - sogar der Early-Effekt 
lässt sich NUR so erklären.

Edi M. schrieb:
> Das "Diodenmodell" kommt wahrscheinlich von den ersten Versuchen mit
> Halbleitern- da stellte ein deutscher Wissenschaftler schon in den 20er
> oder 30er Jahren beim Testen mit solchen "Gegeneinander- Dioden"-
> Aufbauten auf EINEM Halbleitermaterial, ähnlich dem Transistor, fest,
> daß der Strom einer Diode den einer anderen Diode steuern kann.
> Leider wurde das nicht weiter verfolgt.

Ergänzung:
Ich habe den Hinweis darauf gefunden:

*****Zitat********
In [11] erzählt Herbert Mataré von seinem beruflichen Werdegang.
...
Auf Empfehlung von Prof. Rukop, einem Röhrenspezialisten, untersuchte er 
dann die Rauscheigenschaften von Halbleiter-Gleichrichtern verschiedener 
Halbleiter-Materialien
...
Die Telefunkenlabore wurden teilweise nach Leubus (Schlesien) 
ausgelagert.
...
In diesem schlesischen Labor untersuchte er (Herbert Mataré, Edi) auch 
erstmals die Rausch-Eigenschaften von "Duo-Dioden", da man sich
davon Verbesserungen der Empfangseigenschaften der Radargeräte erhoffte.
...
Die eine Diodenstrecke wurde nun als Gleichrichter verwendet, während 
die Rauschspannung der anderen Strecke dann vom Nutz-Signal subtrahiert 
werden sollte.
...
"Und so ganz nebenbei wurde dann auch noch festgestellt, daß mit der 
zweiten Elektrode dieser "Duo-Diode" die Eigenschaften des 
Gleichrichtereffekts beeinflußbar waren, d.h. man konnte mit einem 
Steuerstrom der einen Diodenstrecke den Durchlaßstrom der anderen 
Diodenstrecke beeinflussen.
Damit war eigentlich der erste Transistor geboren worden - eine 
Vorrichtung (vom Bauelement kann man hier noch nicht sprechen), mit der 
der Durchlaßstrom einer Diode durch elektronische Manipulation 
veränderbar war."
*****Zitat Ende********

(Übrigens wird auch wieder die Steuerung eines Stroms durch einen 
Steuerstrom benannt, Edi)

Quelle: http://www.ps-blnkd.de/D-HLvor45.htm

Das sind Recherchen eines anderen Elektronikers, Nachfragen an ihn.
Der genannte Herbert Mataré war aber einer der ersten Transistor- 
Entwickler.

https://de.wikipedia.org/wiki/Herbert_Matar%C3%A9

Lutz V. schrieb:

> 2.) Dein Beitrag enthält nur Behauptungen, dass es so sei - ohne eine
> einzige Erklärung/Erläuerung.

Edi M. schrieb:
> Kann man also -wie einst zu Zeiten der allerersten Transis- mit 2
> Batterien, einem Vorwiderstand und 2 Strommessern beweisen.

Das nun extra aufzubauen, ist mir zu blöd.

Lutz V. schrieb:
> 1) Du befindest Dich im Widerspruch zu allen detaillierten und seriösen
> Veröffentlichungen zum Thema (primär US-Universitäten und international
> renommierten Fachleuten).

*******Zitat*******
Regel 3:  "Bipolar Transistoren sind Basis-Stromgesteuert". Nicht 
Spannungsgesteuert
Daher: Eine kleine Stromänderung an der Basis produziert eine hohe 
Stromänderung im Kollektor-Emitter Stromkreis.
Daraus resultiert die Strom Verstärkung des bipolaren Transistor 
Merksatz für die Praxis:  Je mehr Strom ein Transistor vom Typ her 
verarbeiten kann um so kleiner ist seine Stromverstärkung.
Kleinsignal Transistoren (wie BC 545) haben durchaus eine 
Stromverstärkung, Beta oder Vu genannt von >200
Leistungstransistoren  ( wie 2N3055  für 15 A) haben daher nur einen Vu 
von ~30 und weniger. Einfach weil intern die Basis nicht so dünn gebaut 
sein kann.
*****Zitat Ende*****

Text- Quelle: 
https://homepages.uni-regensburg.de/~erc24492/Transistorkunde/Transistorkunde.html

Das ist von einer Seite der Uni Regensburg
Kein Kommentar, oder ?

Oder hier, auf S1, sechster Absatz.

http://www-ekp.physik.uni-karlsruhe.de/~simonis/praktikum/p1/p1-versuchsanleitungen/Transistorgrundschaltungen-Hilfe.pdf

Die Verfasser in den Unis haben dann alle keine Ahnung ?

Lutz V. schrieb:
> Diese Kennlinie ist doch weiter
> nichts als die graphische Darstellung von Ic=f(Ib).
> Das ist aber doch weiter nichts als eine mathematische Gleichung und
> darf nicht automatisch als Wirkung=f(Ursache) interpretiert werden.

Lutz V. schrieb:
> OK - ich gebe auf.

Bei einer so brillanten Logik kann man ja auch nichts mehr 
dagegenhalten.

Es gibt den auch hier bekannten Kurt, der alle Fachbücher für falsch 
hält,
sowie noch einen anderen Elektroniker mit solchen Ansichten. Fans kennen 
die beiden.

Immerhin darf ich Kurts Ausführungen auf meiner Seite vorstellen:

http://edi.bplaced.net/?Edi%60s_Aufklaerseite___Die_seltsamen_Theorien_des_Kurt_B.%2C_Schwingung%2C_Mischung%2C_Ueberlagerung%2C_Resonanz&search=kurt

Nun- jeder darf seine Theorien veröffentlichen.
Darf ich die "Lutz'sche Ablehnung der Stromsteuerung des Bipolar- 
Transistors" auf meinen Seiten vorstellen ?
Dann bitte ich um einen zusammengefaßten, erklärenden Text.

(ist ernst gemeint !)

Edi M. schrieb:
> Das ist von einer Seite der Uni Regensburg
> Kein Kommentar, oder ?

Doch...das kann ich kommentieren.
Mir ist bewusst, dass Bücher und auch Uni-Texte (leider, 
unverständlicherweise) bei diesem Thema nicht korrekt sind.

Aber es gibt mindestens genauso viele Bücher und Uni-Beiträge, die es 
richtig darstellen. Und ich habe dazu ja auch Zitate gebracht - warum 
ignorierst Du diese? Ich könnte Dir sogar einen Auszug aus Shockleys 
Patentschrift zeigen, wo er den Transistor (wegen der 
Spannungssteuerung) mit der Röhre vegleicht!

Fazit: Es gibt - Jahrzehnte nach Einführung des Transistors - 
überraschenderweise immer noch zwei unterschiedliche Darstellungen des 
Transistorprinzips.
Und wer das weiß und das überhaupt mal zur Kenntnis nimmt (was leider 
nicht immer der Fall ist), der sollte selber mal nachdenken und 
versuchen, sich anhand von Erklärungen, Indizien und 
Beobachtungen/Messungen ein eigenes Bild machen.
Da stimmst Du bestimmt zu.

Jetzt kommts:
* Ich kann Dir eine ganze Reihe von Argumenten (theoretische 
Erklärungen, Indizien, Messergebnisse) auflisten, die für 
Spannungssteuerung sprechen...und es gibt Schaltungen, die auch nur 
darauf aufbauen und sonst gar nicht funktionieren würden (Stromspiegel, 
Vbe-multiplier, Bandgap-Referenz,...) ,
* Aber ich kenne KEINE EINZIGE Erklärung (Nachweis, Indiz, Effekte) für 
Stromsteuerung - außer der Formel Ic=B*Ib, welche zu dieser 
Miss-Interpretation der Beziehung Ib=Ic/B führt und leider manchmal als 
Wirkung=f(Ursache) angesehen wird (was nachweislich falsch ist).
________________
Jetzt Du: Kannst Du mir helfen und mir (außer der schlichten Behauptung) 
ein paar Gründe (Effekte, Indizien, theoreteische Aspekte) nennen, die 
auf Stromsteuerung hindeuten?
Ich wäre Dir dankbar.

Ich hab hier mal einen Auszug aus Deiner Referenz von der Uni-Karlsruhe.
Zunächst wird dort der pn-Übergang (normale Diode) behandelt und es wird 
gant richtig und logisch gesagt, dass die von außen anzulegende Spannung 
gegen die interne Schwelle (Diffusionsspannung) arbeiten muss, um dann 
zum exponentiellen Stromanstieg zu kommen.
Alles OK.
So - und beim Transistor verhält sich so ein pn-Übergang ganz anders?

Hier der Auszug:
"Dennoch fließt Kollektorstrom durch die B-C-Diode, denn aufgrund 
geschickter Transistorgeometrie fließt die Majorität der Elektronen aus 
dem Emitter E nicht über den Anschluß der Basis B ab, sondern durchquert 
das dünne Basisgebiet, gelangt in das elektrische Feld der B-C-Diode und 
fließt zum Kollektoranschluß (Transistoreffekt).

(von mir: Also der von der Spannung Ube verursachte Strom fließt 
größtenteils zum Kollektor ab...ist denn dieser Strom nicht vergleichbar 
mit dem exponentiellen Diodenstrom, hängt also von Ube ab? Nein - laut 
Uni Karlsruhe nicht, denn plötzlich - ohne Beweis - kommt eine 
Behauptung)

"Der Clou des Transistors ist, daß so mit Hilfe eines geringen Stromes 
IB über den Basisanschluß ein bis zu 1000mal
größerer Emitter- Kollektor-Strom IC gesteuert werden kann. "

Frage an Dich: Ist das logisch, was da steht? Oder sind nicht doch beide 
Ströme (Ic und Ib) nur eine Aufteilung des vom Emitter kommenden 
Elektronenstroms, der exponenetiell von Ube abhängt?
Hast Du eine Antwort darauf?

Lutz V. schrieb:
> Jetzt Du: Kannst Du mir helfen und mir (außer der schlichten Behauptung)
> ein paar Gründe (Effekte, Indizien, theoreteische Aspekte) nennen, die
> auf Stromsteuerung hindeuten?
> Ich wäre Dir dankbar.

Genannter Meßaufbau. 2 Batterien, ein Vorwiderstand und 2 Strommesser.

Wahlweise nur eine Spannung, zweckmäßigerweise über hochohmigen R an 
B/E.

Ohne (genügend) Eingangs- STROOOOOOOOOM (B/E) passiert im 
Ausgangskreis... gar nichts.

Daß ein Strom nicht ohne Spannung fließen kann, versteht sich von 
selbst.
Die Spannungsänderungen bewirken geringe, Sromänderungen hohe 
Unterschiede im Ausgangskreis. Darum der Begriff "Stromsteuerung".

Na klar kann man auch mit einer Spannung steuern- wenn die Quelle das 
hergibt, niederohmig genug ist- also den STROOOOOOM liefern kann.

> "Der Clou des Transistors ist, daß so mit Hilfe eines geringen Stromes
> IB über den Basisanschluß ein bis zu 1000mal
> größerer Emitter- Kollektor-Strom IC gesteuert werden kann.

Ich kann beide in der Realität messen, und genau das, was da steht, 
passiert.

Was da nun mit den Elektrönchen im Kristall passiert... da mögen sich 
Halbleiterphysiker Gedanken machen.
Ob Sie den Basisstrom zum IC zuaddiert betrachten- ist mir egal- ich 
habe eine STROOOOOOM- Verstärkung erreicht. Dann sind da eben einige µ 
von Basisstrom mit drin. Na und ?

> Mir ist bewusst, dass Bücher und auch Uni-Texte (leider,
> unverständlicherweise) bei diesem Thema nicht korrekt sind.

Na, dann ran- bitte Text- wie geschrieben- ich veröffentliche ihn gern.

Ich würde ihn auch anerkannten Experten vorstellen, zu denen ich Kontakt 
habe, ich hatte ja vor einiger Zeit zu den ersten Transis recherchiert.

Hier einige Meßschaltungen dazu:

http://edi.bplaced.net/?Edi%60s_Specials___Transistoren_der_ersten_Generation-_Spitzen-_und_Flaechentransistoren-_International_und_in_der_DDR___Messungen_an_Spitzentransistoren

PS: Wichtig sind mir auch die 2 unterschiedlichen Spannungsquellen !

Lutz V. schrieb:
> Jetzt kommts:
> * Ich kann Dir eine ganze Reihe von Argumenten (theoretische
> Erklärungen, Indizien, Messergebnisse) auflisten

du argumentierst wie Kurt!

So wurde auch argumentiert als die gängige Lehrmeinung noch war die Erde 
ist eine Scheibe und vermutlich ist die Mondlandung auch ein Fake.

Alles beweisbar
Mathematiker beweisen sogar das es mehr Dimensionen gibt!

Edi M. schrieb:
> Daß ein Strom nicht ohne Spannung fließen kann, versteht sich von
> selbst.
> Die Spannungsänderungen bewirken geringe, Sromänderungen hohe
> Unterschiede im Ausgangskreis. Darum der Begriff "Stromsteuerung".
>
> Na klar kann man auch mit einer Spannung steuern- wenn die Quelle das
> hergibt, niederohmig genug ist- also den STROOOOOOM liefern kann.

Frage:
Batterie plus Vorwiderstand an pn-Diode in Durchlassrichtung. Es fließt 
ein Strom.
Welche Größe hat die Diode geöffnet? Der Strom oder die Spannung?

Merkst Du was? Deine "Beweisführung" ist nicht wasserdicht.
Ich sage: Du hast bei Deinem Transistor-Beispiel lediglich eine 
Spannungsteilung realisiert zwischen einem (egal wie hochohmigen) 
Vorwiderstand und dem nicht-linearen DC-Widerstand der B-E-Strecke 
(genau wie bei meinem Dioden-Beispiel).

Zitat: "Ich kann beide in der Realität messen, und genau das, was da 
steht,
passiert."
Ja - wer hat denn bestritten, dass beide messbar seien? Das ist ja nun 
wohl eine Aussage, die nicht weiterführt...

Leider hast Du auf meine letzte Frage nicht reagiert: Erscheint Dir die 
Logik der TU Karlsruhe nachvollziehbar (Der Clou...)

Soll ich Dir meine Argumente mal auflisten?
(Ob ich heute noch dazu komme, weiß ich nicht...hab auch noch andere 
Dinge auf dem plan..)

Joachim B. schrieb:
> Lutz V. schrieb:
>> Jetzt kommts:
>> * Ich kann Dir eine ganze Reihe von Argumenten (theoretische
>> Erklärungen, Indizien, Messergebnisse) auflisten
>
> du argumentierst wie Kurt!
>
> So wurde auch argumentiert als die gängige Lehrmeinung noch war die Erde
> ist eine Scheibe und vermutlich ist die Mondlandung auch ein Fake.
>
> Alles beweisbar
> Mathematiker beweisen sogar das es mehr Dimensionen gibt!

Was soll denn dieser Unsinn (Entschuldigung), aber: Wenn ich ankündige, 
dass ich Argumente habe, dann ist das allein doch noch keine 
Argumentation! Wo beibt denn dabei die Logik bei Dir?
Diesen ominösen Kurt kenne ich nicht...
Warum fragst Du denn nicht einfach nach meinen Argumenten?
Nur so kann doch eine sachliche Diskussion starten...willst Du das 
überhaupt?
Dann kannst Du mich ja immer noch in der Luft zerreißen, wenn meine 
Argumente angreifbar sind.
(Entschuldigung, aber diese Reaktion von Dir ist eigentlich ein 
Armutszeugnis...)

Lutz V. schrieb:
> Leider hast Du auf meine letzte Frage nicht reagiert: Erscheint Dir die
> Logik der TU Karlsruhe nachvollziehbar (Der Clou...)

Häää ??? Im Beitrag von 15:17 habe ich darauf geantwortet.

Lutz V. schrieb:
> Batterie plus Vorwiderstand an pn-Diode in Durchlassrichtung. Es fließt
> ein Strom.
> Welche Größe hat die Diode geöffnet? Der Strom oder die Spannung?

Ich würde vorschlagen, Sie setzen sich mit den Dioden- Kenndaten und 
-Kennlinien auseinander, meinetwegen auch mit den Elektronen- Vorgängen 
("Defektelektronen- Leitungsvorgänge") and der Sperrschicht, usw.

Die sind hier aber nicht relevant.
Ich habe eine Spannung- wenn die Quelle sehr hochohmig ist, fließt kein 
nennenswerter Strom in die Basis, dann wird mir der Transi was pupsen.
Ist sie niederohmig genug, wird er im Kollektorkreis einen höheren Strom 
fließen lassen. Die Spannungsdifferenzen an B/E für die Steuerung sind 
gering, Stromdifferenzen erzeugen eben gewünschte Differenzen des 
verstärkten Ausgangsstroms.
Ohne Strom eben---- NICHTS.
Darum ist es eben eine Stromsteuerung.

Joachim B. schrieb:
> du argumentierst wie Kurt!

So langsam glaube ich auch, daß und Kurt "verlutzt"...
Lutz... sind Sie Kurt ?

Lutz V. schrieb:
> Soll ich Dir meine Argumente mal auflisten?

JAAA !

Sorry- betr. des Namens haben SIe ja schon geantwortet.

Lutz V. schrieb:

> Ich hab mir eben mal dieses ominöse "Elektronik-Kompendium"
> angesehen...und kann nur jeden warnen, seine Kenntnisse daraus beziehen
> zu wollen.
> Teilweise wirklich katastrophal falsche Formulierungen....wer schreibt
> so was?

Wenn Du der Ansicht bist, das dort wirklich etwas falsches steht,
dann solltest Du die Diskussion darüber auch im dortigen Forum
machen. Vermutlich würde sich dann auch der Autor des entsprech-
enden Artikels melden und vielleicht sogar seinen Beitrag ändern.
Ich sehe dort höchstens Vereinfachungen, die auchz Sinn machen,
denn schliesslich hat nicht jeder Nutzer eines Transistors Halb-
leiterphysik studiert.

Edi M. schrieb:
> Lutz V. schrieb:
>> Soll ich Dir meine Argumente mal auflisten?
>
> JAAA !

OK...ich habs mal versucht zusammenzustellen.
Hier also einige Argumente für Spannungssteuerung des bipolaren 
Transistors.:

1.)  Der Temp.koeffizient d(Vbe)/d(T)=-2mV wurde theoretisch berechnet 
und messtechnisch bestätigt. Er besagt, dass man die SPANNUNG Vbe um 2mV 
pro Grad reduzieren muss, um die temperatur-bedingte Vergrößerung von Ic 
zu kompensieren.

2.) Der EARLY-Effekt entsteht durch Erhöhung der Feldstärke in der 
Basiszone bei Erhöhung der C-B-Spannung  ...Verdrängungseffekt. Die 
Feldstärke wird natürlich durch die angelegte SPANNUNG Vbe (bleibt 
unverändert)erzeugt. Und das gilt auch für Ib=const (siehe Kennlinien).

3.) Bei der  Re-Gegenkopplung wird eine SPANNUNG rückgekoppelt und 
reduziert Vbe (bei Vb fest). Nur in diesem Fall (Rückkopplung einer 
Spannung) steigt der Eingangswiderstand laut Systemtheorie (ist 
natürlich messtechnisch nachzuweisen). Wenn das Rückkopplungssignal ein 
Strom wäre, müsste der Eing.widerstand sinken .

4.) Der Basis-Spannungsteiler wird üblicherweise so niederohmig wie 
möglich ausgelegt (Faustformel: Teilerstrom >10*Basistrom). Warum wohl? 
Damit die Basis-VORSPANNUNG Ub möglichst fest und eingeprägt angesehen 
werden kann und Toleranzen des (natürlich fließenden) Basisstroms sich 
nur gering auswirken können auf die Spannung Ub.
Wenn der Eingangswiderstand und der Leistungsverbrauch dabei keine 
Grenzen setzen würde, würde man ihn noch viel niederohmiger machen, 
denn: Nur bei möglichst fester Spannung Ub wirkt ja die Gegenkopplung 
über den Emitterwiderstand  Re !

5.) Die Verstärkungsformeln für alle Grundschaltungen beinhalten als 
Transistorparameter nur die Steilheit gm=d(Ic)/d(Vbe). Das ist die 
Steigung der Kennlinie Ic=f(Vbe). Der Faktor B taucht gar nicht auf und 
spielt bei gleichem AP auch keine Rolle. Die Spannungsverstärkung ist 
konstant - ob B=100 oder B=200. (Würde man bei Stromsteuerung doch nicht 
erwarten, oder?)

6.) B-Betrieb des Transistors:  Dieser Zustand wird definiert auf der 
Kennlinie Ic=f(Vbe) für Vbe<0,7 Volt (z.B. Vbe=0,2V).  Es fließt dabei 
natürlich (!!) ein kleinerer Strom Ic . Das ist ja Sinn und Hintergrund 
der Maßnahme (spricht das für Stromsteuerung?).
Die Übernahme-Verzerrungen bei Gegentakt-B zeigen dann deutlich die Form 
der exponentiellen SPANNUNGS-Steuerkennlinie Ic=f(Vbe). Wie würde das 
bei Stromsteuerung aussehen?

7.) Beim OPV ist es selbstverständich, dass man als Eingangssteuerung 
die SPANNUNG zwischen den Eingängen berücksichtigt. Über die 
Basis-Ströme spricht man höchstens als unerwünschte Parasitär-Effekte. 
Haben die Transistoren hier ihre Eigenschfaten plötzlich geändert?

8.) Viele Schaltungen funktionieren nur, weil die SPANNUNG Vbe den Strom 
Ic bestimmt:
Stromspiegel, Vbe-multiplier, Bandgap-referenz, Translinear-Schleifen, 
log-domain-Signalverarbeitung, Transistor in Rückopplung beiOPV`s mit 
log-Verstärkung,...

                          _______________________________

Frage: Gibt es andere zu beobachtende Effekte, die eindeutig für 
Stromsteuerung sprechen?
(Bitte nicht einen Basisvorwiderstand und damit den Basistrom und damit 
den Koll.strom ändern, das ist kein Nachweis, da die Basispannung ja 
auch mit geändert wird - Spannungsteilerprinzip).

W.S. schrieb:
> Die U über I Kennlinie der B-E Strecke des Transistors ist weder eine
> Waagerechte (U konstant bei I-Änderung) noch eine Senkrechte (I konstant
> bei U-Änderung), sondern eine gekrümmte Linie und folglich hat ein
> Transistor einen je nach Arbeitspunkt verschiedenen (differentiellen)
> Eingangswiderstand.

Was soll das? Wurde das jemals bestritten? Ich sprach des öfteren von 
der allseits bekannten Exponentialfunktion nach Shockley.

>
> Spannngsänderungen an der Basis relativ zum Emitter bewirken also immer
> auch eine Stromänderung in die Basis und bewirken damit auch eine beta
> mal so große Stromänderung im Kollektorkreis (so dieser selbige
> hergibt).

Schlichte (aber falsche) Behauptung - ohne jegliche Begründung.
Reicht Dir das aus für Dein verständnis?

>
> Das war's. Und zwar final. Leg mal dein Regelbuch ins Regal zurück, lies
> den Tietze-Schenk und begreife die Realität.

Kleiner Tip: Lies Dir mal meine acht Argumente/Beispiele pro 
Spannungssteuerung durch (eben gerade gepostet)und nimm dazu Stellung. 
Das könnte eine Polemik-freie und sachliche Diskussin beflügeln.

Lutz V. schrieb:
> Frage: Gibt es andere zu beobachtende Effekte, die eindeutig für
> Stromsteuerung sprechen?

ja, mit einer hochohmigen Spannungsquelle fliesst kein Strom und ohne 
Strom nix los!

Sol-Tau schrieb:
> @ Lutz V. (lvw)
>
> Langer unnötiger Beitrag.

Überlies ihn doch einfach, wenn Du keine sachlich-technischen Argumente 
hören willst.

Es ist wirklich ernüchternd, welche sachfremden, aggressiven, 
polemischen und teilweise auch dümmliche Kommentare hier lesen muss... 
ob die Verfasser meinen, damit Eindruck zu machen? Allenfalls zeigen 
sie, dass sie sachlich nichts konkretes beitragen können...

W.S. schrieb:
> Das war's. Und zwar final. Leg mal dein Regelbuch ins Regal zurück, lies
> den Tietze-Schenk und begreife die Realität.

Im Tietze-Schenk (11. Auflage) lese ich:

"Der für eine Diode charakteristische exponentielle Zusammenhang 
zwischen Strom und Spannung zeigt sich ...als exponentielle Abhängigkeit 
der Ströme Ib und Ic von der Spannung Ube." (Zitat Ende)-
(Und dann werden die e-Funktionen angegeben)

W.S. - steht in Deiner Ausgabe was anderes?
Genaus DAS ist es, was ich hier von Anfang an vertrete - hast Du das 
nicht verstanden? Diese "Realität" habe ich seit mindestens 20 Jahre 
vertreten....

Was soll also Deine Polemik?

Joachim B. schrieb:
> hochohmigen Spannungsquelle

Aha ...

Michael schrieb:
> Hallo,
>
> ich farge mich wiesso ich anstelle eines NPN nicht ein PNP-Transistor
> (nur falsch herum) verbauen kann? Wenn ich z.b. einen BC547 habe in
> TO92, dann kannich den doch auch von unten überkopf einbauen und er
> funktioniert dennoch. Wieso kann man das dann nicht bei einem PNP?

Funktioniert prima, man muss jedoch die ganze Schaltung auf den Kopf 
stellen, also alles umpolen.

Beispiel:
mit NPN hast du eine  Emitterschaltung: E and GND, Basisspannung wird 
gegen GND gemessen, Ube ist positiv und in die Basis muss Strom 
reinfließen. Last von C dann zur positiven Versorgungsspannung (ich 
nenne sie hier Vcc).

PNP in Emitterschaltung: E an Vcc, Basisspannung wird gegen Vcc 
gemessen, Ube ist negativ und aus der Basis muss Strom rausfließen. Last 
dann von C zu GND.

In allen anderen Transistorgrundschaltungen funktioniert das Tauschen 
analog.

Lutz V. schrieb:
> 1.) Der Temp.koeffizient ... besagt, dass man die SPANNUNG ...
> 2.) Der EARLY-Effekt ... wird natürlich durch die angelegte SPANNUNG ...
> 3.) Bei der Re-Gegenkopplung wird eine SPANNUNG rückgekoppelt ...
> 4.) SPANNUNG ...
> 5.) SPANNUNG ...
> 6.) SPANNUNG ...
> 7.) SPANNUNG ...
> 8.) SPANNUNG ...

Lutz V. schrieb:
> Aber ich kenne KEINE EINZIGE Erklärung (Nachweis, Indiz, Effekte) für
> Stromsteuerung - außer der Formel Ic=B*Ib.

Mein Lieber, Du verrennst Dich aber ganz schön! Begibst Dich in eine 
Position 'Lutz gegen den Rest der Welt'.

Acht Argumente zum spannungsgesteuerten Transistor und nur eins zum 
stromgesteuerten? Kein Verständnis des Transistors nur über Spannungen 
ohne Ströme und umgekehrt!

Bei Deinen 8 Punkten schmeißt Du theoretische Effekte die einen 
isolierten Transistor betreffen wahllos zusammen mit technischen 
Berechnungen von Schaltungen oder Schaltungsteilen.

Dann kommst Du mit dem MIT, mit Shockley, dem Early-Effekt, usw. Du hast 
doch selber gestern geschrieben, daß es grundsätzlich zwei Ansätze gibt: 
den theoretisch-physikalischen (um die theoretischen Vorgänge im 
Transistor zu erklären) und den technischen-praktischen, oft empirischen 
(mit dem sich Schaltungen berechnen lassen). Dasselbe Objekt quasi aus 
verschiedenen Perspektiven betrachtet.

Was nützt Dir wenn Du auf die (sub-) atomare Ebene gehst - eine 
Schaltung kannst Du damit nicht berechnen. Der von Dir so oft erwähnte 
Stromspiegel: auch der läßt sich nur verstehen und berechnen wenn Du 
Strom UND Spannung betrachtest.

Ich könnte jetzt auf jeden Deiner 8 Punkte eingehen, aber dann würde 
diese Diskussion endlos werden und zu nichts führen.

Ich hoffe, Du siehst das nicht als Angriff denn das liegt mir fern.

Mohandes

Mohandes H. schrieb:
> Bei Deinen 8 Punkten schmeißt Du theoretische Effekte die einen
> isolierten Transistor betreffen wahllos zusammen mit technischen
> Berechnungen von Schaltungen oder Schaltungsteilen.

Mohandes H. schrieb:
> Ich könnte jetzt auf jeden Deiner 8 Punkte eingehen, aber dann würde
> diese Diskussion endlos werden und zu nichts führen.

Ich schließe mich dem an.

Im Bild oben ist im Quadranten links unten gut zu sehen, daß die Basis/ 
Emitterspannung sich nur sehr gering ändern muß, um eine sehr große 
Änderung des Kollektorstroms zu erreichen.

Bildquelle:
Von Biezl - Eigenes Werk, Gemeinfrei, 
https://commons.wikimedia.org/w/index.php?curid=7329334

Wenn mann eine Spannungsquelle niedrigen Innenwiderstands zur Verfügung 
hat, kann eine geringe Überschreitung Schaden anrichten.

Dagegen ist eine  Einstellung des Arbeitspunktes bzw. Begrenzung des 
Basisstroms mittels Vorwiderstand eine gut durchführbare Möglichkeit.

Es wird also der Strom eingestellt.

Wäre vergleichsweise so, als ob man ein Flugzeug mit dem Seitenleitwerk 
steuert -> sofortige, präzise Steuerwirkung, oder durch alleinige 
Beeinflussung der linken/ rechten Triebwerke -> nur im Notfall, 
unpräzise, sehr träge.

Abgesehen davon, die Spannungssteuerung würde nicht stabil arbeiten.

*****Zitat****
Konstante Basis-Emitter-Spannung
Naheliegend wäre es, die Basis-Emitter-Spannung UBE konstant zu halten 
unddamit auch einen definierten Kollektorstrom einzustellen.
…
Damit wird auch ein ebenso definierter Kollektorstrom IC fliessen.
…
Wenn man diese Schaltung aufbaut und die Ströme und Spannungen misst, so 
stelltman fest, dass sich der Kollektorstrom schon stark ändert, wenn 
das Gehäuse desTransistors mit den Fingern berührt wird. Der Grund liegt 
in der enorm starkenTemperaturabhängigkeit der Spannung UBE; es gilt 
bekanntlich, dass UBE bei konstantem Strom um etwa 2 mV/K mit der 
Temperatur abnimmt; die Kennlinie ver-schiebt
…
Die relativ geringfügige Verschiebung der Kennlinie bewirkt infolge der 
grossenSteilheit der Kennlinien eine massive Verschiebung des 
Schnittpunktes (= Arbeitspunkt) in Richtung höhere Kollektorströme. 
Dieser Stromanstieg kann sogar zur Folge haben, dass der Transistor 
sättigt, also als Verstärker nicht mehr gebrauchtwerden kann. Die hier 
vorgeschlagene Schaltung ist offensichtlich thermisch nicht stabil 
undkann deshalb in der Praxis nicht verwendet werden. Die in der 
Literatur teilweise vorgeschlagenen Lösungen mit temperaturabhängigen 
Widerständen im Spannungsteiler zur Kompensation des 
Temperaturverhaltens des Transistors müssen eher als akademische 
Spielereien betrachtet werden.
****Zitat Ende******

Textquelle:
 https://home.zhaw.ch/kunr/Elektronik/Skript_MVKuenzli_ab%20SS04/Kap_6.pdf

Es geht nicht um Tricks, nun doch eine Spannungssteuerung hinzubekommen- 
mit entsprechendem Aufwand geht es ja auch.

Lutz V., darf ich Ihre Darstellungen veröffentlichen ?

Mohandes H. schrieb:
> Mein Lieber, Du verrennst Dich aber ganz schön! Begibst Dich in eine
> Position 'Lutz gegen den Rest der Welt'.

Na ja.. so ganz alleine bin ich zum Glück doch nicht...Tietze-Schenk ist 
auch auf meienr Seite (das ist schon mal einer..)....wenn Du mir nicht 
glauben kannst oder willst - Du weißt, dass es ganz andere Kapazitäten 
gibt, die ich zitieren kann (und zitiert habe). Ignorierst Du das alles?
Fast könnte ich sagen: Mohandes gegen renommierte Unis und Fachleute in 
der ganzen Welt.
Was soll also der Unsinn mit "Lutz gegen den Rest der Welt".

> Bei Deinen 8 Punkten schmeißt Du theoretische Effekte die einen
> isolierten Transistor betreffen wahllos zusammen mit technischen
> Berechnungen von Schaltungen oder Schaltungsteilen

Das klingt jetzt so negativ ("schmeißt...zusammen).
Man könnte auch sagen: Ich führe in meinen 8 Beispielen sowohl 
theoretische Erläuterungen als auch praktische Aspekte beim Entwurf von 
Schaltungen auf - beide sprechen für Spannungssteuerung. Warum versuchst 
Du denn (wenn Du dem nicht zustimmen kannst), meine Argumente zu 
widerlegen ?

> Was nützt Dir wenn Du auf die (sub-) atomare Ebene gehst

??? Tue ich das? Wo denn? Bitte, bleib sachlich
>
> Ich könnte jetzt auf jeden Deiner 8 Punkte eingehen, aber dann würde
> diese Diskussion endlos werden und zu nichts führen.

Sehr schade....vieleicht würdest Du mich ja überzeugen?

> Ich hoffe, Du siehst das nicht als Angriff denn das liegt mir fern.
> Mohandes

Nein, obwohl Du Dir die Polemik nicht so ganz verkneifen konntest. Aber 
wenigstens ein sachlich-technisches Argument hätte ich doch erwartet...

Lutz V. schrieb:
> Na ja.. so ganz alleine bin ich zum Glück doch nicht...Tietze-Schenk ist
> auch auf meienr Seite (das ist schon mal einer..)

ja alles was geschrieben wird ist wahr
Die Bibel hatte auch mal so komische Texte.

Kommt es nicht wie immer auf die Betrachtung an?
Spannungssteuerung ist ja nun nicht falsch, nur eben hier am Transistor 
nicht zielführend!

Wenn der bipolare Transistor rein spannungsgesteuert wäre, dann dürfte 
die Spannungsquelle ja unendlich hochohmig sein, das dem nicht so ist 
lässt in unserer Physik nur den Schluß zu es ist doch eine 
Stromsteuerung.

Edi M. schrieb:
> Im Bild oben ist im Quadranten links unten gut zu sehen, daß die Basis/
> Emitterspannung sich nur sehr gering ändern muß, um eine sehr große
> Änderung des Kollektorstroms zu erreichen.

Natürlich...das ist die bekannte exponentielle Abhängigkeit Ic=f(Vbe).
>
> Wenn mann eine Spannungsquelle niedrigen Innenwiderstands zur Verfügung
> hat, kann eine geringe Überschreitung Schaden anrichten.

Ja, deshalb macht man das ja auch nicht, sondern nimmt für einen 
Emitterverstärker einen Basis-Spannungsteiler und macht eine vernünftige 
DC-Gegenkopplung
>
> Dagegen ist eine  Einstellung des Arbeitspunktes bzw. Begrenzung des
> Basisstroms mittels Vorwiderstand eine gut durchführbare Möglichkeit.

Auch richtig....außer dem Wort "dagegen" (weil es wie eine bessere 
Alrernative klingt, was nicht der Fall ist. Da gibt es spezielle 
Analysen zur AP-Toleranzempfindlichkeit)
>
> Es wird also der Strom eingestellt.

Nein...Man realisiert weiter nichts als einen Spannungsteiler zwischen 
dem Vorwiderstand und dem nichtlinearen DC-Widerstand der B-E-Strecke 
(siehe beigefügtes Bild)
>
> Abgesehen davon, die Spannungssteuerung würde nicht stabil arbeiten.

Falsch...auch das wird aus dem beigefügten Diagramm deutlich.


> Wenn man diese Schaltung aufbaut und die Ströme und Spannungen misst, so
> stelltman fest, dass sich der Kollektorstrom schon stark ändert, wenn
> das Gehäuse desTransistors mit den Fingern berührt wird. Der Grund liegt
> in der enorm starkenTemperaturabhängigkeit der Spannung UBE; es gilt
> bekanntlich, dass UBE bei konstantem Strom um etwa 2 mV/K mit der
> Temperatur abnimmt; die Kennlinie ver-schiebt

Das ist leider auch nicht richtig...falsche Interpretation des 
Temp.koeffizienten. Es heißt nämlich d(Vbe)/d(T)=-2mV für Ic=const.
Das heißt: Es ist nicht Vbe, was sich ändert, sondern Ic (wegen des 
stark von T abhängigen Reststromes Io, der als Faktor vor der e-Funktion 
steht).
Kann man in jedem Buch nachlesen!
Also: Vbe muss von außen geändert werden, damit Ic wieder auf den alten 
Wert zurückkommt!

> Lutz V., darf ich Ihre Darstellungen veröffentlichen ?
Wo denn? Aber dann bitte mit vorheriger Kenntnisnahme durch mich. Ich 
muss Verfälschungen (auch ungewollte durch Weglassen) vorbeugen. Ich 
stehe voll zu meinen Kommentaren....allerdings habe ich dazu schon was 
veröffentlicht (Analoge Signalverarbeitung, Vieweg/Teubner, 2010) und in 
"Research Gate" (allerdings auf englisch)

Sorry - ich vergaß, das Diagramm anzuhängen...

Joachim B. schrieb:
> Spannungsquelle ja unendlich hochohmig

Au weia....

@Lutz V.,

Ich habe eine PN geschickt.

Edi M. schrieb:
> Ich habe eine PN geschickt.


Schön, aber wo finde ich die? (Ich bin noch nicht so lange dabei....)
So auf Anhieb habe ich jedenfalls keinen Button gefunden...sonst auch 
gerne email.

Lutz V. schrieb:
> Schön, aber wo finde ich die?

Die sollte als E- Mail mit Absender µC- Forum im eigenen E- Mail- 
Postfach sein, welches Sie bei der Registrierung angaben.

Edi M. schrieb:

> Die sollte als E- Mail mit Absender µC- Forum im eigenen E- Mail-
> Postfach sein, welches Sie bei der Registrierung angaben.

In der mail steht nur folgendes:
(Zitat)
Hallo Lutz V.!
Der Benutzer 'Edi M. (edi-mv)' hat dir eine Nachricht geschickt.
Bitte beachte: Antwort ist nur ueber 
https://www.mikrocontroller.net/user/show/edi-mv moeglich, nicht per 
E-Mail!

====================================
Bitte Texte zwecks Veröffentlichung per E- Mail: (Deine mail-Adresse hab 
ich hier gelöscht aus datenschutz-Grnden)

====================================
(Ende Zitat)

Zu dem Bild:
Auch wenn Sie z. B. den Kollektorstrom begrenzen, Begrenzerwiderstände 
oder Spannungsteiler verwenden, gegenkoppeln, sonstwas... die Ube ändert 
sichbei einer großen Kollektorstromänderung nur sehr gering.
Eine Stromeinstellung/ -Anderung ist somit zwecks Steuerung besser 
geeignet, wird so angewandt, und gab der Sache eben den Namen, auch wenn 
man eben diese Ube- Änderung ja feststellen kann.

Darum eben Flugzeug mit Seitenleitwerk, anstelle Seitenleitmotoren. 
Obwohl es ja geht.

Genau das kommt in der Praxis des Rundfunktechnikers eben ständig vor- 
in vielen Stufen arbeiten Transis mit unterschiedlichen Strömen im 
Kollektorkreis, HF und NF- Ströme sind schon recht unterschiedlich- 
dennoch ist die Ube im Arbeitspunkt -oder "in der Arbeit"-, auch bei 
Vorhandensein eines Re, in  allen Stufen immer in einem sehr engen 
Bereich, z. B. bei Si um 0,8 V was man ja zur Fehler- Feststellung 
nutzt. Ist Ube eben weit höher oder sehr niedrig, ist was faul.

"STROMSTEUERUNG" ist für Sie vielleicht ein Problem der willkürlichen 
Namensgebung, mit dem Sie nicht klarkommen, die Begriffe "leistungslose 
Steuerung" und "leistungsbedingende Steuerung" würden es vielleicht eher 
treffen- aber die Erfinder des Begriffs "Stromsteuerung" setzten wohl 
etwas Grips voraus, daß das Vorhandensein eines Stroms immer Spannung, 
also eine Leistung, bedeutet.
"Leistungslose Steuerung" -und hier wird der Begriff "Spannungssteuerung 
selten genutzt- bedeutet aber eben das genaue Gegenteil- es muß nur eine 
Spannung da sein, kein Strom, keine Leistung.
(ja ok- 1 Elektrönchen schafft's immer...)

Und... OHNE STROM (in die Basis), nur mit einer anliegenden Spannung, 
können Sie Röhre und FET, aber einen Bipolartransi nun mal eben... gar 
NICHT STEUERN.
Auch das gibt der Sache den Namen.

Ja, Lutz V., das mit meiner Mail ist doch richtig.
Biite um Mail an mich.

Lutz V. schrieb:
> Nein, obwohl Du Dir die Polemik nicht so ganz verkneifen konntest. Aber
> wenigstens ein sachlich-technisches Argument hätte ich doch erwartet...

Nein, von mir keine Polemik. Wenn Du das so empfindest? War absolut 
nicht so gemeint.

>> Was nützt Dir wenn Du auf die (sub-) atomare Ebene gehst
>
> ??? Tue ich das? Wo denn? Bitte, bleib sachlich.

Auch das war nicht als unsachlich gedacht sondern ich wollte das 
plakativ ausdrücken. Also das 'Du' klein geschrieben.ä

Lutz V. schrieb:
> Fast könnte ich sagen: Mohandes gegen renommierte Unis und Fachleute in
> der ganzen Welt.

Auch wenn ich es nicht darauf anlege, damit könnte ich leben. Ist aber 
nicht so.

Sachlich-technische Argumente? Ich habe genügend geschrieben, gestern, 
vorgestern.

Das Problem ist, daß Du alle Argumente zugunsten Deiner 'Stromtheorie' 
auslegt. Der Ansatz ist falsch: nur alleine mit Strom läßt sich der 
Transistor nicht erklären, ebenso wenig wie alleine mit Spannung! Auch 
wenn Du mit vielem recht hast, Du übersiehst das notwendige andere

Ich fürchte, in dieser Diskussion kommen wir nicht weiter. Ginge es um 1 
Detailproblem, das könnte man zerlegen und ausdiskutieren. Aber die 
gesamte Transistortechnik hinsichtlich strom- und spannungsgesteuert?

Wie gesagt, ich sehe das nicht als Widerspruch, im Gegenteil: nur mit 
Strom UND Spannung ist eine vollständige und sinnvolle Erklärung 
möglich!

Mohandes

Mohandes H. schrieb:
> Wie gesagt, ich sehe das nicht als Widerspruch, im Gegenteil: nur mit
> Strom UND Spannung ist eine vollständige und sinnvolle Erklärung
> möglich!
>
> Mohandes

Dieser allerletzte Satz zeigt das große Missverständnis zwischen uns:

Ich habe doch nie bestritten, dass ein Basistrom Ib fließt, aber es kann 
nun mal nur EINE der beiden Größen diejenige sein, welche der internen 
Barriere der Diffusionsspannung entgegenwirkt und so erst einen 
Emitterstrom ermöglicht, der sich dann aufteilt in Ib und Ic.
Dieser Basisstrom kann doch nicht die URSACHE für den Emitterstrom 
sein....
Das ist pure Logik!
Der Basistrom ist somit ein Teil des Emitterstromes...und so wird seine 
Existenz auch überall erklärt:
Ib=Ie(1-A)=Ic[(1-A)/A] und abkürzend nennt man für A/(1-A)=B.
Die nach Ic aufgelöste Schreibweise Ic=B*Ib ist natürlich mathematisch 
korrekt und wird auch benutzt überall - darf aber nicht automatisch als 
Wirkung=f(Ursache) angesehen werden.
(Genau wie wir bei der Schreibweise U=I*R oft so tun als ob U durch I am 
Widerstand erzeugt würde. Das funktioniert ja auch bei 
Schaltungsberechnungen, aber: Wenn wir über Physik und nicht über 
Laborpraxis reden, dann ist es eben falsch. Ein Strom ist immer das 
Ergebnis einer Spannung).

Lutz V. schrieb:
> Der Basistrom ist somit ein Teil des Emitterstromes...und so wird seine
> Existenz auch überall erklärt

Dazu nochmal die beiden Skizzen.

Und wenn der Kollektorstrom 1000 mal höher ist... interessiert mich doch 
lediglich die STROMverstärkung.
Und der Steuerstrom kommt in der Skizze aus der Stromquelle links.
Und der beeinflußt eben den Kollektorstrom.
Ob ich einen Teil oder den gazen Basisstrom zum Kollektorstrom 
dazurechne- spielt ja keine Rolle. Ich habe 2 Stromkreise, und der 
schwache bewirkt eine Steuerung des stärkeren.

Lutz V. schrieb:
> Dieser Basisstrom kann doch nicht die URSACHE für den Emitterstrom
> sein....

Doch- Nur 'ne Spannung, hochohmige Quelle... umsonst- ohne BasisSTROM 
geht beim Bipolartransi nichts. Nur bei Röhre und FET.

Die Bezeichnung ist also vollkommen korrekt.

Edi - mit allem Respekt: Ich lese in Deinem Beitrag absolut nichts 
neues...es sind reine Behauptungen, die hier schon 10mal aufgestellt 
wurden.
Die Aussage "ohne Basisstrom geht beim Bipolartransistor nichts" ist 
doch keine vernünftige technische Aussage!
Ich habe doch NIE bestritten, dass der fließt!
Es geht um seine Steuerungsfunktion!!!
Eine klassische Ursache-Wirkung-Fragestellung!
Verneble doch nicht die eigentliche Problemstellung, um die es geht.

Ist Dir übrigens bewusst, dass Du eine ganz einfache Frage von mir 
bisher vergessen hast zu beantworten?
Diode mit Vorwiderstand an einer Gleichspannung - so dimensioniert, dass 
ein Durchlass-Strom fließen kann.
Frage: Durch welche Größe wird die - zunächst sperrende - Wirkung der 
Diffusionsspannung verringert bzw. aufgehoben: Strom in die oder 
Spannung über der Diode ?

Lutz V. schrieb:
> Dieser Basisstrom kann doch nicht die URSACHE für den Emitterstrom
> sein....
> Das ist pure Logik!

die falsch ist

wenn kein Strom in die Basis fliessen muss weil der bipolare Transistor 
deiner Meinung nach rein spannungsgesteuert ist dann reicht eine 
hochohmige Steuerspannung, aber das stimmt eben nicht für den bipolaren 
Transistor, ohne Basisstrom gibt es keinen Collector- und keinen 
Emitter-strom.

Stromlos kann ich allenfalls Röhren am G1 steuern und FET am Gate.

Aber stromlos die Gatekapazität umladen wird mir auch nicht gelingen, da 
ist eine Röhre gnädiger.

Ich will mich ja nicht um Antworten drücken, aber....hierauf 
("hochohmige Steuerspannung") zu antworten ist nicht so einfach...

batman schrieb:
> Warum kann man solche Grundsatzfragen nicht unter nem passenden
> Topic
> machen? Es kann doch jeder leicht selbst eins erstellen, falls da
> wirkliches Interesse besteht.

Ja, da hast Du recht...es hat sich hier aber eben so entwickelt.
Zumal dieses Thema in einem Parallel-Thread auch schon dikutiert worden 
is:

Beitrag "Anfänger frage: Wiederstand in Transitor schaltung warum?"

batman schrieb:
> Das kann man übrigens auch gleich mit einer Glühbirne demonstrieren:
> Lichtschalter drücken und... aahh die Spannung kommt, der Strom fließt,
> die Lampe leuchtet. Ohne Spannung wars noch dunkel. Tatsächlich, ein
> klarer Beweis, dass der Transistor spannungsgesteuert ist. Und sogar
> auch Glühbirnen.
>
> Du hast also Recht und wir unsere Ruhe.

Ich will mal diesen sehr hilfreichen Beitrag zum Anlass nehmen, etwas 
grundsätzliches zu sagen. Man möge mir den Umfang verzeihen (batman 
möchte ja seine Ruhe haben):
Mir ist schon klar, dass ich hier in dieser „Runde“ als besonders 
engagiert erscheine - und der Eindruck trügt auch nicht. Eigentlich 
hätte ich schon resignieren sollen bei der ganzen Polemik und 
Aggression, der ich hier begegnet bin. Trotzdem habe ich versucht, auf 
die - leider sehr wenigen - sachlichen Beiträge einzugehen.

Das hat aber auch etwas mit meinem beruflichen Hintergrund zu 
tun.....ich habe 25 Jahre lang versucht, Studierenden nicht nur 
fachliche Fakten zu vermitteln, sondern ihnen auch klarzumachen, wie 
wichtig es für einen Ingenieur ist, neugierig zu sein und kritisch alle 
neu gelernten Dinge zu hinterfragen mit einem schlichten „warum?“.

Denn: Für jede zu beobachtende physikalische Erscheinung gibt es nämlich 
eine Ursache (mit Ausnahme der grundlegenden Naturgesetze wie 
Gravitation, Trägheit, etc). Das gilt natürlich auch für alle Effekte, 
die mit Strom und Spannung zusammenhängen.
Und wenn jemand im Buch oder im Gespräch (ohne Erklärungen) behauptet, 
Strom oder Spannung würden dieses oder jenes bewirken, dann sollte man 
schon nach einer Erklärung dafür fahnden - durch einfaches Nachfragen 
oder Selbst-Studium. Also nichts einfach glauben!

Wenn man also etwas liest oder hört, was dem eigenen Wissensstand nicht 
so ganz entspricht, dann sollte man tunlichst doch zuerst mal innehalten 
und nachdenken (!) und sich damit auseinandersetzen - und nicht gleich 
empört/arrogant/überheblich/polemisch reagieren.
Vielleicht gibt es ja doch noch etwas, was man noch nicht so ganz 
richtig verinnerlicht hat ?

Ja - und gerade das habe ich hier in der „Diskussion“ (größtenteils war 
es leider ja gar keine sachliche Auseinandersetzung) vermisst - und habe 
trotzdem versucht, beharrlich auf der sachlichen Ebene zu bleiben, 
leider ohne großen Erfolg.
Konkrete Fragen von mir wurden nicht beantwortet, Beispiele und 
Referenzen ignoriert.
Stattdessen - vorsichtig formuliert - viele polemische Sprüche, die 
eigentlich nur zeigen, dass der Verfasser ein wenig hilflos und nicht in 
der Lage ist, fachlich Stellung zu nehmen und mir mit Argumenten zu 
widersprechen!

Ist es denn so schwer zuzugeben „Ach so - so hab ich das bisher noch gar 
nicht betrachtet...“
Eigentlich verdient so eine Fähigkeit zur Selbst-Reflektion, die 
eigentlich in allen Situationen des Alltags gefragt ist, doch nur 
Respekt !

Es ist schon enttäuschend und überraschend, dass sich hier niemand 
gefunden hat, der an einer fairen und sachlichen Dikussion Interesse 
gezeigt hat.

Ich habs versucht, so gut ich konnte....vielleicht/hoffentlich sind ja 
doch einige etwas nachdenklich und kritisch ihrem eigenen Wissenstand 
gegenüber geworden, ohne dass sie es hier öffentlich gemacht haben...das 
wäre doch auch schon etwas.

Noch ein Tip: Wer seine "Ruhe haben möchte" (im Bewusstsein, alles schon 
zu wissen), der muss ja gar nicht hier reinschauen...

Lutz V. schrieb:
> Ich will mich ja nicht um Antworten drücken, aber....hierauf
> ("hochohmige Steuerspannung") zu antworten ist nicht so einfach...

doch ganz simpel, zur Focuseinstellung an der CRT gab es 5M Ohm Potis.
Dort wurde die Spannung eingestellt und eine reine Spannungssteuerung 
betrieben, damit den Basisspanung eines bipolaren Transistors 
einzustellen für einen Collectorstrom sagen wir um 500mA wird nicht 
gelingen.

Lutz V. schrieb:
> Ist Dir übrigens bewusst, dass Du eine ganz einfache Frage von mir
> bisher vergessen hast zu beantworten?
> Diode mit Vorwiderstand an einer Gleichspannung - so dimensioniert, dass
> ein Durchlass-Strom fließen kann.
> Frage: Durch welche Größe wird die - zunächst sperrende - Wirkung der
> Diffusionsspannung verringert bzw. aufgehoben: Strom in die oder
> Spannung über der Diode ?
.
Irgendwie... sprechen wir aber NICHT ÜBER DIODEN.
.
Black Box. Links Einspeisung eines Stroms. Rechts fließt ein gesteuerter 
Strom. Voltmeter strippen wir natürlich auch überall ran.
In der Box was, daß wir "Bipolartransistor nennen.
.
Meßwerte auswerten- und Schlüsse ziehen.
.
Lutz V. schrieb:
> Die Aussage "ohne Basisstrom geht beim Bipolartransistor nichts" ist
> doch keine vernünftige technische Aussage!
.
Technisch: 0 mA Basisstrom -> 0 mA Kollektorstrom.
(ausgenommen Kollektorreststrom).
Technisch genug ???
.
Lutz V. schrieb:
> Edi - mit allem Respekt: Ich lese in Deinem Beitrag absolut nichts
> neues...es sind reine Behauptungen, die hier schon 10mal aufgestellt
> wurden.
.
Die "Behauptungen" sind übliches Wissen, welches Sie überall nachlesen 
können, ich fand ja Seiten von 1 Uni und 1 Fachschule. Ich könnte noch 
mehr finden.
.
Aber SIE sind ja derjenige, der etwas anderes behauptet.
.
Lutz V. schrieb:
> ich habe 25 Jahre lang versucht,
.
"Laß' die von niemandem imponieren, der sagt, daß er eine Sache 25 Jahre 
so macht- man kann eine Sache auch 25 Jahre falsch machen."
.
> Studierenden
.
Muß diese politisch korrekte Bezeichnungsweise sein ?
Bitte "Studenten" !
Studierende können auch Kinder sein, die die Bewegungen in einem 
Ameisenhaufen studieren.
************Zitat***********
An Universitäten strebt man nach Erkenntnis, und zwar auf 
wissenschaftliche Weise. Wer dies tut, heißt Student.
Nahezu jeder Hochschul-Funktionär benutzt indes das politisch korrekte 
„Studierende” - ohne auch nur kurz nachzudenken, welcher Blödsinn damit 
verbunden ist.
...
Wie lächerlich der Begriff «Studierende» ist, wird deutlich, wenn man 
ihn mit einem Partizip Präsens verbindet. Man kann nicht sagen: «In der 
Kneipe sitzen biertrinkende Studierende.» Oder nach einem Massaker an 
einer Universität: «Die Bevölkerung beweint die sterbenden 
Studierenden.» Niemand kann gleichzeitig sterben und studieren.”
***********
Textquelle: 
https://www.zaar.uni-muenchen.de/studium/studenteninfo/student_prof/student/index.html
.
Lutz V. schrieb:
> ich habe 25 Jahre lang versucht,
> nicht nur fachliche Fakten zu vermitteln,
.
Sondern ? Glaubensfragen ?
.
Lutz V. schrieb:
> Es ist schon enttäuschend und überraschend, dass sich hier niemand
> gefunden hat, der an einer fairen und sachlichen Dikussion Interesse
> gezeigt hat.
.
Ich sehe da nur einen.
.
Aber Sie/ wir müssen nicht diskutieren- wie geschrieben, ich stelle gern 
Ihre Theorien/ Erkenntnisse auf einer meiner Seiten dar.
Das ist es eben- ich habe nichts gegen andere Theorien.
Ich muß ihnen aber nicht zustimmen.
Meine Seiten beschäftigen sich mit Elektronik, da ist das auf jeden Fall 
interessant.
Wenn Sie mir einen Textauszug aus genannten Büchern senden, zu denen Sie 
beigetragen haben, und die das Thema anschneiden, natürlich- ich werde 
sie aber nicht kaufen.

Edi M. schrieb:
> Meßwerte auswerten- und Schlüsse ziehen.

Ja, so klingt es, wenn man keine konkrete Antwort geben kann oder will.

Sei`s drum!
Jetzt werden alle laut Beifall klatschen und sich dabei ja soooo 
überlegen fühlen - es sei euch gegönnt. Nachdenken und sich evtl. 
korrigieren ist manchmal ja auch anstregend - und unbequem.
Ich hab alles gesagt, was ich zu sagen habe...jetzt habt Ihr Eure 
wohlverdiente Ruhe. Gute Nacht.

batman schrieb:

> Das kann man übrigens auch gleich mit einer Glühbirne demonstrieren:
> Lichtschalter drücken und... aahh die Spannung kommt, der Strom fließt,
> die Lampe leuchtet. Ohne Spannung wars noch dunkel.

Das kann man übrigens auch gleich mit einer LED demonstrieren:
Lichtschalter drücken und... aahh der Strom fliesst, die Spannung
kommt, die LED leuchtet. Ohne Strom wars noch dunkel.
:-)

Jetzt werde ich meiner eigenen Ankündigung, still zu sein, doch untreu.
Aber eine sachliche Bemerkung verdient eine sachliche Antwort.


Lurchi schrieb:
> Für die Beschreibung des Transistors kann man ihn wahlweise als
> Strom-gesteuert oder Spannungs-gesteuert ansehen. Je nachdem was man
> betrachten will ist mal das eine und mal das andere praktischer.

Richtig - voll einverstanden. Aber es ging nicht darum, was 
"praktischer" ist, sondern welche physikalische Größe die Höhe des 
Emitter- bzw. Koll.stromes bestimmt.

Die
> Betrachtung des Stromes ist für viele Schaltungen einfacher.
> Entsprechend wird es so auch für Anfänger gelehrt. Die detailierteren
> Transistormodelle nutzen die Ladungsträgerkonzentration in der Basis als
> wesentliche Größe, und die hängt direkt (exponentiell) mit der Spannung
> zusammen.

Ja - das stimmt. Die SPICE-Beschreibungen sind natürlich so dicht an der 
Realität wie möglich und nutzen das Gummel-Poon model (mit der 
e-Funktion Ie=f(Vbe).

> Mit der Spannung als wesentliche Größe kann man z.B die Erholung aus der
> Sättigung verstehen: es dauert halt einige Zeit bis die Spannung an der
> Basis abgebaut wird, und erst dann sperrt der Transistor.
> Im Idealfall kennt man beide Wegen den Transistor zu beschreiben. Der
> Streit ob Spannung- oder Strom- gesteuert ist entsprechend kindisch.

Nein - dem kann ich nicht zustimmen. Das ist nun wirklich nicht 
"kindisch". Wie x-mal angedeutet, spielt diese Frage für uns als 
"Normal-Bürger" beim Entwurf keine große Rolle, da wir von bekannten 
Entwurfs-Richtlinien ausgehen (Faust-Formeln).
ABER: Wer neue Schaltungsprinzipien entwickeln will, der muss schon 
genau wissen, wie der BJT genau funktioniert.

Ich hab ja etliche Schaltungen erwähnt, die von bekannten 
Persönlichkeiten eingeführt wurden (G. Gilbert, R.A Pease, P. Brokav, 
Wilson,...) und die NUR deshalb funktionieren, weil der BJT 
spannungsgesteuert ist. Aber keiner der ach so erfahrenen Teilnehmer 
hier sah sich ja in der Lage, dazu irgendwas zu sagen...ignorieren ist 
halt bequemer...
(sorry, jetzt bin auch ich mal ironisch und etwas polemisch geworden).

Lutz V. schrieb:
> Aber keiner der ach so erfahrenen Teilnehmer
> hier sah sich ja in der Lage, dazu irgendwas zu sagen...ignorieren ist
> halt bequemer...

Ja klar, einfach irgendwelche Namen hinschmeißen... sollen die anderen 
sich das doch selbst suchen.

Ich habe es auch dem berühmten Kurt gesagt: Schreiben Sie ihr eigenes 
Fachbuch, stellen sie es zur wissenschaftlichen Diskussion.
Gerade wenn man 70 Jahre altes Wissen ändern will.

Aber Kurt tut's nicht, und Ihnen traue ich das auch nicht zu.

Leute, ich finde eure Strom vs. Spannung-Diskussion und die Frage, was 
letztlich den Kollektorstrom bestimmt hochgradig albern.
Könnten die Beteiligten einen kleinen Schritt zurück machen und 
versuchen das Große Ganze zu erkennen? Recht zu haben ist kein 
erstrebenswertes Ziel.

Zur Sache:
Basisstrom und Basisspannung hängen zusammen, sie bedingen sich 
wechselseitig. Keines davon ist alleinige Ursache des Kollektorstroms.

Natürlich gibt es einen C-Strom nur, wenn freie Ladungsträger da sind. 
Und natürlich müssen die Sie sich bewegen, also geht es um Strom. Aber 
ohne E-Feld, also eine Potentialdifferenz, also Spannung, würden sie 
sich gar nicht in Bewegung setzen und an Ort und Stelle rekombinieren.

Und würde man keine Basisspannung anlegen, wäre die Raumladungszone 
Basis-Emitter unüberwindbar. Aber würde man den Strom nicht 
aufrechterhalten, wäre es sofort wieder Essig mit der Basisspannung.

Ob man den Kollektorstrom formelmäßig mit einem beta zum Basisstrom ins 
Verhältnis setzt oder mit einem gm Kollektorstromänderungen zu 
Basisspannungsänderungen in einem Arbeitspunkt ins Verhältnis setzt ist 
Wumpe.

Es sind Formeln für den selben physikalischen Zusammenhang, mal ist die 
eine, mal die andere Formel praktischer.

Wenn ihr schon über irgendwas streiten müsst: erklärt mir doch bitte 
mal, warum an ganz vielen Stellen im Internet (auch hier im Forum und 
Wiki) ein Basis-Pulldownwiderstand (analog zu FETs) propagiert wird. Ich 
halte den nämlich für Quatsch.

Lurchi schrieb:
> Im Idealfall kennt man beide Wegen den Transistor zu beschreiben. Der
> Streit ob Spannung- oder Strom- gesteuert ist entsprechend kindisch.

Das bestreitet niemand- da ja schon mal ohne Spannung kein Strom fließen 
kann.
Die Bezeichnung ist aber vollkommen korrekt, weil es einen großen 
Unterschied zum rein spannungsgesteuertem Bauelement gibt.

Das als gleich zu verkaufen...
... Na ja.

Tilo R. schrieb:
> Wenn ihr schon über irgendwas streiten müsst: erklärt mir doch bitte
> mal, warum an ganz vielen Stellen im Internet (auch hier im Forum und
> Wiki) ein Basis-Pulldownwiderstand (analog zu FETs) propagiert wird. Ich
> halte den nämlich für Quatsch.

Was für ein Ding ?
Gibt's dafür einen Namen in unserer Sprache ?

PS:
https://qastack.com.de/electronics/16143/unnecessary-pull-down-resistors-on-bjt-and-fet-transistors

Tilo R. schrieb:
> Leute, ich finde eure Strom vs. Spannung-Diskussion und die Frage,
> was letztlich den Kollektorstrom bestimmt hochgradig albern.

Dito. Keine der beiden Theorien ist in meinen Augen so zwingend, daß sie 
die andere widerlegt. Andererseits ist die tausendfach gemessene und 
belegte Proportionalität von Basis- und Kollektorstrom ein starker 
Hinweis darauf, daß es da einen funktionellen Zusammenhang gibt.

Wenn ich die Argumention der "Spannungssteuerer" richtig verstehe, dann 
bestreiten sie zwar nicht, daß beim Anlegen einer Basis-Emitter Spannung 
ein Basisstrom fließt, ja fließen muß. Sie bestreiten auch nicht den 
beobachteten proportionalen Zusammenhang zum Kollektorstrom. Sie 
behaupten(!) aber, daß allein die Spannung den Kollektorstrom steuere 
und daß der Basisstrom lediglich ein "Dreckeffekt" wäre. Für die 
Funktion des Transistors nicht erforderlich, aber eben leider aus 
physikalischen Gründen vorhanden.

Tut mir leid, aber das überzeugt mich nicht.

Dann könnte man genauso argumentieren, daß ein Auto durch Muskelkraft 
angetrieben wird. Und zwar die Muskelkraft, die beim Druck auf das 
Gaspedal ausgeübt wird. Schließlich wird das Auto beim Druck auf das 
Gaspedal ja schneller! Daß nebenher auch der Motor schneller dreht, ja 
daß die Motordrehzahl und die Fahrzeuggeschwindigkeit proportional 
zueinander sind, daß ist eine nebensächliche Korrelation. Für die 
Funktion des Autos nicht erforderlich.

@Theor, Danke für die Recherche bzw. Hinweise zu @Lutz V.

Manchmal verstehe ich die Welt nicht mehr...

Edi M. schrieb:
> Tilo R. schrieb:
>> Wenn ihr schon über irgendwas streiten müsst: erklärt mir doch bitte
>> mal, warum an ganz vielen Stellen im Internet (auch hier im Forum und
>> Wiki) ein Basis-Pulldownwiderstand (analog zu FETs) propagiert wird. Ich
>> halte den nämlich für Quatsch.
>
> Was für ein Ding ?
> Gibt's dafür einen Namen in unserer Sprache ?
>
> PS:
> 
https://qastack.com.de/electronics/16143/unnecessary-pull-down-resistors-on-bjt-and-fet-transistors

z.B. hier:
https://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand#Offene_Basis_bei_Reset

Und dann wird als Wert 1M vorgeschlagen. In der Größenordnung kann man 
ihn auch weglassen! Im "Automobilbereich" geht man aber auf 100k runter. 
Lol. Ich finde diesen Abschnitt im Wiki schlecht und würde ihn am 
liebsten löschen. Imho nicht verstandener Cargo-Cult.

Sollte sich (wie auch immer) ein relevantes Basispotential gefunden 
haben, spielen die uA oder nA, die dann über diesen Widerstand fließen 
würden keine Rolle. Genausogut könnte der Basisstrom alleine die Ladung 
abbauen (tut er bei einem so großen Widerstand eh fast vollständig).

Tilo R. schrieb:
> Genausogut könnte der Basisstrom alleine die Ladung
> abbauen

nur hängen die Basen oft an einen µC Port der während des Starts oder 
bei Abstürzen der Software noch ungeschaltet auch mal durch pullups nach 
oben gezogen werden.
Deswegen und auch bei FETs sind definierte pulldowns manchmal für die 
Funktion nötig

Joachim B. schrieb:
> Tilo R. schrieb:
>> Genausogut könnte der Basisstrom alleine die Ladung
>> abbauen
>
> nur hängen die Basen oft an einen µC Port der während des Starts oder
> bei Abstürzen der Software noch ungeschaltet auch mal durch pullups nach
> oben gezogen werden.
> Deswegen und auch bei FETs sind definierte pulldowns manchmal für die
> Funktion nötig

Bei FETs keine Diskussion, logisch, da braucht man das.
Es geht aber um Bipolartransistoren.
Wenn man gegen einen versehentlich hängen gebliebenen Pullup im uC 
ankämpfen will bringt ein Megaohm nichts. Dann würde ich eher 10k 
empfehlen. (Hängt natürlich vom uC ab, welchen Wert der Pullup da 
typischerweise hat)
Und selbst dann geht der Transistor nicht "aus", sondern man limitiert 
nur den Strom.

Edi M. schrieb:
> es gilt
> bekanntlich, dass UBE bei konstantem Strom um etwa 2 mV/K mit der
> Temperatur abnimmt; die Kennlinie ver-schiebt

Einfach mal eine eine Diode 1N4148 auf Diodentest messen und mit den
Fingern berühren oder auch anheizen - oder die BE-Strecke - Upps...

Daher lassen sich diese ganz gut als Temperatursensor nutzen...

@Tilo R, Sie haben ja die Lösung selbst gefunden- dürfte überall gleich 
erklärt werden.

Extrem hochohmig beim Bipolartransi dürfte allerdings, wie Sie 
schrieben, meist nicht sinnvoll sein.

Ich schlage vor, solche Fragen mit einer Skizze zu stellen, wer/ was 
gemeint ist- und
@alle: Wir haben eine eigene Sprache.

Tilo R. schrieb:
> bringt ein Megaohm nichts.

das Mohm ist nicht von mir!

Gibt es in diesem Thread eine Wiedergeburt von KB?

;-)

Mani W. schrieb:

> Daher lassen sich diese ganz gut als Temperatursensor nutzen...

...und das mit erstaunlicher Genauigkeit (einige Zehntel K),
wenn man den Bahnwiderstand rausrechnet.

Habe natürlich interessiert mitgelesen und auch der Nachbarthread gehört 
hierher. Wenn wir uns einigen können, dass eine halbleiterphysikalische 
Betrachtung hier nicht zielführend ist, dann bleibt zur 
Betrachtung/Analyse z.B. meine auch "dort" vorgeschlagene Betrachtung 
einer einfachen Emitterschaltung. (was sonst, wenn man von richtigen 
Schaltungsklopsen - und das meine ich durchaus ernst - mal absieht). 
Zuerst natürlich die Frage: betrachten wir die reine 
Gleichspannungs-Situation oder nehmen wir den üblichen Ansatz einer 
Ansteuerung der Stufe durch eine Wechselspannung? Hätte gern jetzt schon 
ein paar einfache Fälle in LT präsentiert, aber mein Windoof10 hat 
wieder einmal mit unendlichen Update-Orgien gestört...egal...wenn es 
jemand jetzt noch interessieren sollte...morgen mehr...oder Antwort von 
anderen?
Gruß Rainer

Theor schrieb:
> Wie schon gesagt. Das Thema ist interessant. Aber das akute Problem ist
> m.M.n. eher ein soziales und ein psychisches als ein technisches oder
> wissenschaftstheoretisches. Sonst könnte man darüber doch ganz ruhig
> reden.

Tilo R. schrieb:
> Recht zu haben ist kein erstrebenswertes Ziel.

Gute Erklärungen von Theor und Thilo und nachdenklich machende Worte von 
Theor!

Ich hätte es ähnlich erklärt, habe gestern noch einmal in meinen alten 
Wälzern gestöbert. Aber fachlich ist alles Wesentlich gesagt und 
nachtreten sollte niemand, davon wird diese Welt keine bessere. In 
diesem Sinne ...

Mohandes

Tilo R. schrieb:
> Zur Sache:
> Basisstrom und Basisspannung hängen zusammen, sie bedingen sich
> wechselseitig. Keines davon ist alleinige Ursache des Kollektorstroms.
>
> Natürlich gibt es einen C-Strom nur, wenn freie Ladungsträger da sind.
> Und natürlich müssen die Sie sich bewegen, also geht es um Strom. Aber
> ohne E-Feld, also eine Potentialdifferenz, also Spannung, würden sie
> sich gar nicht in Bewegung setzen und an Ort und Stelle rekombinieren.

Weil ich das für eine sehr schöne Erläuterung für Strom- & 
Spannungssteuerung des Bipolartransistors halte, hier noch mal als 
Zitat. Als Punkt sozusagen.

Mohandes H. schrieb:
>Zitat> Natürlich gibt es einen C-Strom nur, wenn freie Ladungsträger da sind.
>> Und natürlich müssen die Sie sich bewegen, also geht es um Strom. Aber
>> ohne E-Feld, also eine Potentialdifferenz, also Spannung, würden sie
>> sich gar nicht in Bewegung setzen und an Ort und Stelle rekombinieren.
>
> Weil ich das für eine sehr schöne Erläuterung für Strom- &
> Spannungssteuerung des Bipolartransistors halte, hier noch mal als
> Zitat. Als Punkt sozusagen.

@Mohandes, die zitierte Erklärung ist ja absolut korrekt- aber das ist 
ja Grundwissen, daß ein Strom nicht ohne Spannung entstehen kann.

Es geht aber um etwas anderes- nämlich um die STEUERUNG eines 
steuerbaren Bauelements.

Und da gibt es welche, die kann man allein durch eine Spannung steuern.
Ganeu das IST ein spannungsgesteuertes Bauelement. Röhre, Fet, usw.

Und die, über die hier diskutiert wurde, benötigen aber eine 
Steuerleistung, das bedingt einen STROM.

Die Unterscheidung ist eben nicht mehr da, wenn man solche Theorien in 
die Welt setzt, der Bipolartransi wäre ein spannungsgesteuertes 
Bauelement.

EIn Bipolartransi ist KEIN FET und KEINE RÖHRE.

Die Spannung hatte man im Begriff "Stromsteuerung" wegggelassen...  weil 
man WISSEN voraussetzte.
Und es ist traurig, wenn Leute, denen man Fachwissen unterstellt, solche 
Verwässerungen geltenden Wissens ablassen. Genauso wie eben der 
angesprochene "PC- Sprech", "Gendersprech", usw.

Wir haben eine Sprache, die mehr als ausreichend ist, alle Fakten zu 
benennen- und davon sollte man nicht abweichen.
Ggf. könnte man eine korrekte Umbenennung anregen- z. B. 
"leistungsbedingende Steuerung". Darum ging es aber nicht.

Edi M. schrieb:
> Wir haben eine Sprache, die mehr als ausreichend ist, alle Fakten zu
> benennen- und davon sollte man nicht abweichen.

>> Wiki) ein Basis-Pulldownwiderstand (analog zu FETs) propagiert wird. Ich
>> halte den nämlich für Quatsch.
>
> Was für ein Ding ?
> Gibt's dafür einen Namen in unserer Sprache ?

Und ab morgen sagen wir dann zieh-hoch- und zieh-runter-Widerstand? Die 
(technische) Sprache hat sich eben entwickelt und nicht für alles gibt 
es gute und treffende deutsche Begriffe. Bipolar, Gate sind auch 
'fremden' Ursprungs, nicht mal Transistor ist ein deutsches Wort. Wie 
soll man Gate (FET) und Gitter (Röhre) unterscheiden?

Ich war mal beruflich auf Taiwan. Dort konnte ich dem Bericht (den ich 
auf Englisch geschrieben hatte, vorgetragen auf Chinesisch) mühelos 
folgen weil alle technischen Wörter vom Englischen 'einchinesischt' 
waren.

Und Edi, bitte etwas mehr Sorgfalt beim Zitieren! Es sollte schon zu 
erkennen sein wer was geschrieben hat (s o.). Stichwort: Zitat im Zitat.

Auf diesen mit persönlichen Angriffen und Details gespickten Beitrag 
will und muss ich dann doch noch einmal reagieren.

Theor schrieb:
> Das primäre Problem ist nämlich, Deine Umgangsform und das Du
> abweichenden Standpunkte nicht nähertrittst (und sei es auch nur um sie
> zu widerlegen).

Darf ich Dich höflichst bitten, meine Beiträge im diesem thread - und 
die Reaktionen darauf - noch einmal anzuschauen. Ich habe wirklich 
versucht, sachlich meinen Standpunkt (mit Erläuterungen) darzulegen. Und 
wenn Du fair bist, musst Du realisieren, dass mir darauf unsachlich 
(damit kann ich leben), aber auch mit Häme, Spott und dummen Sprüchen 
geantwortet wurde.
Und Du kritisierst meine Umgangsformen?

Zum "abweichenden Standpunkt": Dem konnte ich weder nähertreten noch ihn 
sachlich kommentieren, da dieser Standpunkt ausnahmslos (!) nur als 
schlichte Behauptung forrmuliert wurde, obwohl ich oftmals um 
Begründung/Nachweise bat.
Ich dagegen habe - obwohl niemand (!) dafür Interesse bekundet hat, 
meine Ansicht mit 8 technischen Erläuterungen erklärt. Keine Reaktion!!
Ist Dir das alles entgangen?

>
> Ich will ergänzen, dass Du nach meinen Recherchen (vermutlich nach
> eigener Aussage) emeretierter Professor einer Hochschule Bremen bist.
> https://www.researchgate.net/profile/Lutz_Von_Wangenheim
> Man sollte daher annehmen, dass Du Geduld und Verständnis aufbringen
> kannst.

Na ja ...Geduld..."gib endlich Ruhe" musste ich mir sagen lassen.
Es stimmt, ich bin Hochschullehrer im Ruhestand. Es gibt Studenten, die 
den Transistor wirklich verstehen wollten und verwirrt waren, weil 
Tietze-Schenk von Spannungs-Steuerung spricht und andere Bücher von 
Stromsteuerung.
Ich hielt und halte es weiterhin für sinnvoll, diesen Widerspruch zu 
klären (es ist nämlich ein Widerspruch: Die Entgegnung: "Strom und 
Spannung bedingen einander" klingt etwas hilflos und ist keine 
Erklärung!).
Und einige Teilnehmer hier hielten es für nötig, diese Diskussion als 
"kindisch" und "überflüssig" anzusehen und meinten, ich wolle die "Welt 
auf den Kopf" stellen und soll endlich die "Realität begreifen".

Solche hilfreiche Sprüche durfte ich auf meine fachlichen Ausführungen 
lesen - und Du kritisierst meine "Umgangsformen"?
Ja - zugegeben, etwas Ironie konnte ich mir manchmal nicht 
verkneifen...auf einige "Beiträge" konnte ich aber auch nicht anders 
reagieren.
Wenn ich Deine ganzen persönlichen Angriffe hier so lese (letzter Satz: 
"fanatisches Verhalten"), dann frage ich mich, mit welcher Berechtigung 
Du Dich über Umgangsformen beklagst....

In Sachen Diskussionskultur mit Respekt vor anderen Ansichten besteht 
hier im Forum noch dringender Nachholbedarf!

Lutz V. schrieb:
> hier so lese (letzter Satz: "fanatisches Verhalten"), dann frage ich
> mich, mit welcher Berechtigung Du Dich über Umgangsformen beklagst....

Lutz, auch das würde ich nicht als Angriff sehen! Die Wortwahl 
'fanatisch' ist vielleicht etwas drastisch aber einen gewissen 
Fanatismus was Deine Erklärungen angeht sehe ich auch.

Es drängt sich der Eindruck auf, daß Du unbedingt Deine Spannungstheorie 
zum Transistor verteidigen möchtest, um biegen und brechen sozusagen.

Lutz V. schrieb:
> Die Entgegnung: "Strom und Spannung bedingen einander" klingt etwas
> hilflos und ist keine Erklärung!).

Exakt diese Worte hatte ich ja auch gebraucht. Ist natürlich maximal 
simplifiziert, trifft aber den Kern. Fachlich tiefergehende Argumente 
waren hier zu hauf zu lesen.

Du hattest ja auch bemängelt, daß ich Deine '8 Punkte zur 
SPANNUNGS-Steuerung' als wahllos hingeworfen bezeichnet habe. Das meinte 
ich in dem Sinne, daß es nicht zielführend ist den 
theoretisch-physikalischen und den praktisch-technischen Ansatz 
durcheinanderzuwürfeln.

Ich bleibe dabei (auch wenn viele Deiner Punkte faktisch in Ordnung 
sind): mit Deiner 'Spannungstheorie' beleuchtest Du nur einen Teil der 
Erklärung zur Funktion des Transistors!

Lutz V. schrieb:
> Und Du kritisierst meine Umgangsformen?

ich sehe keine Kritikfähigkeit!

Lutz V. schrieb:
> Zum "abweichenden Standpunkt": Dem konnte ich weder nähertreten noch ihn
> sachlich kommentieren, da dieser Standpunkt ausnahmslos (!) nur als
> schlichte Behauptung forrmuliert wurde, obwohl ich oftmals um
> Begründung/Nachweise bat.

nein, du ignorierst Tatsachen das ich eine CRT am Gitter mit dem 5 Meg 
Ohm Poti leistungslos steuern kann, aber den bipolaren Transistor eben 
nicht!

Darauf gehst du mit keiner Silbe ein.
Du drehst dich im Kreis mit immer denselben Verweisen, da kann ich auch 
auf die Bibel verweisen das Gott die Welt in 6 Tagen erschaffen hat und 
wie alt sie ist.

Mohandes H. schrieb:
> Es drängt sich der Eindruck auf, daß Du unbedingt Deine Spannungstheorie
> zum Transistor verteidigen möchtest, um biegen und brechen sozusagen.

Ich hab Dir eine PN gesendet...

Joachim B. schrieb:

> nein, du ignorierst Tatsachen das ich eine CRT am Gitter mit dem 5 Meg
> Ohm Poti leistungslos steuern kann, aber den bipolaren Transistor eben
> nicht!

Irgendwie erinnert mich diese Diskussion an den Betrieb von LEDs.
Diese kann man natürlich auch mit einer Spannung betreiben, sinn-
voll ist das aber nicht.

Mohandes H. schrieb:
> Und Edi, bitte etwas mehr Sorgfalt beim Zitieren! Es sollte schon zu
> erkennen sein wer was geschrieben hat (s o.). Stichwort: Zitat im Zitat.

Ich habe das Zitat im Zitat gekennzeichnet, stand groß drüber.
Daß das darunter Geschriebene dann eine Antwort auf das Zitat ist, 
leuchtet doch ein, oder ?

Mohandes H. schrieb:
> Und ab morgen sagen wir dann zieh-hoch- und zieh-runter-Widerstand? Die
> (technische) Sprache hat sich eben entwickelt und nicht für alles gibt
> es gute und treffende deutsche Begriffe. Bipolar, Gate sind auch
> 'fremden' Ursprungs, nicht mal Transistor ist ein deutsches Wort. Wie
> soll man Gate (FET) und Gitter (Röhre) unterscheiden?

Es gibt Begriffe, wie Transistor" die nicht deutschen Ursprungs sind, 
und die fester Bestandteil der technischen Sprache geworden sind.
(Übrigens- FETS: Gate (Tor), Röhren: Grid (Gitter), das kann man schon 
unterscheiden- ich jedenfalls.)

Und es gibt Leute, die nun, weil es so geil klingt, weil Sie 
überragendes technisches Wissen durch Verwendung komplizierter oder 
fremdsprachiger Begriffe vortäuschen wollen, oder weil sie einfach zu 
dämlich sind, Begriffe, für die es ein deutsches Wort gibt, durch einen 
oft nichtssagenden- fremdsprachigen Begriff ersetzen.

Andere Länder kommen mit ihren eigenen Begriffen klar.
Aber wir müssen den Begriffs- Blödsinn nicht mitmachen.

Und dann erst die verschiedenen Übersetzungsmöglichkeiten, das Pentoden- 
Bremgitter: decelerate grid, brake grille, suppressor grid. Teilweise 
sind mehrere Wörter gleicher Bedeutung in EINEM Text !

Schon mal aufgefallen... Solchen(Misch-) Sprachmüll gibt es fast nur in 
der deutschen Sprache.
Geschweige denn, eine falsche Definition zu einem Begriff, wie hier zu 
lesen.

Wissen und Sprache stehen in einem untrennbaren Zusammenhang, darum auch 
diese Diskussion.

Mohandes H. schrieb:
> Tilo R. schrieb:
>> Zur Sache:
>> Basisstrom und Basisspannung hängen zusammen, sie bedingen sich
>> wechselseitig. Keines davon ist alleinige Ursache des Kollektorstroms.
>>
>> Natürlich gibt es einen C-Strom nur, wenn freie Ladungsträger da sind.
>> Und natürlich müssen die Sie sich bewegen, also geht es um Strom. Aber
>> ohne E-Feld, also eine Potentialdifferenz, also Spannung, würden sie
>> sich gar nicht in Bewegung setzen und an Ort und Stelle rekombinieren.
>
> Weil ich das für eine sehr schöne Erläuterung für Strom- &
> Spannungssteuerung des Bipolartransistors halte

Ich lese das nicht als Plädoyer für die Spannungssteuerung. Die 
angesprochene Spannung, die für den Kollektorstrom (neben dem 
Basisstrom) erforderlich ist, ist die Kollektor-Emitter Spannung. Es ist 
diese Spannung, die die Ladungsträger beschleunigt, die den 
Kollektorstrom bilden.

NurNochMitleser schrieb:
> Ich bin schon sehr lange hier im Forum aktiv und habe derartige
> Diskussionen schon oft am eigenen Leib erfahren müssen. Jedes Mal hat
> sich gezeigt, dass man einer verbohrten, ignoranten und manchmal
> hinterhältigen Klientel gegenübersteht.
>
> Wie gut eine vorgestellte neue oder bessere Lösung auch ist, immer
> finden sich zuhauf Leute, die die Sache kaputtreden, lügen und dir das
> Wort im Munde umdrehen. Die hören erst auf, wenn sie dich erfolgreich
> niedergekämpft und noch ein paar Mal nachgetreten haben. An wirklich
> neuen oder besseren Erkenntnissen sind die Meisten gar nicht
> interessiert. Die Wenigen, die die Sache verstanden haben, nehmen die
> schweigend mit.

Ja, das habe ich nun auch erfahren müssen. Es ist fast wie beim Thema 
Religion....man glaubt und will sich diesen Glauben nicht "kaputt" 
machen lassen. Und deshalb interessieren diejenigen sich auch gar nicht 
für Fakten...ich habe ein paar mal angedeutet, dass ich Nachweise und 
Indizien und Erklärungen liefern kann.
KEIN EINZIGER hat sich dafür interessiert.
Und falls der eine oder andere ins Grübeln gekommen sein sollte, hat er 
nicht den Mut gehabt, das zu äußern und in eine sachliche Diskussion 
(vielleicht mal mit einer Nachfrage) einzusteigen.
Ein wirklich trauriges Bild der Diskussinskultur in diesem Forum.

Lutz V. schrieb:
> (vielleicht mal mit einer Nachfrage) einzusteigen.

hatte ich.....

Joachim B. schrieb:
> hatte ich.....

Genau genommen hast du "hochohmige Spannungsquellen" postuliert.

Axel S. schrieb:
> Ich lese das nicht als Plädoyer für die Spannungssteuerung.

Vielleicht habe ich mich da mißverständlich ausgedrückt. Oder ist in der 
Hitze des Gefechts untergegangen ... permanente Redundanz trägt nicht 
gerade zur Klarheit bei.

Wie ich - und andere auch - schon mehrfach schrieb: eine sinnvolle 
Erklärung ist nur möglich wenn man sowohl die Ströme als auch die 
Spannungen am Transistor betrachtet!

Lutz V. schrieb:
> KEIN EINZIGER hat sich dafür interessiert.

Nein, das stimmt einfach nicht! Läßt sich alles oben nachlesen. 
Stichwort: selektive Wahrnehmung.

Joachim B. schrieb:
> Lutz V. schrieb:
>> Dieser Basisstrom kann doch nicht die URSACHE für den Emitterstrom
>> sein....
>> Das ist pure Logik!
>
> die falsch ist
>
> wenn kein Strom in die Basis fliessen muss weil der bipolare Transistor
> deiner Meinung nach rein spannungsgesteuert ist dann reicht eine
> hochohmige Steuerspannung, aber das stimmt eben nicht für den bipolaren
> Transistor, ohne Basisstrom gibt es keinen Collector- und keinen
> Emitter-strom.
>
> Stromlos kann ich allenfalls Röhren am G1 steuern und FET am Gate.
>
> Aber stromlos die Gatekapazität umladen wird mir auch nicht gelingen, da
> ist eine Röhre gnädiger.

Joachim - war das etwa Deine "Frage"?
Falls es noch eine andere gab, die ich überlesen haben sollte, bitte 
wiederhole diese.

Mohandes H. schrieb:
> Stichwort: selektive Wahrnehmung.

Zu diesem Stichwort findet sich im gesamten Thread kein einziger Beitrag 
vor Deinem hier zitierten.

Lutz V. schrieb:
> Falls es noch eine andere gab, die ich überlesen haben sollte

Ja, mehrere.
30.09.2020 11:22
30.09.2020 11:51
30.09.2020 18:43
Und vor allem:
02.10.2020 10:34
02.10.2020 12:08

Edi M. schrieb:
> Lutz V. schrieb:
>> Falls es noch eine andere gab, die ich überlesen haben sollte
>
> Ja, mehrere.
> 30.09.2020 11:22
> 30.09.2020 11:51
> 30.09.2020 18:43
> Und vor allem:
> 02.10.2020 10:34
> 02.10.2020 12:08

Hier kann ich nur jeden bitten, der sich dafür interessiert, bei den 
genannten Daten/Zeiten nachzulesen. Wer in diesen teilweisen wirren und 
nicht zum Thema gehörenden Ausführungen (CRT, hochohmge 
Spannungsquelle,..) eine sinnvolle zum Thema gehörende Frage isolieren 
kann, möge sie bitte hier wiederholen. Es wird langsam lächerlich...

Der Kessel ist angeheizt, das Schiff nimmt Fahrt auf ...

... seit 1 Tag wiederholen sich die Argumente und die Diskussion dreht 
sich (immer wieder) im Kreis.

Für mich ist alles wichtige gesagt und falls da nichts essentiell neues 
kommt, dann bin ich raus. Manche schmettern ihre Argumente 
gebetsmühlenartig in die Runde ohne auf andere einzugehen. Zuhören (ich 
schließe mich da nicht aus)!

Tilo R. schrieb:
> Könnten die Beteiligten einen kleinen Schritt zurück machen und
> versuchen das Große Ganze zu erkennen? Recht zu haben ist kein
> erstrebenswertes Ziel.

Mohandes H. schrieb:
> Der Kessel ist angeheizt
Ich glaube, wir sollten uns alle mal einen Tag Ruhe geben damit die 
Hitzköpfe sich abkühlen können. Wenn ichs nicht vergesse, entsperre ich 
den Thread morgen irgendwann.

Michael schrieb:
> Kann man dann anstelle von einem PNP einen N-Fet nehmen?

Nix N in der Konfiguration immer nur P. Egal ob Bipolar oder FET.

Old-Papa

Lothar M. schrieb:
> Ich glaube, wir sollten uns alle mal einen Tag Ruhe geben damit die
> Hitzköpfe sich abkühlen können. Wenn ichs nicht vergesse, entsperre ich
> den Thread morgen irgendwann.

Ich habe folgende Frage an den Moderator:

Ist es im Einklang mit den Regeln des Forums, wenn jemand in einem 
Beitrag für diesen Diskussionsblock das Persönlichkeitsprofil von mir 
aus einem anderen Diskussionsforum (Research Gate) hier verlinkt und 
damit öffentlich macht?
(vgl. Beitrag von "Theor", 01.10.2020, 18:32)

Lutz V. schrieb:

> Ist es im Einklang mit den Regeln des Forums, wenn jemand in einem
> Beitrag für diesen Diskussionsblock das Persönlichkeitsprofil von mir
> aus einem anderen Diskussionsforum (Research Gate) hier verlinkt und
> damit öffentlich macht?

DU, ja DU hast das doch in diesem anderen Forum öffentlich gemacht.
Wenn jetzt jemand einen Link setzt, was ist dabei? Wenn Dir das dort 
gezeigte Persönlichkeitsprofil nicht mehr gefällt oder es veraltet ist, 
musst DU das DORT ändern/löschen.
Wo ist also das Problem?

Old-Papa

Verlinken verbieten... ist absoluter Schwachsinn- Links sind das Wesen 
des Internets.

Warum stellt man sonst Seiten online ???

(Ausnahme illegale Seiten/ Links von/ nach illegalen Seiten.)

Wer nicht gesehen werden will... darf sich nicht im Internet darstellen.

Davon abgesehen: Löschen bringt wenig- Das Internet vergißt nichts- in 
den Archiven der Suchmaschinen bleiben Seiten gespeichert.

Allerdings bin ich mir nicht sicher, ob das verlinkte Profil vllt. gar 
nicht dem Anfrager gehört, und er deswegen besorgt ist. 3 Leute vermuten 
ja einen alten Bekannten.

Trollscanner schrieb:
> Eventuell war es selbst ein Mod? ;-)

Oder gar der Papst?

Eventuell schreibst nur des Schreibens Willen...